| ■ 영문 제목 : Global GaN Based Power Device Market Growth 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : LPI2407D22028 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2024년 5월 (2025년 또는 2026년) 갱신판이 있습니다. 문의주세요. ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
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LP Information (LPI)사의 최신 조사에 따르면, 글로벌 GaN 기반 전원 장치 시장 규모는 2023년에 미화 XXX백만 달러로 산출되었습니다. 다운 스트림 시장의 수요가 증가함에 따라 GaN 기반 전원 장치은 조사 대상 기간 동안 XXX%의 CAGR(연평균 성장율)로 2030년까지 미화 XXX백만 달러의 시장규모로 예상됩니다.
본 조사 보고서는 글로벌 GaN 기반 전원 장치 시장의 성장 잠재력을 강조합니다. GaN 기반 전원 장치은 향후 시장에서 안정적인 성장을 보일 것으로 예상됩니다. 그러나 제품 차별화, 비용 절감 및 공급망 최적화는 GaN 기반 전원 장치의 광범위한 채택을 위해 여전히 중요합니다. 시장 참여자들은 연구 개발에 투자하고, 전략적 파트너십을 구축하고, 진화하는 소비자 선호도에 맞춰 제품을 제공함으로써 GaN 기반 전원 장치 시장이 제공하는 막대한 기회를 활용해야 합니다.
[주요 특징]
GaN 기반 전원 장치 시장에 대한 보고서는 다양한 측면을 반영하고 업계에 대한 소중한 통찰력을 제공합니다.
시장 규모 및 성장: 본 조사 보고서는 GaN 기반 전원 장치 시장의 현재 규모와 성장에 대한 개요를 제공합니다. 여기에는 과거 데이터, 유형별 시장 세분화 (예 : 전원, RF 전원) 및 지역 분류가 포함될 수 있습니다.
시장 동인 및 과제: 본 보고서는 정부 규제, 환경 문제, 기술 발전 및 소비자 선호도 변화와 같은 GaN 기반 전원 장치 시장의 성장을 주도하는 요인을 식별하고 분석 할 수 있습니다. 또한 인프라 제한, 범위 불안, 높은 초기 비용 등 업계가 직면한 과제를 강조할 수 있습니다.
경쟁 환경: 본 조사 보고서는 GaN 기반 전원 장치 시장 내 경쟁 환경에 대한 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 업체의 프로필, 시장 점유율, 전략 및 제공 제품이 포함됩니다. 본 보고서는 또한 신흥 플레이어와 시장에 대한 잠재적 영향을 강조할 수 있습니다.
기술 개발: 본 조사 보고서는 GaN 기반 전원 장치 산업의 최신 기술 개발에 대해 자세히 살펴볼 수 있습니다. 여기에는 GaN 기반 전원 장치 기술의 발전, GaN 기반 전원 장치 신규 진입자, GaN 기반 전원 장치 신규 투자, 그리고 GaN 기반 전원 장치의 미래를 형성하는 기타 혁신이 포함됩니다.
다운스트림 고객 선호도: 본 보고서는 GaN 기반 전원 장치 시장의 고객 구매 행동 및 채택 동향을 조명할 수 있습니다. 여기에는 고객의 구매 결정에 영향을 미치는 요인, GaN 기반 전원 장치 제품에 대한 선호도가 포함됩니다.
정부 정책 및 인센티브: 본 조사 보고서는 정부 정책 및 인센티브가 GaN 기반 전원 장치 시장에 미치는 영향을 분석합니다. 여기에는 규제 프레임워크, 보조금, 세금 인센티브 및 GaN 기반 전원 장치 시장을 촉진하기위한 기타 조치에 대한 평가가 포함될 수 있습니다. 본 보고서는 또한 이러한 정책이 시장 성장을 촉진하는데 미치는 효과도 분석합니다.
환경 영향 및 지속 가능성: 조사 보고서는 GaN 기반 전원 장치 시장의 환경 영향 및 지속 가능성 측면을 분석합니다.
시장 예측 및 미래 전망: 수행된 분석을 기반으로 본 조사 보고서는 GaN 기반 전원 장치 산업에 대한 시장 예측 및 전망을 제공합니다. 여기에는 시장 규모, 성장률, 지역 동향, 기술 발전 및 정책 개발에 대한 예측이 포함됩니다.
권장 사항 및 기회: 본 보고서는 업계 이해 관계자, 정책 입안자, 투자자를 위한 권장 사항으로 마무리됩니다. 본 보고서는 시장 참여자들이 새로운 트렌드를 활용하고, 도전 과제를 극복하며, GaN 기반 전원 장치 시장의 성장과 발전에 기여할 수 있는 잠재적 기회를 강조합니다.
[시장 세분화]
GaN 기반 전원 장치 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 수량 및 금액 측면에서 제공합니다.
*** 종류별 세분화 ***
전원, RF 전원
*** 용도별 세분화 ***
통신, 자동차, 재생 에너지, 소비자/기업, 항공 우주/방위, 의료
본 보고서는 또한 시장을 지역별로 분류합니다:
– 미주 (미국, 캐나다, 멕시코, 브라질)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 호주)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 중동 및 아프리카 (이집트, 남아프리카 공화국, 이스라엘, 터키, GCC 국가)
아래 프로파일링 대상 기업은 주요 전문가로부터 수집한 정보를 바탕으로 해당 기업의 서비스 범위, 제품 포트폴리오, 시장 점유율을 분석하여 선정되었습니다.
Cree (US), Qorvo (US), MACOM (US), Microchip Technology, Analog Devices US), Efficient Power Conversion (US), Integra Technologies (US), Transphorm (US), Navitas Semiconductor (US), Texas Instruments (US), Sumitomo Electric (Japan), Northrop Grumman Corporation (US), Qromis (US), Polyfet (US), TOSHIBA (Japan), Sumitomo Electric (Japan)
[본 보고서에서 다루는 주요 질문]
– 글로벌 GaN 기반 전원 장치 시장의 향후 10년 전망은 어떻게 될까요?
– 전 세계 및 지역별 GaN 기반 전원 장치 시장 성장을 주도하는 요인은 무엇입니까?
– 시장과 지역별로 가장 빠르게 성장할 것으로 예상되는 분야는 무엇인가요?
– 최종 시장 규모에 따라 GaN 기반 전원 장치 시장 기회는 어떻게 다른가요?
– GaN 기반 전원 장치은 종류, 용도를 어떻게 분류합니까?
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■ 보고서 목차■ 보고서의 범위 ■ 보고서의 요약 ■ 기업별 세계 GaN 기반 전원 장치 시장분석 ■ 지역별 GaN 기반 전원 장치에 대한 추이 분석 ■ 미주 시장 ■ 아시아 태평양 시장 ■ 유럽 시장 ■ 중동 및 아프리카 시장 ■ 시장 동인, 도전 과제 및 동향 ■ 제조 비용 구조 분석 ■ 마케팅, 유통업체 및 고객 ■ 지역별 GaN 기반 전원 장치 시장 예측 ■ 주요 기업 분석 Cree (US), Qorvo (US), MACOM (US), Microchip Technology, Analog Devices US), Efficient Power Conversion (US), Integra Technologies (US), Transphorm (US), Navitas Semiconductor (US), Texas Instruments (US), Sumitomo Electric (Japan), Northrop Grumman Corporation (US), Qromis (US), Polyfet (US), TOSHIBA (Japan), Sumitomo Electric (Japan) – Cree (US) – Qorvo (US) – MACOM (US) ■ 조사 결과 및 결론 [그림 목록]GaN 기반 전원 장치 이미지 GaN 기반 전원 장치 판매량 성장률 (2019-2030) 글로벌 GaN 기반 전원 장치 매출 성장률 (2019-2030) 지역별 GaN 기반 전원 장치 매출 (2019, 2023 및 2030) 글로벌 종류별 GaN 기반 전원 장치 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 종류별 GaN 기반 전원 장치 매출 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 용도별 GaN 기반 전원 장치 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 용도별 GaN 기반 전원 장치 매출 시장 점유율 기업별 GaN 기반 전원 장치 판매량 시장 2023 기업별 글로벌 GaN 기반 전원 장치 판매량 시장 점유율 2023 기업별 GaN 기반 전원 장치 매출 시장 2023 기업별 글로벌 GaN 기반 전원 장치 매출 시장 점유율 2023 지역별 글로벌 GaN 기반 전원 장치 판매량 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 GaN 기반 전원 장치 매출 시장 점유율 2023 미주 GaN 기반 전원 장치 판매량 (2019-2024) 미주 GaN 기반 전원 장치 매출 (2019-2024) 아시아 태평양 GaN 기반 전원 장치 판매량 (2019-2024) 아시아 태평양 GaN 기반 전원 장치 매출 (2019-2024) 유럽 GaN 기반 전원 장치 판매량 (2019-2024) 유럽 GaN 기반 전원 장치 매출 (2019-2024) 중동 및 아프리카 GaN 기반 전원 장치 판매량 (2019-2024) 중동 및 아프리카 GaN 기반 전원 장치 매출 (2019-2024) 미국 GaN 기반 전원 장치 시장규모 (2019-2024) 캐나다 GaN 기반 전원 장치 시장규모 (2019-2024) 멕시코 GaN 기반 전원 장치 시장규모 (2019-2024) 브라질 GaN 기반 전원 장치 시장규모 (2019-2024) 중국 GaN 기반 전원 장치 시장규모 (2019-2024) 일본 GaN 기반 전원 장치 시장규모 (2019-2024) 한국 GaN 기반 전원 장치 시장규모 (2019-2024) 동남아시아 GaN 기반 전원 장치 시장규모 (2019-2024) 인도 GaN 기반 전원 장치 시장규모 (2019-2024) 호주 GaN 기반 전원 장치 시장규모 (2019-2024) 독일 GaN 기반 전원 장치 시장규모 (2019-2024) 프랑스 GaN 기반 전원 장치 시장규모 (2019-2024) 영국 GaN 기반 전원 장치 시장규모 (2019-2024) 이탈리아 GaN 기반 전원 장치 시장규모 (2019-2024) 러시아 GaN 기반 전원 장치 시장규모 (2019-2024) 이집트 GaN 기반 전원 장치 시장규모 (2019-2024) 남아프리카 GaN 기반 전원 장치 시장규모 (2019-2024) 이스라엘 GaN 기반 전원 장치 시장규모 (2019-2024) 터키 GaN 기반 전원 장치 시장규모 (2019-2024) GCC 국가 GaN 기반 전원 장치 시장규모 (2019-2024) GaN 기반 전원 장치의 제조 원가 구조 분석 GaN 기반 전원 장치의 제조 공정 분석 GaN 기반 전원 장치의 산업 체인 구조 GaN 기반 전원 장치의 유통 채널 글로벌 지역별 GaN 기반 전원 장치 판매량 시장 전망 (2025-2030) 글로벌 지역별 GaN 기반 전원 장치 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 GaN 기반 전원 장치 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 GaN 기반 전원 장치 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 GaN 기반 전원 장치 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 GaN 기반 전원 장치 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 ## 질화 갈륨(GaN) 기반 전원 장치의 이해 질화 갈륨(GaN) 기반 전원 장치는 기존의 실리콘(Si) 기반 전력 반도체를 대체할 차세대 기술로 주목받고 있습니다. GaN은 실리콘보다 훨씬 뛰어난 전자 이동도와 항복 전압 특성을 지녀, 전력 변환 효율을 극대화하고 소형화 및 경량화를 가능하게 하는 핵심 소재입니다. 이러한 장점들을 바탕으로 GaN 전원 장치는 스마트폰 충전기부터 전기 자동차, 데이터 센터에 이르기까지 다양한 분야에서 혁신을 이끌고 있습니다. GaN 기반 전원 장치의 가장 근본적인 개념은 실리콘 대신 질화 갈륨이라는 화합물 반도체를 사용하여 전력 변환을 수행하는 것입니다. 질화 갈륨은 주기율표에서 3족 원소인 갈륨(Ga)과 15족 원소인 질소(N)가 결합한 화합물 반도체로, 뛰어난 전기적, 열적 특성을 지니고 있습니다. 이러한 특성은 GaN 전원 장치가 기존 실리콘 기반 전력 소자 대비 여러 가지 이점을 제공하는 원동력이 됩니다. GaN 전원 장치의 핵심적인 특징 중 하나는 바로 **뛰어난 전자 이동도**입니다. 전력 반도체에서 전자의 이동도는 전하 캐리어가 얼마나 빠르게 이동할 수 있는지를 나타내는 지표이며, 이는 소자의 스위칭 속도와 관련이 깊습니다. GaN은 실리콘보다 약 3배 이상 높은 전자 이동도를 가지고 있어, 훨씬 빠른 속도로 스위칭이 가능합니다. 이는 전력 변환 과정에서 발생하는 손실을 줄여 효율을 높이는 데 결정적인 역할을 합니다. 또한, 빠른 스위칭 속도는 전력 변환 회로의 전체적인 크기를 줄이는 데에도 기여합니다. 스위칭 주파수가 높아지면 필요한 수동 소자(인덕터, 커패시터 등)의 크기를 줄일 수 있기 때문입니다. 두 번째로 중요한 특징은 **높은 항복 전압**입니다. 항복 전압은 반도체 소자가 견딜 수 있는 최대 전압을 의미합니다. GaN은 실리콘보다 약 10배 높은 항복 전압을 가지므로, 동일한 전압을 처리하기 위해 더 얇은 채널 두께를 사용하거나, 더 높은 전압에서도 안정적으로 동작할 수 있습니다. 이는 전력 장치의 내구성을 향상시키고, 더 높은 전력 밀도를 구현하는 데 유리합니다. 특히 고전압 애플리케이션에서 GaN의 장점은 더욱 두드러집니다. 세 번째 특징은 **우수한 열 특성**입니다. GaN은 높은 열 전도성을 가지고 있어, 전력 변환 시 발생하는 열을 효과적으로 방출할 수 있습니다. 이는 소자의 온도 상승을 억제하여 신뢰성을 높이고, 고온 환경에서도 안정적으로 작동할 수 있도록 합니다. 또한, 열 방출이 용이하다는 것은 추가적인 방열 부품의 필요성을 줄여 시스템 전체의 소형화 및 경량화에 기여합니다. 이러한 뛰어난 전기적 및 열적 특성을 바탕으로 GaN 기반 전원 장치는 다양한 형태로 구현될 수 있습니다. 주요 종류로는 **GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)**와 **GaN SBD(Schottky Barrier Diode)** 등이 있습니다. **GaN HEMT**는 GaN의 높은 전자 이동도를 활용한 수직 또는 수평 구조의 전계 효과 트랜지스터입니다. 주로 두 개의 GaN 기반 물질(예: GaN/AlGaN 헤테로 구조)을 접합하여 만들어지며, 계면에서 형성되는 2차원 전자 가스(2DEG, two-dimensional electron gas)를 통해 높은 전류를 흘릴 수 있습니다. GaN HEMT는 매우 낮은 온-저항(on-resistance)과 빠른 스위칭 속도를 제공하여 고효율 전력 변환 애플리케이션에 주로 사용됩니다. 특히 충전기, DC-DC 컨버터, 인버터 등 다양한 전력 변환 회로에서 스위칭 소자로 각광받고 있습니다. **GaN SBD**는 GaN과 금속 간의 쇼트키 접합을 이용하여 구현되는 다이오드입니다. 실리콘 기반 PN 접합 다이오드 대비 매우 낮은 순방향 전압 강하와 빠른 회복 시간을 특징으로 합니다. 이는 전력 변환 회로에서 전류 방향을 제어하는 정류기(rectifier) 역할을 하며, 전력 손실을 줄이고 효율을 높이는 데 기여합니다. GaN 기반 전원 장치의 용도는 매우 광범위합니다. **개인용 전자기기 분야**에서는 스마트폰, 노트북, 태블릿 PC 등의 고속 충전기에서 핵심적인 역할을 합니다. GaN 충전기는 기존 실리콘 충전기 대비 훨씬 작고 가벼우면서도 높은 전력을 효율적으로 전달할 수 있습니다. 이는 휴대성과 편리성을 크게 향상시키는 요소입니다. 또한, 무선 충전기나 고속 충전 솔루션에서도 GaN 기술이 적용되어 효율성과 속도를 높이고 있습니다. **자동차 산업**에서도 GaN 전원 장치의 적용이 확대되고 있습니다. 전기 자동차(EV)의 온보드 충전기(OBC, On-Board Charger), DC-DC 컨버터, 모터 드라이브 시스템 등에 GaN이 사용되어 전력 변환 효율을 높이고 시스템의 부피와 무게를 줄여 전체적인 연비 향상에 기여합니다. 특히, 고전압 시스템에서 GaN의 장점은 더욱 부각됩니다. 또한, 전기 자동차의 배터리 관리 시스템(BMS, Battery Management System)에서도 GaN 기반 솔루션이 적용될 수 있습니다. **데이터 센터 및 서버 분야**에서도 GaN은 중요한 역할을 합니다. 서버 전원 공급 장치(PSU, Power Supply Unit)의 효율을 높여 전력 소비를 절감하고 발열을 줄이는 데 기여합니다. 이는 운영 비용 절감과 함께 환경 보호에도 긍정적인 영향을 미칩니다. 또한, 통신 장비, 태양광 발전 시스템의 인버터, 산업용 전원 공급 장치 등에서도 GaN 전원 장치의 적용이 점차 확대되는 추세입니다. GaN 전원 장치와 관련된 **핵심 기술**로는 여러 가지가 있습니다. 첫째, **소재 및 에피 성장 기술**입니다. GaN 전원 장치의 성능은 GaN 웨이퍼 자체의 품질과 그 위에 성장되는 에피층의 결정성에 크게 좌우됩니다. 고품질의 GaN 에피층을 성장시키는 기술은 GaN 전원 장치의 성능과 신뢰성을 확보하는 데 필수적입니다. 주로 사파이어(Sapphire), 탄화규소(SiC), 또는 GaN 기판 위에 에피 성장을 수행하는데, 각 기판마다 장단점과 기술적 과제가 존재합니다. 둘째, **소자 설계 및 공정 기술**입니다. GaN HEMT와 같은 고성능 소자를 구현하기 위해서는 정밀한 공정 기술이 요구됩니다. 게이트 구조, 채널 설계, 계면 특성 제어 등은 소자의 온-저항, 항복 전압, 스위칭 특성에 직접적인 영향을 미칩니다. 특히 2DEG 채널의 효율적인 활용과 누설 전류 방지 기술은 중요한 연구 분야입니다. 셋째, **패키징 기술**입니다. GaN 전원 장치는 기존 실리콘 소자보다 훨씬 높은 동작 주파수와 전력을 처리하므로, 이러한 성능을 최대한 발휘하고 열을 효과적으로 관리하기 위한 최적의 패키징 기술이 필요합니다. 초저 인덕턴스 패키지, 고효율 방열 패키지 등은 GaN 전원 장치의 성능을 극대화하는 데 중요한 역할을 합니다. 넷째, **제어 및 드라이버 기술**입니다. GaN 소자의 빠른 스위칭 속도를 효과적으로 제어하고 최적의 성능을 이끌어내기 위해서는 고속의 정밀한 게이트 드라이버 회로가 필수적입니다. 또한, GaN 전원 장치를 활용하는 전력 변환 회로를 설계하고 최적화하는 제어 기술도 중요합니다. GaN 전원 장치 기술은 지속적으로 발전하고 있으며, 미래의 전력 전자 분야를 선도할 잠재력을 가지고 있습니다. 더 높은 효율, 더 작은 크기, 더 높은 신뢰성을 요구하는 다양한 애플리케이션에서 GaN 기반 솔루션의 중요성은 더욱 커질 것으로 예상됩니다. 이러한 발전은 에너지 절감, 성능 향상, 그리고 새로운 기술 혁신으로 이어질 것입니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 GaN 기반 전원 장치 시장 2024-2030] (코드 : LPI2407D22028) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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