에피택시 장비 시장 규모 및 점유율 분석 – 성장 동향 및 전망 (2026-2031년)

에피택시 장비 시장: 규모, 점유율 및 산업 분석 (2026-2031)

본 보고서는 에피택시 장비 시장의 기술, 애플리케이션, 웨이퍼 크기, 재료 및 지역별 세분화된 분석을 통해 2026년부터 2031년까지의 성장 동향과 전망을 상세히 제시합니다. 시장 규모는 가치(USD) 기준으로 예측됩니다.

# 1. 시장 개요 및 성장 전망

에피택시 장비 시장은 2025년 57억 달러에서 2026년 64억 1천만 달러로 성장했으며, 2031년에는 115억 달러에 달할 것으로 예상됩니다. 예측 기간(2026-2031) 동안 연평균 성장률(CAGR)은 12.43%에 이를 것으로 전망됩니다. 이러한 성장은 전기차(EV) 전력 모듈, 5G 기지국 프론트엔드 칩, 고휘도 LED 백라이팅을 위한 화합물 반도체 제조업체의 생산 능력 확대 수요 증가에 힘입은 바가 큽니다.

특히, 탄화규소(SiC) 및 질화갈륨(GaN) 기판 위에 정밀한 에피택시 층을 형성하는 기술은 고전력 및 고주파 장치의 성능을 좌우하게 되면서, 통합 장치 제조업체(IDM)들이 기존 실리콘 장비에서 벗어나 자본 예산을 전환하고 있습니다. 미국 CHIPS Act에서 에피택시 라인에 3억 달러 이상을 할당한 것은 이 공정이 국가적 우선순위임을 명확히 보여줍니다. 장비 공급업체들은 더 큰 웨이퍼 반응기, 정밀한 공정 제어 소프트웨어, 유연한 다중 재료 챔버를 통해 수율을 유지하면서 다이당 비용을 절감하는 방향으로 대응하고 있습니다. 그러나 장비 인증 주기가 길고 전구체(precursor) 가격 변동이 심하다는 점은 단기적인 출하량에 영향을 미치고 있지만, 장기적인 성장 기반은 견고하게 유지될 것으로 보입니다.

주요 시장 지표 (2026-2031):
* 시장 규모 (2026): 64억 1천만 달러
* 시장 규모 (2031): 115억 달러
* 성장률 (CAGR): 12.43%
* 가장 빠르게 성장하는 시장: 아시아 태평양
* 가장 큰 시장: 북미
* 시장 집중도: 중간

# 2. 주요 시장 동인

에피택시 장비 시장의 성장을 견인하는 주요 요인들은 다음과 같습니다.

* 고휘도 LED 수요 증가: 프리미엄 디스플레이 및 자동차 조명 분야에서 마이크로LED 및 미니LED 채택이 확산되면서, San’an Optoelectronics와 같은 LED 제조업체들은 MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) 시스템 주문을 늘리고 있습니다. 6인치 및 8인치 웨이퍼 전반에 걸쳐 낮은 결함 밀도와 높은 처리량이 요구되며, 이는 Veeco의 Lumina 플랫폼과 같은 장비의 수요를 높이고 있습니다. 자동차 주간 주행등 및 적응형 빔 헤드램프 또한 더 높은 광속을 요구하며, 이는 GaN 층 균일성에 대한 에피택시 사양을 강화하고 있습니다.
* 전기차(EV) 파워트레인의 급속한 전력화: 자동차 제조업체들이 800V 아키텍처로 전환하면서, 1,600°C 이상에서 성장하는 에피택시 층을 필요로 하는 SiC MOSFET 및 다이오드의 채택이 가속화되고 있습니다. Tokyo Electron의 고온 CVD 장비 예약 증가는 Bosch가 앨라배마 SiC 라인에 대해 CHIPS Act 보조금 2억 2,500만 달러를 확보한 것과 맥을 같이 합니다. 150mm에서 200mm SiC 기판으로의 전환은 새로운 장비 투자와 기존 설비의 개조를 촉진하고 있습니다.
* 5G/6G 화합물 반도체 프론트엔드 모듈 확장: GaN 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)가 3-8GHz 5G 대역에서 LDMOS를 능가하면서, 기지국 OEM들은 GaN-on-SiC 에피택시 라인을 확장하고 있습니다. Imec이 주도하는 연구 연합은 140GHz 6G 개념을 위한 GaN 및 인듐인(InP) 스케일링을 검증하며 대학 및 파일럿 팹 장비의 활용도를 높이고 있습니다.
* SiC/GaN 생산 능력 확대를 위한 정부 인센티브: 미국 CHIPS Act 및 유럽 Chips Act에 따른 공공 자금은 국내 에피택시 및 기판 공장의 자본 지출 일부를 지원합니다. Coherent는 텍사스에서 SiC 에피택시를 확장하기 위해 7,900만 달러를, IntelliEPI는 군용 MBE R&D를 위해 1,030만 달러를 지원받았습니다. 이러한 보조금은 현지 공급 의무를 부과하여 단기적으로는 해당 지역 장비 공급업체로 주문이 집중되고 새로운 반응기 설계의 인증 기간이 단축되는 효과를 가져옵니다.
* 산화갈륨(β-Ga₂O₃) 소자 채택: 전 세계 R&D 센터에서 연구가 활발하며, 일본과 미국에서 초기 상업화가 진행 중인 장기적인 성장 동력입니다.
* 8인치 및 12인치 GaN-on-Si 에피택시 라인으로의 전환: 대만, 한국, 미국 등 선진 팹을 중심으로 전 세계적으로 확산되고 있는 중기적인 동인입니다.

# 3. 시장 제약 요인

에피택시 장비 시장의 성장을 저해하는 요인들도 존재합니다.

* 반응기 설계의 복잡성: 팹에서 듀얼-재료 또는 300mm 챔버를 요구함에 따라, 전산 유체 역학(CFD) 모델은 층류 가스 흐름과 급격한 온도 구배를 조화시켜야 하므로 R&D 주기가 길어집니다. 이는 재료비(BOM) 및 소프트웨어 검증 비용을 증가시키고, 후발 주자의 시장 진입 장벽을 높입니다.
* 특수 전구체(precursor)의 가격 변동성 및 공급 불안정: 금속 유기 화합물인 트리메틸갈륨(trimethylgallium) 및 트리클로로실란(trichlorosilane)은 소수의 정제 공장에 의존하고 있어, 공급 중단 시 MOCVD 처리량에 즉각적인 영향을 미칩니다. 고순도 전구체 시장은 소수의 글로벌 공급업체에 집중되어 있어, 공급 충격은 LED 팹의 가동 중단을 초래하고 신규 장비 투자 수익률(ROI)을 지연시킵니다.
* IDM 및 파운드리의 긴 장비 인증 주기: 특히 Tier-1 반도체 팹에서 장비 인증에 오랜 시간이 소요되어 시장 진입 및 확장을 지연시킵니다.
* 차세대 고온 반응기 구축을 위한 높은 자본 지출: 새로운 고온 반응기 도입에 필요한 막대한 자본 투자는 생산 능력 확장 결정에 영향을 미칩니다.

# 4. 세그먼트별 분석

가. 기술별 분석:
2025년 에피택시 장비 시장에서 MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)는 LED 및 GaN 전력 장치 분야에서 확고한 입지를 바탕으로 46.73%의 가장 큰 점유율을 차지했습니다. MOCVD는 웨이퍼 크기를 점진적으로 늘릴 수 있는 확장성을 제공하여 반복 주문을 유지하고 있습니다. 반면, 원격 플라즈마 CVD(RPCVD)는 저온 공정으로 취약한 기판 및 정밀한 인터페이스 제어에 유리하여 2031년까지 13.35%의 가장 빠른 CAGR을 기록하며 15억 9천만 달러 규모에 이를 것으로 전망됩니다. MBE(Molecular Beam Epitaxy)와 HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy)는 각각 초고순도 이종 구조 및 두꺼운 GaN 기판에 특화된 틈새시장을 형성하고 있으며, HT-CVD(High-Temperature CVD)는 20µm 이상의 SiC 층 형성에 주로 사용됩니다. 전반적으로 장비 공급업체들은 미래 기술 노드에 대비하여 다중 재료 유연성을 강조하고 있습니다. 또한, 폐쇄 루프 방사율 보정 고온 측정(pyrometry) 및 머신러닝 기반 결함 감지 기능과 같은 고급 공정 제어 기술이 MOCVD 및 RPCVD 아키텍처에 통합되면서 평균 판매 가격(ASP)이 상승하고 있습니다.

나. 애플리케이션별 분석:
2025년 에피택시 장비 시장 매출의 52.10%는 RF 증폭기, LiDAR VCSEL, 포토닉스 트랜시버 등 화합물 반도체 장치 제조에서 발생했습니다. 그러나 가장 빠른 성장은 전기차 인버터 및 통신 전원 공급 장치에 사용되는 와이드 밴드갭 재료에서 나타나고 있으며, 연간 13.52%의 CAGR로 성장하여 2025년 22억 8천만 달러에서 2031년에는 48억 8천만 달러를 넘어설 것으로 예상됩니다. 포토닉스 라인, 특히 인듐인(InP) PIC(Photonic Integrated Circuits)는 하이퍼스케일 데이터센터 광학 장치 수요에 힘입어 Coherent가 텍사스 공장의 InP 생산량을 세 배로 늘리는 등 큰 혜택을 받고 있습니다. MEMS 파운드리 또한 압력 센서 및 RF 필터용 맞춤형 에피택시 스택에 의존하며 꾸준한 틈새시장을 형성하고 있습니다.

다. 웨이퍼 크기별 분석:
4인치 이하 웨이퍼는 대학 및 파일럿 라인에서 특수 화합물 연구에 사용되어 여전히 전체 단위의 37.62%를 차지합니다. 그럼에도 불구하고, 12인치 시스템은 마이크로LED, GaN 전력 IC 및 고급 RF 프로그램에 힘입어 14.92%의 가장 높은 CAGR을 보이며 2031년까지 32억 2천만 달러 규모에 이를 것으로 예상됩니다. 단일 300mm GaN MOCVD 반응기는 150mm 장비 3개를 대체하여 팹 공간을 30% 절감할 수 있습니다. 6인치 및 8인치 웨이퍼는 SiC 및 InP의 중간 단계 역할을 하며 수율 위험과 비용 절감의 균형을 맞춥니다. 웨이퍼의 중앙에서 가장자리까지의 균일성 확보가 핵심 과제이며, 다중 구역 서셉터 히터, 회전식 샤워헤드, 실시간 PL(Photoluminescence) 매핑 및 고온 측정 피드백과 같은 실시간 계측 기술이 표준으로 탑재되어 이 문제를 해결하고 있습니다.

라. 재료별 분석:
2025년 에피택시 장비 시장 매출의 71.05%는 자동차 및 신재생 에너지 인버터에 사용되는 탄화규소(SiC)가 차지했습니다. 그러나 질화갈륨(GaN) 장비 매출은 연간 15.65% 성장하며 2031년까지 출하량 구성에 큰 변화를 가져올 것으로 예상됩니다. GaN 전력 IC가 650V에서 1,200V급으로 발전하면서 더 두꺼운 에피택시 층이 필요해지고, 이는 더욱 정교한 반응기를 요구합니다. III-V 비소화물 및 인화물은 광전자 공학에 필수적이며, β-Ga₂O₃(산화갈륨) 연구는 3.3kV 이상의 장치를 목표로 하는 보조금 지원 프로토타입 장비 수요를 유발하고 있습니다. SiC는 고온 벽 흑연 반응기와 높은 실란 부분압을 선호하는 반면, GaN은 저온 벽 금속 유기 흐름과 암모니아 과압을 사용하는 등 공정 레시피가 크게 달라 장비 제조업체는 별도의 제품 라인을 유지해야 합니다.

# 5. 지역별 분석

* 북미: 2025년 43.25%의 매출 점유율을 유지했으며, 텍사스, 애리조나, 뉴욕 북부의 밀집된 클러스터가 이를 뒷받침합니다. CHIPS Act 자금은 신규 팹 및 기존 팹 업그레이드에 투입되어 국내 에피택시 생산 능력에 대한 장기적인 수요를 고정하고 있습니다. Coherent의 셔먼 캠퍼스는 AI 광학 링크 수요를 충족하기 위해 InP 장치 생산량을 세 배로 늘렸습니다.
* 아시아 태평양: 2031년까지 15.22%의 가장 빠른 CAGR을 기록하며 성장하는 지역입니다. HC SemiTek과 같은 중국 LED 기업들은 이미 2,500개 이상의 MOCVD 반응기를 설치하여 단위 물량 리더십을 확보하고 있습니다. 동시에 한국의 메모리 대기업들은 CXL 포토닉스 및 HBM 전력 공급을 위한 화합물 반도체 로드맵에 투자하여 지역 시장을 확대하고 있습니다.
* 유럽: 자동차 전력화 및 탄력적인 항공우주 공급망에 집중하고 있습니다. 유럽 Chips Act에 따른 프로그램은 독일과 스웨덴의 SiC 에피 팹에 보조금을 지원하며, 프랑스 연구소는 레이더 및 위성 페이로드용 200mm GaN-on-Si 라인을 시범 운영하고 있습니다. 이 지역은 단위 물량에서는 뒤처지지만, 양자 컴퓨팅 재료에 맞춤화된 고마진 특수 장비 및 연구 등급 MBE 시스템 분야에서 강점을 보입니다.

# 6. 경쟁 환경

Tokyo Electron, Aixtron, Applied Materials 등 기존 공급업체들은 2024년 출하량 가치의 절반 이상을 차지하며 시장의 중간 정도의 집중도를 보여줍니다. 각 기업은 독점적인 샤워헤드 형상, 다중 구역 히터, 레시피 전송 소프트웨어 등을 통해 차별화를 꾀하며 고객을 업그레이드 경로에 묶어두고 있습니다. 평균 판매 가격(ASP)의 회복력은 주기적인 물량 감소를 상쇄하여 40% 이상의 매출 총이익을 유지하고 있습니다. 한편, Veeco는 300mm GaN 플랫폼에 집중하여 디스플레이 및 전력 스타트업에서 전략적 승리를 거두며 프리미엄 시장의 경쟁 강도를 높이고 있습니다.

신흥 중국 제조업체들은 비용 우위를 활용하여 1세대 LED 라인에 진출하고 있지만, SiC 및 고주파 GaN 팹이 요구하는 균일성 사양을 충족하는 데 어려움을 겪고 있습니다. 일부 서구 IDM은 수출 통제 심사를 부과하여 OECD 공급망 외부에서 고온 반응기 채택을 효과적으로 제한하고 있습니다. 결과적으로 시장 진입자들은 공정 IP 및 고객 신뢰를 얻기 위해 기존 브랜드와의 합작 투자를 모색하는 경우가 많습니다.

기술 로드맵은 수율 저하가 발생하기 전에 입자 이탈을 예측하는 폐쇄 루프 머신러닝 분석으로 향하고 있습니다. Aixtron과 Applied Materials는 실시간 화학 발광 신호를 웨이퍼 수준 결함과 연관시키는 엣지 AI 모듈을 시범 운영하여 최대 3%의 수율 향상을 약속하고 있습니다. 지적 재산권 소송은 플라즈마 소스 설계와 관련하여 간헐적으로 발생하며, 무형 자산이 핵심 경쟁 영역임을 시사합니다. 이러한 경쟁에도 불구하고, 공급망 복원력 노력은 고객이 다중 공급업체 전략을 채택하도록 유도하여 파괴적인 가격 경쟁 없이 건전한 경쟁을 유지하고 있습니다.

주요 시장 참여 기업:
* Aixtron SE
* Applied Materials, Inc.
* Tokyo Electron Limited
* Veeco Instruments Inc.
* LPE S.p.A.

# 7. 최근 산업 동향

* 2025년 5월: PlayNitride는 마이크로LED 생산을 위해 Veeco의 Lumina MOCVD 시스템을 인증하고 2025년 납품을 위해 2개의 반응기를 추가 주문했습니다.
* 2025년 2월: Coherent는 AI 트랜시버 수요와 InP 생산량 3배 증가에 힘입어 분기별 매출 14억 3천만 달러를 기록했다고 발표했습니다.
* 2024년 12월: Coherent는 InP 생산 능력 확대를 위해 CHIPS Act 자금 3,300만 달러를 지원받았습니다.
* 2024년 12월: II-VI는 Coherent를 70억 1천만 달러에 인수하여 레이저 및 에피택시 포트폴리오를 통합했습니다.

본 보고서는 에피택시 장비 시장에 대한 포괄적인 분석을 제공합니다. 에피택시는 화학 기상 증착(CVD) 공정을 통해 기판 위에 비휘발성 고체 박막을 형성하는 핵심 기술로, 2026년까지 시장 규모가 64.1억 달러에 이를 것으로 전망됩니다. 특히 아시아-태평양 지역은 중국의 LED 확장과 한국의 메모리 투자에 힘입어 2031년까지 연평균 15.22%의 가장 빠른 성장률을 기록할 것으로 예상됩니다.

시장 성장의 주요 동인으로는 고휘도 LED 수요 증가, 전기차(EV) 파워트레인의 급속한 전동화, 5G/6G 화합물 반도체 프론트엔드 모듈의 확장, SiC/GaN 생산 능력 확대를 위한 정부 인센티브, 산화갈륨(β-Ga₂O₃) 소자의 채택, 그리고 8인치 및 12인치 GaN-on-Si 에피택시 라인으로의 전환 등이 있습니다.

반면, 반응기 설계의 복잡성, 특수 전구체 가격 및 공급의 불안정성, IDM 및 파운드리에서의 긴 장비 검증 주기, 차세대 고온 반응기를 위한 높은 자본 지출 등은 시장 성장을 제약하는 요인으로 작용합니다. 특히 고순도 금속유기 전구체의 제한적인 공급원은 가격 변동성과 반응기 유휴 시간을 초래할 수 있는 가장 큰 공급망 위험으로 지목됩니다.

기술별로는 금속유기 화학 기상 증착(MOCVD)이 LED 및 GaN 소자에 광범위하게 활용되면서 출하량 점유율 46.73%로 시장을 선도하고 있습니다. 또한, 800V 전기차 아키텍처(인버터 및 온보드 충전기)에 필요한 저결함 SiC 에피택시 층에 대한 수요가 증가함에 따라 자동차 제조업체로부터 SiC 장비에 대한 강력한 수요가 관찰됩니다. 12인치(300mm) 웨이퍼 장비의 도입은 3개의 150mm 장비를 하나의 300mm 반응기로 대체하여 팹 공간을 30% 절감하고 다이당 비용을 낮추는 등 비용 구조에 긍정적인 영향을 미칠 것입니다.

본 보고서는 기술(MOCVD, HVPE, HT-CVD, MBE, RPCVD), 애플리케이션(포토닉스, 반도체, 와이드 밴드갭 재료, MEMS 등), 웨이퍼 크기(4인치 이하, 6인치, 8인치, 12인치, 12인치 초과), 재료(III-V, GaN, SiC 등), 그리고 지역별(북미, 남미, 유럽, 아시아-태평양, 중동 및 아프리카)로 시장을 세분화하여 심층 분석을 제공합니다. 경쟁 환경 분석에는 시장 집중도, 주요 기업의 전략적 움직임, 시장 점유율 분석 및 Aixtron SE, Applied Materials, Inc., Tokyo Electron Limited 등 주요 기업들의 상세 프로필이 포함됩니다. 이와 함께 시장 기회와 미래 전망에 대한 평가를 통해 에피택시 장비 시장의 전반적인 이해를 돕습니다.

1. 서론

• 1.1 연구 가정 및 시장 정의
• 1.2 연구 범위

2. 연구 방법론

3. 요약

4. 시장 환경

• 4.1 시장 개요
• 4.2 시장 동인
  • 4.2.1 고휘도 LED 수요 증가
  • 4.2.2 전기차(EV) 파워트레인의 급속한 전동화
  • 4.2.3 5G/6G 화합물 반도체 프론트엔드 모듈 확장
  • 4.2.4 SiC/GaN 생산 능력 확대를 위한 정부 인센티브
  • 4.2.5 산화갈륨(β-Ga₂O₃) 소자 채택
  • 4.2.6 8인치 및 12인치 GaN-on-Si 에피택시 라인으로의 전환
• 4.3 시장 제약
  • 4.3.1 반응기 설계와 관련된 복잡성
  • 4.3.2 특수 전구체의 불안정한 가격 및 공급
  • 4.3.3 IDM 및 파운드리에서의 긴 장비 검증 주기
  • 4.3.4 차세대 고온 반응기를 위한 높은 자본 지출
• 4.4 산업 공급망 분석
• 4.5 규제 환경
• 4.6 기술 전망
• 4.7 거시경제 요인의 영향
• 4.8 포터의 5가지 경쟁요인 분석
  • 4.8.1 신규 진입자의 위협
  • 4.8.2 구매자/소비자의 교섭력
  • 4.8.3 공급업체의 교섭력
  • 4.8.4 대체 제품의 위협
  • 4.8.5 경쟁 강도

5. 시장 규모 및 성장 예측 (가치)

• 5.1 기술별
  • 5.1.1 금속유기화학증착 (MOCVD)
  • 5.1.2 수소화물 기상 에피택시 (HVPE)
  • 5.1.3 고온 화학 기상 증착 (HT-CVD)
  • 5.1.4 분자선 에피택시 (MBE)
  • 5.1.5 원격 플라즈마 CVD (RPCVD)
• 5.2 애플리케이션별
  • 5.2.1 포토닉스
  • 5.2.2 반도체
  • 5.2.3 와이드 밴드갭 재료
  • 5.2.4 미세전자기계시스템 (MEMS)
  • 5.2.5 기타
• 5.3 웨이퍼 크기별
  • 5.3.1 4인치 이하
  • 5.3.2 6인치
  • 5.3.3 8인치
  • 5.3.4 12인치
  • 5.3.5 12인치 초과
• 5.4 재료별
  • 5.4.1 III-V (GaAs, InP)
  • 5.4.2 GaN
  • 5.4.3 SiC
  • 5.4.4 기타
• 5.5 지역별
  • 5.5.1 북미
  • 5.5.1.1 미국
  • 5.5.1.2 캐나다
  • 5.5.1.3 멕시코
  • 5.5.2 남미
  • 5.5.2.1 브라질
  • 5.5.2.2 아르헨티나
  • 5.5.2.3 남미 기타 지역
  • 5.5.3 유럽
  • 5.5.3.1 독일
  • 5.5.3.2 영국
  • 5.5.3.3 프랑스
  • 5.5.3.4 이탈리아
  • 5.5.3.5 스페인
  • 5.5.3.6 러시아
  • 5.5.3.7 유럽 기타 지역
  • 5.5.4 아시아 태평양
  • 5.5.4.1 중국
  • 5.5.4.2 일본
  • 5.5.4.3 인도
  • 5.5.4.4 대한민국
  • 5.5.4.5 동남아시아
  • 5.5.4.6 아시아 태평양 기타 지역
  • 5.5.5 중동 및 아프리카
  • 5.5.5.1 중동
  • 5.5.5.1.1 사우디아라비아
  • 5.5.5.1.2 아랍에미리트
  • 5.5.5.1.3 터키
  • 5.5.5.1.4 중동 기타 지역
  • 5.5.5.2 아프리카
  • 5.5.5.2.1 남아프리카 공화국
  • 5.5.5.2.2 나이지리아
  • 5.5.5.2.3 아프리카 기타 지역

6. 경쟁 환경

• 6.1 시장 집중도
• 6.2 전략적 움직임
• 6.3 시장 점유율 분석
• 6.4 기업 프로필 (글로벌 수준 개요, 시장 수준 개요, 핵심 부문, 사용 가능한 재무 정보, 전략 정보, 주요 기업의 시장 순위/점유율, 제품 및 서비스, 최근 개발 포함)
  • 6.4.1 Aixtron SE
  • 6.4.2 Applied Materials, Inc.
  • 6.4.3 Tokyo Electron Limited
  • 6.4.4 Veeco Instruments Inc.
  • 6.4.5 LPE S.p.A.
  • 6.4.6 NuFlare Technology, Inc. (Toshiba Electronic Devices and Storage Corp.)
  • 6.4.7 II-VI Incorporated (Coherent Corp.)
  • 6.4.8 Intelligent Epitaxy Technology, Inc.
  • 6.4.9 DOWA Electronics Materials Co., Ltd.
  • 6.4.10 Siltronic AG
  • 6.4.11 RIBER S.A.
  • 6.4.12 Taiyo Nippon Sanso Corporation
  • 6.4.13 Chengdu Alight Optoelectronics Technology Co., Ltd.
  • 6.4.14 Advanced Epi Materials and Devices UK Ltd.
  • 6.4.15 NAURA Technology Group Co., Ltd.
  • 6.4.16 Shenzhen Topraysolar Co., Ltd.
  • 6.4.17 Suzhou Nano Epitaxy Inc.
  • 6.4.18 VEECO-Suzhou (CMI Suzhou)
  • 6.4.19 Jiangsu J-PEC Technology Co., Ltd.
  • 6.4.20 SkyWater Technology Foundry

7. 시장 기회 및 미래 전망