전력 반도체 시장 규모 및 점유율 분석 – 성장 동향 및 전망 (2026년 – 2031년)

전력 반도체 시장 개요 상세 요약 (2026-2031)

# 1. 시장 규모 및 성장 전망

전력 반도체 시장은 2025년 568.7억 달러 규모였으며, 2026년 599.8억 달러에서 2031년 782.5억 달러에 도달하며, 예측 기간(2026-2031년) 동안 연평균 성장률(CAGR) 5.46%를 기록할 것으로 전망됩니다. 전기차(EV), 재생 에너지 시스템, 데이터 집약적 전자기기 전반에 걸쳐 효율적인 전력 변환에 대한 강력한 수요가 전력 반도체 시장의 견고한 성장을 이끌고 있습니다. 특히 실리콘 카바이드(SiC) 및 질화갈륨(GaN)과 같은 와이드 밴드갭(WBG) 소재는 고전압 및 고주파 환경에서 실리콘보다 우수한 성능을 발휘하여 프리미엄 가격을 형성하고 있습니다. 자동차 전동화가 시장의 주요 물량을 견인하는 가운데, 태양광 발전 및 에너지 저장 시스템 설치, 5G 인프라 구축, 공장 자동화 업그레이드 또한 빠른 성장을 주도하고 있습니다. 미국 CHIPS Act 및 유럽 Chips Act와 같은 지역별 공급망 정책은 국내 제조 투자를 강화하고 있으며, 아시아 태평양 지역은 포괄적인 제조 규모를 바탕으로 시장 리더십을 유지하고 있습니다.

# 2. 핵심 시장 요약

* 부품별: 개별 소자(Discrete)는 2025년 전력 반도체 시장 점유율의 44.60%를 차지했으며, 전력 IC(Power IC)는 2031년까지 6.02%의 CAGR을 기록할 것으로 예상됩니다.
* 재료별: 실리콘(Silicon)은 2025년 전력 반도체 시장 규모의 77.55%를 차지했으며, GaN은 2031년까지 9.03%의 CAGR로 가장 빠르게 성장할 것으로 전망됩니다.
* 최종 사용자 산업별: 자동차(Automotive) 부문은 2025년 전력 반도체 시장 점유율의 31.02%를 차지했으며, 에너지 및 전력(Energy and Power) 부문은 2031년까지 7.21%의 CAGR을 기록할 것으로 예상됩니다.
* 지역별: 아시아 태평양(Asia Pacific) 지역은 2025년 매출 점유율의 51.35%를 차지하며 가장 큰 시장이자 가장 빠르게 성장하는 시장(2031년까지 6.74% CAGR)으로 나타났습니다.
* 시장 집중도: 중간(Medium) 수준입니다.
* 주요 기업: 인피니언 테크놀로지스(Infineon Technologies AG), 텍사스 인스트루먼츠(Texas Instruments Inc.), ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics NV), NXP 반도체(NXP Semiconductors NV), 코보(Qorvo Inc.) 등이 있습니다. (순서는 무순위)

# 3. 글로벌 전력 반도체 시장 동향 및 통찰

3.1. 성장 동력 (Drivers)

* 전기차(EV) 및 충전 인프라 수요 급증: 전기차는 구동계 효율을 높이고 충전 시간을 단축하는 SiC MOSFET에 대한 의존도가 높아지고 있습니다. 800V 시스템으로 전환하는 자동차 제조업체들은 인버터 손실을 줄이기 위해 SiC를 채택하고 있으며, 온세미(onsemi)와 폭스바겐(Volkswagen)의 계약과 같은 수직 통합 공급망 확보 노력이 활발합니다. 병렬 DC 고속 충전기 보급은 SiC 수요를 두 배로 증가시키고 있으며, 자동차 등급의 수율 확보가 여전히 과제로 남아있어 IDM(종합 반도체 기업)들은 자체 기판 생산 능력을 확충하여 비용 안정화 및 마진 확보에 주력하고 있습니다.
* 5G 기지국 확산: GaN 고전자 이동성 트랜지스터(HEMT)는 6GHz 이하 및 밀리미터파(mmWave) 주파수에서 LDMOS보다 높은 이득과 효율을 제공합니다. 소형 셀(small-cell) 밀집화는 통신사들의 에너지 비용 증가에 대응하기 위해 GaN 출하량을 10년 말까지 4배 증가시킬 것으로 예상됩니다. NXP는 Si LDMOS와 GaN 다이를 결합한 멀티칩 대규모 MIMO(Massive-MIMO) 모듈을 통해 안테나 어레이를 통합하고 열 설계를 간소화하고 있습니다. 전력 반도체 공급업체들은 225°C 이상의 핫스팟 온도에 대응하기 위해 소결 다이 접착 재료를 추가하고 있습니다.
* 재생 에너지 기반 전력 변환 성장: 유틸리티 규모의 태양광 및 풍력 프로젝트는 99% 이상의 인버터 효율 임계값을 달성하기 위해 WBG 소자를 채택하고 있습니다. SMA Solar의 2,000V 인버터 플랫폼은 세미크론 단포스(Semikron Danfoss) 모듈 내에 ROHM의 2kV SiC MOSFET을 통합하여 부분 부하 조건에서 에너지 수율을 극대화합니다. 그리드 연동형 에너지 저장 시스템은 고주파 SiC 토폴로지를 선호하는 양방향 컨버터를 추가하여 자성 부품의 크기를 줄이고 있습니다.
* 산업 자동화 및 모터 드라이브 업그레이드: 스마트 팩토리는 스위칭 손실을 줄이고 방열판 부피를 최대 70%까지 축소하는 SiC 기반 드라이브를 채택하고 있습니다. 더 높은 스위칭 주파수는 수동 필터링을 간소화하고 역률을 개선하여 지속 가능성 인증 목표와 부합합니다. 초기 소자 프리미엄은 여전히 존재하지만, 200mm 웨이퍼 비용 하락으로 가격 차이가 줄어들고 투자 회수 기간이 단축되고 있습니다.

3.2. 제약 요인 (Restraints)

* 실리콘 웨이퍼 공급 부족 주기: 현재 전체 웨이퍼 수요가 생산 능력을 초과하고 있으며, 메모리 공급업체의 재고 감소는 단기적인 구매 행동을 왜곡하고 있습니다. 지정학적 마찰은 팹 건설 비용을 증가시키고, 물 사용량 제한은 가뭄에 취약한 지역의 신규 부지 확보를 어렵게 합니다. 중국 기업들의 가격 경쟁은 공급망 전반의 마진을 압박하고 있습니다.
* WBG 소자의 높은 비용 및 설계 복잡성: SiC 기판은 결함 밀도가 높아 다이 분류 손실과 최종 부품 가격을 상승시킵니다. GaN 횡형 소자는 많은 OEM 엔지니어에게 익숙하지 않은 맞춤형 게이트 드라이브 및 레이아웃 방식을 요구합니다. 제조를 위한 설계(DFM) 가이드라인이 빠르게 발전하여 검증 오버헤드가 증가하고 있습니다. 200mm SiC 생산이 확대되고 실리콘 기반 GaN 에피택시가 성숙해짐에 따라 비용 곡선은 하향세를 보이지만, 비용에 민감한 소비자 및 모터 제어 부문에서는 여전히 높은 가격이 부담으로 작용하고 있습니다.

# 4. 부문별 분석

4.1. 부품별: 전력 IC의 통합 잠재력

전력 집적 회로(Power IC)는 2025년 전력 반도체 시장 규모에 크게 기여했으며, 2031년까지 6.02%의 CAGR로 성장할 것입니다. 자동차 배터리 관리 장치(BMS)는 소형 PMIC(Power Management IC) 풋프린트에 다중 레일 레귤레이터 및 기능 안전 진단을 요구합니다. 인피니언의 ISO 26262 준수 OPTIREG TLF35585는 안전 관련 전자 제어 장치(ECU)의 기반이 되며, 단일 칩 전력 관리 추세를 보여줍니다.

개별 소자(Discrete)는 고전류 경로에 필수적이며 44.60%의 매출 점유율을 유지하고 있지만, 설계자들이 공간 제약이 있는 서브시스템에서 비용 최적화된 모듈 또는 IC 솔루션을 선호함에 따라 점유율은 점차 감소할 것으로 예상됩니다. 공급업체 로드맵은 GaN 또는 SiC 다이를 게이트 드라이브, 감지 및 보호 기능을 통합한 지능형 전력 모듈(IPM) 내에 번들링하여 인버터 및 충전기 어셈블리의 시장 출시 시간을 단축하고 있습니다. 모듈 통합은 자체 패키징 전문 지식이 부족한 중소 규모 산업 및 주거용 에너지 고객에게 이점을 제공합니다. 반대로, 소비자 가전 ODM(제조업자 개발 생산)은 여전히 보드 레벨 유연성 및 가격 이점을 활용하기 위해 어댑터 설계에 개별 MOSFET을 조달하고 있습니다. 개별 소자, 모듈, IC 형식의 공존은 전력 반도체 시장을 풍요롭게 하며, 맞춤형 성능-비용 트레이드오프를 가능하게 합니다.

4.2. 재료별: GaN의 성장과 실리콘의 핵심 유지

실리콘은 물리적 한계에도 불구하고 2025년 매출의 77.55%를 차지하며 전력 반도체 시장 점유율의 핵심을 이루고 있습니다. 지속적인 슈퍼정션 MOSFET 발전과 성숙한 공급망은 650V 이하 애플리케이션에서 실리콘의 관련성을 유지하고 있습니다. GaN은 현재 규모는 작지만 9.03%의 CAGR로 가장 빠르게 성장하며, 모바일 고속 충전기, 5G 기지국, 주거용 태양광 마이크로 인버터 분야에서 채택이 증가하고 있습니다. 인피니언은 레퍼런스 설계가 게이트 드라이브 및 EMI 완화를 표준화함에 따라 2025년까지 결정적인 채택 변곡점을 예측하고 있습니다.

SiC는 고전력 트랙션 및 그리드 부문을 장악하고 있으며, 1,200V 및 1,700V 정격은 GaN의 경제적 범위를 초과합니다. 200mm SiC 웨이퍼로의 전환은 암페어당 비용을 압축하여 슈퍼정션 실리콘과의 격차를 좁히고 있습니다. 재료 다변화는 집중된 공급 위험을 낮추고 설계 유연성을 확보합니다. 예측 기간 동안 설계자들은 실리콘을 비용 중심의 대량 시장 애플리케이션에, SiC를 고전력 운송 및 재생 에너지에, GaN을 고주파, 저전력 용도에 할당하여 균형 잡힌 다중 재료 생태계를 구축할 것입니다.

4.3. 최종 사용자 산업별: 에너지 및 전력 부문이 자동차 성장률을 상회

자동차 부문은 배터리 전기 트랙션 인버터, 온보드 충전기, DC-DC 컨버터 덕분에 2025년 매출의 31.02%를 차지했습니다. 그러나 에너지 및 전력 부문은 유틸리티가 1,500V를 초과하는 SiC 기반 스트링 및 중앙 인버터를 배포함에 따라 2031년까지 7.21%의 CAGR로 가장 빠른 성장을 주도하고 있습니다. 그리드 저장 시스템의 확산은 수 메가와트급 양방향 컨버터를 추가하여 소자 수요를 더욱 증가시킵니다. 산업 자동화는 고효율 공정 라인 및 로봇 액추에이터를 위한 SiC 드라이브를 활용하며 그 뒤를 잇고 있습니다. 소비자 가전은 여전히 가장 큰 단위 판매량을 기록하고 있지만, 심한 평균 판매 가격(ASP) 압력에 직면하여 WBG 침투가 플래그십 노트북 및 프리미엄 어댑터로 제한되고 있습니다. 헬스케어, 항공우주 및 방위 산업은 성능 프리미엄이 물량 제약을 상쇄하는 틈새 고신뢰성 부문으로, 높은 총 마진 기회를 유지하고 있습니다.

# 5. 지역별 분석

아시아 태평양 지역은 2025년 전력 반도체 시장 점유율의 51.35%를 차지했으며, 2031년까지 6.74%의 CAGR을 유지할 것입니다. 중국은 국가 보조금과 수직 통합 공급망의 지원을 받아 SiC 및 GaN 생산 능력 확대를 주도하고 있습니다. 인도는 하루 1,500만 개 생산을 목표로 하는 7,600억 루피 규모의 OSAT(외주 반도체 조립 및 테스트) 캠퍼스를 신속하게 추진하여 조립 공정의 국내화를 추진하고 있습니다. 대만과 한국은 각각 첨단 패키징 및 메모리 분야에서 리더십을 유지하고 있으며, 일본은 상류 재료 분야의 강점을 강화하고 있습니다.

북미 지역은 CHIPS Act의 500억 달러 인센티브를 통해 울프스피드(Wolfspeed), 보쉬(Bosch) 및 해외 기업들의 기존 시설 전환 및 신규 팹 건설을 촉진하고 있습니다. 자동차, 방위, 데이터 센터 클러스터는 수요를 집중시키고 현지 콘텐츠 요구 사항을 높이고 있습니다. SEMI는 2027년까지 이 지역의 팹 장비 지출이 247억 달러로 두 배 증가할 것으로 예상하며 장기적인 규모 확장을 강조하고 있습니다.

유럽은 자동차 및 재생 에너지 정책과의 연계를 활용하여 SiC 및 GaN 채택을 촉진하고 있습니다. 독일 드레스덴 팹에 대한 50억 유로 승인은 자급자족을 높이기 위한 공공-민간 협력의 좋은 예입니다. 프랑스와 이탈리아는 최첨단 모듈 및 기판 기술을 보존하기 위해 추가 보조금 패키지를 제공하고 있습니다. 중동, 아프리카, 라틴 아메리카 등 신흥 시장은 가치에 민감하여 성숙한 실리콘 플랫폼을 채택하는 동시에 유틸리티 규모의 태양광 및 철도 전철화를 위해 WBG를 점진적으로 시범 적용하고 있습니다.

# 6. 경쟁 환경

전력 반도체 시장의 집중도는 중간 수준이지만 점차 높아지고 있습니다. 2024년 기준 ST마이크로일렉트로닉스, 온세미, 인피니언, 울프스피드, ROHM 등 5개 공급업체가 SiC 소자 매출의 70% 이상을 차지했습니다. 기판부터 모듈까지의 수직 통합은 공급 중단을 완화하고 비용 우위를 확보합니다. 단일 소켓 제품 대신 플랫폼 지향적인 포트폴리오가 트랙션, 태양광, 산업용 드라이브 전반에 걸쳐 재사용을 가능하게 하여 비반복 엔지니어링 비용을 절감합니다.

생산 능력 경쟁이 전략을 지배하고 있습니다. 울프스피드는 CHIPS Act 보조금 7억 5천만 달러와 아폴로(Apollo) 주도 투자자로부터 7억 5천만 달러를 확보하여 모호크 밸리(Mohawk Valley)의 200mm SiC 생산 능력을 확장했습니다. 온세미는 코보(Qorvo)의 SiC JFET 자산을 획득하고 체코를 SiC 생산의 엔드투엔드 기지로 선정하여 유럽 공급 탄력성을 확보했습니다. 인피니언은 재생 에너지로 전력을 공급하는 200mm SiC 메가 팹을 말레이시아에 개설하여 대규모 비용 리더십을 확보했습니다.

특허 포트폴리오와 장비 접근성은 강화된 수출 통제 체제 속에서 경쟁 우위로 부상하고 있습니다. 기업들은 진화하는 규제에 부합하는 도구 로드맵을 확보하기 위해 공동 개발 계약을 늘리고 있습니다. 고정밀 모터 드라이브를 필요로 하는 휴머노이드 로봇과 같은 미개척 애플리케이션은 R&D 투자를 유치하여 핵심 시장을 넘어선 성장 기회를 확대하고 있습니다.

# 7. 최근 산업 동향

* 2025년 5월: 인피니언과 엔비디아(NVIDIA)는 AI 데이터 센터를 위한 800V 직류 전력 공급 아키텍처를 공동 개발하기로 합의했으며, 1MW 이상의 랙 전력을 목표로 합니다.
* 2025년 5월: 인피니언은 RDS(on)*A를 40% 낮춘 트렌치 기반 SiC 슈퍼정션 소자를 공개했으며, 현대자동차를 800kW 트랙션 인버터의 주요 고객으로 확보했습니다.
* 2025년 3월: 마쓰다(Mazda)와 ROHM은 2027 회계연도까지 상용 출시를 목표로 GaN 전력 소자 공동 개발을 시작했습니다.
* 2025년 1월: 온세미는 코보의 SiC JFET 사업을 1억 1,500만 달러에 인수하여 EliteSiC 포트폴리오를 확장했습니다.
* 2025년 1월: 울프스피드는 CHIPS Act 자금 7억 5천만 달러와 아폴로 주도 투자자로부터 7억 5천만 달러를 확보하여 SiC 생산 능력을 확장할 것이라고 발표했습니다.

이 보고서는 전력 전자 회로에서 전기 에너지를 제어하고 변환하는 데 필수적인 스위치 또는 정류기 역할을 하는 전력 반도체 시장에 대한 포괄적인 분석을 제공합니다. 시장은 개별 소자(discrete), 모듈(module), 전력 IC(power IC) 등 다양한 부품과 실리콘(Si), 탄화규소(SiC), 질화갈륨(GaN) 등의 재료를 기반으로 한 제품 판매 수익으로 정의됩니다. 주요 최종 사용자 산업으로는 자동차, 가전제품, IT 및 통신, 산업 및 제조, 에너지 및 전력, 항공우주 및 방위, 헬스케어 장비 등이 있습니다.

전력 반도체 시장은 2026년 599억 8천만 달러에서 2031년 782억 5천만 달러로 성장하여 연평균 성장률(CAGR) 5.46%를 기록할 것으로 전망됩니다.

시장의 주요 성장 동력은 전기차(EV) 및 충전 인프라 수요 급증, 5G 기지국 확산, 재생에너지 기반 전력 변환 기술 발전, 산업 자동화 및 모터 구동 장치 업그레이드, 고고도 플랫폼(HAPS) 및 전전기 항공기 파워트레인 개발, 아시아 지역의 2/3륜 전기차 고속 충전 아키텍처 발전 등입니다. 반면, 실리콘 웨이퍼 공급 부족 주기, 와이드 밴드갭(WBG) 소자의 높은 비용 및 설계 복잡성, 고밀도 EV 인버터의 열적 한계, GaN 에피택시 장비에 대한 수출 통제 등은 시장 성장을 제약하는 요인으로 작용합니다.

보고서는 부품별(개별 소자, 모듈, 전력 IC), 재료별(실리콘, 탄화규소(SiC), 질화갈륨(GaN)), 최종 사용자 산업별, 그리고 북미, 유럽, 아시아 태평양 등 주요 지역별로 시장을 세분화하여 분석합니다. 특히 에너지 및 전력 애플리케이션은 태양광 발전 및 저장 장치 배치를 중심으로 2031년까지 7.21%의 CAGR로 가장 높은 증분 수익을 창출할 것으로 예상됩니다.

탄화규소(SiC) 및 질화갈륨(GaN)은 실리콘 대비 더 빠른 스위칭 속도, 높은 전압 처리 능력, 낮은 열 손실 특성을 제공하여 경량 인버터, 고속 충전기, 고주파 통신 장비 구현에 기여하며 그 중요성이 증대되고 있습니다.

지역별로는 아시아 태평양 지역이 2025년 매출의 51.35%를 차지하며 기판부터 조립까지 가장 완벽한 공급망을 보유하여 전력 반도체 생산을 주도하고 있습니다. 북미 지역에서는 CHIPS Act에 따른 500억 달러 이상의 연방 인센티브가 Wolfspeed, Bosch 등 기업의 신규 팹 건설을 지원하며, 2027년까지 지역 장비 투자가 두 배로 증가할 것으로 전망됩니다.

경쟁 환경 분석에서는 Infineon Technologies, Texas Instruments, STMicroelectronics, NXP Semiconductors, ON Semiconductor, Renesas Electronics 등 주요 기업들의 시장 집중도, 전략적 움직임, 시장 점유율 및 기업 프로필이 상세히 다루어집니다. 전반적으로 전력 반도체 시장은 다양한 산업 분야의 전력 효율 및 성능 향상 요구에 힘입어 지속적인 성장을 이룰 것으로 예상됩니다.

1. 서론

• 1.1 연구 가정 및 시장 정의

• 1.2 연구 범위

2. 연구 방법론

3. 요약

4. 시장 환경

• 4.1 시장 개요

• 4.2 시장 동인
  • 4.2.1 전기차 및 충전 인프라 수요 급증

  • 4.2.2 5G 기지국 확산

  • 4.2.3 재생에너지 주도 전력 변환 성장

  • 4.2.4 산업 자동화 및 모터 구동 업그레이드

  • 4.2.5 HAPS 및 전전기 항공기 파워트레인

  • 4.2.6 아시아의 고속 충전 2륜/3륜 전기차 아키텍처

• 4.3 시장 제약
  • 4.3.1 실리콘 웨이퍼 공급 부족 주기

  • 4.3.2 WBG 소자의 높은 비용/설계 복잡성

  • 4.3.3 고밀도 전기차 인버터의 열 한계

  • 4.3.4 GaN 에피택시 장비에 대한 수출 통제

• 4.4 가치/공급망 분석

• 4.5 규제 환경

• 4.6 기술 전망

• 4.7 포터의 5가지 경쟁 요인 분석
  • 4.7.1 공급업체의 교섭력

  • 4.7.2 구매자의 교섭력

  • 4.7.3 신규 진입자의 위협

  • 4.7.4 경쟁 강도

  • 4.7.5 대체재의 위협

• 4.8 투자 분석

5. 시장 규모 및 성장 예측 (가치)

• 5.1 구성 요소별
  • 5.1.1 개별

  • 5.1.1.1 정류기

  • 5.1.1.2 바이폴라

  • 5.1.1.3 MOSFET

  • 5.1.1.4 IGBT

  • 5.1.1.5 기타 개별 부품 (사이리스터, HEMT 등)

  • 5.1.2 모듈

  • 5.1.2.1 사이리스터 모듈

  • 5.1.2.2 IGBT 모듈

  • 5.1.2.3 MOSFET 모듈

  • 5.1.2.4 지능형 전력 모듈 (IPM)

  • 5.1.3 전력 IC

  • 5.1.3.1 PMIC (다채널)

  • 5.1.3.2 스위칭 레귤레이터 (AC/DC, DC/DC, 절연/비절연)

  • 5.1.3.3 선형 레귤레이터

  • 5.1.3.4 배터리 관리 IC

  • 5.1.3.5 기타 전력 IC

• 5.2 재료별
  • 5.2.1 실리콘

  • 5.2.2 실리콘 카바이드 (SiC)

  • 5.2.3 갈륨 나이트라이드 (GaN)

  • 5.2.4 기타

• 5.3 최종 사용자 산업별
  • 5.3.1 자동차

  • 5.3.2 가전제품 및 기기

  • 5.3.3 ICT (IT 및 통신)

  • 5.3.4 산업 및 제조

  • 5.3.5 에너지 및 전력 (재생에너지, 그리드)

  • 5.3.6 항공우주 및 방위

  • 5.3.7 의료 장비

  • 5.3.8 기타 (철도, 해양)

• 5.4 지역별
  • 5.4.1 북미

  • 5.4.1.1 미국

  • 5.4.1.2 캐나다

  • 5.4.1.3 멕시코

  • 5.4.2 유럽

  • 5.4.2.1 독일

  • 5.4.2.2 프랑스

  • 5.4.2.3 영국

  • 5.4.2.4 이탈리아

  • 5.4.2.5 유럽 기타 지역

  • 5.4.3 아시아 태평양

  • 5.4.3.1 중국

  • 5.4.3.2 일본

  • 5.4.3.3 대한민국

  • 5.4.3.4 인도

  • 5.4.3.5 아시아 태평양 기타 지역

  • 5.4.4 남미

  • 5.4.4.1 브라질

  • 5.4.4.2 아르헨티나

  • 5.4.4.3 남미 기타 지역

  • 5.4.5 중동

  • 5.4.5.1 이스라엘

  • 5.4.5.2 사우디아라비아

  • 5.4.5.3 아랍에미리트

  • 5.4.5.4 중동 기타 지역

  • 5.4.6 아프리카

  • 5.4.6.1 남아프리카 공화국

  • 5.4.6.2 이집트

  • 5.4.6.3 아프리카 기타 지역

6. 경쟁 환경

• 6.1 시장 집중도

• 6.2 전략적 움직임

• 6.3 시장 점유율 분석

• 6.4 기업 프로필 (글로벌 수준 개요, 시장 수준 개요, 핵심 부문, 재무 정보(사용 가능한 경우), 전략 정보, 주요 기업의 시장 순위/점유율, 제품 및 서비스, 최근 개발 포함)
  • 6.4.1 인피니언 테크놀로지스 AG

  • 6.4.2 텍사스 인스트루먼트 Incorporated

  • 6.4.3 코보 Inc.

  • 6.4.4 ST마이크로일렉트로닉스 N.V.

  • 6.4.5 NXP 반도체 N.V.

  • 6.4.6 온세미컨덕터 코퍼레이션

  • 6.4.7 르네사스 일렉트로닉스 코퍼레이션

  • 6.4.8 브로드컴 Inc.

  • 6.4.9 도시바 코퍼레이션

  • 6.4.10 미쓰비시 전기 코퍼레이션

  • 6.4.11 후지 전기 Co., Ltd.

  • 6.4.12 세미크론 단포스 GmbH and Co. KG

  • 6.4.13 울프스피드 Inc.

  • 6.4.14 로옴 Co., Ltd.

  • 6.4.15 비셰이 인터테크놀로지 Inc.

  • 6.4.16 넥스페리아 B.V.

  • 6.4.17 알파 앤 오메가 세미컨덕터 Ltd.

  • 6.4.18 매그나칩 반도체 Corp.

  • 6.4.19 마이크로칩 테크놀로지 Inc.

  • 6.4.20 리틀퓨즈 Inc.

  • 6.4.21 나비타스 반도체 Corp.

  • 6.4.22 파워 인테그레이션스 Inc.

  • 6.4.23 모놀리식 파워 시스템즈 Inc.

7. 시장 기회 및 미래 전망