| ■ 영문 제목 : Radiation-Hardened Electronics Market, Global Outlook and Forecast 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : MONT2407F43614 ■ 조사/발행회사 : Market Monitor Global ■ 발행일 : 2024년 5월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
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본 조사 보고서는 현재 동향, 시장 역학 및 미래 전망에 초점을 맞춰, 방사선 강화 전자 장치 시장에 대한 포괄적인 분석을 제공합니다. 본 보고서는 북미, 유럽, 아시아 태평양 및 신흥 시장과 같은 주요 지역을 포함한 전 세계 방사선 강화 전자 장치 시장을 대상으로 합니다. 또한 방사선 강화 전자 장치의 성장을 주도하는 주요 요인, 업계가 직면한 과제 및 시장 참여자를 위한 잠재적 기회도 기재합니다.
글로벌 방사선 강화 전자 장치 시장은 최근 몇 년 동안 환경 문제, 정부 인센티브 및 기술 발전의 증가로 인해 급속한 성장을 목격했습니다. 방사선 강화 전자 장치 시장은 우주 (위성), 항공 우주 및 방위, 원자력 발전소를 포함한 다양한 이해 관계자에게 기회를 제공합니다. 민간 부문과 정부 간의 협력은 방사선 강화 전자 장치 시장에 대한 지원 정책, 연구 개발 노력 및 투자를 가속화 할 수 있습니다. 또한 증가하는 소비자 수요는 시장 확장의 길을 제시합니다.
글로벌 방사선 강화 전자 장치 시장은 2023년에 미화 XXX백만 달러로 조사되었으며 2030년까지 미화 XXX백만 달러에 도달할 것으로 예상되며, 예측 기간 동안 XXX%의 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다.
[주요 특징]
방사선 강화 전자 장치 시장에 대한 조사 보고서에는 포괄적인 통찰력을 제공하고 이해 관계자의 의사 결정을 용이하게하는 몇 가지 주요 항목이 포함되어 있습니다.
요약 : 본 보고서는 방사선 강화 전자 장치 시장의 주요 결과, 시장 동향 및 주요 통찰력에 대한 개요를 제공합니다.
시장 개요: 본 보고서는 방사선 강화 전자 장치 시장의 정의, 역사적 추이, 현재 시장 규모를 포함한 포괄적인 개요를 제공합니다. 종류(예: 설계용 방사선 강화 (RHBD), 공정용 방사선 강화 (RHBP)), 지역 및 용도별로 시장을 세분화하여 각 세그먼트 내의 주요 동인, 과제 및 기회를 중점적으로 다룹니다.
시장 역학: 본 보고서는 방사선 강화 전자 장치 시장의 성장과 발전을 주도하는 시장 역학을 분석합니다. 본 보고서에는 정부 정책 및 규정, 기술 발전, 소비자 동향 및 선호도, 인프라 개발, 업계 협력에 대한 평가가 포함되어 있습니다. 이 분석은 이해 관계자가 방사선 강화 전자 장치 시장의 궤적에 영향을 미치는 요인을 이해하는데 도움이됩니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 방사선 강화 전자 장치 시장내 경쟁 환경에 대한 심층 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 시장 플레이어의 프로필, 시장 점유율, 전략, 제품 포트폴리오 및 최근 동향이 포함됩니다.
시장 세분화 및 예측: 본 보고서는 종류, 지역 및 용도와 같은 다양한 매개 변수를 기반으로 방사선 강화 전자 장치 시장을 세분화합니다. 정량적 데이터 및 분석을 통해 각 세그먼트의 시장 규모와 성장 예측을 제공합니다. 이를 통해 이해 관계자가 성장 기회를 파악하고 정보에 입각한 투자 결정을 내릴 수 있습니다.
기술 동향: 본 보고서는 주요기술의 발전과 새로운 대체품 등 방사선 강화 전자 장치 시장을 형성하는 주요 기술 동향을 강조합니다. 이러한 트렌드가 시장 성장, 채택률, 소비자 선호도에 미치는 영향을 분석합니다.
시장 과제와 기회: 본 보고서는 기술적 병목 현상, 비용 제한, 높은 진입 장벽 등 방사선 강화 전자 장치 시장이 직면한 주요 과제를 파악하고 분석합니다. 또한 정부 인센티브, 신흥 시장, 이해관계자 간의 협업 등 시장 성장의 기회에 대해서도 강조합니다.
규제 및 정책 분석: 본 보고서는 정부 인센티브, 배출 기준, 인프라 개발 계획 등 방사선 강화 전자 장치에 대한 규제 및 정책 환경을 평가합니다. 이러한 정책이 시장 성장에 미치는 영향을 분석하고 향후 규제 동향에 대한 인사이트를 제공합니다.
권장 사항 및 결론: 본 보고서는 소비자, 정책 입안자, 투자자, 인프라 제공업체 등 이해관계자를 위한 실행 가능한 권고 사항으로 마무리합니다. 이러한 권장 사항은 조사 결과를 바탕으로 방사선 강화 전자 장치 시장의 주요 과제와 기회를 해결할 수 있습니다.
참고 데이터 및 부록: 보고서에는 분석 및 조사 결과를 입증하기 위한 보조 데이터, 차트, 그래프가 포함되어 있습니다. 또한 데이터 소스, 설문조사, 상세한 시장 예측과 같은 추가 세부 정보가 담긴 부록도 포함되어 있습니다.
[시장 세분화]
방사선 강화 전자 장치 시장은 종류별 및 용도별로 세분화됩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
■ 종류별 시장 세그먼트
– 설계용 방사선 강화 (RHBD), 공정용 방사선 강화 (RHBP)
■ 용도별 시장 세그먼트
– 우주 (위성), 항공 우주 및 방위, 원자력 발전소
■ 지역별 및 국가별 글로벌 방사선 강화 전자 장치 시장 점유율, 2023년(%)
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 아시아 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도)
– 남미 (브라질, 아르헨티나)
– 중동 및 아프리카 (터키, 이스라엘, 사우디 아라비아, UAE)
■ 주요 업체
– Honeywell Aerospace, Bae Systems, Texas Instruments, STMicroelectronics, Atmel, Microchip Technology, Xilinx, Cobham, VPT, Data Device Corporation, Analog Devices, Ridgetop, Vorago Technologies
[주요 챕터의 개요]
1 장 : 방사선 강화 전자 장치의 정의, 시장 개요를 소개
2 장 : 매출 및 판매량을 기준으로한 글로벌 방사선 강화 전자 장치 시장 규모
3 장 : 방사선 강화 전자 장치 제조업체 경쟁 환경, 가격, 판매량 및 매출 시장 점유율, 최신 동향, M&A 정보 등에 대한 자세한 분석
4 장 : 종류별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
5 장 : 용도별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
6 장 : 지역 및 국가별 방사선 강화 전자 장치 판매량. 각 지역 및 주요 국가의 시장 규모와 성장 잠재력에 대한 정량적 분석을 제공. 세계 각국의 시장 개발, 향후 개발 전망, 시장 기회을 소개
7 장 : 주요 업체의 프로필을 제공. 제품 판매, 매출, 가격, 총 마진, 제품 소개, 최근 동향 등 시장 내 주요 업체의 기본 상황을 자세히 소개
8 장 : 지역별 및 국가별 글로벌 방사선 강화 전자 장치 시장규모
9 장 : 시장 역학, 시장의 최신 동향, 시장의 추진 요인 및 제한 요인, 업계내 업체가 직면한 과제 및 리스크, 업계의 관련 정책 분석을 소개
10 장 : 산업의 업 스트림 및 다운 스트림을 포함한 산업 체인 분석
11 장 : 보고서의 주요 요점 및 결론
※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.
■ 보고서 목차1. 조사 및 분석 보고서 소개 2. 글로벌 방사선 강화 전자 장치 전체 시장 규모 3. 기업 환경 4. 종류별 시장 분석 5. 용도별 시장 분석 6. 지역별 시장 분석 7. 제조업체 및 브랜드 프로필 Honeywell Aerospace, Bae Systems, Texas Instruments, STMicroelectronics, Atmel, Microchip Technology, Xilinx, Cobham, VPT, Data Device Corporation, Analog Devices, Ridgetop, Vorago Technologies Honeywell Aerospace Bae Systems Texas Instruments 8. 글로벌 방사선 강화 전자 장치 생산 능력 분석 9. 주요 시장 동향, 기회, 동인 및 제약 요인 10. 방사선 강화 전자 장치 공급망 분석 11. 결론 [그림 목록]- 종류별 방사선 강화 전자 장치 세그먼트, 2023년 - 용도별 방사선 강화 전자 장치 세그먼트, 2023년 - 글로벌 방사선 강화 전자 장치 시장 개요, 2023년 - 글로벌 방사선 강화 전자 장치 시장 규모: 2023년 VS 2030년 - 글로벌 방사선 강화 전자 장치 매출, 2019-2030 - 글로벌 방사선 강화 전자 장치 판매량: 2019-2030 - 방사선 강화 전자 장치 매출 기준 상위 3개 및 5개 업체 시장 점유율, 2023년 - 글로벌 종류별 방사선 강화 전자 장치 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 종류별 방사선 강화 전자 장치 매출 시장 점유율 - 글로벌 종류별 방사선 강화 전자 장치 판매량 시장 점유율 - 글로벌 종류별 방사선 강화 전자 장치 가격 - 글로벌 용도별 방사선 강화 전자 장치 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 용도별 방사선 강화 전자 장치 매출 시장 점유율 - 글로벌 용도별 방사선 강화 전자 장치 판매량 시장 점유율 - 글로벌 용도별 방사선 강화 전자 장치 가격 - 지역별 방사선 강화 전자 장치 매출, 2023년 VS 2030년 - 지역별 방사선 강화 전자 장치 매출 시장 점유율 - 지역별 방사선 강화 전자 장치 매출 시장 점유율 - 지역별 방사선 강화 전자 장치 판매량 시장 점유율 - 북미 국가별 방사선 강화 전자 장치 매출 시장 점유율 - 북미 국가별 방사선 강화 전자 장치 판매량 시장 점유율 - 미국 방사선 강화 전자 장치 시장규모 - 캐나다 방사선 강화 전자 장치 시장규모 - 멕시코 방사선 강화 전자 장치 시장규모 - 유럽 국가별 방사선 강화 전자 장치 매출 시장 점유율 - 유럽 국가별 방사선 강화 전자 장치 판매량 시장 점유율 - 독일 방사선 강화 전자 장치 시장규모 - 프랑스 방사선 강화 전자 장치 시장규모 - 영국 방사선 강화 전자 장치 시장규모 - 이탈리아 방사선 강화 전자 장치 시장규모 - 러시아 방사선 강화 전자 장치 시장규모 - 아시아 지역별 방사선 강화 전자 장치 매출 시장 점유율 - 아시아 지역별 방사선 강화 전자 장치 판매량 시장 점유율 - 중국 방사선 강화 전자 장치 시장규모 - 일본 방사선 강화 전자 장치 시장규모 - 한국 방사선 강화 전자 장치 시장규모 - 동남아시아 방사선 강화 전자 장치 시장규모 - 인도 방사선 강화 전자 장치 시장규모 - 남미 국가별 방사선 강화 전자 장치 매출 시장 점유율 - 남미 국가별 방사선 강화 전자 장치 판매량 시장 점유율 - 브라질 방사선 강화 전자 장치 시장규모 - 아르헨티나 방사선 강화 전자 장치 시장규모 - 중동 및 아프리카 국가별 방사선 강화 전자 장치 매출 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 국가별 방사선 강화 전자 장치 판매량 시장 점유율 - 터키 방사선 강화 전자 장치 시장규모 - 이스라엘 방사선 강화 전자 장치 시장규모 - 사우디 아라비아 방사선 강화 전자 장치 시장규모 - 아랍에미리트 방사선 강화 전자 장치 시장규모 - 글로벌 방사선 강화 전자 장치 생산 능력 - 지역별 방사선 강화 전자 장치 생산량 비중, 2023년 VS 2030년 - 방사선 강화 전자 장치 산업 가치 사슬 - 마케팅 채널 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 방사선 강화 전자 장치(Radiation-Hardened Electronics)는 우주 공간이나 원자력 발전소와 같이 고농도의 방사선 환경에 노출되는 조건에서도 안정적으로 기능하도록 특별히 설계 및 제작된 전자 부품 및 시스템을 의미합니다. 이러한 장치들은 일반적인 전자 장치가 방사선에 의해 발생하는 다양한 문제를 극복하기 위해 특별한 설계 기법과 재료를 적용합니다. 방사선이 전자 장치에 미치는 영향은 크게 두 가지로 나눌 수 있습니다. 첫째는 총 이온화량(Total Ionizing Dose, TID)으로 인한 영향입니다. 고에너지 입자나 광자가 반도체 물질을 통과하면서 전자-정공 쌍을 생성하는데, 이 중에서 전하 운반자(주로 전자)가 절연층 내에 포획되면 문턱 전압 변화나 누설 전류 증가와 같은 특성 변화를 야기합니다. 시간이 지남에 따라 이러한 특성 변화가 누적되면 장치의 성능 저하 또는 오작동을 초래합니다. 둘째는 단일 사건 효과(Single Event Effects, SEE)로, 고에너지 입자 하나가 반도체 소자의 특정 지점을 통과하면서 일시적인 또는 영구적인 오류를 발생시키는 현상입니다. 단일 사건 효과는 단일 사건 업셋(Single Event Upset, SEU)과 같이 메모리 비트를 잘못 읽거나 쓰게 만드는 일시적인 오류부터, 단일 사건 번업(Single Event Burnout, SEB) 또는 단일 사건 파괴(Single Event Latchup, SEL)와 같이 소자를 영구적으로 손상시키는 치명적인 오류까지 다양합니다. 방사선 강화 전자 장치의 주요 특징은 높은 신뢰성과 내방사선성을 갖는다는 것입니다. 이를 위해 반도체 소자 제작 공정 및 설계 단계에서부터 방사선에 대한 취약점을 최소화하는 다양한 방법들이 적용됩니다. 예를 들어, 실리콘 산화물(SiO2) 절연층 대신 질화 실리콘(Si3N4)과 같은 내방사선성이 우수한 절연 물질을 사용하거나, 절연층의 두께를 조절하고, 소자 구조를 단순화하는 등의 방법을 사용할 수 있습니다. 또한, 방사선에 덜 민감한 CMOS 공정이나 심지어 갈륨비소(GaAs)와 같은 화합물 반도체를 사용하기도 합니다. 칩 레벨에서는 라디에이션 하드닝 기법이 적용된 설계로 소자 자체의 내성을 높이는 동시에, 오류 검출 및 복구 메커니즘을 내장하여 단일 사건 효과에 대한 시스템의 강건성을 확보하기도 합니다. 이러한 노력들을 통해 방사선 강화 전자 장치는 일반 전자 장치가 수만 라드(rad) 또는 수백 킬로라드(krad) 이상의 방사선에 노출되었을 때 기능 저하를 겪는 것과 달리, 메가라드(Mrad) 이상의 극한 환경에서도 일정 수준 이상의 성능을 유지할 수 있습니다. 방사선 강화 전자 장치는 크게 기능적 관점과 구조적 관점에서 분류될 수 있습니다. 기능적 관점에서는 방사선으로 인한 **총 이온화량(TID)에 강건한(TID-Hardened)** 부품과 **단일 사건 효과(SEE)에 강건한(SEE-Hardened)** 부품으로 구분할 수 있습니다. TID-Hardened 부품은 앞서 언급한 절연층의 전하 축적이나 문턱 전압 변화에 대한 내성을 높이는 데 중점을 둡니다. SEE-Hardened 부품은 단일 사건 효과, 특히 SEU나 SEL과 같은 치명적인 오류 발생 가능성을 줄이기 위한 설계 기술이 적용됩니다. 구조적 관점에서는 **라디에이션 하드닝된(Radiation-Hardened)** 부품과 **라디에이션 내성(Radiation-Tolerant)** 부품으로 나눌 수도 있습니다. 라디에이션 하드닝된 부품은 특정 방사선 환경에서 요구되는 수준 이상의 성능을 보장하도록 설계 및 제작된 고가의 부품이며, 일반적으로 우주 항공 및 국방 분야에서 필수적으로 사용됩니다. 반면, 라디에이션 내성 부품은 상용 부품을 기반으로 일부 공정 개선이나 설계 수정을 통해 방사선 내성을 약간 향상시킨 것으로, 상대적으로 낮은 수준의 방사선 환경에 적용 가능하거나 허용 가능한 성능 저하를 감수하는 경우에 사용됩니다. 방사선 강화 전자 장치의 적용 분야는 매우 다양합니다. 가장 대표적인 분야는 **우주 항공**입니다. 우주선, 인공위성, 행성 탐사선 등은 지구 자기권의 보호를 벗어나 태양풍, 우주선(cosmic rays)과 같은 고에너지 입자에 직접 노출됩니다. 이러한 환경에서 위성이나 탐사선의 컴퓨터, 통신 장비, 센서 등은 방사선으로 인한 오작동이나 파손 없이 안정적으로 임무를 수행해야 합니다. 따라서 우주용 전자 부품은 대부분 방사선 강화 기술이 적용됩니다. 또한, **원자력 산업**에서도 방사선 강화 전자 장치의 중요성이 큽니다. 원자력 발전소 내부의 제어 시스템, 감시 장치, 안전 관련 시스템 등은 높은 수준의 방사선 환경에 놓여 있으므로, 이러한 환경에서도 신뢰성 있는 작동을 보장하기 위해 방사선 강화 기술이 필수적입니다. 이 외에도 **국방 분야**에서는 핵전쟁 시 EMP(전자기 펄스) 공격이나 방사능 낙진 환경으로부터 전자 장치를 보호하기 위해, 그리고 **입자 가속기**나 **핵융합 연구 시설** 등에서도 고에너지 입자 실험 장치의 제어 및 데이터 수집을 위해 방사선 강화 전자 장치가 활용됩니다. 관련 기술로는 앞서 언급한 재료 및 공정 개선 외에도 여러 가지가 있습니다. 첫째는 **회복 가능한(recoverable) 단일 사건 효과**를 줄이기 위한 기법입니다. 예를 들어, 집적 회로 설계 시 위상 비트 오류를 자체적으로 감지하고 수정하는 ECC(Error Correction Code) 기능을 내장하거나, 오류 발생 시 시스템을 초기 상태로 복구하는 메커니즘을 적용할 수 있습니다. 또한, 단일 사건 오작동(Latchup)을 방지하기 위해 소자 간의 간격을 넓히거나, 민감한 영역에 보호 회로를 추가하는 기법도 사용됩니다. 둘째는 **단일 사건 둔감화(Single Event Hardening)** 기법입니다. 특정 반도체 공정에서 단일 사건 효과에 취약한 부분을 식별하고, 이러한 취약성을 완화하기 위해 트랜지스터의 크기를 조절하거나, 게이트 절연막을 두껍게 하는 등의 설계 변경을 수행합니다. 셋째는 **방사선 감쇠 재료**를 사용하여 소자를 물리적으로 차폐하는 방법입니다. 고밀도 물질이나 특수 코팅을 사용하여 소자에 도달하는 방사선의 양을 줄이는 방식이며, 특정 응용 분야에서는 효과적인 접근 방식이 될 수 있습니다. 결론적으로 방사선 강화 전자 장치는 극한의 방사선 환경에서 필수적인 신뢰성과 성능을 제공하는 핵심 기술이며, 첨단 과학기술 발전에 지속적으로 기여하고 있습니다. 이러한 장치의 개발과 적용은 우주 탐험의 지평을 넓히고, 안전하고 효율적인 원자력 에너지 활용을 가능하게 하며, 국가 안보를 강화하는 데 중요한 역할을 하고 있습니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 방사선 강화 전자 장치 시장예측 2024-2030] (코드 : MONT2407F43614) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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