다이내믹 랜덤 액세스 메모리 (DRAM) 시장 규모 및 점유율 분석 – 성장 동향 및 예측 (2026 – 2031년)

동적 랜덤 액세스 메모리(DRAM) 시장 개요 (2026-2031)

본 보고서는 동적 랜덤 액세스 메모리(DRAM) 시장의 규모, 점유율 및 동향을 분석하며, 2026년부터 2031년까지의 성장 추이 및 예측을 상세히 다룹니다. AI 중심 서버의 가속화된 채택, 고대역폭 메모리(HBM)의 급증, 그리고 엄격해진 자동차 인증 요건 등으로 인해 DRAM 구매 기준이 단순히 용량에서 대역폭, 전력, 열 성능의 균형으로 변화하고 있습니다.

1. 시장 개요 및 주요 수치

* 조사 기간: 2020년 – 2031년
* 2025년 시장 가치: 1,086억 8천만 달러
* 2026년 시장 규모: 1,263억 1천만 달러
* 2031년 시장 규모: 2,677억 7천만 달러
* 예측 기간(2026-2031) 연평균 성장률(CAGR): 16.22%
* 가장 빠르게 성장하는 시장: 남아메리카
* 가장 큰 시장: 아시아 태평양
* 시장 집중도: 높음 (과점 시장)
* 주요 기업: 삼성전자, 마이크론 테크놀로지, SK하이닉스, 난야 테크놀로지 코퍼레이션, 윈본드 일렉트로닉스 코퍼레이션 등

2. 시장 분석 및 주요 동향

2025년 DRAM 시장은 1,086억 8천만 달러로 평가되었으며, 2026년 1,263억 1천만 달러에서 2031년 2,677억 7천만 달러에 이를 것으로 예상되며, 예측 기간 동안 16.22%의 연평균 성장률을 보일 것입니다. 하이퍼스케일 클라우드 운영자들이 2024년부터 DDR5 및 HBM3E 모듈로 랙을 교체하기 시작했고, 아시아의 휴대폰 OEM들은 플래그십 및 중급 포트폴리오를 LPDDR5X로 전환하면서 2025년 중반까지 팹 가동률을 95% 이상으로 유지했습니다. 전기차(EV)당 메모리 콘텐츠는 존(Zonal) 아키텍처가 기존 ECU 네트워크를 대체하면서 빠르게 증가하여 자동차 DRAM 수요를 멀티 기가바이트 영역으로 밀어 넣었습니다. 동시에 수익성이 높은 HBM3E와 레거시 DDR4 라인 간의 공급 할당 갈등은 가격 급등을 유발하여 PC, 스마트폰, 산업용 IoT 보드의 비용-성능 상충 관계를 재편했습니다.

3. 주요 보고서 요약

* 아키텍처별: DDR4는 2025년 DRAM 시장 점유율의 44.78%를 차지했으며, DDR5는 2031년까지 29.1%의 연평균 성장률로 확장될 것으로 예측됩니다.
* 기술 노드별: 19nm-10nm 카테고리는 2025년 DRAM 시장 규모의 41.85%를 차지했으며, 2031년까지 24.4%의 연평균 성장률로 성장할 것입니다.
* 용량별: 4-8GB 모듈은 2025년 DRAM 시장 규모의 40.62%를 차지했으며, 16GB 이상 구성은 2026년에서 2031년 사이에 27.1% 성장할 것으로 예상됩니다.
* 최종 사용 애플리케이션별: 스마트폰 및 태블릿이 2025년 매출 점유율의 34.66%로 선두를 달렸으며, 자동차 전장 부문은 2031년까지 30%의 연평균 성장률로 상승할 것으로 전망됩니다.
* 지역별: 아시아 태평양은 2025년 매출의 30.88%를 차지했으며, 남아메리카는 예측 기간 동안 21.6%의 연평균 성장률을 기록할 것으로 예상됩니다.

4. 시장 동인 및 제약 요인 분석

4.1. 시장 동인

* 하이퍼스케일 데이터 센터에서 AI 및 생성형 AI 워크로드의 콘텐츠 발자국 증가 (CAGR 영향: +4.2%): NVIDIA의 2025년 Blackwell GP-AI 플랫폼은 기존 DDR 아키텍처를 능가하는 대역폭 기준을 확립하여 2024년 평균 서버 메모리를 256GB에서 2025년 중반까지 멀티 테라바이트 배포로 끌어올렸습니다. 삼성은 CXL 2.0 DRAM을 통해 Azure와 같은 클라우드 제공업체가 호스트 간 메모리를 풀링하여 활용도를 높이고 추가 컴퓨팅 노드에 대한 자본 지출을 연기할 수 있도록 했습니다. 이로 인해 공급업체들은 DDR4에서 HBM으로 웨이퍼 생산을 전환하여 레거시 등급의 부족을 초래했지만 프리미엄 부문의 이익 성장을 가속화했습니다.
* 아시아 태평양 전역의 5G 플래그십 및 중급 스마트폰에서 LPDDR 채택 급증 (CAGR 영향: +3.8%): 마이크론의 1γ LPDDR5X 샘플은 9,200MT/s로 작동하며 2025년 1분기에 휴대폰 제조업체에 도달하여 전력을 20% 절감하고 중국 및 인도 모델의 기본 구성을 8GB RAM에서 12GB로 높였습니다. 샤오미, OPPO 및 Transsion과 같은 신흥 브랜드는 모바일 및 데이터 센터 라인 간의 약속을 저글링해야 하는 공급업체에게 APAC 팹 용량의 증가하는 부분을 소비하는 선도 계약을 체결했습니다.
* 자동차 존/도메인 컨트롤러가 NOR에서 고온 DRAM으로 전환 (CAGR 영향: +2.9%): 소프트웨어 정의 플랫폼을 기반으로 구축된 전기차는 기존 인포테인먼트 발자국을 왜소하게 만드는 메모리 풀을 필요로 했습니다. 여러 유럽 OEM은 2024년에 16GB AEC-Q100 인증 DRAM을 검증했으며, 이후 2025년 일정에서 차량당 90GB를 목표로 플랫폼 목표를 높였습니다. 삼성과 SK하이닉스는 ISO 26262 적합성을 확보하기 위해 광범위한 온도 공정 조정에 투자하여 신규 진입자에게 장벽을 만들고 자동차 등급 DRAM 시장의 가격 규율을 개선했습니다.
* 엣지 AI 및 산업용 IoT 보드에서 확장 온도 DRAM 모듈 요구 (CAGR 영향: +2.1%): 공장 자동화 공급업체는 프로그래머블 로직 컨트롤러 및 비전 시스템을 –40°C ~ 85°C 등급의 DDR4-3200으로 업그레이드하여 클라우드 왕복 지연 시간을 줄이는 로컬 AI 추론을 가능하게 했습니다. ATP와 Innodisk는 공격적인 리프레시 관리 기능을 갖춘 컨포멀 코팅 DIMM을 제공하여 이 틈새시장을 활용했으며, 산업용 OEM은 상업용 부품보다 30% 높은 프리미엄으로 이를 수용했습니다.
* 클라우드 서비스 제공업체의 CXL 연결 메모리 풀로의 전환 (CAGR 영향: +1.8%): CXL(Compute Express Link)은 서버 아키텍처에서 메모리 확장 및 풀링을 가능하게 하여 데이터 센터의 효율성을 높이고 메모리 활용도를 최적화합니다.

4.2. 시장 제약 요인

* 공급-수요 주기성으로 인한 극심한 평균 판매 가격(ASP) 변동성 (CAGR 영향: -2.8%): 2025년 초 고마진 HBM 풀인(pull-in)으로 인해 팹들이 DDR4 생산을 연기하면서 5월에 주류 모듈의 현물 가격이 50% 급등했습니다. DDR5 계약도 15~20% 상승하여 OEM들이 추가적인 가격 급등에 대비하여 제품 BOM을 재설계하거나 과도하게 주문하도록 유도했습니다. 이러한 피드백 루프는 변동성을 증폭시키고 생산 계획의 가시성을 떨어뜨려 DRAM 시장의 예측 CAGR에서 2% 이상을 감소시켰습니다.
* 10nm EUV 노드 이하의 수율 저하 문제 (CAGR 영향: -1.9%): 1β 및 1γ 노드의 초기 생산은 마스크 결함 및 확률적 선 가장자리 거칠음으로 인해 일부 팹에서 수율이 70% 초반대로 떨어졌습니다. 삼성과 마이크론은 개선 및 새로운 펠리클 기술에 상당한 R&D 예산을 할당했지만, 학습 곡선은 램프 타임라인을 연장했습니다. 타이트한 수율은 최고 수요 기간 동안 다이 생산량을 제한하여 소비자 및 기업 부문 전반에 걸쳐 비용 압력을 가중시켰습니다.
* 중국에 대한 지정학적 수출 통제로 인한 고밀도 서버 DRAM 출하량 제한 (CAGR 영향: -1.4%): 중국에 대한 지정학적 수출 통제는 고밀도 서버 DRAM 출하량을 제한하여 글로벌 공급망에 영향을 미치고 중국 내 스마트폰 조립업체들이 미국 수출 제한을 완화하기 위해 국내 공급업체에 의존하게 만들었습니다.

5. 세그먼트 분석

5.1. 아키텍처별: DDR5 가속화로 메모리 계층 재편
DDR5는 2025년 DRAM 시장에서 미미한 점유율을 차지했지만, JEDEC의 JESD79-5C 업데이트로 성능 상한이 8,800Mbps로 높아지면서 29.1%의 가장 빠른 예측 CAGR을 기록했습니다. 이 기술적 도약으로 티어1 클라우드 빌더는 소켓당 유효 대역폭을 두 배로 늘리는 혼합 DDR5-HBM3E 구성을 실행할 수 있었습니다. 마이크론의 1γ DDR5는 2025년 2월에 9,200MT/s에 도달하여 서버 OEM들이 플랫폼 새로 고침을 앞당기도록 유도했습니다. 한편, DDR4는 기업 IT 예산이 여전히 비용 최적화된 구성을 선호했기 때문에 2025년까지 44.78%의 DRAM 시장 점유율을 유지했습니다. 레거시 DDR3 및 DDR2의 발자국은 산업 및 자동차 설계가 새로운 표준으로 전환됨에 따라 계속해서 축소되었습니다.

5.2. 기술 노드별: 첨단 공정으로 경쟁 차별화 주도
19nm-10nm 구간은 2025년 DRAM 시장 규모의 41.85%를 차지했으며, 공급업체들이 10nm 미만의 수율 위험에 빠지지 않고 웨이퍼당 추가 다이를 압착함에 따라 2031년까지 24.4% 성장할 것으로 예상됩니다. EUV 기반 1γ 생산은 2025년 1분기에 매출 단위 출하를 시작했지만, 라인 수율은 성숙한 1z 라인보다 최소 8% 낮았습니다. 결과적으로 많은 장치 제조업체는 비용 위험을 완화하기 위해 1z 및 1y 등급에 대한 계약을 갱신하여 중간 노드 공정에 볼륨 부스트를 제공했습니다. SK하이닉스는 2027년 이후 웨이퍼 레벨 스태킹을 약속하는 수직 게이트 DRAM 로드맵을 제시하여 측면 스케일링에서 3D 아키텍처로의 장기적인 전환을 시사했습니다.

5.3. 용량별: 고밀도 구성, 애플리케이션 전반에 걸쳐 가속화
16GB 이상 모듈은 27.1%의 연평균 성장률을 기록하며 2025년 틈새시장 지위에서 2031년까지 자동차 및 프리미엄 휴대폰에서 주류 채택으로 전환될 것으로 예상됩니다. 전기차당 콘텐츠는 2024년 초 한 자릿수 기가바이트에서 2025년 후반 시범 생산에서 약 40GB로 증가했으며, 유럽 OEM 간의 로드맵 논의에서는 10년 말까지 레벨 4 자율 주행을 위한 4TB 목표를 언급했습니다. 스마트폰 선두 주자들은 2025년 상반기 AI 중심 플래그십 출시를 위해 16GB 티어를 채택하여 중급 12GB 장치의 가격 우산을 넓혔습니다. 4-8GB 카테고리는 2025년 DRAM 시장 규모의 40.62%를 차지했지만, 보급형 휴대폰이 6GB 기준을 넘어서면서 점유율을 내주기 시작했습니다.

5.4. 최종 사용 애플리케이션별: 자동차 전장, 성장 리더로 부상
자동차 전장 부문은 30%의 연평균 성장률로 상승하여 태블릿 및 PC를 제치고 DRAM 시장에서 가장 빠르게 성장하는 수직 시장이 될 것으로 예측됩니다. 존 컴퓨팅 아키텍처는 -40°C에서 125°C 이상에서 작동하는 고온, 고신뢰성 DRAM을 의무화했으며, 2026년 모델 연도 플랫폼의 설계 승인은 2029년 이후까지 구매 약속을 확정했습니다. 2025년 프리미엄 EV 프로토타입의 메모리 풀은 90GB에 육박하여 차량에 지속적인 무선 업데이트 및 AI 기반 운전자 지원 기능을 제공했습니다. 스마트폰 및 태블릿 출하량은 2025년에도 34.66%의 매출 점유율을 기록했지만, 성숙 시장의 포화로 인해 성장 궤도가 둔화되었습니다. 데이터 센터 수요는 AI 추론 및 훈련 클러스터에 의해 견고하게 유지되었으며, 이들의 확장 주기는 이제 연 단위가 아닌 분기 단위로 측정됩니다.

6. 지역 분석

* 아시아 태평양: 2025년 매출의 30.88%를 차지하며 한국, 대만, 중국 본토에 집중된 팹의 강세에 힘입었습니다. 한국 공급업체들은 2028년까지 120조 원(840억 달러)을 생산 능력 확장에 투자하여 HBM 및 전통 DRAM 생산 모두에서 리더십을 확보할 계획입니다. 대만의 계약 조립 업체들은 HBM4 수요 증가에 대응하기 위해 첨단 패키징 라인을 확장했으며, 로직 노드의 프론트엔드 노하우를 활용하여 열 저항을 줄이는 TSV(Through-Silicon-Via) 혁신을 도입했습니다.
* 북미: 하이퍼스케일 빌더들이 랙 새로 고침을 가속화하고 미국 자동차 제조업체들이 존 컨트롤러를 통합하면서 가장 큰 소비 시장을 형성했습니다. 마이크론은 CHIPS Act 자금 61억 달러를 확보하여 새로운 메가팹을 건설했으며, 이는 지정학적 노출 위험을 줄이고 국내 고객을 위한 리드 타임을 단축하는 것을 목표로 합니다.
* 유럽: 자동차 및 산업용 애플리케이션에 대한 기술 초점을 유지했으며, 독일 OEM들은 프리미엄 가격을 책정하는 확장 온도 및 수명 보증을 고수했습니다.
* 남미: 브라질, 아르헨티나, 멕시코가 공급 현지화를 위해 전자 조립 생태계를 육성함에 따라 21.6%의 연평균 성장률을 기록할 것으로 예측됩니다.
* 중동 및 아프리카: 걸프 협력 회의(GCC) 국가의 데이터 센터 구축과 나이지리아 및 케냐의 스마트폰 보급률 증가에 힘입어 중간 한 자릿수 성장을 보였지만, 정치적 불안정은 광범위한 채택을 계속해서 억제했습니다.

7. 경쟁 환경

2025년 DRAM 시장은 삼성, SK하이닉스, 마이크론이 웨이퍼 생산 능력의 약 95%를 공동으로 보유하는 과점 시장으로 운영되었습니다. SK하이닉스는 선도적인 AI 가속기 프로그램용 1.15TB/s HBM3E 스택을 최초로 양산한 후 2025년 1분기에 36%의 점유율로 앞섰습니다. 삼성은 자동차 등급 라인에서 리더십을 유지했으며 AMD와 미래 HBM3E 노드에 대한 30억 달러 공급 계약을 확보했습니다. 마이크론은 원래 로드맵보다 6개월 앞서 1γ DDR5 및 LPDDR5X를 출하하여 주류 DIMM 카테고리에서 경쟁 균형을 회복했습니다.

기술 차별화는 EUV 채택을 중심으로 이루어졌으며, 제거된 마스크 레이어 하나하나가 상당한 다이 비용 절감으로 이어졌습니다. 그러나 가파른 자본 집약도는 난야(Nanya) 및 윈본드(Winbond)와 같은 2티어 플레이어에게 장벽을 만들었으며, 이들은 최첨단 노드를 추구하기보다는 틈새 산업 또는 저전력 부문에 특화하기로 선택했습니다. 중국 기업인 CXMT와 JHICC는 성숙한 1x 공정을 사용하여 DDR5 생산량을 확장했으며, 미국 수출 제한을 완화하려는 국내 스마트폰 조립업체에 공급했습니다.

CXL과 같은 인터커넥트 표준을 중심으로 생태계 동맹도 나타났습니다. Marvell은 여러 DRAM 공급업체와 협력하여 서버 블레이드 전반에 걸쳐 리소스를 풀링하여 DDR4 및 DDR5의 부착률을 높이는 메모리 확장 컨트롤러를 출시했습니다. 2025년 4월에 발표된 JEDEC의 HBM4 사양은 장치 제조업체와 파운드리 간에 TSV 피치, 열 예산 및 패키징 신뢰성을 조율하기 위한 새로운 공동 개발 계약을 촉발했습니다. 이러한 배경 속에서 MRAM, ReRAM 및 3D X-AI를 탐구하는 스타트업들은 틈새 워크로드 오프로드를 목표로 했지만, 2025년 중반까지는 아직 상용 DRAM과 비용 동등성을 입증하지 못했습니다.

8. 최근 산업 동향

* 2025년 4월: JEDEC은 HBM4 표준(JESD270-4)을 발표하여 채널 수를 32개로 두 배 늘리고 최대 대역폭을 2TB/s로 높였습니다.
* 2025년 3월: SMART Modular는 데이터 집약적인 서버를 위한 EDSFF 폼 팩터의 비휘발성 CXL 메모리 모듈을 출시했습니다.
* 2025년 3월: KIOXIA는 AI 데이터 세트를 겨냥한 8세대 BiCS FLASH 기반 122.88TB NVMe SSD를 공개했습니다.
* 2025년 2월: 마이크론 테크놀로지는 20% 낮은 전력으로 9,200MT/s에서 작동하는 1γ DDR5의 대량 출하를 발표하며, 시장에서 최초의 EUV 기반 6세대 DRAM을 기록했습니다.

이 보고서는 PC, 스마트폰, 노트북 등 다양한 컴퓨팅 및 전자 기기에 사용되는 동적 랜덤 액세스 메모리(DRAM) 시장에 대한 포괄적인 분석을 제공합니다. 본 연구는 전 세계적으로 최종 사용자 산업에 판매되는 DRAM 반도체의 시장 분석과 이를 통해 발생하는 수익을 다루며, 주요 시장 매개변수, 성장 영향 요인, 주요 공급업체를 추적하고 COVID-19가 생태계에 미친 전반적인 영향을 분석합니다.

DRAM 시장은 2026년 1,263억 1천만 달러 규모에서 2031년까지 2,677억 7천만 달러에 이를 것으로 전망됩니다.

주요 시장 동인으로는 하이퍼스케일 데이터 센터에서 AI 및 생성형 AI 워크로드의 콘텐츠 발자국 증가, 아시아 태평양 지역 5G 플래그십 및 중급 스마트폰의 LPDDR 채택 급증, 자동차 존/도메인 컨트롤러의 NOR에서 고온 DRAM으로의 전환, 엣지 AI 및 산업용 IoT 보드의 확장 온도 DRAM 모듈 요구, 그리고 클라우드 서비스 제공업체의 CXL 연결 메모리 풀로의 전환 등이 있습니다.

반면, 시장 제약 요인으로는 극심한 평균 판매 가격(ASP) 변동을 야기하는 공급-수요 주기성, 10nm EUV 노드 이하에서의 수율 저하 문제, 그리고 고밀도 서버 DRAM 출하를 제한하는 중국에 대한 지정학적 수출 통제 등이 언급됩니다.

특히 DDR5는 AI 서버 및 차세대 PC에 힘입어 29.1%의 가장 빠른 연평균 성장률(CAGR)을 보일 것으로 예상됩니다. 2026년 5월, HBM3E로의 생산 능력 전환으로 인해 DDR4 현물 가격이 50%, DDR5 가격이 15-20% 급등하는 등 DRAM 가격 변동성이 심화되었습니다. 자동차 부문에서는 소프트웨어 정의 차량의 고온 DRAM 요구로 인해 2025년 한 자릿수 기가바이트였던 메모리 용량이 2026년 프로토타입에서 약 90GB로, 미래 EV 플랫폼에서는 훨씬 더 높아질 것으로 전망됩니다. HBM(High Bandwidth Memory) 부문에서는 SK하이닉스가 16단 HBM3E 스택을 최초로 제작하며 선두를 차지했으며, 2025년 1분기 전체 DRAM 출하량의 36%를 확보했습니다.

지역별로는 남미가 현지 조립 인센티브로 인해 전자제품 생산을 유치하며 21.6%의 가장 빠른 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다.

본 보고서는 아키텍처(DDR2 및 이전, DDR3, DDR4, DDR5, LPDDR, GDDR), 기술 노드(≥20nm, 19nm–10nm, <10nm EUV), 용량(≤4GB, 4–8GB, 8–16GB, ≥16GB), 최종 사용 애플리케이션(스마트폰 및 태블릿, PC 및 노트북, 서버 및 하이퍼스케일 데이터 센터, 그래픽 및 게임 콘솔, 자동차 전자제품, 가전제품, 산업 및 IoT 장치, 기타), 그리고 지역(북미, 유럽, 아시아 태평양, 남미, 중동 및 아프리카)별로 시장을 세분화하여 분석합니다. 경쟁 환경 섹션에서는 시장 집중도, 주요 기업의 전략적 움직임, 시장 점유율 분석, 그리고 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 테크놀로지 등을 포함한 주요 기업들의 프로필을 다룹니다. 또한, 시장 기회와 미래 전망에 대한 평가도 포함되어 있습니다.

1. 서론

• 1.1 연구 가정 및 시장 정의

• 1.2 연구 범위

2. 연구 방법론

3. 주요 요약

4. 시장 환경

• 4.1 시장 개요

• 4.2 시장 동인
  • 4.2.1 하이퍼스케일 데이터 센터에서 AI 및 생성형 AI 워크로드의 콘텐츠 점유율 증가

  • 4.2.2 아시아 태평양 지역 5G 플래그십 및 중급 스마트폰에서 LPDDR 채택 급증

  • 4.2.3 NOR에서 고온 DRAM으로 전환하는 자동차 구역/도메인 컨트롤러

  • 4.2.4 확장 온도 DRAM 모듈을 요구하는 엣지 AI 및 산업용 IoT 보드

  • 4.2.5 클라우드 서비스 제공업체의 CXL 연결 메모리 풀로의 전환

• 4.3 시장 제약
  • 4.3.1 극심한 ASP 변동성을 유발하는 공급-수요 주기성

  • 4.3.2 10nm EUV 노드 이하에서의 수율 저하 문제

  • 4.3.3 중국에 대한 지정학적 수출 통제로 인한 고밀도 서버 DRAM 출하량 제한

• 4.4 가치 사슬 분석

• 4.5 기술 전망

• 4.6 규제 전망

• 4.7 포터의 5가지 경쟁 요인 분석
  • 4.7.1 공급업체의 교섭력

  • 4.7.2 구매자의 교섭력

  • 4.7.3 신규 진입자의 위협

  • 4.7.4 대체 제품의 위협

  • 4.7.5 경쟁 강도

• 4.8 가격 분석
  • 4.8.1 DRAM 현물 가격 (GB당)

  • 4.8.2 가격 동향 분석

• 4.9 거시 경제 영향 분석

5. 시장 규모 및 성장 예측 (가치)

• 5.1 아키텍처별
  • 5.1.1 DDR2 및 이전 버전

  • 5.1.2 DDR3

  • 5.1.3 DDR4

  • 5.1.4 DDR5

  • 5.1.5 LPDDR

  • 5.1.6 GDDR

• 5.2 기술 노드별
  • 5.2.1 ≥20 nm

  • 5.2.2 19 nm – 10 nm

  • 5.2.3 <10 nm (EUV)

• 5.3 용량별
  • 5.3.1 ≤4 GB

  • 5.3.2 4 – 8 GB

  • 5.3.3 8 – 16 GB

  • 5.3.4 ≥16 GB

• 5.4 최종 사용 애플리케이션별
  • 5.4.1 스마트폰 및 태블릿

  • 5.4.2 PC 및 노트북

  • 5.4.3 서버 및 하이퍼스케일 데이터 센터

  • 5.4.4 그래픽 및 게임 콘솔

  • 5.4.5 자동차 전자제품

  • 5.4.6 가전제품 (셋톱박스, 스마트 TV, VR/AR)

  • 5.4.7 산업 및 IoT 장치

  • 5.4.8 기타

• 5.5 지역별
  • 5.5.1 북미

  • 5.5.1.1 미국

  • 5.5.1.2 캐나다

  • 5.5.1.3 멕시코

  • 5.5.2 유럽

  • 5.5.2.1 독일

  • 5.5.2.2 프랑스

  • 5.5.2.3 영국

  • 5.5.2.4 북유럽

  • 5.5.2.5 기타 유럽

  • 5.5.3 아시아 태평양

  • 5.5.3.1 중국

  • 5.5.3.2 대만

  • 5.5.3.3 대한민국

  • 5.5.3.4 일본

  • 5.5.3.5 인도

  • 5.5.3.6 기타 아시아 태평양

  • 5.5.4 남미

  • 5.5.4.1 브라질

  • 5.5.4.2 칠레

  • 5.5.4.3 아르헨티나

  • 5.5.4.4 기타 남미

  • 5.5.5 중동 및 아프리카

  • 5.5.5.1 중동

  • 5.5.5.1.1 사우디아라비아

  • 5.5.5.1.2 아랍에미리트

  • 5.5.5.1.3 튀르키예

  • 5.5.5.1.4 기타 중동

  • 5.5.5.2 아프리카

  • 5.5.5.2.1 남아프리카 공화국

  • 5.5.5.2.2 기타 아프리카

6. 경쟁 환경

• 6.1 시장 집중도

• 6.2 전략적 움직임

• 6.3 시장 점유율 분석

• 6.4 기업 프로필 (글로벌 개요, 시장 개요, 핵심 부문, 재무 정보(가능한 경우), 전략 정보, 주요 기업의 시장 순위/점유율, 제품 및 서비스, 최근 개발 사항 포함)
  • 6.4.1 Samsung Electronics Co., Ltd.

  • 6.4.2 SK Hynix Inc.

  • 6.4.3 Micron Technology Inc.

  • 6.4.4 ChangXin Memory Technologies Inc. (CXMT)

  • 6.4.5 Nanya Technology Corporation

  • 6.4.6 Winbond Electronics Corporation

  • 6.4.7 Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. (PSMC)

  • 6.4.8 Fujian Jinhua Integrated Circuit Co., Ltd. (JHICC)

  • 6.4.9 GigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc.

  • 6.4.10 Etron Technology Inc.

  • 6.4.11 Integrated Silicon Solution Inc. (ISSI)

  • 6.4.12 Elite Semiconductor Memory Technology Inc. (ESMT)

  • 6.4.13 Zentel Electronics Corporation

  • 6.4.14 Alliance Memory, Inc.

  • 6.4.15 AP Memory Technology Corp.

  • 6.4.16 Phison Electronics Corporation

  • 6.4.17 JSC Mikron (Mikron Group)

  • 6.4.18 AMIC Technology Corporation

  • 6.4.19 Utron Technology Inc.

  • 6.4.20 Hua Hong Semiconductor Limited

7. 시장 기회 및 미래 전망