극자외선 리소그래피 시장 규모 및 점유율 분석 – 성장 동향 및 예측 (2026-2031년)

극자외선(EUV) 리소그래피 시장 규모, 성장 동인 및 산업 전망 (2031년까지)

서론
극자외선(EUV) 리소그래피 시장은 2026년부터 2031년까지 연평균 9.35%의 견조한 성장률을 기록하며, 2031년에는 405억 4천만 달러 규모에 이를 것으로 전망됩니다. 이는 주로 5나노미터(nm) 이하의 첨단 노드로의 전환, 인공지능(AI), 5G, 고성능 컴퓨팅(HPC) 분야의 수요 증가, 그리고 정부의 반도체 보조금 정책에 힘입은 결과입니다. 동시에, High-NA 노광 장비로의 전환과 탄소 나노튜브 펠리클, 에너지 효율적인 광원 등 부품 기술의 발전이 시장 성장을 더욱 가속화할 것으로 예상됩니다.

시장 개요
Mordor Intelligence의 분석에 따르면, EUV 리소그래피 시장은 2025년 237억 1천만 달러에서 2026년 259억 3천만 달러로 성장했으며, 2031년에는 405억 4천만 달러에 달할 것으로 예측됩니다. 2026년부터 2031년까지의 연평균 성장률(CAGR)은 9.35%로 예상됩니다. 지역별로는 아시아 태평양 지역이 2025년 기준 63.85%의 매출 점유율로 가장 큰 시장을 형성하고 있으며, 중동 및 아프리카 지역이 10.9%의 CAGR로 가장 빠르게 성장할 것으로 전망됩니다. 시장 집중도는 높은 수준을 보이며, ASML Holding NV, ZEISS SMT, Gigaphoton Inc., Cymer LLC, Canon Inc. 등이 주요 플레이어로 활동하고 있습니다.

주요 시장 동인
* 5nm 이하 로직 및 메모리 노드 수요 증가 (CAGR 영향 +3.8%, 중기적): 2025년 양산 예정인 2nm 칩과 같은 초미세 선폭 구현에는 EUV 노광 기술이 필수적입니다. EUV는 공정 단계를 줄이고 선폭 거칠기(line-edge roughness)를 개선하여 생산 효율성을 높입니다. TSMC는 EUV 장비에 123억 달러를 투자하여 3nm 설계 대비 10~15%의 속도 향상 또는 25~30%의 전력 절감을 목표로 하고 있습니다.
* AI/5G/HPC 역량 구축 가속화 (CAGR 영향 +2.4%, 단기적): AI 가속기, 5G 기지국 칩, 고대역폭 메모리 등은 모두 미세 피치 금속화(tight pitch metallization)를 요구하며, 이는 EUV 기술 수요를 견인합니다. TSMC의 2024년 4분기 매출이 전년 대비 37% 증가한 268억 8천만 달러를 기록한 것은 이러한 수요 규모를 잘 보여줍니다.
* 정부의 반도체 보조금 프로그램 (CAGR 영향 +1.7%, 중기적): 미국 CHIPS Act(520억 달러), 유럽 Chips Act(2030년까지 반도체 점유율 20% 목표), 일본의 GAAFET 연구 동맹 등 각국 정부의 보조금 정책은 신규 팹 건설을 촉진하고 EUV 노광 장비 및 관련 부품의 지리적 고객 기반을 확대합니다.
* High-NA (0.55 NA) EUV 플랫폼으로의 전환 (CAGR 영향 +1.2%, 장기적): ASML이 2023년 말 인텔에 첫 0.55 NA 스캐너를 출하하면서, 이 플랫폼은 기존 0.33 NA 장비 대비 2.9배 높은 밀도를 제공하여 웨이퍼당 패터닝 단계를 줄입니다. 대당 3억 8,400만 달러에 달하지만, 마스크 수 감소 및 수율 개선을 통해 생산성 향상을 가져옵니다.
* 펠리클 멤브레인 혁신을 통한 생산성 향상 (CAGR 영향 +0.8%, 중기적): 탄소 나노튜브(CNT) 펠리클은 97~98%의 투과율과 1,000W 노광에 견디는 내구성을 제공하며, 2nm 공정 흐름에 적용이 승인되어 모든 마스크 레이어 보호를 위한 교체 주기를 열고 있습니다.
* ERL 기반 소형 EUV 광원 R&D 모멘텀 (CAGR 영향 +0.5%, 장기적): ERL(Energy Recovery Linac) 기반 EUV 광원 연구는 주석 잔해 문제를 해결하고 전력 소모를 줄여, 1.4nm 노드에 맞춰 상용화될 경우 공급망 다변화 및 운영 비용 절감에 기여할 수 있습니다.

주요 시장 제약 요인
* 1억 5천만 달러 이상의 시스템 비용 및 팹 개조 복잡성 (CAGR 영향 -3.2%, 중기적): EUV 스캐너의 높은 초기 비용과 클린룸 공기 흐름, 진동 감쇠, 전력 분배 등 팹 개조의 복잡성은 소규모 파운드리의 진입 장벽으로 작용하여 기술 격차를 심화시킬 수 있습니다.
* 단일 공급업체 의존성 및 공급망 병목 현상 (CAGR 영향 -2.1%, 단기적): ASML이 EUV 시스템 공급의 100%를 차지하는 독점적 구조와 연간 약 50대로 제한된 생산량은 공급망 취약성을 야기합니다. 고순도 유리, 다층 미러 등 핵심 부품 또한 단일 공급원에 의존하는 경향이 있어, 공급 차질 발생 시 시장 전반에 큰 영향을 미 미칠 수 있습니다.
* EUV 포토레지스트의 확률적 결함 (CAGR 영향 -1.1%, 중기적): EUV 포토레지스트는 미세 패턴 형성 시 무작위적인 결함(stochastic defectivity) 발생 가능성이 있어 수율에 영향을 미칠 수 있습니다.
* EUV 교육을 받은 현장 서비스 엔지니어 부족 (CAGR 영향 -0.9%, 단기적): EUV 장비의 복잡성으로 인해 전문 교육을 받은 현장 서비스 엔지니어의 부족은 장비 유지보수 및 가동률에 제약을 줄 수 있습니다.

세그먼트 분석
* 제품 유형별: 광원(Light Sources)이 매출 주도, 펠리클(Pellicles)이 성장 가속화
* 광원: 2025년 EUV 리소그래피 시장의 45.85%를 차지하며, 스캐너에서 가장 고가의 서브시스템입니다. 현재의 레이저 생성 플라즈마(LPP) 모듈은 CO₂ 레이저 펄스와 주석 방울을 13.5nm 복사선으로 변환하지만, 5% 미만의 낮은 변환 효율로 인해 자유 전자 대안에 대한 연구가 활발합니다.
* 펠리클: 2031년까지 17.9%의 CAGR로 가장 빠르게 성장하는 제품입니다. 탄소 나노튜브(CNT) 멤브레인은 97~98%의 투과율과 1,000W 노광에 견디는 내구성을 제공하며, 2nm 공정 흐름에 적용이 승인되어 모든 마스크 레이어 보호를 위한 교체 주기를 열고 있습니다.
* 최종 사용자 유형별: IDM이 파운드리 지배력에 도전
* 파운드리: 2025년 EUV 리소그래피 시장의 52.75%를 차지했습니다. TSMC는 설치된 EUV 노광 용량의 56%를 차지하며, 대만 내 지리적 집적을 통해 공급망 효율성과 학습 곡선 비용 절감을 달성했습니다.
* 종합 반도체 기업(IDM): 13.6%의 CAGR로 더 빠르게 성장하고 있습니다. 인텔의 IDM 2.0 모델은 외부 고객에게 팹을 개방하고 2025년까지 예약된 High-NA 용량을 추가하고 있습니다. 보조금 지원은 효과적인 자본 비용을 낮춰 순수 파운드리와의 단위 비용 격차를 줄입니다.
* 기술 노드별: 2nm 이하가 미래 성장 주도
* 5nm 노드: 2025년 EUV 리소그래피 시장 점유율의 33.75%를 차지하며, 모바일 및 데이터센터 칩 전반에 걸쳐 성숙한 수율과 광범위한 플랫폼 지원의 혜택을 받았습니다.
* 2nm 이하 노드: 2026년부터 2031년까지 20.2%의 CAGR로 가장 높은 성장이 예상됩니다. 2nm의 게이트-올-어라운드(GAA) 아키텍처는 EUV의 원패스 이미징(one-pass imaging)을 통해 더 엄격한 오버레이 제어 및 낮은 확률적 결함을 요구합니다.
* 광원 기술별: ERL-EUV가 LPP 지배력에 도전
* LPP (Laser-Produced Plasma) 유닛: 2025년 전체 출하량의 87.95%를 차지하며, CO₂ 레이저, 드롭렛 발생기, 집광 미러 등의 인프라를 표준화했습니다.
* ERL-EUV (Energy Recovery Linac-EUV) 플랫폼: 26.1%의 CAGR이 예상되며, 초전도 선형 가속기(linac)에서 코히어런트 EUV를 생성하여 주석 잔해를 제거합니다. 로렌스 리버모어 연구소는 0.33 GeV 빔 에너지에서 2kW 출력을 달성하여 전력 소모를 크게 줄일 수 있음을 시사했습니다.

지역 분석
* 아시아 태평양: 2025년 매출의 63.85%를 차지하며 EUV 리소그래피 시장을 선도했습니다. TSMC는 123억 달러의 EUV 예산으로 약 60대의 스캐너를 설치했으며, 삼성의 한국 팹은 2025년 1분기에 첫 High-NA 장비를 가동할 예정입니다. 일본의 Hoya와 같은 공급업체는 EUV 마스크 블랭크의 주요 공급원으로서 지역적 집적을 더욱 강화하고 있습니다.
* 북미: CHIPS Act에 따라 앨버니에 8억 2,500만 달러 규모의 EUV 가속기가 지정되었으며, 인텔의 High-NA 도입은 초기 스캐너에 대한 접근성을확보하는 데 중요한 역할을 합니다. 이러한 투자는 북미 지역의 EUV 기술 개발 및 상용화를 가속화할 것으로 예상됩니다.
* 유럽: ASML의 본거지로서 EUV 리소그래피 장비의 핵심 공급원이며, Carl Zeiss와 같은 기업은 광학 부품을 공급합니다. 유럽연합의 Horizon Europe 프로그램은 EUV 관련 연구 개발에 자금을 지원하여 기술 혁신을 촉진하고 있습니다.

보고서 요약: EUV 리소그래피 시장 분석

본 보고서는 극자외선(EUV) 리소그래피 시장에 대한 포괄적인 분석을 제공합니다. EUV 리소그래피 시장은 7nm 이하 노드 패터닝을 가능하게 하는 신규 EUV 스캐너 및 핵심 부품(광원, 미러/광학 장치, 마스크, 펠리클, 마스크 블랭크 등)에서 발생하는 전 세계 매출을 기준으로 정의되며, OEM이 파운드리 또는 종합 반도체 기업(IDM)에 매출을 인식하는 시점에 집계됩니다. 애프터서비스 계약, 리퍼비시된 심자외선(DUV) 플랫폼, 자체 툴 전환 등은 시장 범위에서 제외됩니다.

시장 개요 및 성장 전망:
EUV 리소그래피 시장은 2026년 259억 3천만 달러에서 2031년 405억 4천만 달러 규모로 성장할 것으로 예상되며, 예측 기간 동안 연평균 성장률(CAGR)은 9.35%에 달할 것입니다. 특히 펠리클 부문은 탄소 나노튜브 멤브레인 기술의 발전으로 2026년부터 2031년까지 17.9%의 가장 높은 CAGR을 기록하며 성장을 주도할 것으로 전망됩니다. 고개구율(High-NA) 스캐너는 대당 약 3억 8,400만 달러로 표준 EUV 장비의 두 배 이상이지만, 트랜지스터 밀도를 2.9배 향상시켜 멀티 패터닝을 줄이고 장기적인 웨이퍼 비용을 절감하는 효과가 있습니다.

주요 시장 동인:
EUV 리소그래피 시장의 성장을 견인하는 주요 요인들은 다음과 같습니다. 5nm 미만 로직 및 메모리 노드에 대한 수요 증가, AI/5G/고성능 컴퓨팅(HPC) 역량 구축 가속화, 각국 정부의 반도체 보조금 프로그램 확대, High-NA(0.55 NA) EUV 플랫폼으로의 전환, 펠리클 멤브레인 기술 혁신을 통한 생산성 향상, 그리고 ERL(Energy Recovery Linac) 기반 소형 EUV 광원 연구 개발 모멘텀입니다.

주요 시장 제약:
반면, 시장 성장을 저해하는 요인들도 존재합니다. 1억 5천만 달러 이상의 높은 시스템 비용과 복잡한 팹 개조 과정(예측 CAGR에 -3.2% 영향), 단일 공급업체 의존성 및 공급망 병목 현상(예측 CAGR에 -2.1% 영향), EUV 포토레지스트의 확률적 결함(stochastic defectivity) 문제, 그리고 EUV 전문 현장 서비스 엔지니어 부족 등이 주요 제약 요인으로 꼽힙니다.

지역별 분석:
2025년 매출의 63.85%를 차지하는 아시아 태평양 지역이 시장 수요를 선도하고 있으며, 중동 및 아프리카 지역은 새로운 기술 투자에 힘입어 2031년까지 10.9%의 CAGR로 가장 빠르게 성장할 것으로 예상됩니다.

조사 방법론:
본 보고서는 아시아 태평양 지역 공정 엔지니어, 유럽 IDM 조달 책임자, 북미 장비 유통업체 등과의 심층 인터뷰를 통한 1차 조사를 기반으로 합니다. 또한 SEMI 출하 통계, World Fab Forecast, 특허 데이터, 학술 논문, 기업 재무 보고서 및 정부 보조금 공개 자료 등을 활용한 2차 조사를 병행하여 데이터의 신뢰성을 확보했습니다. 시장 규모 및 예측은 글로벌 300mm 생산 능력, 스캐너 주문량, 평균 판매 가격 등을 고려한 하향식(top-down) 방식과 주요 공급업체 및 채널 증거를 통한 상향식(bottom-up) 방식을 교차 검증하여 도출되었습니다. 모든 데이터는 연간 업데이트되며, 주요 시장 변화 발생 시 중간 업데이트 및 최종 검증 과정을 거칩니다.

경쟁 환경 및 기회:
보고서는 시장 집중도, 주요 기업의 전략적 움직임, 시장 점유율 분석을 포함한 경쟁 환경을 상세히 다룹니다. ASML Holding N.V., Canon Inc., Nikon Corporation, ZEISS SMT 등 주요 기업들의 프로필이 제시됩니다. 또한, 시장의 미개척 영역(white-space) 및 미충족 수요(unmet-need)에 대한 평가를 통해 향후 시장 기회와 전망을 제시합니다.

1. 서론

• 1.1 연구 가정 및 시장 정의

• 1.2 연구 범위

2. 연구 방법론

3. 요약

4. 시장 환경

• 4.1 시장 개요

• 4.2 시장 동인
  • 4.2.1 5nm 미만 로직 및 메모리 노드 수요

  • 4.2.2 가속화된 AI/5G/HPC 용량 구축

  • 4.2.3 정부 반도체 보조금 프로그램

  • 4.2.4 High-NA (0.55 NA) EUV 플랫폼으로의 전환

  • 4.2.5 펠리클 멤브레인 혁신으로 인한 생산성 도약

  • 4.2.6 ERL 기반 소형 EUV 광원 R&D 모멘텀

• 4.3 시장 제약
  • 4.3.1 1억 5천만 달러 이상의 시스템 비용 및 팹 개조 복잡성

  • 4.3.2 단일 공급업체 의존성 및 공급망 병목 현상

  • 4.3.3 EUV 포토레지스트의 확률적 결함

  • 4.3.4 EUV 교육을 받은 현장 서비스 엔지니어 부족

• 4.4 가치 사슬 분석

• 4.5 규제 환경

• 4.6 기술 전망

• 4.7 포터의 5가지 경쟁 요인 분석
  • 4.7.1 공급업체의 교섭력

  • 4.7.2 구매자의 교섭력

  • 4.7.3 신규 진입자의 위협

  • 4.7.4 대체재의 위협

  • 4.7.5 경쟁 강도

• 4.8 거시 경제 요인의 영향 평가

5. 시장 규모 및 성장 예측 (가치)

• 5.1 제품 유형별
  • 5.1.1 광원

  • 5.1.2 미러/광학

  • 5.1.3 마스크

  • 5.1.4 펠리클

  • 5.1.5 마스크 블랭크

• 5.2 최종 사용자 유형별
  • 5.2.1 파운드리

  • 5.2.2 종합 반도체 기업 (IDM)

• 5.3 기술 노드별
  • 5.3.1 7 nm 이상

  • 5.3.2 5 nm

  • 5.3.3 3 nm

  • 5.3.4 2 nm 이하

• 5.4 광원 기술별
  • 5.4.1 레이저 생성 플라즈마 (LPP)

  • 5.4.2 가스 방전 플라즈마

  • 5.4.3 진공 스파크

  • 5.4.4 ERL-EUV

• 5.5 지역별
  • 5.5.1 북미

  • 5.5.1.1 미국

  • 5.5.1.2 캐나다

  • 5.5.2 남미

  • 5.5.2.1 브라질

  • 5.5.2.2 기타 남미

  • 5.5.3 유럽

  • 5.5.3.1 독일

  • 5.5.3.2 네덜란드

  • 5.5.3.3 영국

  • 5.5.3.4 프랑스

  • 5.5.3.5 이탈리아

  • 5.5.3.6 러시아

  • 5.5.3.7 기타 유럽

  • 5.5.4 아시아 태평양

  • 5.5.4.1 대만

  • 5.5.4.2 대한민국

  • 5.5.4.3 일본

  • 5.5.4.4 중국

  • 5.5.4.5 싱가포르

  • 5.5.4.6 기타 아시아 태평양

  • 5.5.5 중동 및 아프리카

  • 5.5.5.1 중동

  • 5.5.5.1.1 GCC

  • 5.5.5.1.2 튀르키예

  • 5.5.5.1.3 사우디아라비아

  • 5.5.5.1.4 기타 중동

  • 5.5.5.2 아프리카

  • 5.5.5.2.1 남아프리카 공화국

  • 5.5.5.2.2 기타 아프리카

6. 경쟁 환경

• 6.1 시장 집중도

• 6.2 전략적 움직임

• 6.3 시장 점유율 분석

• 6.4 기업 프로필 (글로벌 수준 개요, 시장 수준 개요, 핵심 부문, 재무 정보(사용 가능한 경우), 전략 정보, 시장 순위/점유율, 제품 및 서비스, 최근 개발 포함)
  • 6.4.1 ASML 홀딩 N.V.

  • 6.4.2 캐논 Inc.

  • 6.4.3 니콘 코퍼레이션

  • 6.4.4 ZEISS SMT

  • 6.4.5 우시오 Inc.

  • 6.4.6 기가포톤 Inc.

  • 6.4.7 사이머 LLC

  • 6.4.8 톱판 포토마스크 Inc.

  • 6.4.9 호야 코퍼레이션

  • 6.4.10 AGC Inc.

  • 6.4.11 신에츠 화학 Co.

  • 6.4.12 JSR Corp.

  • 6.4.13 도쿄 오카 코교 (TOK)

  • 6.4.14 듀폰 드 느무르 Inc.

  • 6.4.15 칼 자이스 하이-NA 시스템즈

  • 6.4.16 율리타 AG

  • 6.4.17 하이델베르크 인스트루먼츠 마이크로테크닉 GmbH

  • 6.4.18 KLA 코퍼레이션

  • 6.4.19 어플라이드 머티리얼즈 Inc.

  • 6.4.20 램 리서치 Corp.

  • 6.4.21 히타치 하이테크 Corp.

  • 6.4.22 인프리아 코퍼레이션

  • 6.4.23 JEOL Ltd.

  • 6.4.24 비코 인스트루먼츠 Inc.

  • 6.4.25 온토 이노베이션 Inc.

7. 시장 기회 및 미래 전망