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포토레지스트 시장 개요: 성장 동향 및 전망 (2026-2031)
시장 규모 및 성장률
포토레지스트 시장은 2025년 26억 달러 규모에서 2026년 28억 9천만 달러로 성장했으며, 2031년에는 49억 4천만 달러에 이를 것으로 전망됩니다. 예측 기간(2026-2031년) 동안 연평균 성장률(CAGR)은 11.29%로 예상됩니다. 이러한 성장은 10나노미터 이하의 극자외선(EUV) 리소그래피의 광범위한 도입, 인공지능(AI) 가속기에 대한 급증하는 수요, 그리고 정부의 팹(Fab) 인센티브 프로그램에 의해 주도되고 있습니다.
주요 시장 동인
1. 반도체 및 AI 가속기 수요 증가: 대규모 언어 모델 훈련 및 추론 워크로드용 하드웨어를 생산하는 칩 제조업체들은 이제 여러 재배선층(RDL), 인터포저, TSV(Through-Silicon-Via)를 패터닝하고 있습니다. 엔비디아(NVIDIA)의 H100 및 차세대 블랙웰(Blackwell) 시리즈는 이전 모놀리식 GPU보다 3~5배 더 많은 포토레지스트를 소비하는 칩렛(chiplet) 레이아웃을 채택하고 있습니다. TSMC의 CoWoS(Chip-on-Wafer-on-Substrate) 생산 능력 확장은 최대 50µm 두께의 후막 레지스트 수요를 증가시키고 있으며, 첨단 구리 필러 도금에는 3:1 이상의 종횡비에 최적화된 음성 레지스트가 필요합니다. 이러한 수요 증가는 대만과 한국에서 먼저 나타나고 있으며, 2027년까지 미국 내 신규 팹으로 확산될 것입니다.
2. EUV 리소그래피 채택 가속화 및 High-NA 로드맵: ASML의 0.55-NA EUV 스캐너는 8nm 피치로 단일 노광 패터닝을 가능하게 하여 비용이 많이 드는 다중 패터닝 단계를 제거합니다. 1.5nm 미만의 엄격한 선폭 거칠기(line-edge roughness) 목표를 충족하기 위해, 팹들은 유기 포뮬레이션보다 EUV를 9배 더 효과적으로 흡수하는 하프늄 및 지르코늄 클러스터 기반의 금속 산화물 레지스트를 검증하고 있습니다. 이를 통해 노광량을 40mJ/cm²에서 20mJ/cm² 미만으로 줄여 처리량을 늘리고 웨이퍼당 비용을 절감할 수 있습니다. 삼성 평택 라인에서 2025년 시범 가동을 통해 2026년 2nm 노드에서 상업적 채택이 예상됩니다.
3. 5G/IoT 기기 확산으로 인한 웨이퍼 생산 증가: 2025년 5G 가입자가 20억 명을 넘어섬에 따라, 갈륨 비소 및 실리콘 카바이드 웨이퍼에서 생산되는 RF 프론트엔드 모듈에 대한 수요가 증가하고 있으며, 이는 G-라인 및 KrF 레지스트에 의존합니다. 마이크로전자기계시스템(MEMS)을 사용하는 많은 IoT 센서는 고종횡비 구조를 정의하기 위해 후막 양성 레지스트를 필요로 합니다. 중국은 2025년까지 성숙 노드 글로벌 생산 능력의 25%를 달성하는 것을 목표로 하며, SMIC와 화홍(Hua Hong)은 자동차 및 산업 전자 부문을 지원하기 위해 28nm 및 40nm 라인을 증설하여 포토레지스트 시장을 더욱 확대하고 있습니다.
4. 정부의 팹 인센티브 프로그램 (미국/EU CHIPS Act): 미국 CHIPS 및 과학법은 527억 달러의 보조금 및 세금 인센티브를 할당하여 인텔의 오하이오 팹, TSMC의 애리조나 캠퍼스, 삼성의 텍사스 시설 건설을 촉진하고 있습니다. EU의 CHIPS Act는 2030년까지 글로벌 생산 점유율 20%를 목표로 인텔의 아일랜드 확장 및 독일 내 잠재적 공장에 자금을 지원하고 있습니다. 일본의 5조 엔 프로그램은 TSMC 구마모토 공장의 국내 생산을 지원하여 현지 화학 공급을 강화하고 국가적 재료 전략을 발전시키고 있습니다.
주요 시장 제약 요인
1. 용매 및 광산 발생제에 대한 엄격한 HSE 규제: 유럽 연합의 2024년 규정(EU) 2024/573 개정안은 2045년 이전에 수소불화탄소(HFC) 사용량을 90% 감축할 것을 규정하고 있습니다. 많은 EUV 포토레지스트는 현재 등록, 평가 및 승인 대상인 과불화 광산 발생제 및 용매를 사용하고 있습니다. 규정 준수를 위해서는 1ppb 미만의 불순물 수준에 대한 분석 검증이 필요하며, 이는 품질 관리 비용을 증가시키고 포뮬레이터가 성능 저하 위험이 있는 대체 화학 물질을 테스트하도록 강요합니다.
2. 공급망 집중 및 수출 통제 노출: 일본 공급업체인 JSR, 도쿄오카공업(Tokyo Ohka Kogyo), 신에츠화학(Shin-Etsu Chemical)은 첨단 EUV 등급 레지스트의 70% 이상을 공급하고 있습니다. 2025년 미국 수출 통제 업데이트는 10nm 미만 패터닝에 필수적인 특수 광산 발생제에 대한 라이선스를 확대하여 중국 파운드리를 제약하고 있습니다. 중국이 베이징커화신화학(Beijing Kehua New Chemical)과 같은 국내 생산자를 지원하고 있지만, 기술 격차는 5년 이상으로 남아 있어 수입 의존적인 팹들이 잠재적인 부족 사태에 노출될 수 있습니다.
세그먼트 분석
1. 레지스트 유형별:
* ArF 침지 레지스트: 2025년 포토레지스트 시장 점유율의 31.85%를 차지했으며, TSMC, 삼성, 인텔의 7nm 및 5nm 공정 수요에 힘입어 꾸준한 수요를 유지하고 있습니다.
* EUV 금속 산화물 및 건식 레지스트: 2nm 로직으로의 팹 전환에 따라 2031년까지 12.94%의 가장 빠른 CAGR을 기록하며 가장 큰 증분 가치를 창출할 것으로 예상됩니다. 하프늄 기반 클러스터는 유기 폴리머보다 25배 이상 높은 식각 저항성을 제공하여 하드 마스크 없이 유전체 층으로 직접 전사를 가능하게 하여 공정 흐름을 단축합니다. 램리서치(Lam Research)의 건식 증착 레지스트는 스핀 폐기물을 없애고 화학 물질 소비를 최대 90%까지 줄입니다.
* KrF, G-라인, I-라인 레지스트: 자동차 및 산업용 노드에 필수적이며, 첨단 노드가 성장을 주도하는 동안에도 꾸준한 기본 매출을 유지합니다.
2. 톤별:
* 양성 레지스트: 2025년 포토레지스트 시장에서 71.45%의 점유율로 지배적이었습니다.
* 음성 레지스트: 첨단 패키징에서 고두께층에 대한 수요가 급증함에 따라 2031년까지 11.38%의 CAGR로 가장 빠르게 성장할 것으로 예상됩니다. 음성 레지스트는 구리 필러 도금 중 높은 전류 밀도를 견디고 3:1을 초과하는 종횡비를 달성하여 미세 피치 범프 형성에 중요합니다.
3. 애플리케이션별:
* 반도체 및 IC: 2025년 전체 포토레지스트 시장 규모의 54.70%를 차지했습니다.
* 첨단 패키징: 칩렛 아키텍처가 여러 재배선층, TSV 및 웨이퍼 레벨 언더필 패터닝을 필요로 함에 따라 11.95%의 가장 빠른 CAGR을 기록할 것으로 예상됩니다. 팬아웃 웨이퍼 레벨 패키징은 고밀도 라우팅과 얇은 프로파일 어셈블리를 결합하여 최대 50µm까지 단일 패스로 스핀 코팅할 수 있는 후막 음성 레지스트를 요구합니다.
4. 최종 사용자 산업별:
* 전자 및 전기: 2025년 매출의 61.20%를 차지했습니다.
* 자동차 및 모빌리티: 전기차(EV) 채택 및 자율 주행 센서 확산으로 인해 11.86%의 CAGR로 가장 빠르게 성장할 것으로 예상됩니다. EV 전력 모듈은 400°C 이상에서 처리되는 실리콘 카바이드(SiC) 장치에 의존하므로 고온 내성 레지스트가 필요합니다.
지역 분석
1. 아시아 태평양: 2025년 글로벌 매출의 72.10%를 차지하며 가장 큰 시장이었습니다. 대만과 한국의 고밀도 로직 생산 능력과 중국의 성숙 노드 팹 확장이 성장을 주도했습니다. TSMC의 2nm 램프업 및 고성능 컴퓨팅 패키지 라인은 EUV 및 후막 재료의 소비량을 증가시키고 있으며, 삼성의 3D NAND 생산 능력은 고선택성 KrF 레지스트 수요를 견인하고 있습니다.
2. 북미: CHIPS Act가 새로운 그린필드 팹 건설을 촉진함에 따라 2031년까지 11.49%의 CAGR로 가장 빠른 성장을 기록할 것으로 예상됩니다. 인텔의 오하이오 캠퍼스, TSMC의 애리조나 부지, 삼성의 텍사스 시설은 2028년까지 30만 wpm 이상의 최첨단 생산 능력을 추가하여 현지 레지스트 및 보조 화학 물질 수요를 뒷받침할 것입니다.
3. 유럽: 엄격한 REACH 규정 준수로 인해 포뮬레이션 비용이 증가하지만, 인텔의 아일랜드 대규모 투자와 독일 내 잠재적 팹 건설로 이점을 얻고 있습니다. 현지 재료 공급업체인 머크(Merck KGaA)와 BASF는 규제 전문 지식을 활용하여 EUV 라인에 대한 자격을 확보하고 있습니다.
경쟁 환경
포토레지스트 시장은 집중도가 높습니다. JSR의 일본 산업 파트너(Japan Industrial Partners)에 의한 64억 달러 인수는 자산을 통합하고 EUV 금속 산화물 R&D에 자금을 지원하여 듀폰(DuPont)의 음성 후막 라인 지배력에 도전할 수 있는 위치를 확보했습니다. 도쿄오카공업은 CHIPS Act 인센티브에 맞춰 미국 생산에 투자하고 있으며, 신에츠화학은 자체 불소 화학 역량을 활용하여 저가스 EUV 레지스트를 개발하고 있습니다. 환경 규제 준수가 핵심 차별화 요소가 되고 있으며, 후지필름(FUJIFILM)은 EUV 레지스트와 호환되는 불소 프리 현상액을 출시했고, 머크(Merck KGaA)는 바이오 기반 용매를 시범 운영하고 있습니다. 전략적 비축 및 이중 공급 계약은 지정학적으로 민감한 지역에서 운영되는 팹의 수출 통제 충격에 대한 헤지 역할을 합니다.
주요 기업: 듀폰(DuPont), JSR Corporation, 도쿄오카공업(TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.), 신에츠화학(Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), 후지필름(FUJIFILM Corporation).
최근 산업 동향
* 2025년 5월: 아사히카세이(Asahi Kasei Corporation)는 AI 서버와 같은 첨단 반도체 패키지에 대한 급증하는 수요에 대응하여 선포트(Sunfort) 드라이 필름 포토레지스트의 TA 시리즈를 출시했습니다.
* 2025년 2월: 스미토모화학(Sumitomo Chemical Co., Ltd.)은 일본 오사카 공장의 전공정 및 후공정 반도체 제조 공정을 위한 포토레지스트 개발 및 품질 평가 시설을 확장할 계획을 발표했습니다.
포토레지스트 시장 보고서 요약
본 보고서는 포토리소그래피 공정에서 이미지 전사를 위한 마스킹 재료로 활용되는 감광성 고분자 수지인 포토레지스트 시장에 대한 심층 분석을 제공합니다. 반도체, 전자 및 자동차 산업의 수요 증가가 시장 성장을 견인하는 핵심 요인으로 작용하고 있습니다. 보고서는 시장의 정의, 연구 방법론, 주요 요약, 시장 환경, 규모 및 성장 예측, 경쟁 구도, 그리고 시장 기회 및 미래 전망을 포괄적으로 다룹니다.
시장 개요 및 성장 전망:
2026년 포토레지스트 시장 규모는 28억 9천만 달러에 달했으며, 2026년부터 2031년까지 연평균 11.29%의 견고한 성장률을 기록할 것으로 전망됩니다.
시장 동인:
주요 시장 성장 동인으로는 반도체 및 AI 가속기 분야의 수요 증가, EUV 리소그래피 채택 가속화 및 High-NA 로드맵의 발전, 5G 및 IoT 기기 확산에 따른 웨이퍼 생산량 증대, 미국 및 유럽의 CHIPS Act와 같은 정부의 팹(Fab) 인센티브 프로그램, 그리고 EUV 처리량을 향상시키는 건식 증착 금속 산화물 레지스트 기술의 발전이 있습니다.
시장 제약:
반면, 시장 성장을 저해하는 요인으로는 용매 및 광산 발생제에 대한 엄격한 HSE(보건, 안전, 환경) 규제, 공급망 집중 및 수출 통제 노출 위험, 그리고 EU REACH 및 F-가스 규제에 따른 불소화 용매의 단계적 퇴출 등이 지목됩니다.
시장 세분화 및 주요 성장 분야:
시장은 레지스트 유형, 톤, 애플리케이션, 최종 사용자 산업 및 지역별로 세분화되어 분석됩니다.
* 레지스트 유형별: ArF 액침, ArF 건식, KrF, G-라인, I-라인, EUV 금속 산화물 및 건식 레지스트 등으로 구분되며, 특히 EUV 금속 산화물 및 건식 레지스트는 2031년까지 연평균 12.94%로 가장 빠르게 성장할 것으로 예상됩니다.
* 애플리케이션별: 반도체 및 IC, 첨단 패키징(Fan-Out WLP, RDL), 평판 디스플레이(LCD/OLED), 인쇄 회로 기판, MEMS 및 센서 등으로 나뉩니다. 칩렛 및 팬아웃 웨이퍼 레벨 설계에 필요한 다중 후막 리소그래피 공정으로 인해 첨단 패키징 분야가 연평균 11.95%의 높은 성장률을 보일 것입니다.
* 최종 사용자 산업별: 전자 및 전기, 자동차 및 모빌리티, 항공우주 및 방위, 소비재(패키징) 등으로 분류됩니다.
* 지역별: 아시아 태평양(중국, 일본, 한국, 대만, 인도 등), 북미(미국, 캐나다, 멕시코), 유럽(독일, 영국, 프랑스, 이탈리아, 러시아 등), 남미, 중동 및 아프리카로 구성됩니다. 미국의 CHIPS Act 지원 팹에 힘입어 북미 지역이 연평균 11.49%로 가장 빠른 성장을 기록할 것으로 전망됩니다.
경쟁 환경:
경쟁 환경 분석에서는 시장 집중도, 주요 기업들의 전략적 움직임, 시장 점유율 및 순위가 다루어집니다. ALLRESIST, Asahi Kasei, Avantor, Brewer Science, DJ MicroLaminates, 동진쎄미켐, DuPont, Eternal Materials, FUJIFILM, Inpria, JSR, SEMI, 코오롱인더스트리, LG화학, Merck KGaA, micro resist technology, Microchemicals, 신에츠화학, 스미토모화학, 도쿄오카공업, Jiangsu Nata Opto-electronic Material 등 21개 주요 기업의 프로필이 포함되어 있습니다.
시장 기회 및 미래 전망:
보고서는 또한 미개척 시장(White-space) 및 충족되지 않은 요구 사항(Unmet-Need)에 대한 평가를 포함하여 시장 기회와 미래 전망에 대한 통찰력을 제공합니다.
1. 서론
- 1.1 연구 가정 및 시장 정의
- 1.2 연구 범위
2. 연구 방법론
3. 요약
4. 시장 환경
- 4.1 시장 개요
- 4.2 시장 동인
- 4.2.1 반도체 및 AI 가속기 수요 증가
- 4.2.2 EUV 리소그래피 채택 가속화 및 High-NA 로드맵
- 4.2.3 5G / IoT 기기 확산으로 웨이퍼 생산량 증가
- 4.2.4 정부의 팹 인센티브 프로그램 (미국/EU 반도체법)
- 4.2.5 건식 증착 금속 산화물 레지스트로 EUV 처리량 증대
- 4.3 시장 제약
- 4.3.1 용매 및 광산 발생기에 대한 엄격한 HSE 규제
- 4.3.2 공급망 집중 및 수출 통제 노출
- 4.3.3 불소화 용매를 대상으로 하는 EU REACH 및 F-가스 단계적 폐지
- 4.4 가치 사슬 분석
- 4.5 규제 환경
- 4.6 포터의 5가지 경쟁 요인
- 4.6.1 공급업체의 협상력
- 4.6.2 구매자의 협상력
- 4.6.3 신규 진입자의 위협
- 4.6.4 대체재의 위협
- 4.6.5 경쟁 강도
5. 시장 규모 및 성장 예측 (가치)
- 5.1 레지스트 유형별
- 5.1.1 ArF 침지
- 5.1.2 ArF 건식
- 5.1.3 KrF
- 5.1.4 G-라인
- 5.1.5 I-라인
- 5.1.6 EUV 금속 산화물 및 건식 레지스트
- 5.1.7 기타 유형
- 5.2 톤별
- 5.2.1 포지티브
- 5.2.2 네거티브
- 5.3 응용 분야별
- 5.3.1 반도체 및 IC
- 5.3.2 첨단 패키징 (팬아웃 WLP, RDL)
- 5.3.3 평판 디스플레이 (LCD/OLED)
- 5.3.4 인쇄 회로 기판
- 5.3.5 MEMS 및 센서
- 5.3.6 기타 응용 분야
- 5.4 최종 사용자 산업별
- 5.4.1 전자 및 전기
- 5.4.2 자동차 및 모빌리티
- 5.4.3 항공우주 및 방위
- 5.4.4 소비재 (포장)
- 5.4.5 기타 산업
- 5.5 지역별
- 5.5.1 아시아 태평양
- 5.5.1.1 중국
- 5.5.1.2 일본
- 5.5.1.3 대한민국
- 5.5.1.4 대만
- 5.5.1.5 인도
- 5.5.1.6 기타 아시아 태평양
- 5.5.2 북미
- 5.5.2.1 미국
- 5.5.2.2 캐나다
- 5.5.2.3 멕시코
- 5.5.3 유럽
- 5.5.3.1 독일
- 5.5.3.2 영국
- 5.5.3.3 프랑스
- 5.5.3.4 이탈리아
- 5.5.3.5 러시아
- 5.5.3.6 기타 유럽
- 5.5.4 남미
- 5.5.4.1 브라질
- 5.5.4.2 아르헨티나
- 5.5.4.3 기타 남미
- 5.5.5 중동 및 아프리카
- 5.5.5.1 사우디아라비아
- 5.5.5.2 아랍에미리트
- 5.5.5.3 남아프리카 공화국
- 5.5.5.4 기타 중동 및 아프리카
- 5.5.1 아시아 태평양
6. 경쟁 환경
- 6.1 시장 집중도
- 6.2 전략적 움직임
- 6.3 시장 점유율 (%)/순위 분석
- 6.4 기업 프로필 (글로벌 개요, 시장 개요, 핵심 부문, 재무, 전략 정보, 시장 순위/점유율, 제품 & 서비스, 최근 개발 포함)
- 6.4.1 ALLRESIST GmbH
- 6.4.2 Asahi Kasei Corporation
- 6.4.3 Avantor, Inc.
- 6.4.4 Brewer Science, Inc.
- 6.4.5 DJ MicroLaminates
- 6.4.6 DONGJIN SEMICHEM CO. LTD
- 6.4.7 DuPont
- 6.4.8 Eternal Materials Co., Ltd.
- 6.4.9 FUJIFILM Corporation
- 6.4.10 Inpria
- 6.4.11 JSR Corporation
- 6.4.12 SEMI
- 6.4.13 Kolon Industries, Inc.
- 6.4.14 LG Chem
- 6.4.15 Merck KGaA
- 6.4.16 micro resist technology GmbH
- 6.4.17 Microchemicals GmbH
- 6.4.18 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
- 6.4.19 Sumitomo Chemical Co., Ltd.
- 6.4.20 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD.
- 6.4.21 Jiangsu Nata Opto-electronic Material Co., Ltd.
7. 시장 기회 및 미래 전망
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포토레지스트는 빛에 반응하여 화학적 변화를 일으키는 감광성 고분자 물질로서, 반도체, 디스플레이 등 첨단 산업에서 미세 회로 패턴을 형성하는 포토리소그래피 공정의 핵심 재료로 사용됩니다. 이는 특정 파장의 빛에 노출되면 용해도가 변하는 특성을 이용하여, 마스크를 통해 전달된 회로 패턴을 기판 위에 정밀하게 전사하는 역할을 수행합니다. 즉, 빛에 노출된 부분과 노출되지 않은 부분의 화학적 성질 차이를 활용하여 원하는 패턴을 구현하는 데 필수적인 소재입니다.
포토레지스트는 크게 양성(Positive)과 음성(Negative) 두 가지 유형으로 분류됩니다. 양성 포토레지스트는 빛을 받은 부분이 현상액에 용해되어 제거되고, 빛을 받지 않은 부분이 남아 패턴을 형성합니다. 주로 노볼락 수지 기반의 재료가 사용되며, 미세 패턴 구현에 유리하여 반도체 산업에서 널리 활용됩니다. 반면, 음성 포토레지스트는 빛을 받은 부분이 경화되어 남아있고, 빛을 받지 않은 부분이 현상액에 용해되어 제거됩니다. 고무계 또는 화학 증폭형 레지스트가 대표적이며, 주로 비교적 넓은 패턴이나 보호막 형성 등에 사용됩니다. 또한, 노광 파장에 따라 g-line, i-line, KrF(248nm), ArF(193nm), 그리고 차세대 기술인 EUV(13.5nm)용 포토레지스트 등으로 세분화됩니다. 특히 ArF 포토레지스트는 건식과 액침(Immersion) 방식으로 나뉘며, EUV 포토레지스트는 극자외선이라는 특수한 파장을 사용하기 때문에 기존과는 다른 고감도, 고해상도, 저결함 특성이 요구됩니다.
포토레지스트의 주요 용도는 반도체 제조 공정에서 웨이퍼 위에 트랜지스터, 메모리 셀 등 미세 회로 패턴을 형성하는 것입니다. 이는 반도체 칩의 성능과 직결되는 핵심 단계입니다. 또한, TFT-LCD 및 OLED와 같은 디스플레이 패널 제조 시 컬러 필터, 전극 패턴 등을 형성하는 데에도 필수적으로 사용됩니다. 이 외에도 MEMS(미세전자기계시스템) 소자 제작, 인쇄회로기판(PCB)의 회로 형성, 그리고 고밀도 반도체 패키징 공정 등 다양한 첨단 산업 분야에서 미세 패턴 구현을 위한 핵심 소재로 광범위하게 활용되고 있습니다.
포토레지스트와 관련된 주요 기술로는 포토레지스트를 사용하여 패턴을 형성하는 전체 공정인 포토리소그래피, 빛을 조사하는 노광 장비(스캐너, 스테퍼), 노광된 포토레지스트를 선택적으로 제거하는 현상액, 그리고 포토레지스트 패턴을 하부 기판으로 전이시키는 식각(Etching) 기술 등이 있습니다. 또한, 웨이퍼 위에 균일한 포토레지스트 막을 형성하는 코팅 기술과 포토레지스트 자체의 성능을 결정하는 고분자 합성 및 감광제 개발 등 정밀 화학 및 재료 과학 기술이 복합적으로 연계되어 있습니다. 특히 EUV 리소그래피 시대에는 기존의 화학 증폭형 레지스트 외에 금속 산화물 기반의 무기 포토레지스트 등 새로운 소재 기술 개발이 활발히 진행되고 있습니다.
포토레지스트 시장은 인공지능, 5G, IoT 등 첨단 기술의 발전에 따른 반도체 산업의 지속적인 성장과 미세화 경쟁 심화에 힘입어 꾸준히 성장하고 있습니다. 특히 고성능 반도체 수요 증가로 인해 ArF 및 EUV 포토레지스트의 중요성이 더욱 부각되고 있습니다. 현재 시장은 일본의 JSR, 신에츠화학(Shin-Etsu Chemical), 도쿄오카공업(Tokyo Ohka Kogyo, TOK), 후지필름(Fujifilm) 등 소수 기업이 높은 점유율을 차지하며 기술적 우위를 점하고 있습니다. 한국 기업으로는 동진쎄미켐, SK머티리얼즈 등이 국산화 및 기술 자립을 위해 노력하고 있으나, 특히 EUV 포토레지스트와 같은 고부가가치 제품군은 여전히 기술 종속성 문제가 존재합니다. 시장의 주요 트렌드는 고해상도, 고감도, 저결함 특성을 갖는 포토레지스트 개발과 더불어, 생산성 향상 및 친환경 공정 구현을 위한 소재 개발에 집중되고 있습니다.
미래 전망에 있어 포토레지스트는 반도체 미세화의 한계를 극복하기 위한 핵심 열쇠로 작용할 것입니다. 특히 EUV 리소그래피 기술의 확산과 함께 EUV 포토레지스트의 성능 향상이 반도체 산업의 기술 발전을 좌우하는 중요한 요소가 될 것입니다. 이를 위해 새로운 고분자 설계, 감광제 및 첨가제 개발, 그리고 결함 제어 기술 등이 지속적으로 연구될 것입니다. EUV 이후 시대를 대비하여 High-NA EUV, Directed Self-Assembly(DSA), Nanoimprint Lithography(NIL) 등 차세대 리소그래피 기술과의 연계 및 호환성 확보도 중요한 과제입니다. 또한, 고밀도, 다층 구조를 구현하는 첨단 패키징 기술의 발전은 새로운 형태의 포토레지스트 수요를 창출할 것입니다. 인공지능 및 머신러닝 기술을 활용하여 포토레지스트의 개발 기간을 단축하고 공정 최적화를 이루는 시도도 활발해질 것으로 예상됩니다. 마지막으로, 환경 규제 강화에 따라 친환경 소재 및 공정 개발의 중요성이 증대될 것이며, 특정 국가에 대한 의존도를 줄이고 안정적인 공급망을 확보하기 위한 국산화 노력 또한 지속될 것입니다.