RF 및 마이크로파 다이오드 시장 규모 및 점유율 분석 – 성장 동향 및 전망 (2026 – 2031)

RF 및 마이크로웨이브 다이오드 시장 개요 (2026-2031)

시장 규모 및 성장 전망

RF 및 마이크로웨이브 다이오드 시장은 2025년 20억 3천만 달러에서 2026년 21억 달러로 성장했으며, 2026년부터 2031년까지 연평균 성장률(CAGR) 3.39%를 기록하며 2031년에는 24억 8천만 달러에 이를 것으로 전망됩니다. 이러한 시장 성장은 5G 기지국 구축 확대, 자동차 레이더 프로그램의 확장, 저궤도(LEO) 위성군 내 우주 등급 부품 수요 증가에 힘입은 것입니다. 통신 인프라 업그레이드는 대량 조달을 지속적으로 견인하고 있으며, 자동차 부문은 필수적인 첨단 운전자 보조 시스템(ADAS) 채택으로 다이오드 소비를 가속화하고 있습니다. 현재 시장 경쟁 구도는 질화갈륨(GaN)으로의 소재 전환, 강화된 수출 통제, 그리고 주요 공급업체들의 선제적인 생산 능력 확충에 의해 형성되고 있습니다.

주요 보고서 요약

* 최종 사용자 산업별: 2025년 RF 및 마이크로웨이브 다이오드 시장 점유율의 26.05%를 통신 및 네트워킹 부문이 차지하며 선두를 유지했습니다. 자동차 부문은 2031년까지 4.72%의 가장 빠른 연평균 성장률을 기록할 것으로 예상됩니다.
* 소재 기술별: 2025년 RF 및 마이크로웨이브 다이오드 시장 규모의 40.15%를 실리콘이 차지했습니다. 질화갈륨(GaN)은 2031년까지 4.92%의 연평균 성장률로 가장 빠르게 성장할 것으로 전망됩니다.
* 주파수 대역별: 40GHz 이상 밀리미터파(mmWave) 등급은 2031년까지 5.42%의 연평균 성장률로 기존의 3-8GHz C/X-밴드 부문을 능가하며 빠르게 발전하고 있습니다.
* 지역별: 아시아 태평양 지역은 2025년 매출의 44.25%를 차지했으며, 2031년까지 4.51%의 연평균 성장률을 기록하며 가장 큰 시장이자 가장 빠르게 성장하는 시장으로 예측됩니다.
* 제품 유형별: PIN 다이오드는 2025년 28.75%의 점유율을 유지했습니다. 쇼트키 다이오드는 밀리미터파(mmWave) 채택에 힘입어 5.12%의 연평균 성장률로 성장하고 있습니다.

시장 동향 및 통찰 (성장 동력)

* 글로벌 5G 인프라 확산 (+1.2% CAGR 영향): Massive MIMO 기지국, 프론트홀 링크, 핸드셋 RF 프론트엔드 등 5G 인프라의 전 세계적인 확산은 RF 및 마이크로웨이브 다이오드 수요를 전반적으로 증가시키는 핵심 동인입니다. 특히 마이크로웨이브 백홀은 전 세계 셀 사이트 연결의 절반 이상을 지원하며, 5G 트래픽 증가에 따라 10Gbps 이상의 처리량 업그레이드가 필수적입니다. 질화갈륨(GaN) 기반 다이오드는 N78 및 N77 대역에서 34%의 전력 부가 효율을 제공하지만, 3.4V의 낮은 공급 전압에서는 열 제약이 심화됩니다. 이에 따라 부품 제조업체들은 넓은 대역폭에서 선형성을 유지하는 저기생 패키징 솔루션으로 대응하고 있습니다. 26-28GHz 대역으로의 스펙트럼 재편은 위상 배열 모듈에 필요한 밀리미터파(mmWave)급 다이오드의 물량을 더욱 늘리고 있습니다.
* IoT 및 스마트 가전 수요 증가 (+0.8% CAGR 영향): 2025년까지 전 세계 연결 기기 수가 250억 개를 넘어설 것으로 예상됨에 따라, 배터리 구동 웨어러블, 스마트 미터, 엣지 센서 등에서 소신호 다이오드에 대한 지속적인 주문이 발생하고 있습니다. 설계자들은 엄격한 전력 예산 목표를 충족하기 위해 초저누설 스위치 및 엔벨로프 트래킹 회로를 요구합니다. 5G, LTE, Wi-Fi 7, 블루투스 저에너지(BLE)를 결합한 다중 프로토콜 장치는 부품 목록을 통합하고 폼팩터를 줄이는 통합 다이오드 어레이의 채택을 촉진했습니다.
* 자동차 레이더 및 ADAS 채택 확대 (+0.9% CAGR 영향): 유럽, 중국, 미국은 자율 비상 제동 및 사각지대 모니터링과 같은 ADAS 기능을 신차 평가에 법제화하여 77-79GHz 레이더 모듈용 다이오드 출하량을 증가시키고 있습니다. 고해상도 이미징 레이더는 이제 방위 및 거리 측정에 고도 데이터를 추가하는 4D 기능을 통합하고 있습니다. 이러한 아키텍처 업그레이드는 채널 수를 늘리고 모듈당 믹서 및 리미터 다이오드의 수량을 두 배로 증가시킵니다. 공급업체들은 또한 높은 접합 온도에서 100만 시간의 수명을 명시하는 AEC-Q101 신뢰성 표준을 충족해야 합니다.
* LEO 위성군 성장 (+0.6% CAGR 영향): 운영업체들은 단일 궤도 정지궤도(GEO) 위성을 대체하여 수천 개의 500kg 위성을 550km 궤도에 발사하고 있습니다. 10krad(Si) 이상의 방사선 내성과 -125°C에서 125°C까지의 열 사이클링에 적합한 RF 마이크로웨이브 다이오드는 Ku-, Ka- 및 신흥 V-밴드 페이로드를 가능하게 합니다. 빠른 빔 스위칭 위상 배열 사용자 단말기는 20ms 미만의 지연 시간을 유지하기 위해 T/R 모듈 내에 통합 리미터 및 스텝 복구 다이오드를 필요로 합니다.
* mmWave 레이더 (산업용 드론 및 로봇) 채택 증가 (+0.4% CAGR 영향).
* 와이드 밴드갭 GaN/SiC 다이오드 기술로의 전환 (+0.7% CAGR 영향).

시장 제약 요인

* 원자재 가격 변동성 (갈륨, 실리콘, SiC, InP) (-0.5% CAGR 영향): 중국의 갈륨 및 게르마늄 수출 허가 요건은 현물 가격을 상승시켜 GaN 에피웨이퍼 비용을 세 자릿수로 끌어올렸습니다. 미국은 갈륨의 95%를 중국에서 조달하고 있어 많은 마이크로웨이브 다이오드의 기반이 되는 고전자 이동성 트랜지스터(HEMT) 웨이퍼 조달에 위험을 초래합니다.
* 반도체 생산 능력 제약 및 공급망 위험 (-0.4% CAGR 영향): 파운드리의 첨단 로직 우선순위는 레거시 0.25µm 및 0.18µm RF 공정의 웨이퍼 생산 시작을 감소시킵니다. 고순도 석영 및 금속 유기 전구체 화합물의 공급 부족은 이러한 효과를 심화시켜 2024년 말 38주까지 치솟았던 다이오드 리드 타임 연장을 초래했습니다.
* 40GHz 이상 주파수에서의 열 관리 문제 (-0.3% CAGR 영향).
* 고주파 장치에 대한 수출 통제 제한 (-0.2% CAGR 영향).

세그먼트 분석

* 제품 유형별: PIN 다이오드는 RF 스위칭 매트릭스 및 가변 감쇠기에서의 역할에 힘입어 2025년 RF 및 마이크로웨이브 다이오드 시장 점유율의 28.75%를 차지했습니다. 통신 OEM은 기지국 업그레이드에 필수적인 강력한 전력 처리 능력과 넓은 동적 범위 선형성을 높이 평가합니다. 쇼트키 다이오드 시장은 낮은 순방향 전압과 빠른 복구 특성을 선호하는 밀리미터파 회로 전환에 힘입어 5.12%의 연평균 성장률로 확장될 것으로 예상됩니다. 버랙터 다이오드는 VCO(전압 제어 발진기)의 주파수 합성에 계속 채택되고 있으며, 건(Gunn) 및 터널 다이오드는 틈새시장에서 고전력 계측 및 초저위상 잡음 발진기 수요를 유지합니다. 제너(Zener) 정류 다이오드는 고전력 GaN MMIC의 바이어스 네트워크에서 점유율을 확보하고 있습니다.
* 주파수 대역별: 3-8GHz 대역은 레이더 고도계, 위성 다운링크, 5GHz Wi-Fi 액세스 포인트에 힘입어 2025년 매출의 31.85%를 유지했습니다. 그러나 40GHz 이상 밀리미터파(mmWave) 수요는 운영업체들이 고정 무선 액세스를 상용화하고 자동차 OEM이 기존 24GHz에서 77GHz 레이더 플랫폼으로 전환함에 따라 5.42%의 연평균 성장률로 빠르게 증가하고 있습니다. Ka/V-밴드(20-40GHz) 부문의 RF 및 마이크로웨이브 다이오드 시장 기여도는 LEO 피더 링크 및 협대역 안테나가 필요한 항공 위성 통신 설치와 함께 증가하고 있습니다.
* 소재 기술별: 실리콘 공정은 기존의 대량 소비자 및 통신 설계에 힘입어 2025년 40.15%의 점유율을 차지했습니다. 질화갈륨(GaN) 물량은 50V 항복 전압과 위상 배열에서 소형 증폭기 단을 가능하게 하는 우수한 열 전도성에 힘입어 4.92%의 연평균 성장률로 증가하고 있습니다. 갈륨 비소(GaAs)는 X-밴드 및 Ku-밴드 레이더 내 잡음에 민감한 LNA(저잡음 증폭기)에서 여전히 선호되며, 탄화규소(SiC)는 고전압 항공 전자 및 극한 온도 작동이 필요한 산업용 드라이브에서 견인력을 얻고 있습니다.
* 최종 사용자 산업별: 통신 및 네트워킹은 5G 매크로 및 스몰셀 배치의 밀집화에 힘입어 2025년 출하량의 26.05%를 소비했습니다. 자동차 수요는 ADAS 기능 의무화로 인해 신차의 레이더 장착률이 2024년 35%에서 2030년 78%로 증가할 것으로 예상됨에 따라 4.72%의 연평균 성장률로 빠르게 증가하고 있습니다. 가전제품은 주력 스마트폰 교체 주기를 통해 회복력을 유지하고 있습니다. 산업 자동화 애플리케이션은 창고 로봇 및 AGV(무인 운반차)에 밀리미터파 센서를 사용하여 다이오드 시장을 확장하고 있습니다. 의료 기기는 비침습 영상 및 이식형 전력 원격 측정에 마이크로웨이브 다이오드를 채택하고 있습니다.

지역 분석

* 아시아 태평양: 2025년 매출의 44.25%를 차지했으며, 중국의 2,950억 달러 규모 국내 반도체 이니셔티브와 일본의 3조 9천억 엔(260억 달러) 규모 부흥 프로그램에 힘입어 2031년까지 4.51%의 연평균 성장률로 성장할 것으로 예상됩니다. 대만과 한국의 활발한 위탁 제조 기반은 지역 리더십을 유지하는 규모의 이점을 증대시킵니다.
* 북미: 390억 달러 규모의 CHIPS Act의 혜택을 받아 RF 전력 및 아날로그 장치 전용의 새로운 200mm 및 300mm 팹을 지원합니다. MACOM의 매사추세츠 및 노스캐롤라이나 공장 확장은 국내 GaN-on-SiC 공급을 강화하고 지정학적 공급 위험을 완화할 것입니다.
* 유럽: 자동차 레이더 의무화 및 인더스트리 4.0 공장 업그레이드를 통해 꾸준한 다이오드 소비를 누리고 있습니다. 독일의 1차 OEM은 프리미엄 및 대중 시장 모델에 77GHz 레이더를 사용하여 대륙 수요를 촉진하고 있습니다.
* 중동 및 아프리카: 서비스가 부족한 농촌 지역에 5G 고정 무선 액세스를 배포하고 있지만, 거시 경제적 역풍으로 인해 단기 물량은 미미한 수준에 머물고 있습니다.

경쟁 환경

RF 및 마이크로웨이브 다이오드 시장은 중간 정도의 집중도를 보이며, 상위 5개 공급업체가 2024년 매출의 대부분을 차지했습니다. MACOM의 Wolfspeed RF 사업부 1억 2,500만 달러 인수 및 후속 3억 4,500만 달러의 자본 지출 프로그램은 GaN 에피웨이퍼 공급 및 턴키 모듈 조립을 통제하기 위한 활발한 통합 주기를 보여줍니다. Infineon, Qorvo, Skyworks는 GaAs(갈륨 비소)가 지배했던 고주파 소켓을 확보하기 위해 내부 GaN 로드맵 실행을 추진하고 있습니다.

전략적 제휴 또한 두드러지게 나타나고 있습니다. Finwave Semiconductor와 GlobalFoundries는 마스크 반복을 줄이고 고객 테이프아웃을 가속화하는 인핸스먼트 모드 MISHEMT 플랫폼을 공동 개발하기로 합의했습니다. Keysight의 Spirent Communications 14억 6천만 달러 인수는 자동화된 RF 규정 준수 시스템으로 테스트 및 측정 범위를 확장하여 파트너 다이오드 공급업체의 설계 승인 지속성을 간접적으로 향상시킵니다.

현재 경쟁 성공은 수직 통합, IP 포트폴리오 깊이, 애플리케이션 엔지니어링 지원에 달려 있습니다. 웨이퍼 제조, 첨단 패키징, 현장 애플리케이션 엔지니어링을 결합하는 공급업체는 고객 설계 주기를 단축하고 다년간의 공급 계약을 확보합니다. 소규모 틈새 공급업체는 가격 경쟁이 치열한 주류 시장을 피하기 위해 방사선 경화 또는 극한 온도 특수 분야에 집중합니다.

주요 산업 리더:

* 인피니언 테크놀로지스 AG (Infineon Technologies AG)
* 비셰이 인터테크놀로지 (Vishay Intertechnology, Inc.)
* 온세미 (onsemi)
* 넥스페리아 B.V. (Nexperia B.V.)
* ST마이크로일렉트로닉스 N.V. (STMicroelectronics N.V.)

최근 산업 동향

* 2025년 1월: MACOM Technology Solutions는 매사추세츠와 노스캐롤라이나의 웨이퍼 팹 현대화를 위한 5년간 3억 4,500만 달러 규모의 전략적 투자 계획을 발표했으며, 여기에는 새로운 GaN-on-SiC 라인이 포함됩니다.
* 2025년 1월: 인피니언은 2025년 데이터 센터 및 전기차(EV) 구동계 전반에서 GaN 반도체가 채택 전환점을 맞이할 것이라고 예측했습니다.
* 2024년 12월: 미국 상무부 산업안보국(BIS)은 140개 기업을 수출 통제 대상 목록(Entity List)에 추가하고 첨단 노드 RF 장치에 대한 해외 직접 생산품 규칙(Foreign Direct Product rules)을 정비했습니다.
* 2024년 11월: MACOM은 ENGIN-IC를 인수하여 방위 고객을 위한 60개의 GaN MMIC를 자사 제품군에 추가했습니다.

본 보고서는 RF 및 마이크로파 다이오드 시장에 대한 포괄적인 분석을 제공합니다. RF 및 마이크로파 다이오드는 전류의 단방향 스위치 역할을 하는 반도체 소자로, 스테레오 앰프, 무선 송신기, TV 모니터 등 다양한 고주파 장치에 필수적으로 사용됩니다. 시장은 다이오드 유형, 주파수 대역, 재료 기술, 최종 사용자 산업 및 지역별로 세분화되어 가치(USD) 기준으로 시장 규모와 성장 예측을 제시합니다.

시장 세분화:
* 유형별: PIN 다이오드, 쇼트키 다이오드, 배랙터(튜닝) 다이오드, 건 다이오드, 터널 다이오드, 제너 다이오드 및 기타 다이오드를 포함합니다.
* 주파수 대역별: 3GHz 이하, 3-8GHz(C-/X-Band), 8-20GHz(Ku-/K-Band), 20-40GHz(Ka-/V-Band), 그리고 40GHz 이상(mmWave)으로 구분됩니다.
* 재료 기술별: 실리콘(Si), 갈륨 비소(GaAs), 질화 갈륨(GaN), 탄화 규소(SiC) 및 기타 재료를 분석합니다.
* 최종 사용자 산업별: 자동차, 가전제품, 통신 및 네트워킹, 산업 제조 및 자동화, 의료 및 헬스케어, 항공우주 및 방위, 에너지 및 유틸리티, 기타 산업을 포함합니다.
* 지역별: 북미, 남미, 유럽, 아시아태평양, 중동, 아프리카 등 전 세계 주요 지역을 대상으로 합니다.

시장 동인 및 제약:
시장의 주요 성장 동인으로는 글로벌 5G 인프라의 확산, IoT 및 스마트 가전제품 수요 증가, 자동차 레이더 및 ADAS(첨단 운전자 보조 시스템) 채택 확대, 저궤도(LEO) 위성군 성장, 산업용 드론 및 로봇 분야에서의 mmWave 레이더 활용 증가, 그리고 GaN/SiC와 같은 와이드 밴드갭 다이오드 기술로의 전환이 있습니다.
반면, 갈륨(Ga), 실리콘(Si), 탄화규소(SiC), 인듐 인화물(InP) 등 원자재 가격의 변동성, 반도체 생산 능력 제약 및 공급망 위험, 40GHz 이상 주파수에서의 열 관리 문제, 그리고 고주파 장치에 대한 수출 통제 제한은 시장 성장을 저해하는 요인으로 작용합니다.

시장 규모 및 성장 전망:
RF 및 마이크로파 다이오드 시장은 2026년 21억 달러 규모에 도달했으며, 2031년에는 24.8억 달러로 성장할 것으로 전망됩니다. 특히 자동차 애플리케이션 부문은 ADAS 의무화로 인한 77-79GHz 레이더 수요 증가에 힘입어 4.72%의 연평균 성장률(CAGR)로 가장 빠르게 성장할 것으로 예상됩니다. 또한, 40GHz 이상 mmWave 대역은 5G 고정 무선 액세스 및 고해상도 자동차 레이더에 힘입어 5.42%의 CAGR로 가장 빠른 성장을 보일 것입니다.

주요 시장 통찰력:
질화 갈륨(GaN) 다이오드는 실리콘 대비 높은 전력 밀도와 우수한 열 전도성을 제공하여 5G 기지국 및 자동차 레이더 분야에서 주목받고 있습니다. 지역별로는 아시아태평양 지역이 중국, 일본, 한국, 대만 등 주요 제조국의 역량에 힘입어 2025년 매출의 44.25%를 차지하며 시장을 지배하고 있습니다. 한편, 미국의 새로운 수출 통제 규제는 중국으로의 고주파 장치 이전을 제한하여 구매자들이 국내 또는 동맹국 공급업체로부터 조달하도록 유도하고 있습니다.

경쟁 환경 및 미래 전망:
보고서는 시장 집중도, 주요 기업들의 전략적 움직임, 시장 점유율 분석을 포함한 경쟁 환경을 상세히 다루며, Microchip Technology, Infineon Technologies, MACOM Technology Solutions 등 주요 기업들의 프로필을 제공합니다. 또한, 시장 기회와 미충족 수요에 대한 평가를 통해 미래 시장의 잠재력을 조명합니다.

1. 서론

• 1.1 연구 가정 및 시장 정의
• 1.2 연구 범위

2. 연구 방법론

3. 요약

4. 시장 환경

• 4.1 시장 개요
• 4.2 시장 동인
  • 4.2.1 글로벌 5G 인프라 확산
  • 4.2.2 IoT 및 스마트 가전제품 수요 증가
  • 4.2.3 자동차 레이더 및 ADAS 채택 확대
  • 4.2.4 저궤도 위성군 성장
  • 4.2.5 산업용 드론 및 로봇의 mmWave 레이더 채택
  • 4.2.6 와이드 밴드갭(GaN/SiC) 다이오드 기술로의 전환
• 4.3 시장 제약
  • 4.3.1 원자재 가격 변동성 (Ga, Si, SiC, InP)
  • 4.3.2 반도체 생산 능력 제약 및 공급망 위험
  • 4.3.3 40GHz 이상에서의 열 관리 문제
  • 4.3.4 고주파 장치에 대한 수출 통제 제한
• 4.4 가치 사슬 분석
• 4.5 기술 전망
• 4.6 규제 환경
• 4.7 투자 분석
• 4.8 포터의 5가지 경쟁 요인 분석
  • 4.8.1 공급업체의 교섭력
  • 4.8.2 구매자의 교섭력
  • 4.8.3 신규 진입자의 위협
  • 4.8.4 대체재의 위협
  • 4.8.5 경쟁 강도
• 4.9 거시 경제 요인이 시장에 미치는 영향

5. 시장 규모 및 성장 예측 (가치)

• 5.1 유형별
  • 5.1.1 PIN 다이오드
  • 5.1.2 쇼트키 다이오드
  • 5.1.3 버랙터 (튜닝) 다이오드
  • 5.1.4 건 다이오드
  • 5.1.5 터널 다이오드
  • 5.1.6 제너 다이오드
  • 5.1.7 기타 다이오드
• 5.2 주파수 대역별
  • 5.2.1 3 GHz 이하
  • 5.2.2 3 – 8 GHz (C-/X-대역)
  • 5.2.3 8 – 20 GHz (Ku-/K-대역)
  • 5.2.4 20 – 40 GHz (Ka-/V-대역)
  • 5.2.5 40 GHz 초과 (밀리미터파)
• 5.3 재료 기술별
  • 5.3.1 실리콘 (Si)
  • 5.3.2 갈륨 비소 (GaAs)
  • 5.3.3 갈륨 나이트라이드 (GaN)
  • 5.3.4 실리콘 카바이드 (SiC)
  • 5.3.5 기타 재료
• 5.4 최종 사용자 산업별
  • 5.4.1 자동차
  • 5.4.2 가전제품
  • 5.4.3 통신 및 네트워킹
  • 5.4.4 산업 제조 및 자동화
  • 5.4.5 의료 및 헬스케어
  • 5.4.6 항공우주 및 방위
  • 5.4.7 에너지 및 유틸리티
  • 5.4.8 기타 산업
• 5.5 지역별 (가치)
  • 5.5.1 북미
  • 5.5.1.1 미국
  • 5.5.1.2 캐나다
  • 5.5.1.3 멕시코
  • 5.5.2 남미
  • 5.5.2.1 브라질
  • 5.5.2.2 아르헨티나
  • 5.5.2.3 남미 기타 지역
  • 5.5.3 유럽
  • 5.5.3.1 독일
  • 5.5.3.2 영국
  • 5.5.3.3 프랑스
  • 5.5.3.4 이탈리아
  • 5.5.3.5 유럽 기타 지역
  • 5.5.4 아시아 태평양
  • 5.5.4.1 중국
  • 5.5.4.2 일본
  • 5.5.4.3 대한민국
  • 5.5.4.4 인도
  • 5.5.4.5 아시아 태평양 기타 지역
  • 5.5.5 중동
  • 5.5.5.1 사우디아라비아
  • 5.5.5.2 아랍에미리트
  • 5.5.5.3 중동 기타 지역
  • 5.5.6 아프리카
  • 5.5.6.1 남아프리카
  • 5.5.6.2 아프리카 기타 지역

6. 경쟁 환경

• 6.1 시장 집중도
• 6.2 전략적 움직임
• 6.3 시장 점유율 분석
• 6.4 기업 프로필 (글로벌 수준 개요, 시장 수준 개요, 핵심 부문, 재무 정보(사용 가능한 경우), 전략 정보, 주요 기업의 시장 순위/점유율, 제품 및 서비스, 최근 개발 포함)
  • 6.4.1 Microchip Technology Inc.
  • 6.4.2 Infineon Technologies AG
  • 6.4.3 Diodes Incorporated
  • 6.4.4 MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.
  • 6.4.5 Nexperia B.V. (Wingtech Technology Co., Ltd.)
  • 6.4.6 onsemi (Semiconductor Components Industries, LLC)
  • 6.4.7 ROHM Co., Ltd.
  • 6.4.8 Vishay Intertechnology, Inc.
  • 6.4.9 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
  • 6.4.10 Renesas Electronics Corporation
  • 6.4.11 STMicroelectronics N.V.
  • 6.4.12 PANJIT International Inc.
  • 6.4.13 Suzhou Good-Ark Electronics Co., Ltd.
  • 6.4.14 Skyworks Solutions, Inc.
  • 6.4.15 Qorvo, Inc.
  • 6.4.16 Broadcom Inc. (Avago Technologies)
  • 6.4.17 Excelitas Technologies Corp.
  • 6.4.18 SemiGen, Inc.
  • 6.4.19 Richardson Electronics, Ltd.
  • 6.4.20 Central Semiconductor Corp.

7. 시장 기회 및 미래 전망