포토다이오드 센서 시장 규모 및 점유율 분석 – 성장 동향 및 예측 (2026 – 2031년)

포토다이오드 센서 시장 개요 (2026-2031)

# 1. 시장 개요 및 주요 통계

포토다이오드 센서 시장은 2026년 0.83억 달러 규모로 추정되며, 2025년 0.77억 달러에서 성장하여 2031년에는 1.16억 달러에 달할 것으로 예상됩니다. 2026년부터 2031년까지 연평균 성장률(CAGR) 7.12%를 기록할 것으로 전망됩니다. 이러한 성장은 5G 백홀, LiDAR 탑재 차량, 데이터센터 포토닉스 등 정밀 광학 수신기가 필요한 분야에서 전 세계적인 수요가 증가하고 있기 때문입니다. 2022년 8,650억 달러 규모였고 2027년에는 1.2조 달러에 이를 것으로 전망되는 포토닉스 부문의 회복탄력성은 포토다이오드 센서 시장의 성장 궤도를 더욱 뒷받침합니다. 그러나 인듐과 갈륨의 공급망 취약성은 비용 및 리드 타임 위험을 초래하여 단기적인 생산 수준을 저해할 수 있습니다. 경쟁 차별화는 이제 개별 부품에서 포토다이오드, 신호 처리 및 패키징을 단일 장치로 결합한 통합 모듈로 전환되고 있으며, 이는 통신, 자동차 및 의료 영상 분야에서 고객의 시장 출시 시간을 단축시키고 있습니다.

주요 시장 통계:
* 연구 기간: 2021년 – 2031년
* 2026년 시장 규모: 0.83억 달러
* 2031년 시장 규모: 1.16억 달러
* 성장률 (2026-2031): 7.12% CAGR
* 가장 빠르게 성장하는 시장: 아시아 태평양
* 가장 큰 시장: 중동 및 아프리카
* 시장 집중도: 중간
* 주요 기업: Hamamatsu Photonics K.K., Thorlabs, Inc., Edmund Scientific Corporation (Edmund Optics), Centronic, Ltd., Excelitas Technologies Corporation 등 (순서 무관)

# 2. 주요 보고서 요약

* 센서 유형별: PIN 장치가 2025년 포토다이오드 센서 시장 점유율의 41.42%를 차지하며 선두를 달렸고, 애벌랜치 포토다이오드는 2031년까지 8.23%의 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다.
* 재료별: 실리콘이 2025년 포토다이오드 센서 시장 규모의 57.38%를 차지했으며, 실리콘-게르마늄 기술은 8.01%의 CAGR로 확장될 것으로 전망됩니다.
* 스펙트럼 범위별: 근적외선이 2025년 매출의 33.12%를 차지했으며, 단파 적외선(SWIR)은 2031년까지 8.31%의 CAGR로 가장 빠르게 성장하는 대역입니다.
* 최종 사용자 산업별: 소비자 가전이 2025년 포토다이오드 센서 시장 규모의 28.45%를 차지했지만, 자동차 LiDAR는 2031년까지 8.62%의 CAGR로 가장 높은 성장을 보일 것으로 예측됩니다.
* 지역별: 아시아 태평양 지역이 2025년 45.55%의 점유율로 시장을 지배했으며, 중동 및 아프리카 지역은 2026년부터 2031년까지 9.22%의 CAGR로 가장 빠르게 성장할 것으로 예상됩니다.

# 3. 글로벌 포토다이오드 센서 시장 동향 및 통찰력

3.1. 시장 성장 동인

* 광섬유 및 5G 백홀 배포 급증: 데이터 집약적인 5G 네트워크는 저잡음 포토다이오드를 사용하는 코히어런트 광 트랜시버를 통해 백본 링크를 업그레이드하도록 통신 사업자를 압박하고 있습니다. NTT와 NEC의 IOWN 올-포토닉스 네트워크 시험은 기존 광섬유를 통한 실시간 트래픽 모니터링을 시연하며 인프라 소유자에게 이중 사용 가치를 확인시켜 주었습니다. 학술 프로토타입은 이미 100km 도달이 가능한 100Gbps 포토다이오드로 발전하여 초기 6G 프론트홀 벤치마크와 일치합니다. 이러한 요구 사항은 포토다이오드 센서 시장을 차세대 유선 및 무선 융합 전략의 핵심에 놓이게 합니다.
* 차량 내 LiDAR/ADAS 통합 가속화: LiDAR 채택은 비용 곡선이 빠르게 하락함에 따라 프리미엄 브랜드를 넘어 확장되고 있습니다. 소니의 IMX479 스택형 SPAD 깊이 센서는 37%의 광자 감지 효율로 300m 감지 기능을 제공하며, 2025년 가을 샘플 출하가 예정되어 있습니다. 한국의 SPAD 로드맵은 단거리 운전자 보조 시스템에 이상적인 56ps 타이밍 지터와 8mm 해상도를 달성했습니다. VCSEL-포토다이오드 공동 패키징은 BOM(Bill of Materials)을 절감하고 신뢰성을 높이고 있습니다.
* 스마트폰의 주변광 및 근접 감지 수요: 핸드셋 제조업체는 주변광, 근접 및 PPG 생체 감지 기능을 통합 모듈에 지속적으로 통합하여 대량의 실리콘 포토다이오드 주문을 유도하고 있습니다. 웨어러블 및 스마트폰은 2030년까지 PPG 생체 센서의 성장을 뒷받침하며, 소형 폼팩터의 근적외선 감지기에 대한 추가 수요를 보장합니다. 디스플레이 하단 지문 및 얼굴 인식 시스템은 우수한 근적외선 성능과 최소한의 크로스토크를 가진 포토다이오드를 필요로 하며, 트렌치 격리 및 후면 조명 분야의 혁신을 촉진합니다.
* 의료 영상 및 맥박 산소 측정기 사용 확대: 컴퓨터 단층 촬영(CT) 어레이 및 맥박 산소 측정기 프로브는 장치 수명 동안 교정 안정성을 유지하는 저잡음, 고감도 포토다이오드를 필요로 합니다. KAIST는 최근 실시간 CO₂ 모니터링이 가능한 상온 중적외선 감지기를 시연하여 CMOS 호환성을 통한 미래 비용 절감 가능성을 보여주었습니다. Coherent Corp.는 헬스케어 기기 시장을 연간 7% 성장하는 690억 달러 규모의 시장으로 식별하며, 의료 분야 포토닉스에 대한 지속적인 예산 할당을 확인했습니다.

3.2. 시장 성장 저해 요인

* 온도 의존적인 암전류 및 노이즈: 암전류는 온도에 따라 기하급수적으로 증가하여 미션 크리티컬 포토다이오드 배포에서 신호 대 잡음비를 저하시킵니다. Thorlabs의 최근 벤치마크는 게르마늄 감지기가 가장 높은 암전류 드리프트를 보이는 반면, InGaAs 변형은 더 나은 열 안정성을 제공함을 확인했습니다.
* 인듐 및 갈륨 공급망 불안정성: 중국의 2024년 갈륨 및 게르마늄 수출 제한은 모든 III-V 포토다이오드 뒤에 숨겨진 자원 위험을 부각시킵니다. 2023년 미국의 갈륨-비소 웨이퍼 수입은 급격히 감소하여 고성능 통신 수신기에 대한 가격 프리미엄을 유발했습니다. LightPath-NRL과 같은 파트너십은 게르마늄 대체재로 BDNL4 칼코게나이드 유리를 상용화하여 재료 노출을 줄이는 것을 목표로 합니다.

# 4. 세그먼트 분석

* 센서 유형별: 애벌랜치 포토다이오드가 혁신 주도
PIN 장치는 통신 및 소비자 OEM이 비용-성능 균형을 선호함에 따라 2025년 포토다이오드 센서 시장 점유율의 41.42%를 차지했습니다. 애벌랜치 포토다이오드는 LiDAR가 단일 광자 감도를 요구함에 따라 2031년까지 8.23%의 CAGR을 기록하며 시장 규모를 확대할 것으로 예상됩니다. 한국의 56ps SPAD 이정표는 ADAS에 중요한 타이밍 해상도 개선을 위한 경쟁 우위를 강조합니다.
* 재료별: 실리콘 지배력에 도전하는 화합물 반도체
CMOS 팹이 탁월한 규모와 비용 경제성을 제공함에 따라 실리콘은 포토다이오드 센서 시장 규모의 57.38%를 유지하고 있습니다. 실리콘-게르마늄 장치는 8.01%의 예측 CAGR로 1.55 µm 파장에서 감도를 향상시키면서도 팹 호환성을 유지하여 기존 Si 파이프라인과 비용 동등성을 추구하는 통신 OEM에게 매력적입니다. 인듐-갈륨-비소 감지기는 700nm-1.8µm 범위에 필수적이며, 데이터 통신 광학 전반에 걸쳐 프리미엄 가격을 형성합니다.
* 스펙트럼 범위별: SWIR 애플리케이션 성장 가속화
통신, 생체 인식 및 주변광 모듈이 850-1,000nm 성능에 의존함에 따라 근적외선 파장은 2025년 매출의 33.12%를 차지했습니다. SWIR 수요는 8.31%의 CAGR로 증가하여 분류, 수분 감지 및 품질 검사 도구에 대한 포토다이오드 센서 시장 규모를 확대하고 있습니다. 산업 통합업체는 InGaAs 어레이의 비냉각 상온 작동을 중요하게 여기며, 암전류 노이즈 플로어를 개선하는 선택적 TEC를 고려합니다.
* 최종 사용자 산업별: 자동차 LiDAR가 가장 높은 성장 주도
스마트폰, 웨어러블 및 가정용 장치가 주변광 및 생체 감지 포토다이오드를 통합함에 따라 소비자 가전은 2025년 매출의 28.45%를 차지했습니다. 자동차 LiDAR 채택은 8.62%의 CAGR로 증가하여 레벨 3 자율 주행의 안전 백본으로서 포토다이오드 센서 시장을 강화하고 있습니다. 통신 사업자는 5G 백홀 및 코히어런트 광학 업그레이드를 기반으로 꾸준한 주문을 유지하고 있습니다. 헬스케어 애플리케이션은 맥박 산소 측정기를 넘어 CT 및 다중 모드 프로브에 포토다이오드를 내장하는 현장 진단으로 확장되며 새로운 성장 단계에 진입하고 있습니다.

# 5. 지역 분석

* 아시아 태평양: 2025년 포토다이오드 센서 시장에서 45.55%의 매출 점유율로 지배적인 위치를 차지했으며, 중국, 일본, 한국의 밀집된 반도체 생태계를 활용했습니다. 일본의 NICT와 소니 간의 협력은 1,550nm에서 최초의 실용적인 양자점 표면 발광 레이저를 달성하여 광섬유 통신에서 현지 부품 깊이를 향상시켰습니다.
* 북미: 혁신과 방위 수요의 균형을 이룹니다. Coherent Corp.는 2025년 2분기 매출 14.3억 달러를 기록하며 전년 대비 27% 성장했으며, 데이터 통신, 계측 및 항공우주 전반에 걸쳐 다각화된 노출을 보여주었습니다. CHIPS Act의 인듐-인 확장 할당은 미래의 지정학적 충격으로부터 국내 포토다이오드 공급망을 보호할 것입니다.
* 유럽: 2022년 포토닉스 분야에서 1,246억 유로(1,335억 달러)를 수출하여 전 세계 시장의 15%를 차지하는 고부가가치 수출 틈새시장을 지배하며, 10.5%의 R&D 집중도에 의해 뒷받침됩니다. Lynred의 그르노블 시설 확장(8,500만 유로)은 클린룸 용량을 두 배로 늘리고 EU 방위 프로그램을 위한 주권 적외선 공급을 확보할 것입니다.
* 중동 및 아프리카: 국가 스마트 시티 의제와 UAE의 잠재적인 첨단 팹이 미래 현지 수요를 촉진함에 따라 2026-2031년 동안 9.22%의 가장 빠른 CAGR을 기록할 것으로 예상됩니다.

# 6. 경쟁 환경

포토다이오드 센서 시장 집중도는 중간 수준을 유지하고 있습니다. Hamamatsu Photonics K.K.는 2024 회계연도 순매출 2,039억 6,100만 엔(13.7억 달러)을 기록했으며, 광반도체 생산량을 늘리기 위해 새로운 화합물 반도체 팹 센터를 건설 중입니다. Coherent Corp.의 다각화된 광학 포트폴리오는 2025년 2분기 14.3억 달러의 매출을 달성하며 통신, 계측 및 전자 분야의 균형 잡힌 참여를 통해 27%의 성장을 기록했습니다. SICK AG와 Endress+Hauser는 50-50 합작 투자를 통해 센서 스위트를 공정 자동화 채널에 내장하여 정유 및 화학 공장에서 교차 판매 역량을 확대했습니다.

전략적 플레이북은 수직 통합 및 차별화된 IP에 중점을 둡니다. 소니는 스택형 SPAD 설계를 발전시켜 자동차 Tier-1을 확보하고, onsemi는 산업 자동화를 위한 간접 비행 시간(ToF) 센서를 확장하여 OEM에게 픽셀에서 소프트웨어까지 단일 공급업체 경로를 제공합니다. TDK의 스핀 포토 디텍터는 스핀트로닉스가 데이터 처리량을 10배 증가시킬 수 있는 새로운 틈새시장을 보여주며, AI 추론 클러스터에서 소켓을 확보하는 것을 목표로 합니다. Lidwave와 같은 신생 기업은 4D LiDAR 온칩 통합을 활용하여 비용과 BOM을 압축하며 기존 가격 우산을 위협하고 있습니다.

공급망 위험 완화는 여전히 최우선 과제입니다. 기업들은 인듐과 갈륨에 대한 이중 소싱을 추구하고 게르마늄의 칼코게나이드 대안을 평가하며, ESG 의무를 준수하고 무역 정책 노출을 줄이고 있습니다. 유기 및 페로브스카이트 포토다이오드는 저비용 소비자 및 IoT 노드에서 기존 웨이퍼 기반 경제를 파괴할 수 있는 저온, 용액 처리 대체재를 제시합니다.

# 7. 최근 산업 발전

* 2025년 6월: 소니 반도체 솔루션은 자동차 LiDAR용 IMX479 스택형 SPAD 깊이 센서를 발표했으며, 300m 범위와 37%의 광자 감지 효율을 제공하며, 2025년 가을에 단위당 35,000엔(235달러)으로 샘플 출하 예정입니다.
* 2025년 5월: 로렌스 리버모어 국립 연구소는 질감이 있는 기판에서 근적외선 감지기 성능을 향상시키는 전기영동 양자점 증착 방법을 도입했습니다.
* 2025년 4월: TDK는 AI 가속기 상호 연결을 목표로 10배의 데이터 전송률 향상을 달성하는 세계 최초의 스핀 포토 디텍터를 시연했습니다.
* 2025년 3월: Onsemi는 30m 산업용 깊이 감지를 위한 Hyperlux ID 실시간 간접 ToF 센서를 출시했습니다.

본 보고서는 포토다이오드 센서 시장에 대한 포괄적인 분석을 제공하며, 시장 정의, 성장 동인, 제약 요인, 세분화, 경쟁 환경 및 미래 전망을 다룹니다. Mordor Intelligence에 따르면, 포토다이오드 센서 시장은 입사광을 전기 신호로 직접 변환하는 모든 패키지형 고체 소자를 포함하며, 독립형 센서 또는 근접, 주변광, 색상, LiDAR 모듈 내 광학 프런트엔드로 출하되는 제품을 대상으로 합니다. 연구 범위에는 PN, PIN, 애벌랜치(APD), 쇼트키 아키텍처를 기반으로 실리콘, SiGe, InGaAs, GaN 등 다양한 재료를 사용하는 제품이 포함되며, 가전, 통신, 산업, 자동차, 의료, 보안, 항공우주 등 광범위한 최종 사용자 산업에 적용됩니다. 이미지 센서 파운드리로 판매되는 베어 다이와 개별 로직 IC에 내장된 포토트랜지스터는 연구 범위에서 제외됩니다.

연구 방법론:
보고서의 데이터는 1차 및 2차 연구를 통해 수집 및 검증되었습니다. 1차 연구는 스마트폰 OEM, 광전자 계약 제조업체, 광섬유 트랜시버 업체, 의료기기 통합업체 등과의 심층 인터뷰를 포함하여 수율 손실, 평균 판매 가격(ASP), 파장 요구사항 등 정량화하기 어려운 정보를 확보했습니다. 2차 연구는 UN Comtrade, EU TARIC, 미국 인구조사국 데이터, 산업 협회 보고서, 기업 재무 보고서, 특허 분석 등 광범위한 공개 및 유료 플랫폼 데이터를 활용했습니다. 시장 규모 산정 및 예측은 상향식 및 하향식 모델을 혼합하여 사용했으며, 스마트폰 OLED 보급률, 5G 백홀 구축, 자동차 LiDAR 장착률, 적외선 의료 프로브 출하량, 화합물 반도체 웨이퍼 생산량, 환율 조정 ASP 침식 곡선 등 주요 변수를 고려했습니다. 모든 데이터는 3단계 검토 과정을 거쳐 검증되며, 연 1회 갱신되고 주요 시장 변화 발생 시 중간 업데이트가 이루어집니다. Mordor Intelligence의 모델은 전체 센서 모듈 스펙트럼을 포괄하고 실시간 환율을 적용하며 매년 갱신되어 높은 신뢰성을 제공합니다.

시장 동인 및 제약:
시장의 주요 동인으로는 광섬유 및 5G 백홀 배포의 급증, 차량 내 LiDAR/ADAS 통합 가속화, 주변광 및 근접 감지를 위한 스마트폰 수요 증가, 의료 영상 및 맥박 산소 측정기 사용 확대, CMOS 호환 SiGe/Sn 포토다이오드를 통한 저비용 단파장 적외선(SWIR) 구현, 금속 적층 제조 품질 보증을 위한 현장 포토다이오드 어레이 등이 있습니다. 반면, 온도 의존적인 암전류 및 노이즈, 통합 이미지 센서 모듈과의 경쟁, 특정 III-V 화합물에 대한 RoHS 제한, 인듐 및 갈륨 공급망의 변동성은 시장 성장을 제약하는 요인으로 작용합니다.

시장 규모 및 성장 예측:
포토다이오드 센서 시장은 2026년 8억 2,582만 달러에서 2031년까지 11억 6,464만 달러에 이를 것으로 예상되며, 예측 기간 동안 연평균 성장률(CAGR) 7.12%를 기록할 것으로 전망됩니다.
* 센서 유형별: PN, PIN, 애벌랜치(APD), 쇼트키 포토다이오드로 세분화됩니다.
* 재료별: 실리콘(Si)이 57.38%의 시장 점유율로 지배적이지만, 실리콘-게르마늄(SiGe/Ge) 및 인듐 갈륨 비소(InGaAs)가 적외선 성능으로 인해 점유율을 확대하고 있습니다. InGaAsP/InP, 갈륨 질화물(GaN)도 포함됩니다.
* 스펙트럼 범위별: 자외선(200-400 nm), 가시광선(400-700 nm), 근적외선(0.7-1.4 µm), 단파장 IR(1.4-3 µm), 중/장파장 IR(>3 µm)로 나뉩니다.
* 최종 사용자 산업별: 가전, 통신, 항공우주 및 방위, 헬스케어, 자동차, 산업 자동화 및 IoT, 보안 및 감시 분야에서 활용됩니다. 특히 자동차 LiDAR 애플리케이션은 2026-2031년 동안 8.62%의 가장 높은 CAGR을 보이며 빠르게 성장할 것으로 예상됩니다.
* 지역별: 아시아 태평양 지역이 반도체 제조 집중과 공격적인 5G 배포에 힘입어 45.55%의 매출 점유율로 시장을 선도하고 있습니다. 북미, 남미, 유럽, 중동 및 아프리카 지역도 분석에 포함됩니다.

경쟁 환경 및 시장 기회:
시장은 Hamamatsu Photonics K.K., Thorlabs Inc., Edmund Optics, Excelitas Technologies Corp., ams-Osram AG, TE Connectivity (First Sensor AG), onsemi, Broadcom Inc., Renesas Electronics Corp., Sony Semiconductor Solutions 등 다수의 주요 기업들이 경쟁하고 있습니다. 갈륨 및 인듐 수출 제한과 같은 공급망 위험은 가격 및 리드 타임 변동성을 야기하며, 제조업체들은 대체 재료 탐색을 통해 이러한 위험에 대응하고 있습니다. 보고서는 또한 시장의 미개척 영역과 충족되지 않은 요구 사항을 평가하여 미래 성장 기회를 제시합니다.

1. 서론

• 1.1 연구 가정 및 시장 정의

• 1.2 연구 범위

2. 연구 방법론

3. 요약

4. 시장 환경

• 4.1 시장 개요

• 4.2 시장 동인
  • 4.2.1 광섬유 및 5G 백홀 배포 급증

  • 4.2.2 차량 내 LiDAR/ADAS 통합 가속화

  • 4.2.3 주변광 및 근접 감지를 위한 스마트폰 수요

  • 4.2.4 의료 영상 및 맥박 산소 측정에서의 확장된 사용

  • 4.2.5 CMOS 호환 SiGe/Sn 포토다이오드를 통한 저비용 SWIR 구현

  • 4.2.6 금속 적층 제조 QA를 위한 현장 포토다이오드 어레이

• 4.3 시장 제약
  • 4.3.1 온도 의존성 암전류 및 노이즈

  • 4.3.2 통합 이미지 센서 모듈과의 경쟁

  • 4.3.3 특정 III-V 화합물에 대한 RoHS 제한

  • 4.3.4 불안정한 인듐 및 갈륨 공급망

• 4.4 가치 / 공급망 분석

• 4.5 규제 환경

• 4.6 기술 전망

• 4.7 포터의 5가지 경쟁 요인 분석
  • 4.7.1 신규 진입자의 위협

  • 4.7.2 구매자의 교섭력

  • 4.7.3 공급업체의 교섭력

  • 4.7.4 대체재의 위협

  • 4.7.5 경쟁 강도

5. 시장 규모 및 성장 예측 (가치)

• 5.1 센서 유형별
  • 5.1.1 PN 포토다이오드

  • 5.1.2 PIN 포토다이오드

  • 5.1.3 애벌랜치 포토다이오드 (APD)

  • 5.1.4 쇼트키 포토다이오드

• 5.2 재료별
  • 5.2.1 실리콘 (Si)

  • 5.2.2 실리콘-게르마늄 (SiGe / Ge)

  • 5.2.3 인듐 갈륨 비소 (InGaAs)

  • 5.2.4 InGaAsP / InP

  • 5.2.5 질화갈륨 (GaN)

• 5.3 스펙트럼 범위별
  • 5.3.1 자외선 (200-400 nm)

  • 5.3.2 가시광선 (400-700 nm)

  • 5.3.3 근적외선 (0.7-1.4 µm)

  • 5.3.4 단파 적외선 (1.4-3 µm)

  • 5.3.5 중파/장파 적외선 (>3 µm)

• 5.4 최종 사용자 산업별
  • 5.4.1 가전제품

  • 5.4.2 통신

  • 5.4.3 항공우주 및 방위

  • 5.4.4 헬스케어

  • 5.4.5 자동차

  • 5.4.6 산업 자동화 및 IoT

  • 5.4.7 보안 및 감시

• 5.5 지역별
  • 5.5.1 북미

  • 5.5.1.1 미국

  • 5.5.1.2 캐나다

  • 5.5.1.3 멕시코

  • 5.5.2 남미

  • 5.5.2.1 브라질

  • 5.5.2.2 아르헨티나

  • 5.5.2.3 기타 남미

  • 5.5.3 유럽

  • 5.5.3.1 독일

  • 5.5.3.2 영국

  • 5.5.3.3 프랑스

  • 5.5.3.4 이탈리아

  • 5.5.3.5 러시아

  • 5.5.3.6 기타 유럽

  • 5.5.4 아시아 태평양

  • 5.5.4.1 중국

  • 5.5.4.2 일본

  • 5.5.4.3 대한민국

  • 5.5.4.4 인도

  • 5.5.4.5 아세안

  • 5.5.4.6 기타 아시아 태평양

  • 5.5.5 중동 및 아프리카

  • 5.5.5.1 GCC

  • 5.5.5.2 튀르키예

  • 5.5.5.3 남아프리카

6. 경쟁 환경

• 6.1 시장 집중도

• 6.2 전략적 움직임

• 6.3 시장 점유율 분석

• 6.4 기업 프로필 (글로벌 수준 개요, 시장 수준 개요, 핵심 부문, 재무 정보(사용 가능한 경우), 전략 정보, 주요 기업의 시장 순위/점유율, 제품 및 서비스, 최근 개발 포함)
  • 6.4.1 하마마쓰 포토닉스 K.K.

  • 6.4.2 토르랩스 Inc.

  • 6.4.3 에드먼드 사이언티픽 코퍼레이션 (에드먼드 옵틱스)

  • 6.4.4 센트로닉 Ltd.

  • 6.4.5 엑셀리타스 테크놀로지스 Corp.

  • 6.4.6 비셰이 인터테크놀로지 Inc.

  • 6.4.7 ams-오스람 AG

  • 6.4.8 퍼스트 센서 AG (TE 커넥티비티)

  • 6.4.9 에버라이트 일렉트로닉스 Co.

  • 6.4.10 교토 세미컨덕터 Co. Ltd.

  • 6.4.11 온세미

  • 6.4.12 TT 일렉트로닉스 plc

  • 6.4.13 OSI 옵토일렉트로닉스

  • 6.4.14 닛신보 마이크로 디바이시스

  • 6.4.15 브로드컴 Inc.

  • 6.4.16 르네사스 일렉트로닉스 Corp.

  • 6.4.17 롬 세미컨덕터

  • 6.4.18 소니 세미컨덕터 솔루션즈

  • 6.4.19 텔레다인 e2v

7. 시장 기회 및 미래 전망