| ■ 영문 제목 : SiC Epitaxy Market, Global Outlook and Forecast 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : MONT2407F47121 ■ 조사/발행회사 : Market Monitor Global ■ 발행일 : 2024년 3월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
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본 조사 보고서는 현재 동향, 시장 역학 및 미래 전망에 초점을 맞춰, SiC 에피택시 시장에 대한 포괄적인 분석을 제공합니다. 본 보고서는 북미, 유럽, 아시아 태평양 및 신흥 시장과 같은 주요 지역을 포함한 전 세계 SiC 에피택시 시장을 대상으로 합니다. 또한 SiC 에피택시의 성장을 주도하는 주요 요인, 업계가 직면한 과제 및 시장 참여자를 위한 잠재적 기회도 기재합니다.
글로벌 SiC 에피택시 시장은 최근 몇 년 동안 환경 문제, 정부 인센티브 및 기술 발전의 증가로 인해 급속한 성장을 목격했습니다. SiC 에피택시 시장은 전원 부품, RF 기기, 기타를 포함한 다양한 이해 관계자에게 기회를 제공합니다. 민간 부문과 정부 간의 협력은 SiC 에피택시 시장에 대한 지원 정책, 연구 개발 노력 및 투자를 가속화 할 수 있습니다. 또한 증가하는 소비자 수요는 시장 확장의 길을 제시합니다.
글로벌 SiC 에피택시 시장은 2023년에 미화 XXX백만 달러로 조사되었으며 2030년까지 미화 XXX백만 달러에 도달할 것으로 예상되며, 예측 기간 동안 XXX%의 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다.
[주요 특징]
SiC 에피택시 시장에 대한 조사 보고서에는 포괄적인 통찰력을 제공하고 이해 관계자의 의사 결정을 용이하게하는 몇 가지 주요 항목이 포함되어 있습니다.
요약 : 본 보고서는 SiC 에피택시 시장의 주요 결과, 시장 동향 및 주요 통찰력에 대한 개요를 제공합니다.
시장 개요: 본 보고서는 SiC 에피택시 시장의 정의, 역사적 추이, 현재 시장 규모를 포함한 포괄적인 개요를 제공합니다. 종류(예: 두께 12μm 이하, 두께 30μm 이상), 지역 및 용도별로 시장을 세분화하여 각 세그먼트 내의 주요 동인, 과제 및 기회를 중점적으로 다룹니다.
시장 역학: 본 보고서는 SiC 에피택시 시장의 성장과 발전을 주도하는 시장 역학을 분석합니다. 본 보고서에는 정부 정책 및 규정, 기술 발전, 소비자 동향 및 선호도, 인프라 개발, 업계 협력에 대한 평가가 포함되어 있습니다. 이 분석은 이해 관계자가 SiC 에피택시 시장의 궤적에 영향을 미치는 요인을 이해하는데 도움이됩니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 SiC 에피택시 시장내 경쟁 환경에 대한 심층 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 시장 플레이어의 프로필, 시장 점유율, 전략, 제품 포트폴리오 및 최근 동향이 포함됩니다.
시장 세분화 및 예측: 본 보고서는 종류, 지역 및 용도와 같은 다양한 매개 변수를 기반으로 SiC 에피택시 시장을 세분화합니다. 정량적 데이터 및 분석을 통해 각 세그먼트의 시장 규모와 성장 예측을 제공합니다. 이를 통해 이해 관계자가 성장 기회를 파악하고 정보에 입각한 투자 결정을 내릴 수 있습니다.
기술 동향: 본 보고서는 주요기술의 발전과 새로운 대체품 등 SiC 에피택시 시장을 형성하는 주요 기술 동향을 강조합니다. 이러한 트렌드가 시장 성장, 채택률, 소비자 선호도에 미치는 영향을 분석합니다.
시장 과제와 기회: 본 보고서는 기술적 병목 현상, 비용 제한, 높은 진입 장벽 등 SiC 에피택시 시장이 직면한 주요 과제를 파악하고 분석합니다. 또한 정부 인센티브, 신흥 시장, 이해관계자 간의 협업 등 시장 성장의 기회에 대해서도 강조합니다.
규제 및 정책 분석: 본 보고서는 정부 인센티브, 배출 기준, 인프라 개발 계획 등 SiC 에피택시에 대한 규제 및 정책 환경을 평가합니다. 이러한 정책이 시장 성장에 미치는 영향을 분석하고 향후 규제 동향에 대한 인사이트를 제공합니다.
권장 사항 및 결론: 본 보고서는 소비자, 정책 입안자, 투자자, 인프라 제공업체 등 이해관계자를 위한 실행 가능한 권고 사항으로 마무리합니다. 이러한 권장 사항은 조사 결과를 바탕으로 SiC 에피택시 시장의 주요 과제와 기회를 해결할 수 있습니다.
참고 데이터 및 부록: 보고서에는 분석 및 조사 결과를 입증하기 위한 보조 데이터, 차트, 그래프가 포함되어 있습니다. 또한 데이터 소스, 설문조사, 상세한 시장 예측과 같은 추가 세부 정보가 담긴 부록도 포함되어 있습니다.
[시장 세분화]
SiC 에피택시 시장은 종류별 및 용도별로 세분화됩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
■ 종류별 시장 세그먼트
– 두께 12μm 이하, 두께 30μm 이상
■ 용도별 시장 세그먼트
– 전원 부품, RF 기기, 기타
■ 지역별 및 국가별 글로벌 SiC 에피택시 시장 점유율, 2023년(%)
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 아시아 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도)
– 남미 (브라질, 아르헨티나)
– 중동 및 아프리카 (터키, 이스라엘, 사우디 아라비아, UAE)
■ 주요 업체
– II-VI Advanced Materials, Norstel, Cree, ROHM, Mitsubishi Electric Corporation, Infineon, EpiWorld, TIANYU SEMICONDUCTOR Technology, NipponStee&Sumitomo Metall, Episil-Precision, Showa Denko, Dow
[주요 챕터의 개요]
1 장 : SiC 에피택시의 정의, 시장 개요를 소개
2 장 : 매출 및 판매량을 기준으로한 글로벌 SiC 에피택시 시장 규모
3 장 : SiC 에피택시 제조업체 경쟁 환경, 가격, 판매량 및 매출 시장 점유율, 최신 동향, M&A 정보 등에 대한 자세한 분석
4 장 : 종류별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
5 장 : 용도별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
6 장 : 지역 및 국가별 SiC 에피택시 판매량. 각 지역 및 주요 국가의 시장 규모와 성장 잠재력에 대한 정량적 분석을 제공. 세계 각국의 시장 개발, 향후 개발 전망, 시장 기회을 소개
7 장 : 주요 업체의 프로필을 제공. 제품 판매, 매출, 가격, 총 마진, 제품 소개, 최근 동향 등 시장 내 주요 업체의 기본 상황을 자세히 소개
8 장 : 지역별 및 국가별 글로벌 SiC 에피택시 시장규모
9 장 : 시장 역학, 시장의 최신 동향, 시장의 추진 요인 및 제한 요인, 업계내 업체가 직면한 과제 및 리스크, 업계의 관련 정책 분석을 소개
10 장 : 산업의 업 스트림 및 다운 스트림을 포함한 산업 체인 분석
11 장 : 보고서의 주요 요점 및 결론
※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.
■ 보고서 목차1. 조사 및 분석 보고서 소개 2. 글로벌 SiC 에피택시 전체 시장 규모 3. 기업 환경 4. 종류별 시장 분석 5. 용도별 시장 분석 6. 지역별 시장 분석 7. 제조업체 및 브랜드 프로필 II-VI Advanced Materials, Norstel, Cree, ROHM, Mitsubishi Electric Corporation, Infineon, EpiWorld, TIANYU SEMICONDUCTOR Technology, NipponStee&Sumitomo Metall, Episil-Precision, Showa Denko, Dow II-VI Advanced Materials Norstel Cree 8. 글로벌 SiC 에피택시 생산 능력 분석 9. 주요 시장 동향, 기회, 동인 및 제약 요인 10. SiC 에피택시 공급망 분석 11. 결론 [그림 목록]- 종류별 SiC 에피택시 세그먼트, 2023년 - 용도별 SiC 에피택시 세그먼트, 2023년 - 글로벌 SiC 에피택시 시장 개요, 2023년 - 글로벌 SiC 에피택시 시장 규모: 2023년 VS 2030년 - 글로벌 SiC 에피택시 매출, 2019-2030 - 글로벌 SiC 에피택시 판매량: 2019-2030 - SiC 에피택시 매출 기준 상위 3개 및 5개 업체 시장 점유율, 2023년 - 글로벌 종류별 SiC 에피택시 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 종류별 SiC 에피택시 매출 시장 점유율 - 글로벌 종류별 SiC 에피택시 판매량 시장 점유율 - 글로벌 종류별 SiC 에피택시 가격 - 글로벌 용도별 SiC 에피택시 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 용도별 SiC 에피택시 매출 시장 점유율 - 글로벌 용도별 SiC 에피택시 판매량 시장 점유율 - 글로벌 용도별 SiC 에피택시 가격 - 지역별 SiC 에피택시 매출, 2023년 VS 2030년 - 지역별 SiC 에피택시 매출 시장 점유율 - 지역별 SiC 에피택시 매출 시장 점유율 - 지역별 SiC 에피택시 판매량 시장 점유율 - 북미 국가별 SiC 에피택시 매출 시장 점유율 - 북미 국가별 SiC 에피택시 판매량 시장 점유율 - 미국 SiC 에피택시 시장규모 - 캐나다 SiC 에피택시 시장규모 - 멕시코 SiC 에피택시 시장규모 - 유럽 국가별 SiC 에피택시 매출 시장 점유율 - 유럽 국가별 SiC 에피택시 판매량 시장 점유율 - 독일 SiC 에피택시 시장규모 - 프랑스 SiC 에피택시 시장규모 - 영국 SiC 에피택시 시장규모 - 이탈리아 SiC 에피택시 시장규모 - 러시아 SiC 에피택시 시장규모 - 아시아 지역별 SiC 에피택시 매출 시장 점유율 - 아시아 지역별 SiC 에피택시 판매량 시장 점유율 - 중국 SiC 에피택시 시장규모 - 일본 SiC 에피택시 시장규모 - 한국 SiC 에피택시 시장규모 - 동남아시아 SiC 에피택시 시장규모 - 인도 SiC 에피택시 시장규모 - 남미 국가별 SiC 에피택시 매출 시장 점유율 - 남미 국가별 SiC 에피택시 판매량 시장 점유율 - 브라질 SiC 에피택시 시장규모 - 아르헨티나 SiC 에피택시 시장규모 - 중동 및 아프리카 국가별 SiC 에피택시 매출 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 국가별 SiC 에피택시 판매량 시장 점유율 - 터키 SiC 에피택시 시장규모 - 이스라엘 SiC 에피택시 시장규모 - 사우디 아라비아 SiC 에피택시 시장규모 - 아랍에미리트 SiC 에피택시 시장규모 - 글로벌 SiC 에피택시 생산 능력 - 지역별 SiC 에피택시 생산량 비중, 2023년 VS 2030년 - SiC 에피택시 산업 가치 사슬 - 마케팅 채널 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 **SiC 에피택시: 고성능 반도체 구현의 핵심 기술** 실리콘 카바이드(SiC)는 기존의 실리콘(Si)을 뛰어넘는 탁월한 전기적, 열적 특성을 지닌 차세대 반도체 소재입니다. 특히 높은 항복 전압, 뛰어난 열 전도성, 넓은 밴드갭 등의 장점을 바탕으로 고온, 고전압, 고주파 환경에서도 안정적으로 작동하는 고성능 반도체 소자 구현에 필수적인 소재로 각광받고 있습니다. 이러한 SiC 소재의 잠재력을 최대한 이끌어내기 위해서는 기판 위에 균일하고 결함이 적은 고품질의 SiC 박막을 성장시키는 에피택시(Epitaxy) 기술이 매우 중요합니다. SiC 에피택시란, 결정 성장 방향 및 격자 구조가 동일한 기판 위에 동일한 결정 구조를 가지는 박막을 성장시키는 기술을 의미합니다. 즉, 이미 잘 만들어진 SiC 웨이퍼 위에 원하는 특성을 가진 얇은 SiC 결정을 덧붙여 쌓아 올리는 과정이라고 할 수 있습니다. 이 과정을 통해 완성된 SiC 에피층은 전류가 흐르는 채널 역할을 하거나, 절연층, 소자 활성층 등 다양한 기능을 수행하며 고성능 SiC 소자의 핵심적인 역할을 담당하게 됩니다. SiC 에피택시 기술의 발달은 곧 SiC 기반 전력 반도체, 조명, 통신 부품 등의 성능 향상 및 상용화 확대로 직결됩니다. SiC 에피택시의 가장 큰 특징은 바로 기판과의 완벽한 결정학적 정합입니다. 이는 에피층 내의 결정 결함을 최소화하고, 소자 작동 시 발생하는 누설 전류나 항복 전압 저하와 같은 문제를 억제하는 데 결정적인 역할을 합니다. 또한, 에피층의 도핑 농도와 분포를 정밀하게 제어함으로써 트랜지스터의 문턱 전압, ON-저항, 항복 전압 등 핵심적인 전기적 특성을 원하는 대로 조절할 수 있습니다. 이는 사용자 정의가 가능한 고성능 반도체 소자 설계의 기반이 됩니다. SiC 에피택시에는 주로 두 가지 주요 기술이 사용됩니다. 첫 번째는 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition, CVD) 방식입니다. CVD 방식은 특정 전구체 가스들을 반응로 내에 주입하여 고온에서 분해 및 화학 반응을 일으킴으로써 기판 표면에 SiC 박막을 형성하는 기술입니다. 이 중에서도 특히 유기금속화학 증착법(Metalorganic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)은 높은 결정성과 균일성을 가진 고품질 SiC 에피층을 성장시키는 데 널리 사용됩니다. MOCVD 방식은 다양한 전구체 가스를 조합하여 성장 조건을 정밀하게 제어할 수 있으며, 도핑 농도 제어 및 다층 구조 성장에도 유리한 특징을 가집니다. 최근에는 실리콘과 탄소의 원료를 함께 공급하는 방식의 최신 MOCVD 장비들이 개발되어 더욱 효율적이고 정밀한 에피 성장을 가능하게 하고 있습니다. 두 번째는 승화법(Sublimation Method) 또는 열 증착법(Thermal Evaporation Method)입니다. 이 방식은 고체 상태의 SiC를 고온에서 승화시켜 기체 상태로 만든 후, 이를 냉각된 기판에 증착하여 결정을 성장시키는 방법입니다. 특히, 고온에서 이루어지는 이 방식은 복잡한 탄화수소 전구체를 사용하지 않아 상대적으로 공정의 단순성을 가지며, 일부 특정 구조의 SiC 에피층 성장에 적합할 수 있습니다. 하지만 CVD 방식에 비해 도핑 제어 및 대면적 균일성 확보에 기술적인 어려움이 따르기도 합니다. SiC 에피택시 기술의 발전은 다양한 분야에서 혁신을 주도하고 있습니다. 전력 전자 분야에서는 고효율, 고내구성 전력 변환 장치 구현에 핵심적인 역할을 합니다. 전기 자동차, 신재생 에너지 시스템, 고속 철도 등에서 사용되는 인버터, 컨버터, 전력 모듈 등은 기존 실리콘 기반 소자에 비해 훨씬 높은 전력 밀도와 효율을 제공하며 에너지 손실을 줄이는 데 크게 기여합니다. 특히, SiC MOSFET, SiC 쇼트키 다이오드 등의 소자는 높은 항복 전압과 낮은 ON-저항으로 인해 기존의 실리콘 소자로 구현하기 어려운 고전압, 고전류 환경에서의 동작을 가능하게 합니다. 또한, SiC 에피택시 기술은 고주파 통신 분야에서도 중요한 응용처를 가집니다. 넓은 밴드갭 특성 덕분에 SiC 기반 소자는 실리콘 소자보다 훨씬 높은 주파수 대역에서 안정적인 동작이 가능합니다. 이는 5G/6G 이동통신 기지국, 위성 통신 시스템, 레이더 시스템 등 고주파 대역에서 높은 성능을 요구하는 분야에 SiC 소자의 적용을 확대시키고 있습니다. SiC FET(Field-Effect Transistor)나 SiC MESFET(MEtal-Semiconductor Field-Effect Transistor) 등은 뛰어난 고주파 특성과 함께 높은 전력 효율을 제공하여 차세대 통신 인프라 구축에 필수적인 기술로 자리매김하고 있습니다. 조명 분야에서도 SiC 에피택시는 중요한 역할을 합니다. SiC는 자체적으로 발광 특성을 가지지는 않지만, GaN(질화갈륨)과 같은 발광 물질을 성장시키기 위한 최적의 기판으로 사용될 수 있습니다. SiC 에피 기판 위에 성장된 고품질 GaN 기반 LED 칩은 기존 사파이어 기판 기반 LED에 비해 더 높은 효율과 긴 수명을 제공합니다. 이는 고휘도, 고효율 LED 조명, 디스플레이 백라이트, 자동차 헤드라이트 등에 적용되어 에너지 절감과 성능 향상에 기여하고 있습니다. SiC 에피택시 기술은 끊임없이 발전하고 있으며, 관련 기술 또한 지속적으로 진화하고 있습니다. 고품질의 SiC 에피층을 성장시키기 위해서는 결정 성장 조건, 전구체 가스의 종류 및 농도, 반응 온도 및 압력, 기판의 결정각 등 다양한 변수들에 대한 정밀한 제어가 요구됩니다. 또한, 성장된 에피층의 품질을 평가하고 분석하기 위한 다양한 표면 분석 기술과 전기적 특성 측정 기술도 중요하게 작용합니다. 예를 들어, 원자간력 현미경(AFM)을 이용한 표면 형상 분석, X선 회절 분석(XRD)을 통한 결정 품질 평가, 커플링된 플라즈마 원자 방출 분광법(ICP-AES) 등을 이용한 불순물 분석 등이 에피택시 공정 최적화 및 품질 관리에 필수적입니다. 최근에는 SiC 에피택시 공정의 생산성 향상과 비용 절감을 위한 연구도 활발히 진행되고 있습니다. 대구경 SiC 웨이퍼를 사용할 수 있도록 하는 기술, 에피 성장 속도를 높이면서도 결정 품질을 유지하는 기술, 그리고 에피 성장 공정의 재현성과 신뢰성을 높이는 기술 등이 중요한 연구 개발 분야입니다. 또한, 특정 소자 구조에 최적화된 에피층 설계 및 성장 기술, 예를 들어 높은 전류 밀도를 견딜 수 있는 채널층 성장이나 특정 전압 강하 특성을 얻기 위한 도핑 농도 분포 제어 기술 등도 더욱 발전하고 있습니다. 결론적으로, SiC 에피택시는 SiC 반도체 소자의 성능을 결정짓는 핵심 기술로서, 고효율 전력 전자, 차세대 통신, 고성능 조명 등 다양한 첨단 산업 분야에서 그 중요성이 날로 증대되고 있습니다. 지속적인 기술 개발과 혁신을 통해 SiC 에피택시는 미래 전자 산업의 발전을 이끌어가는 중요한 동력이 될 것입니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 SiC 에피택시 시장예측 2024-2030] (코드 : MONT2407F47121) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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