모스펫 전력 트랜지스터 시장 규모 및 점유율 분석 – 성장 동향 및 전망 (2026-2031년)

MOSFET 전력 트랜지스터 시장 개요 (2026-2031)

본 보고서는 MOSFET 전력 트랜지스터 시장의 성장 동향 및 예측(2026-2031)에 대한 상세한 분석을 제공합니다. 시장은 채널 유형(N-채널, P-채널, 보완/듀얼), 재료 기술(실리콘, 실리콘 카바이드, 갈륨 나이트라이드 등), 패키지 유형(개별, 표면 실장, 전력 모듈 등), 최종 사용자 산업(자동차, 가전제품, 산업 및 제조 등), 그리고 지역별로 세분화됩니다. 시장 예측은 가치(USD) 기준으로 제공됩니다.

시장 개요 요약:
* 연구 기간: 2020 – 2031년
* 2026년 시장 규모: 78.2억 달러
* 2031년 시장 규모: 97.1억 달러
* 성장률 (2026-2031): 연평균 4.42% (CAGR)
* 가장 빠르게 성장하는 시장: 아시아 태평양
* 가장 큰 시장: 아시아 태평양
* 시장 집중도: 중간

시장 분석:
2026년 MOSFET 전력 트랜지스터 시장 규모는 78.2억 달러로 추정되며, 2025년 74.9억 달러에서 성장하여 2031년에는 97.1억 달러에 이를 것으로 예상됩니다. 이는 2026년부터 2031년까지 연평균 4.42%의 성장률을 나타냅니다. 이러한 성장은 운송 수단의 전동화 심화, 재생 에너지 발전 설비 구축, AI 중심의 데이터 센터 업그레이드에 기인합니다. 다만, 공급 병목 현상과 제조 제약이 단기적인 성장 모멘텀을 완화하고 있습니다.

수요는 전기차, 태양광 및 풍력 인버터, AI 서버와 같은 고성장 최종 사용자 분야에 집중되어 있으며, 이들 분야에서는 와이드 밴드갭(Wide-Bandgap) 재료, 고전압 아키텍처, 첨단 패키징이 상당한 효율성 향상을 제공합니다. 경쟁 강도는 중간 수준을 유지하고 있으며, 주요 공급업체들은 수직 통합 제조, 자동차 등급 품질 시스템, 플랫폼 포트폴리오를 활용하여 시장 점유율을 방어하고 있습니다. 한편, 민첩한 신규 진입업체들은 틈새 시장 역량과 와이드 밴드갭 전문성을 활용하고 있습니다. 미국 CHIPS Act 및 유사한 아시아 및 유럽 프로그램과 같은 정부의 ‘자국 내 생산(fab-on-shore)’ 인센티브는 공급 탄력성을 중시하는 방향으로 소싱 고려 사항을 재편하며, 순수한 비용 최적화에서 벗어나 조달 결정을 유도하고 있습니다.

주요 보고서 요약:
* 채널 유형별: N-채널 장치가 2025년 MOSFET 전력 트랜지스터 시장 점유율의 72.55%를 차지했으며, 보완/듀얼 장치는 2031년까지 연평균 5.48%로 가장 빠른 성장을 보일 것으로 예상됩니다.
* 재료별: 실리콘이 2025년 매출 점유율 68.75%를 유지했으며, 실리콘 카바이드는 2031년까지 연평균 5.65%로 성장할 것으로 전망됩니다.
* 패키지별: 표면 실장형이 2025년 MOSFET 전력 트랜지스터 시장 규모의 45.95%를 차지했으며, 웨이퍼 레벨 칩 스케일 패키징(WLCSP)은 2026년부터 2031년까지 연평균 6.98%로 가장 빠르게 확장될 것으로 예상됩니다.
* 최종 사용자별: 가전제품이 2025년 매출 점유율 38.10%로 선두를 달렸으며, 자동차 애플리케이션은 예측 기간 동안 연평균 6.55%로 가장 높은 성장률을 보일 것으로 전망됩니다.
* 지역별: 아시아 태평양이 2025년 MOSFET 전력 트랜지스터 시장 규모의 45.20%를 차지했으며, 2031년까지 연평균 7.25%로 성장할 것으로 예상됩니다.

글로벌 MOSFET 전력 트랜지스터 시장글로벌 MOSFET 전력 트랜지스터 시장은 2025년 79억 5천만 달러에서 2031년 118억 5천만 달러로 성장할 것으로 예상되며, 예측 기간 동안 연평균 6.85%의 성장률을 기록할 것으로 전망됩니다. 이 시장은 다양한 산업 분야에서 전력 효율성과 성능 향상에 대한 수요가 증가함에 따라 지속적으로 확대될 것입니다. 특히 전기차, 재생에너지 시스템, 데이터 센터 등 고전력 애플리케이션의 발전이 시장 성장을 견인할 주요 요인으로 꼽힙니다. 기술 혁신과 함께 새로운 재료 및 패키징 기술의 도입은 MOSFET 전력 트랜지스터의 효율성과 신뢰성을 더욱 향상시켜 시장 확장에 기여할 것입니다.

본 보고서는 전력 MOSFET(Metal-Oxide-Silicon Field-Effect Transistor) 시장에 대한 심층 분석을 제공합니다. 전력 MOSFET은 저전압에서 빠른 스위칭과 최대 효율을 제공하도록 설계되었으며, 가전제품, 전원 공급 장치, DC-DC 컨버터, 모터 컨트롤러, RF 애플리케이션, 운송 기술 및 자동차 전자를 포함한 광범위한 분야에 활용됩니다.

시장 규모는 2026년 78억 2천만 달러에서 4.42%의 연평균 성장률(CAGR)을 기록하며 2031년에는 97억 1천만 달러에 이를 것으로 전망됩니다.

주요 시장 성장 동력으로는 전기차(EV) 생산 급증에 따른 트랙션 및 온보드 충전기 MOSFET 수요 증가, 태양광 및 풍력 에너지 인버터 구축 확대, 스마트폰 및 웨어러블 기기 출하량 증가에 따른 저전력 MOSFET 필요성 증대, 정부의 “자국 내 생산(fab-on-shore)” 인센티브를 통한 파운드리 역량 확보, AI 서버 전원 공급 장치의 고전압 SiC/GaN 단계로의 전환, 그리고 200mm SiC 웨이퍼 비용 하락으로 인한 1200V 설계 채택 확대 등이 있습니다.

반면, 광대역 갭(Wide-bandgap) MOSFET의 높은 다이 및 패키징 비용, 웨이퍼 생산 능력 부족 및 긴 리드 타임, 게이트 드라이버 인터페이스 표준 부재로 인한 설계 주기 지연, 불소화 가스 에칭에 대한 환경세 부과로 인한 생산 비용 상승 등은 시장 성장을 저해하는 요인으로 작용합니다.

애플리케이션 분야 중에서는 EV 생산 확대에 힘입어 자동차 트랙션 및 온보드 충전기 시스템이 6.55%의 가장 높은 CAGR로 빠르게 성장하고 있습니다. 지역별로는 아시아 태평양 지역이 강력한 가전제품 생산 및 신흥 EV 공급망에 힘입어 2025년 매출의 45.20%를 차지하며 시장을 선도하고 있습니다. 재료 측면에서는 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET이 높은 비용에도 불구하고 800V EV 및 1500V 태양광 인버터 설계에 필수적인 높은 전압 내성 및 낮은 스위칭 손실을 제공하며 시장 점유율을 확대하고 있습니다. 패키징 트렌드에서는 소형 모바일 및 서버 전원 설계에 중요한 기생 성분 및 풋프린트 최소화 덕분에 웨이퍼 레벨 칩 스케일 패키징(CSP)이 6.98%의 CAGR을 기록하며 가장 중요한 추세로 부상하고 있습니다. 또한, 미국 CHIPS Act와 유사한 아시아 및 EU 이니셔티브와 같은 정부 인센티브 프로그램은 현지 제조를 지원하여 비용 효율성뿐만 아니라 지역적 탄력성을 고려한 소싱으로의 전환을 유도하고 있습니다.

보고서는 채널 유형(N-채널, P-채널, 보완/듀얼), 재료(실리콘, SiC, GaN 등), 패키지 유형(개별, 표면 실장, 전력 모듈, 웨이퍼 레벨 CSP 등), 최종 사용자 산업(자동차 및 운송, 가전제품, 산업 및 제조, 헬스케어, 항공우주 및 방위 등), 그리고 지역별(북미, 남미, 유럽, 아시아 태평양, 중동 및 아프리카)로 시장을 세분화하여 분석합니다. 경쟁 환경 분석에서는 Infineon Technologies, STMicroelectronics, ON Semiconductor 등 주요 20개 기업의 프로필, 시장 점유율 및 전략적 움직임을 다루며, 시장 집중도, 공급망 분석, 규제 환경, 기술 전망, Porter의 5가지 경쟁 요인 분석 및 거시 경제 영향 평가 등 포괄적인 내용을 포함합니다.

1. 서론

• 1.1 연구 가정 및 시장 정의
• 1.2 연구 범위

2. 연구 방법론

3. 요약

4. 시장 환경

• 4.1 시장 개요
• 4.2 시장 동인
  • 4.2.1 EV 생산 붐으로 인한 트랙션 및 온보드 충전기 MOSFET 수요 증가
  • 4.2.2 태양광 및 풍력 재생 에너지 인버터 구축
  • 4.2.3 저전력 MOSFET을 필요로 하는 스마트폰 및 웨어러블 기기 출하량 급증
  • 4.2.4 정부의 “국내 생산” 인센티브로 인한 틈새 파운드리 생산 능력 계약 증가
  • 4.2.5 AI 서버 전원 공급 장치의 고전압 SiC/GaN 단계로의 전환
  • 4.2.6 200mm SiC 웨이퍼의 비용 하락으로 1200V 설계 채택 증가
• 4.3 시장 제약
  • 4.3.1 와이드 밴드갭 MOSFET의 높은 다이 및 패키징 비용
  • 4.3.2 웨이퍼 생산 능력 부족 및 긴 리드 타임
  • 4.3.3 게이트 드라이버 인터페이스 표준 부족으로 인한 설계 주기 지연
  • 4.3.4 불소화 가스 에칭에 대한 환경세로 인한 생산 비용 증가
• 4.4 산업 공급망 분석
• 4.5 규제 환경
• 4.6 기술 전망
• 4.7 포터의 5가지 경쟁 요인 분석
  • 4.7.1 공급업체의 교섭력
  • 4.7.2 구매자의 교섭력
  • 4.7.3 신규 진입자의 위협
  • 4.7.4 대체재의 위협
  • 4.7.5 경쟁 강도
• 4.8 거시 경제 영향 평가

5. 시장 규모 및 성장 예측 (가치)

• 5.1 채널 유형별
  • 5.1.1 N-채널
  • 5.1.2 P-채널
  • 5.1.3 상보형 / 듀얼
• 5.2 재료별
  • 5.2.1 실리콘
  • 5.2.2 탄화규소 (SiC)
  • 5.2.3 질화갈륨 (GaN)
  • 5.2.4 기타 재료 (GaAs 등)
• 5.3 패키지 유형별
  • 5.3.1 개별형 (TO-247/TO-220)
  • 5.3.2 표면 실장형 (DPAK, QFN)
  • 5.3.3 전력 모듈
  • 5.3.4 웨이퍼 레벨 CSP
  • 5.3.5 기타 패키지 유형
• 5.4 최종 사용자 산업별
  • 5.4.1 자동차 및 운송
  • 5.4.2 가전제품
  • 5.4.3 산업 및 제조
  • 5.4.4 헬스케어
  • 5.4.5 항공우주 및 방위
  • 5.4.6 기타 최종 사용자 산업
• 5.5 지역별
  • 5.5.1 북미
  • 5.5.1.1 미국
  • 5.5.1.2 캐나다
  • 5.5.1.3 멕시코
  • 5.5.2 남미
  • 5.5.2.1 브라질
  • 5.5.2.2 아르헨티나
  • 5.5.2.3 콜롬비아
  • 5.5.2.4 남미 기타 지역
  • 5.5.3 유럽
  • 5.5.3.1 영국
  • 5.5.3.2 독일
  • 5.5.3.3 프랑스
  • 5.5.3.4 이탈리아
  • 5.5.3.5 스페인
  • 5.5.3.6 유럽 기타 지역
  • 5.5.4 아시아 태평양
  • 5.5.4.1 중국
  • 5.5.4.2 일본
  • 5.5.4.3 대한민국
  • 5.5.4.4 인도
  • 5.5.4.5 아시아 태평양 기타 지역
  • 5.5.5 중동 및 아프리카
  • 5.5.5.1 중동
  • 5.5.5.1.1 사우디아라비아
  • 5.5.5.1.2 아랍에미리트
  • 5.5.5.1.3 중동 기타 지역
  • 5.5.5.2 아프리카
  • 5.5.5.2.1 남아프리카 공화국
  • 5.5.5.2.2 이집트
  • 5.5.5.2.3 아프리카 기타 지역

6. 경쟁 환경

• 6.1 시장 집중도
• 6.2 전략적 움직임
• 6.3 시장 점유율 분석
• 6.4 기업 프로필 (글로벌 수준 개요, 시장 수준 개요, 핵심 부문, 사용 가능한 재무 정보, 전략 정보, 주요 기업의 시장 순위/점유율, 제품 및 서비스, 최근 개발 포함)
  • 6.4.1 Infineon Technologies AG
  • 6.4.2 STMicroelectronics N.V.
  • 6.4.3 ON Semiconductor Corporation
  • 6.4.4 Texas Instruments Incorporated
  • 6.4.5 Toshiba Corporation
  • 6.4.6 Renesas Electronics Corporation
  • 6.4.7 Mitsubishi Electric Corporation
  • 6.4.8 Vishay Intertechnology Inc.
  • 6.4.9 NXP Semiconductors N.V.
  • 6.4.10 Analog Devices, Inc.
  • 6.4.11 Broadcom Inc.
  • 6.4.12 Microchip Technology Incorporated
  • 6.4.13 ROHM Co., Ltd.
  • 6.4.14 Wolfspeed, Inc.
  • 6.4.15 Alpha and Omega Semiconductor Ltd.
  • 6.4.16 Littelfuse, Inc.
  • 6.4.17 Diodes Incorporated
  • 6.4.18 Nexperia B.V.
  • 6.4.19 Fuji Electric Co., Ltd.
  • 6.4.20 Power Integrations, Inc.

7. 시장 기회 및 미래 전망