실리콘 커패시터 시장 규모 및 점유율 분석 – 성장 동향 및 예측 (2026 – 2031)

실리콘 커패시터 시장 개요 및 전망 (2031년까지)

# 1. 서론 및 시장 개요

본 보고서는 실리콘 커패시터 시장의 규모와 점유율 전망을 2031년까지 상세히 분석합니다. 시장은 기술(MOS, MIS, Deep-Trench, MIM), 커패시터 구조(Planar, 3D TSV 등), 최종 사용자 애플리케이션(자동차 및 모빌리티, 소비자 가전 등), 주파수 대역(6GHz 미만, 6-40GHz 등), 통합 수준(Discrete SMD 등) 및 지역(북미, 유럽 등)별로 세분화되어 분석되며, 시장 예측은 가치(USD) 기준으로 제공됩니다.

조사 기간은 2020년부터 2031년까지이며, 2026년 시장 규모는 40억 4천만 달러, 2031년에는 59억 1천만 달러에 이를 것으로 예상됩니다. 2026년부터 2031년까지 연평균 성장률(CAGR)은 7.91%로 전망됩니다. 아시아 태평양 지역이 가장 빠르게 성장하는 동시에 가장 큰 시장으로 나타났으며, 시장 집중도는 중간 수준입니다.

실리콘 커패시터 시장은 2025년 37억 4천만 달러에서 2026년 40억 4천만 달러로 성장한 후, 2026년부터 2031년까지 7.91%의 연평균 성장률로 2031년에는 59억 1천만 달러에 이를 것으로 예상됩니다. 이러한 성장은 5G 및 초기 6G 장치를 위한 고밀도 RF 프론트엔드 설계의 급속한 확산, 고온 자동차 LiDAR 모듈로의 전환, 그리고 딥-트렌치 커패시터를 내장한 칩렛 기반 2.5D 인터포저의 강력한 추진에 기인합니다. 탄소 나노섬유 MIM 구조의 공급 안정성이 개선되면서 초기 비용 인플레이션이 완화되고 있습니다. 아시아 태평양 지역은 집중된 웨이퍼 제조 기반과 공격적인 무선 인프라 구축으로 생산 리더십을 유지하고 있으며, 북미는 100GHz 이상에서 작동하는 방위 등급 평판 어레이로부터 프리미엄 수요를 확보하고 있습니다. 경쟁 강도는 전통적인 수동 부품 공급업체들이 로직 다이에 임베디드 커패시터를 번들로 제공하는 파운드리 수준의 제품에 맞서 점유율을 방어하면서 심화되고 있습니다. 이는 대량 생산되는 휴대폰의 총 마진 스프레드를 좁히지만, 극한 환경 틈새시장에서는 여전히 성장 가능성이 있습니다.

# 2. 주요 보고서 요약

* 기술별: 딥-트렌치(Deep-Trench)가 2025년 실리콘 커패시터 시장 점유율의 35.70%를 차지했으며, MIM은 2031년까지 9.03%의 연평균 성장률을 기록할 것으로 예상됩니다.
* 커패시터 구조별: 3D TSV(Through-Silicon-Via)가 2025년 실리콘 커패시터 시장 매출의 38.05%를 차지했으며, 탄소 나노섬유 MIM(Carbon-Nanofiber MIM)은 2031년까지 9.21%의 연평균 성장률로 확장될 것으로 전망됩니다.
* 최종 사용자 애플리케이션별: 소비자 가전이 2025년 실리콘 커패시터 시장 점유율의 29.10%로 선두를 달렸으며, 자동차 및 모빌리티는 2031년까지 9.66%로 가장 높은 연평균 성장률을 보일 것으로 예상됩니다.
* 주파수 대역별: 6-40GHz 대역이 2025년 실리콘 커패시터 시장 규모의 44.20%를 차지했으며, 100GHz 이상의 서브-THz(sub-THz) 범위는 2031년까지 9.94%의 연평균 성장률로 성장하고 있습니다.
* 통합 수준별: Discrete SMD가 2025년 실리콘 커패시터 시장 점유율의 53.05%를 차지했으며, 실리콘 인터포저(2.5D) 통합은 2031년까지 9.28%로 가장 빠르게 증가하고 있습니다.
* 지역별: 아시아 태평양 지역이 2025년 실리콘 커패시터 시장 규모의 45.95%를 차지했으며, 2031년까지 8.84%의 연평균 성장률로 성장할 것으로 예상됩니다.

# 3. 글로벌 실리콘 커패시터 시장 동향 및 통찰력

3.1. 시장 성장 동인

* 5G/6G 핸드셋의 RF 프론트엔드 소형화 가속화 (+2.1% CAGR 영향): 차세대 스마트폰은 4G 설계보다 40~60% 더 많은 커패시터 요소를 통합하여, OEM들이 6~40GHz에서 기생 인덕턴스를 완화하는 세라믹 MLCC에서 실리콘 유전체로 전환하도록 강제하고 있습니다. 무라타(Murata)의 2025년 3월 디지털 엔벨로프 트래킹(Digital Envelope Tracking) 플랫폼은 트래커 모듈 내에 실리콘 커패시터를 내장하여 광대역 5G 신호에서 25%의 전력 효율 향상을 시연했습니다. 이는 3GPP Release 18의 6G 준비와 일치하며, 24개 스펙트럼 블록에 걸친 다중 대역 작동은 소형 고Q 수동 부품의 가치를 높입니다. 파운드리 수준의 딥-트렌치 통합은 RF-SIP 조립 비용을 15~20% 절감하는 동시에, 최고급 핸드셋 브랜드가 설정한 8mm 미만의 Z-높이 제한을 충족합니다. 이러한 역학은 최대 스마트폰 ODM 클러스터가 있는 아시아 태평양 지역을 단기 수요의 중심지로 만듭니다.
* 자동차 LiDAR의 150°C 이상 환경 등급 실리콘 커패시터로의 전환 (+1.8% CAGR 영향): 레벨 3+ 차량의 카메라-라이다 융합은 센서 모듈을 엔진룸 아래로 이동시켜 수동 부품을 150°C 이상의 고온에 노출시킵니다. 실리콘 커패시터는 동일한 스트레스 하에서 최대 65%의 용량을 잃는 MLCC보다 훨씬 예측 가능하게 용량을 유지합니다. 로옴(ROHM)의 2024년 9월 덴소(DENSO)와의 협력은 고온 아날로그 프론트엔드를 목표로 하며, AEC-Q200 Grade 0 부품의 전형적인 장기 설계 승리를 강화합니다. 프리미엄 전기차 플랫폼은 이제 8~12개의 라이다 유닛을 지정하며, 각 유닛은 바이어스, 스무딩 및 EMI 억제를 위해 20~30개의 Si-Cap을 내장하여 2027년까지 연간 1억 5천만 달러의 매출 증대를 가져올 것으로 예상됩니다. 유럽이 초기 채택 지역으로 남아 있지만, 미국 제조업체들은 연방 NCAP 업그레이드가 라이다 기반 안전 스택에 보상을 제공함에 따라 조달을 가속화하고 있습니다.
* 임베디드 트렌치 커패시터를 갖춘 칩렛/2.5D 인터포저의 빠른 채택 (+1.6% CAGR 영향): 무어의 법칙 비용 곡선은 실리콘 인터포저에 결합된 칩렛에 유리하며, 이는 100ps 미만의 전력 공급 응답을 위해 TSV(Through-Silicon Capacitor)에 의존합니다. TSMC의 2025년 로드맵은 200nF/mm²를 초과하는 탄소 나노섬유 전극의 도움으로 평면 옵션보다 6배의 커패시턴스 밀도 향상을 확인했습니다. 임베디드 수동 부품은 BOM(Bill-of-Materials)에서 10~15%를 절감하는 동시에, 600W를 초과하는 AI 가속기에 대한 필수 요구 사항인 1GHz까지 PDN 임피던스를 1mΩ 미만으로 낮춥니다. 딥-트렌치 웨이퍼 생산은 여전히 용량 제약을 받고 있지만, SEMI는 2025년에 1,100억 달러의 팹 장비 투자를 통해 공급을 확대할 것으로 예상합니다. 따라서 실리콘 커패시터 시장은 하이퍼스케일 및 방위 컴퓨팅 노드 전반에 걸쳐 2.5D 패키징의 부상과 궤를 같이합니다.
* mmWave SAT-COM 평판 어레이 수요 증가 (+1.2% CAGR 영향):
* SWaP-C 감소를 위한 방위 등급 IPD 의무화 (+0.9% CAGR 영향):
* 1mm² 미만 DC-DC 모듈용 온-실리콘 디커플링의 전력 IC 통합 (+1.4% CAGR 영향):

3.2. 시장 제약 요인

* 25V 이상 바이어스에서 MLCC 대비 전하 누설 (-1.4% CAGR 영향): 25V를 초과하는 바이어스에서 이산화규소 스택의 누설 전류가 급격히 증가하여, 마일드 하이브리드 차량에 등장하는 48V 아키텍처에 대한 적합성을 제한합니다. 항복은 일반적으로 34V 근처에서 발생하며, 이는 세라믹 부품의 일반적인 50V보다 훨씬 낮습니다. 안전 작동 한계 내에 머무르기 위해 추가 규제 단계를 추가하는 설계자들은 8~12%의 비용 페널티를 보고하며, 산업용 드라이브 및 자동차 컨버터에서의 채택을 제약합니다. 고온은 이 문제를 더욱 악화시켜 장기 유지율을 저하시키고, OEM들이 부피 및 압전 소음 단점에도 불구하고 고전압 레일에 MLCC를 유지하도록 강제합니다.
* 딥-트렌치 공정을 위한 제한된 파운드리 용량 (-1.8% CAGR 영향): 전 세계적으로 딥-트렌치 커패시터에 필요한 고종횡비 식각을 제공하는 팹은 12개 미만입니다. 처리량은 주류 CMOS 흐름보다 25~30% 낮으며, 자본은 더 높은 마진을 산출하는 3nm 로직 라인으로 집중되고 있습니다. SEMI는 2025년 전체 용량이 10% 증가할 것으로 예상하지만, 트렌치 특정 가용성은 크게 뒤처져 여러 공급업체의 리드 타임이 26주 이상으로 연장됩니다.

실리콘 커패시터 시장 보고서 요약

본 보고서는 실리콘 커패시터 시장의 주요 동인, 제약 요인, 기술 동향 및 경쟁 환경을 포괄적으로 분석합니다. 실리콘 커패시터는 넓은 작동 주파수 범위와 우수한 장기 안정성을 특징으로 하며, 고속 디지털 회로, 의료, 통신, 산업 및 고신뢰성 애플리케이션에 이상적인 부품으로 평가됩니다.

시장 규모는 2026년 40.4억 달러에서 2031년 59.1억 달러로 성장할 것으로 전망됩니다. 특히 자동차 및 모빌리티 애플리케이션 부문은 LiDAR 센서 및 고온 전력 모듈의 확산에 힘입어 2031년까지 연평균 9.66%의 가장 빠른 성장률을 보일 것으로 예상됩니다.

주요 시장 성장 동력으로는 5G/6G 핸드셋의 RF 프런트엔드 소형화 가속화, 자동차 LiDAR의 150°C 이상 환경 등급 Si-Cap으로의 전환, 임베디드 트렌치 커패시터가 적용된 칩렛/2.5D 인터포저의 빠른 채택, mmWave SAT-COM 평판 배열 수요 증가, SWaP-C(크기, 무게, 전력, 비용) 감소를 위한 국방 등급 IPD(Integrated Passive Device) 의무화, 그리고 서브-1 mm² DC-DC 모듈용 온-실리콘 디커플링의 전력 IC 통합 등이 있습니다.

반면, 시장 제약 요인으로는 25V 이상 바이어스에서 MLCC(적층 세라믹 커패시터) 대비 전하 누설 문제, 딥-트렌치 공정의 제한된 파운드리 용량으로 인한 긴 리드 타임 및 생산 확장 제약, 소비자 BOM(자재 명세서)에서 기존 수동 부품 대비 높은 평균 판매 가격(ASP), 그리고 고습도(85% RH 이상) 애플리케이션에서의 신뢰성 격차 등이 지적됩니다.

기술적 관점에서 실리콘 커패시터는 20GHz 이상의 고주파수 대역에서 낮은 기생 인덕턴스와 높은 Q-팩터를 유지하여 5G, 6G 및 서브-THz 설계에 필수적이며, MLCC보다 선호되는 경향을 보입니다. 지역별로는 아시아-태평양 지역이 밀집된 파운드리 네트워크와 공격적인 무선 인프라 구축으로 인해 시장 점유율 45.95%를 차지하며 생산을 주도하고 있습니다. 최고 수준의 정전 용량 밀도를 제공하는 기술로는 Carbon-Nanofiber MIM(CNF-MIM) 구조가 있으며, 현재 200 nF/mm²를 초과하여 평면형 대비 6배 높은 수치를 기록하고, 2027년까지 500 nF/mm²로 확장될 것으로 예상됩니다.

시장은 기술(MOS, MIS, 딥-트렌치, MIM), 커패시터 구조(평면형, 3D TSV, Through-Silicon Deep-Trench, CNF-MIM), 최종 사용자 애플리케이션(자동차 및 모빌리티, 가전제품, IT 및 통신, 항공우주 및 방위, 헬스케어 및 의료 기기), 주파수 대역, 통합 수준 및 지역별로 세분화되어 분석됩니다. 경쟁 환경에는 Murata Manufacturing Co., Ltd., KYOCERA AVX Components Corporation, Vishay Intertechnology, Inc., Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (TSMC) 등 다수의 주요 글로벌 기업들이 포함되어 있습니다.

1. 서론

• 1.1 연구 가정 및 시장 정의

• 1.2 연구 범위

2. 연구 방법론

3. 요약

4. 시장 현황

• 4.1 시장 개요

• 4.2 시장 동인
  • 4.2.1 5G/6G 핸드셋의 RF 프런트엔드 소형화 가속화

  • 4.2.2 자동차 LiDAR의 150 °C 이상 환경 등급 Si-Cap으로의 전환

  • 4.2.3 임베디드 트렌치 커패시터를 갖춘 칩렛/2.5D 인터포저의 빠른 채택

  • 4.2.4 밀리미터파 SAT-COM 평판 어레이에 대한 수요 증가

  • 4.2.5 SWaP-C 감소를 위한 국방 등급 IPD 의무화

  • 4.2.6 1mm² 미만 DC-DC 모듈을 위한 온-실리콘 디커플링의 전력 IC 통합

• 4.3 시장 제약
  • 4.3.1 25V 이상 바이어스에서의 전하 누설 대 MLCC

  • 4.3.2 딥 트렌치 공정을 위한 제한된 파운드리 용량

  • 4.3.3 소비자 BOM에서 기존 수동 부품 대비 높은 ASP

  • 4.3.4 고습도(85% RH 이상) 애플리케이션에서의 신뢰성 격차

• 4.4 산업 가치 사슬 분석

• 4.5 규제 환경

• 4.6 기술 전망

• 4.7 포터의 5가지 경쟁 요인 분석
  • 4.7.1 신규 진입자의 위협

  • 4.7.2 구매자의 교섭력

  • 4.7.3 공급업체의 교섭력

  • 4.7.4 대체재의 위협

  • 4.7.5 경쟁 강도

• 4.8 거시 경제 요인이 시장에 미치는 영향

5. 시장 규모 및 성장 예측 (가치)

• 5.1 기술별
  • 5.1.1 MOS

  • 5.1.2 MIS

  • 5.1.3 딥 트렌치

  • 5.1.4 MIM

• 5.2 커패시터 구조별
  • 5.2.1 평면형

  • 5.2.2 3D TSV

  • 5.2.3 실리콘 관통 딥 트렌치

  • 5.2.4 탄소 나노섬유 MIM (CNF-MIM)

• 5.3 최종 사용자 애플리케이션별
  • 5.3.1 자동차 및 모빌리티

  • 5.3.2 가전제품

  • 5.3.3 IT 및 통신

  • 5.3.4 항공우주 및 방위

  • 5.3.5 헬스케어 및 의료기기

• 5.4 주파수 대역별
  • 5.4.1 6 GHz 미만

  • 5.4.2 6-40 GHz

  • 5.4.3 40-100 GHz

  • 5.4.4 100 GHz 초과 (Sub-THz)

• 5.5 통합 수준별
  • 5.5.1 개별 SMD

  • 5.5.2 임베디드-PCB

  • 5.5.3 실리콘 인터포저 (2.5D)

  • 5.5.4 온칩 (모놀리식)

• 5.6 지역별
  • 5.6.1 북미

  • 5.6.1.1 미국

  • 5.6.1.2 캐나다

  • 5.6.1.3 멕시코

  • 5.6.2 남미

  • 5.6.2.1 브라질

  • 5.6.2.2 아르헨티나

  • 5.6.2.3 기타 남미

  • 5.6.3 유럽

  • 5.6.3.1 독일

  • 5.6.3.2 영국

  • 5.6.3.3 프랑스

  • 5.6.3.4 이탈리아

  • 5.6.3.5 기타 유럽

  • 5.6.4 아시아 태평양

  • 5.6.4.1 중국

  • 5.6.4.2 일본

  • 5.6.4.3 대한민국

  • 5.6.4.4 인도

  • 5.6.4.5 기타 아시아 태평양

  • 5.6.5 중동

  • 5.6.5.1 사우디아라비아

  • 5.6.5.2 아랍에미리트

  • 5.6.5.3 기타 중동

  • 5.6.6 아프리카

  • 5.6.6.1 남아프리카 공화국

  • 5.6.6.2 기타 아프리카

6. 경쟁 환경

• 6.1 시장 집중도

• 6.2 전략적 움직임

• 6.3 시장 점유율 분석

• 6.4 기업 프로필 (글로벌 수준 개요, 시장 수준 개요, 핵심 부문, 사용 가능한 재무 정보, 전략 정보, 주요 기업의 시장 순위/점유율, 제품 및 서비스, 최근 개발 포함)
  • 6.4.1 무라타 제작소(Murata Manufacturing Co., Ltd.)

  • 6.4.2 교세라 AVX 컴포넌츠 코퍼레이션(KYOCERA AVX Components Corporation)

  • 6.4.3 비셰이 인터테크놀로지(Vishay Intertechnology, Inc.)

  • 6.4.4 스카이웍스 솔루션즈(Skyworks Solutions, Inc.)

  • 6.4.5 대만 반도체 제조 회사 (TSMC)

  • 6.4.6 엠파워 세미컨덕터(Empower Semiconductor, Inc.)

  • 6.4.7 MACOM 테크놀로지 솔루션즈 홀딩스(MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.)

  • 6.4.8 마이크로칩 테크놀로지(Microchip Technology, Inc.)

  • 6.4.9 엘로힘(ELOHIM, Inc.)

  • 6.4.10 매사추세츠 베이 테크놀로지스(Massachusetts Bay Technologies, Inc.)

  • 6.4.11 스몰텍 세미 AB(Smoltek Semi AB)

  • 6.4.12 프라운호퍼 IPMS(Fraunhofer IPMS)

  • 6.4.13 로옴(ROHM Co., Ltd.)

  • 6.4.14 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics N.V.)

  • 6.4.15 온세미 코퍼레이션(Onsemi Corporation)

  • 6.4.16 인피니언 테크놀로지스 AG(Infineon Technologies AG)

  • 6.4.17 울프스피드(Wolfspeed, Inc.)

  • 6.4.18 샘텍(Samtec, Inc.) (유리 인터포저 Si-Cap)

  • 6.4.19 놀스 프리시전 디바이스 LLC(Knowles Precision Devices LLC)

  • 6.4.20 뷔르트 일렉트로닉 GmbH & Co. KG(Wurth Elektronik GmbH & Co. KG)

  • 6.4.21 케멧(KEMET) (야게오 코퍼레이션)

7. 시장 기회 및 미래 전망