SRAM과 ROM 설계 IP 시장 규모 및 점유율 분석 – 성장 동향 및 전망 (2026년 – 2031년)

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SRAM 및 ROM 디자인 IP 시장 규모 및 점유율 분석: 성장 동향 및 2031년 전망

# 1. 서론

본 보고서는 SRAM(Static Random-Access Memory) 및 ROM(Read-Only Memory) 디자인 IP 시장의 현재 상황과 2031년까지의 성장 전망을 심층적으로 분석합니다. 메모리 유형, 애플리케이션, 기술 노드, IP 제공 유형, 그리고 지역별 세분화를 통해 시장의 주요 동향, 성장 동력, 그리고 경쟁 환경을 상세히 조명합니다. 이 보고서는 2020년부터 2031년까지의 연구 기간을 다루며, 시장 규모는 USD(미국 달러) 기준으로 제시됩니다.

# 2. 시장 개요 및 규모

SRAM 및 ROM 디자인 IP 시장은 2025년 6억 1,479만 달러에서 2026년 6억 2,942만 달러로 성장했으며, 2031년에는 7억 798만 달러에 이를 것으로 예상됩니다. 예측 기간(2026-2031) 동안 연평균 성장률(CAGR)은 2.38%를 기록할 것으로 전망됩니다. 이러한 꾸준한 시장 확장은 캐시 집약적인 AI 가속기, 5G 엣지 노드, 그리고 자동차 기능 안전 플랫폼과 같은 고성능 컴퓨팅 및 실시간 처리 요구사항이 증가함에 따라 SRAM 및 ROM 디자인 IP에 대한 수요가 지속적으로 증가하고 있기 때문입니다.

특히 14nm 이하(Sub-14nm) 공정은 높은 라이선스 비용을 차지하며, 이는 설계 회사들이 미세 공정에서 발생하는 가변성, 누설 전류, 소프트 에러율과 같은 기술적 과제를 해결하기 위한 정교한 비트 셀 아키텍처를 모색하고 있음을 반영합니다. IP 제공 방식에 있어서는 하드 IP(Hard IP)가 검증 위험을 최소화하고 테이프아웃(tape-out) 일정을 단축하는 이점 때문에 여전히 선호되는 형식입니다. 그러나 이종 패키징(heterogeneous packaging) 기술이 대량 생산 단계로 진입하면서 칩렛(chiplet) 기반의 메모리 타일(memory tiles)이 점차 주목받으며 새로운 성장 동력으로 부상하고 있습니다.

경쟁 환경 측면에서는 오픈 소스 컴파일러의 확산이 평균 판매 가격(ASP)을 압박하면서 경쟁 강도가 심화되고 있습니다. 이에 따라 기존 공급업체들은 차별화를 위해 검증 스위트(verification suites) 개발과 파운드리 파트너십 강화에 더욱 집중하고 있습니다. 지역적으로는 아시아 태평양 지역이 방대한 파운드리 규모와 정부 보조금 정책에 힘입어 시장 출하량을 주도하고 있으며, 북미 지역은 팹리스(fabless) 설계 생태계를 통해 혁신 리더십을 유지하고 있습니다.

# 3. 주요 시장 통계

* 연구 기간: 2020년 – 2031년
* 2026년 시장 규모: 6억 2,942만 달러 (USD 629.42 Million)
* 2031년 시장 규모: 7억 798만 달러 (USD 707.98 Million)
* 성장률 (2026-2031): 연평균 2.38% (CAGR)
* 가장 빠르게 성장하는 시장: 아시아 태평양
* 가장 큰 시장: 아시아 태평양
* 시장 집중도: 중간 (Medium) – 이는 시장에 다수의 중소기업과 함께 소수의 지배적인 대기업이 공존하며 경쟁하는 구조를 의미합니다.
* 주요 기업: 보고서에 명시된 주요 기업들이 시장에 참여하고 있으며, 이들은 시장의 혁신과 성장을 주도하고 있습니다. (구체적인 기업명은 원문에서 제공되지 않음)

# 4. 세부 시장 분석 (Key Report Takeaways)

보고서의 주요 분석 결과는 다음과 같습니다.

* 메모리 유형별:
* 2025년 SRAM은 SRAM 및 ROM 디자인 IP 시장 점유율의 60.05%를 차지하며 가장 큰 비중을 보였습니다. SRAM은 고속 캐시 메모리 및 임시 데이터 저장에 필수적이며, AI 가속기 등 고성능 애플리케이션에서 그 중요성이 더욱 커지고 있습니다.
* 임베디드 플래시(embedded flash) 및 기타 비휘발성 옵션은 2031년까지 연평균 3.72%의 성장률을 보일 것으로 예상됩니다. 이는 IoT 기기 및 엣지 디바이스에서 코드 및 데이터를 안정적으로 저장해야 하는 수요 증가에 기인합니다.

* 애플리케이션별:
* 2025년 소비자 가전(Consumer Electronics)이 SRAM 및 ROM 디자인 IP 시장 규모의 36.10%를 차지하며 가장 큰 애플리케이션 부문이었습니다. 스마트폰, 태블릿, 웨어러블 기기 등 다양한 소비자 제품에 필수적으로 사용됩니다.
* 자동차 및 운송(Automotive and Transportation) 부문은 2026년부터 2031년까지 연평균 4.9%로 가장 빠르게 성장할 것으로 전망됩니다. 자율주행, 인포테인먼트 시스템, ADAS(첨단 운전자 보조 시스템) 등 자동차 전장 시스템의 복잡성 증가가 성장을 견인합니다.

* 기술 노드별:
* 2025년 15-22nm 기술 노드가 SRAM 및 ROM 디자인 IP 시장 규모의 37.60%를 점유했습니다. 이 노드는 비용 효율성과 성능의 균형을 제공하여 다양한 제품에 널리 채택되고 있습니다.
* 14nm 이하(Sub-14nm) 노드는 2031년까지 연평균 3.92%의 성장을 이룰 것으로 예상됩니다. 이는 고성능 컴퓨팅(HPC), AI, 5G 통신 등 최첨단 기술 분야에서 미세 공정의 필요성이 증대되고 있기 때문입니다.

* IP 제공 유형별:
* 2025년 하드 IP(Hard IP)가 SRAM 및 ROM 디자인 IP 시장의 47.35%를 차지했습니다. 하드 IP는 물리적 레이아웃이 최적화되어 있어 성능과 전력 효율성이 뛰어나고, 설계 통합 시 위험이 적다는 장점이 있습니다.
* 칩렛(Chiplet) 및 3D 다이 레벨 IP(3D die-level IP)는 2031년까지 연평균 4.22%로 가장 빠르게 성장하는 형식입니다. 이는 이종 통합(heterogeneous integration) 및 고급 패키징 기술의 발전과 함께 시스템 온 칩(SoC) 설계의 유연성과 확장성을 높이는 데 기여합니다.

* 지역별:
* 2025년 아시아 태평양(Asia Pacific) 지역이 시장 매출의 46.85%를 차지하며 시장을 지배했으며, 2031년까지 연평균 3.82%의 성장률을 보일 것으로 예측됩니다. 이 지역은 세계 최대의 반도체 제조 허브이자 주요 전자제품 생산 기지로서 강력한 시장 수요와 공급망을 갖추고 있습니다.

# 5. 시장 동인 분석 (Drivers Impact Analysis)

SRAM 및 ROM 디자인 IP 시장의 주요 성장 동인은 다음과 같습니다.

* AI 중심 SoC의 대규모 온칩 캐시 수요 증가:
* 예측 CAGR에 0.8%의 긍정적 영향을 미칩니다.
* 북미와 아시아 태평양 지역에서 중기적(2-4년)으로 중요한 동인입니다. AI/ML 워크로드의 폭발적인 증가로 인해 데이터 처리 속도를 높이기 위한 대용량, 고속 온칩 캐시 메모리의 필요성이 커지고 있습니다.

* 5G 및 엣지 컴퓨팅 확산:
* 예측 CAGR에 0.6%의 긍정적 영향을 미칩니다.
* 아시아 태평양과 북미 지역에서 단기적(2년 이내)으로 중요한 동인입니다. 5G 네트워크의 구축과 엣지 디바이스의 확산은 실시간 데이터 처리 및 저지연 통신을 위한 효율적인 메모리 솔루션의 수요를 촉진하고 있습니다.

# 6. 결론

SRAM 및 ROM 디자인 IP 시장은 AI, 5G, 자동차 산업의 발전과 함께 꾸준한 성장을 지속할 것으로 전망됩니다. 특히 아시아 태평양 지역의 강력한 반도체 제조 기반과 북미의 혁신적인 설계 역량이 시장 성장을 견인할 핵심 요소로 작용할 것입니다. 기술 노드의 미세화와 칩렛 기반의 이종 통합 기술 발전은 시장의 새로운 기회를 창출하며, 경쟁 심화 속에서 기업들은 기술 혁신과 파트너십 강화를 통해 시장 리더십을 확보하려 할 것입니다.

본 보고서는 글로벌 SRAM 및 ROM 디자인 IP 시장에 대한 포괄적인 분석을 제공하며, MRAM 기술의 수익, 기술 동향, 최신 개발, 애플리케이션(독립형 및 임베디드), 기술 노드 및 주요 공급업체 로드맵을 포함한 전반적인 시장 시나리오를 다룹니다.

시장 규모는 2026년 6억 2,942만 달러에서 2031년 7억 798만 달러 규모로 성장할 것으로 전망됩니다.

주요 시장 성장 동력으로는 AI 중심 SoC의 온칩 캐시 수요 증가, 5G 및 엣지 컴퓨팅 확산에 따른 저전력 임베디드 SRAM 채택 가속화, 28nm 이하 공정에서 eFlash에서 MRAM으로의 전환을 통한 새로운 라이선싱 수익 창출, 자동차 Grade-1 기능 안전 규제 강화로 인한 인증된 메모리 IP 수요 증대, 칩렛 아키텍처 표준화로 인한 다이-투-다이 메모리 IP 요구사항 증가, 그리고 파운드리 턴키 메모리 컴파일러 프로그램으로 인한 팹리스 기업의 시장 출시 기간 단축 등이 있습니다.

반면, 오픈소스 메모리 컴파일러의 가격 압력으로 인한 평균 판매 가격(ASP) 하락, 신흥 ReRAM/FeRAM 대안으로 인한 소형 ROM IP 시장 잠식, 중국 테이프아웃에 대한 수출 통제 규제, 그리고 7nm 이하 SRAM 비트셀의 신뢰성 문제로 인한 검증 비용 증가 등이 시장 성장을 저해하는 요인으로 작용하고 있습니다.

지역별로는 아시아 태평양 지역이 파운드리 규모, 정부 보조금, 디자인 하우스 집중도에 힘입어 시장의 46.85%를 차지하며 3.82%의 연평균 성장률(CAGR)로 지배적인 위치를 유지하고 있습니다. 메모리 유형별로는 IoT 및 자동차 수요에 힘입어 임베디드 플래시 및 기타 비휘발성 메모리(NVM) IP가 3.72%의 CAGR로 가장 빠르게 성장할 것으로 예상됩니다.

특히 칩렛 아키텍처는 UCIe 링크와 결합된 칩렛 지원 메모리 타일을 통해 설계자가 다양한 기술 노드를 혼합하고 대역폭을 높일 수 있게 하여 4.22%의 CAGR로 성장하고 있습니다. 가격 경쟁 심화는 오픈소스 SRAM 컴파일러와 대학 기반 라이브러리로 인해 발생하며, 상업용 벤더들은 전력 효율, 안전성 및 검증 깊이에 중점을 두도록 유도하고 있습니다. 또한, 2022년 부과된 미국 수출 통제 규제는 중국 기반의 첨단 SRAM 및 신흥 메모리 IP 설계에 라이선스 취득을 요구하여 거래 주기를 연장하고 국내 대안 개발을 촉진하고 있습니다.

경쟁 환경 분석에서는 Arm, Synopsys, Cadence Design Systems, Siemens EDA, eMemory Technology 등 주요 기업들의 시장 집중도, 전략적 움직임, 시장 점유율 및 상세 프로필을 다루고 있습니다. 본 보고서는 이러한 시장 동향과 기회를 바탕으로 미래 전망을 제시합니다.


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1. 서론

  • 1.1 연구 가정 및 시장 정의

  • 1.2 연구 범위

2. 연구 방법론

3. 주요 요약

4. 시장 환경

  • 4.1 시장 개요

  • 4.2 시장 동인

    • 4.2.1 대규모 온칩 캐시를 요구하는 AI 중심 SoC의 확산

    • 4.2.2 저전력 임베디드 SRAM 채택을 가속화하는 5G 및 엣지 컴퓨팅 도입

    • 4.2.3 28nm 이하에서 eFlash에서 MRAM으로의 전환으로 새로운 라이선스 수익원 창출

    • 4.2.4 자동차 Grade-1 기능 안전 규정으로 검증된 메모리 IP 수요 증가

    • 4.2.5 다이-투-다이 메모리 IP 요구 사항을 표준화하는 칩렛 아키텍처

    • 4.2.6 파운드리 턴키 메모리 컴파일러 프로그램으로 팹리스 기업의 출시 기간 단축

  • 4.3 시장 제약

    • 4.3.1 오픈 소스 메모리 컴파일러로 인한 가격 압력으로 ASP 하락

    • 4.3.2 새로운 ReRAM/FeRAM 대안으로 소형 ROM IP 소켓 잠식

    • 4.3.3 중국 테이프아웃에 대한 수출 통제 규정 준수 문제

    • 4.3.4 7nm 이하 SRAM 비트 셀의 신뢰성 문제로 검증 비용 증가

  • 4.4 산업 생태계 분석

  • 4.5 거시 경제 요인의 영향

  • 4.6 기술 전망

  • 4.7 포터의 5가지 경쟁 요인 분석

    • 4.7.1 신규 진입자의 위협

    • 4.7.2 공급자의 교섭력

    • 4.7.3 구매자의 교섭력

    • 4.7.4 대체재의 위협

    • 4.7.5 경쟁 강도

5. 시장 규모 및 성장 예측 (가치)

  • 5.1 메모리 유형별

    • 5.1.1 SRAM

    • 5.1.2 ROM (PROM / EPROM / EEPROM)

    • 5.1.3 MRAM

    • 5.1.4 임베디드 플래시 / 기타 NVM

  • 5.2 애플리케이션별

    • 5.2.1 가전제품

    • 5.2.2 통신 및 네트워킹

    • 5.2.3 자동차 및 운송

    • 5.2.4 산업 및 IoT

    • 5.2.5 항공우주 및 방위

    • 5.2.6 기타 애플리케이션

  • 5.3 기술 노드별

    • 5.3.1 ≤14 nm

    • 5.3.2 15 – 22 nm

    • 5.3.3 28 – 40 nm

    • 5.3.4 ≥45 nm

  • 5.4 IP 제공 유형별

    • 5.4.1 하드 IP

    • 5.4.2 소프트 IP

    • 5.4.3 매개변수화된 컴파일러 IP

    • 5.4.4 칩렛 / 3D 다이 레벨 IP

  • 5.5 지역별

    • 5.5.1 북미

    • 5.5.1.1 미국

    • 5.5.1.2 캐나다

    • 5.5.1.3 멕시코

    • 5.5.2 남미

    • 5.5.2.1 브라질

    • 5.5.2.2 아르헨티나

    • 5.5.2.3 남미 기타 지역

    • 5.5.3 유럽

    • 5.5.3.1 독일

    • 5.5.3.2 영국

    • 5.5.3.3 프랑스

    • 5.5.3.4 이탈리아

    • 5.5.3.5 스페인

    • 5.5.3.6 유럽 기타 지역

    • 5.5.4 아시아 태평양

    • 5.5.4.1 중국

    • 5.5.4.2 일본

    • 5.5.4.3 인도

    • 5.5.4.4 대한민국

    • 5.5.4.5 동남아시아

    • 5.5.4.6 아시아 태평양 기타 지역

    • 5.5.5 중동

    • 5.5.5.1 사우디아라비아

    • 5.5.5.2 아랍에미리트

    • 5.5.5.3 튀르키예

    • 5.5.5.4 중동 기타 지역

    • 5.5.6 아프리카

    • 5.5.6.1 남아프리카 공화국

    • 5.5.6.2 나이지리아

    • 5.5.6.3 아프리카 기타 지역

6. 경쟁 환경

  • 6.1 시장 집중도

  • 6.2 전략적 움직임

  • 6.3 시장 점유율 분석

  • 6.4 기업 프로필 (글로벌 수준 개요, 시장 수준 개요, 핵심 부문, 사용 가능한 재무 정보, 전략 정보, 주요 기업의 시장 순위/점유율, 제품 및 서비스, 최근 개발 포함)

    • 6.4.1 Arm Ltd.

    • 6.4.2 Synopsys Inc.

    • 6.4.3 Cadence Design Systems Inc.

    • 6.4.4 Siemens EDA (Mentor Graphics Corporation)

    • 6.4.5 eMemory Technology Inc.

    • 6.4.6 Silvaco Inc.

    • 6.4.7 Dolphin Design SAS

    • 6.4.8 VeriSilicon Holdings Co. Ltd.

    • 6.4.9 SureCore Ltd.

    • 6.4.10 Xilinx Inc.

    • 6.4.11 Renesas Electronics Corporation

    • 6.4.12 Everspin Technologies Inc.

    • 6.4.13 Avalanche Technology Inc.

    • 6.4.14 TDK Corporation

    • 6.4.15 Kilopass Technology Inc.

    • 6.4.16 Silicon Storage Technology Inc.

    • 6.4.17 GSI Technology Inc.

    • 6.4.18 Dolphin Technology Inc.

    • 6.4.19 TekStart LLC

    • 6.4.20 Flex Logix Technologies Inc.

    • 6.4.21 Rambus Inc.

7. 시장 기회 및 미래 전망

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***** 참고 정보 *****
SRAM과 ROM 설계 IP는 현대 시스템 온 칩(SoC) 설계의 핵심 구성 요소로서, 다양한 전자기기 및 시스템의 성능과 효율성을 결정하는 데 지대한 영향을 미칩니다. 본 보고서는 SRAM 및 ROM 설계 IP에 대한 포괄적인 개요를 제공하며, 정의, 종류, 용도, 관련 기술, 시장 배경 및 미래 전망을 상세히 다루고자 합니다.

SRAM(Static Random Access Memory)은 전원이 공급되는 동안 데이터를 유지하는 휘발성 메모리이며, ROM(Read Only Memory)은 전원 공급이 중단되어도 데이터를 보존하는 비휘발성 메모리입니다. 설계 IP(Intellectual Property)는 특정 기능을 수행하도록 미리 설계되고 검증된 재사용 가능한 블록을 의미합니다. 따라서 SRAM 및 ROM 설계 IP는 SoC 내부에 메모리 기능을 효율적으로 통합하기 위해 최적화된, 검증된 회로 블록을 지칭합니다. 이는 SoC 개발 시간과 비용을 절감하고, 제품의 시장 출시 기간을 단축하는 데 필수적인 역할을 수행합니다.

SRAM IP는 주로 속도와 저전력 특성에 따라 다양한 형태로 제공됩니다. 단일 포트(Single Port) SRAM은 일반적인 CPU 캐시나 레지스터 파일에 사용되며, 듀얼 포트(Dual Port) 또는 멀티 포트(Multi Port) SRAM은 여러 프로세서나 모듈이 동시에 메모리에 접근해야 하는 DSP(Digital Signal Processor)나 네트워크 프로세서 등에 활용됩니다. 또한, 저전력(Low Power) SRAM은 IoT(사물 인터넷) 기기나 웨어러블 장치에 적합하며, 고밀도(High Density) 또는 고속(High Speed) SRAM은 고성능 컴퓨팅 및 AI 가속기 등에서 대용량 및 빠른 캐시 메모리로 사용됩니다.

ROM IP는 데이터의 프로그래밍 방식과 재기록 가능 여부에 따라 분류됩니다. 마스크 ROM(Mask ROM) IP는 제조 과정에서 데이터가 영구적으로 고정되며, 대량 생산 시 가장 저렴한 비용을 제공합니다. OTP(One-Time Programmable) ROM IP는 한 번만 프로그래밍이 가능하여 펌웨어, 보안 키, 교정 데이터 저장에 사용됩니다. MTP(Multi-Time Programmable) ROM IP는 여러 번 프로그래밍이 가능하여 펌웨어 업데이트가 필요한 경우에 유용합니다. 최근에는 SoC 내부에 플래시 메모리 기능을 통합한 임베디드 플래시(eFlash) IP가 마이크로컨트롤러 및 IoT 기기의 프로그램 메모리로 널리 활용되고 있습니다.

이러한 SRAM 및 ROM 설계 IP는 광범위한 분야에서 활용됩니다. SRAM IP는 CPU 및 GPU의 L1, L2, L3 캐시 메모리, 레지스터 파일, 네트워크 장비의 버퍼 메모리, DSP의 스크래치패드 메모리, 그리고 고성능 컴퓨팅 및 AI 가속기의 핵심 메모리로 사용됩니다. ROM IP는 시스템의 부트로더, BIOS, 펌웨어, 보안 키, 암호화 정보, 그리고 각종 설정 및 교정 데이터를 저장하는 데 필수적입니다. 특히 마이크로컨트롤러와 IoT 기기에서는 초기 구동 코드 및 운영 체제 저장을 위해 ROM IP가 핵심적인 역할을 담당합니다.

SRAM 및 ROM 설계 IP의 성능과 효율성은 다양한 관련 기술의 발전과 밀접하게 연관되어 있습니다. 핀펫(FinFET) 및 GAAFET(Gate-All-Around FET)와 같은 최첨단 반도체 공정 기술은 메모리의 밀도, 속도, 전력 효율을 지속적으로 향상시키고 있습니다. 저전력 설계를 위한 파워 게이팅, 클럭 게이팅, 동적 전압 스케일링(Dynamic Voltage Scaling) 기술은 배터리 구동 기기의 수명 연장에 기여합니다. 또한, ECC(Error Correction Code)와 같은 신뢰성 기술, BIST(Built-In Self-Test)와 같은 테스트 기술, 그리고 메모리 컴파일러와 같은 자동화된 설계 툴은 IP의 품질과 개발 효율성을 높이는 데 중요한 역할을 합니다.

현재 SRAM 및 ROM 설계 IP 시장은 AI, IoT, 5G, 자율주행 등 고성능 및 저전력 요구가 증대되는 신기술 분야의 성장에 힘입어 지속적으로 확대되고 있습니다. SoC 설계의 복잡성이 증가함에 따라 검증된 IP의 재사용 중요성이 더욱 부각되고 있으며, Arm, Synopsys, Cadence와 같은 글로벌 IP 벤더들이 시장을 주도하고 있습니다. 파운드리 업체들 또한 최신 공정 기술에 최적화된 메모리 IP 포트폴리오를 강화하며 IP 생태계의 중요한 축을 담당하고 있습니다. 특정 애플리케이션에 최적화된 커스터마이징된 메모리 IP에 대한 수요 또한 증가하는 추세입니다.

미래에는 SRAM 및 ROM 설계 IP가 더욱 진화할 것으로 전망됩니다. 3nm, 2nm 이하의 초미세 공정 기술 적용이 확대되어 성능과 전력 효율이 극대화될 것입니다. 또한, MRAM(Magnetic RAM), ReRAM(Resistive RAM)과 같은 차세대 비휘발성 메모리 기술과의 융합 또는 대체 가능성이 논의되고 있습니다. 인메모리 컴퓨팅(In-Memory Computing)과 같이 메모리 내에서 연산을 수행하여 데이터 이동 병목 현상을 해결하는 기술의 발전은 SRAM 및 ROM IP의 구조적 변화를 가져올 수 있습니다. 보안 강화를 위한 하드웨어 기반의 메모리 보호 기능이 더욱 중요해질 것이며, AI 기반의 설계 자동화 기술은 IP 개발 시간 단축 및 최적화 효율 증대에 기여할 것입니다. 궁극적으로는 엣지 AI, 양자 컴퓨팅 등 새로운 컴퓨팅 패러다임에 특화된 맞춤형 메모리 IP 개발이 활발해질 것으로 예상됩니다.