| ■ 영문 제목 : Global GaN-on-SiC Power Amplifier Market Growth 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : LPI2407D22054 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2024년 5월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
| Single User (1명 열람용) | USD3,660 ⇒환산￦5,124,000 | 견적의뢰/주문/질문 |
| Multi User (5명 열람용) | USD5,490 ⇒환산￦7,686,000 | 견적의뢰/주문/질문 |
| Corporate User (동일기업내 공유가능) | USD7,320 ⇒환산￦10,248,000 | 견적의뢰/구입/질문 |
|
※가격옵션 설명 - 납기는 즉일~2일소요됩니다. 3일이상 소요되는 경우는 별도표기 또는 연락드립니다. - 지불방법은 계좌이체/무통장입금 또는 카드결제입니다. |
LP Information (LPI)사의 최신 조사에 따르면, 글로벌 GaN-on-SiC 전력 증폭기 시장 규모는 2023년에 미화 XXX백만 달러로 산출되었습니다. 다운 스트림 시장의 수요가 증가함에 따라 GaN-on-SiC 전력 증폭기은 조사 대상 기간 동안 XXX%의 CAGR(연평균 성장율)로 2030년까지 미화 XXX백만 달러의 시장규모로 예상됩니다.
본 조사 보고서는 글로벌 GaN-on-SiC 전력 증폭기 시장의 성장 잠재력을 강조합니다. GaN-on-SiC 전력 증폭기은 향후 시장에서 안정적인 성장을 보일 것으로 예상됩니다. 그러나 제품 차별화, 비용 절감 및 공급망 최적화는 GaN-on-SiC 전력 증폭기의 광범위한 채택을 위해 여전히 중요합니다. 시장 참여자들은 연구 개발에 투자하고, 전략적 파트너십을 구축하고, 진화하는 소비자 선호도에 맞춰 제품을 제공함으로써 GaN-on-SiC 전력 증폭기 시장이 제공하는 막대한 기회를 활용해야 합니다.
[주요 특징]
GaN-on-SiC 전력 증폭기 시장에 대한 보고서는 다양한 측면을 반영하고 업계에 대한 소중한 통찰력을 제공합니다.
시장 규모 및 성장: 본 조사 보고서는 GaN-on-SiC 전력 증폭기 시장의 현재 규모와 성장에 대한 개요를 제공합니다. 여기에는 과거 데이터, 유형별 시장 세분화 (예 : 저전력, 고전력) 및 지역 분류가 포함될 수 있습니다.
시장 동인 및 과제: 본 보고서는 정부 규제, 환경 문제, 기술 발전 및 소비자 선호도 변화와 같은 GaN-on-SiC 전력 증폭기 시장의 성장을 주도하는 요인을 식별하고 분석 할 수 있습니다. 또한 인프라 제한, 범위 불안, 높은 초기 비용 등 업계가 직면한 과제를 강조할 수 있습니다.
경쟁 환경: 본 조사 보고서는 GaN-on-SiC 전력 증폭기 시장 내 경쟁 환경에 대한 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 업체의 프로필, 시장 점유율, 전략 및 제공 제품이 포함됩니다. 본 보고서는 또한 신흥 플레이어와 시장에 대한 잠재적 영향을 강조할 수 있습니다.
기술 개발: 본 조사 보고서는 GaN-on-SiC 전력 증폭기 산업의 최신 기술 개발에 대해 자세히 살펴볼 수 있습니다. 여기에는 GaN-on-SiC 전력 증폭기 기술의 발전, GaN-on-SiC 전력 증폭기 신규 진입자, GaN-on-SiC 전력 증폭기 신규 투자, 그리고 GaN-on-SiC 전력 증폭기의 미래를 형성하는 기타 혁신이 포함됩니다.
다운스트림 고객 선호도: 본 보고서는 GaN-on-SiC 전력 증폭기 시장의 고객 구매 행동 및 채택 동향을 조명할 수 있습니다. 여기에는 고객의 구매 결정에 영향을 미치는 요인, GaN-on-SiC 전력 증폭기 제품에 대한 선호도가 포함됩니다.
정부 정책 및 인센티브: 본 조사 보고서는 정부 정책 및 인센티브가 GaN-on-SiC 전력 증폭기 시장에 미치는 영향을 분석합니다. 여기에는 규제 프레임워크, 보조금, 세금 인센티브 및 GaN-on-SiC 전력 증폭기 시장을 촉진하기위한 기타 조치에 대한 평가가 포함될 수 있습니다. 본 보고서는 또한 이러한 정책이 시장 성장을 촉진하는데 미치는 효과도 분석합니다.
환경 영향 및 지속 가능성: 조사 보고서는 GaN-on-SiC 전력 증폭기 시장의 환경 영향 및 지속 가능성 측면을 분석합니다.
시장 예측 및 미래 전망: 수행된 분석을 기반으로 본 조사 보고서는 GaN-on-SiC 전력 증폭기 산업에 대한 시장 예측 및 전망을 제공합니다. 여기에는 시장 규모, 성장률, 지역 동향, 기술 발전 및 정책 개발에 대한 예측이 포함됩니다.
권장 사항 및 기회: 본 보고서는 업계 이해 관계자, 정책 입안자, 투자자를 위한 권장 사항으로 마무리됩니다. 본 보고서는 시장 참여자들이 새로운 트렌드를 활용하고, 도전 과제를 극복하며, GaN-on-SiC 전력 증폭기 시장의 성장과 발전에 기여할 수 있는 잠재적 기회를 강조합니다.
[시장 세분화]
GaN-on-SiC 전력 증폭기 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 수량 및 금액 측면에서 제공합니다.
*** 종류별 세분화 ***
저전력, 고전력
*** 용도별 세분화 ***
5G, 위성통신, 국방, 기타
본 보고서는 또한 시장을 지역별로 분류합니다:
– 미주 (미국, 캐나다, 멕시코, 브라질)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 호주)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 중동 및 아프리카 (이집트, 남아프리카 공화국, 이스라엘, 터키, GCC 국가)
아래 프로파일링 대상 기업은 주요 전문가로부터 수집한 정보를 바탕으로 해당 기업의 서비스 범위, 제품 포트폴리오, 시장 점유율을 분석하여 선정되었습니다.
MACOM,Qorvo,Cree, Inc,Empower RF Systems,Microchip Technology,RFHIC,Arralis Ltd,Altum RF
[본 보고서에서 다루는 주요 질문]
– 글로벌 GaN-on-SiC 전력 증폭기 시장의 향후 10년 전망은 어떻게 될까요?
– 전 세계 및 지역별 GaN-on-SiC 전력 증폭기 시장 성장을 주도하는 요인은 무엇입니까?
– 시장과 지역별로 가장 빠르게 성장할 것으로 예상되는 분야는 무엇인가요?
– 최종 시장 규모에 따라 GaN-on-SiC 전력 증폭기 시장 기회는 어떻게 다른가요?
– GaN-on-SiC 전력 증폭기은 종류, 용도를 어떻게 분류합니까?
※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.
■ 보고서 목차■ 보고서의 범위 ■ 보고서의 요약 ■ 기업별 세계 GaN-on-SiC 전력 증폭기 시장분석 ■ 지역별 GaN-on-SiC 전력 증폭기에 대한 추이 분석 ■ 미주 시장 ■ 아시아 태평양 시장 ■ 유럽 시장 ■ 중동 및 아프리카 시장 ■ 시장 동인, 도전 과제 및 동향 ■ 제조 비용 구조 분석 ■ 마케팅, 유통업체 및 고객 ■ 지역별 GaN-on-SiC 전력 증폭기 시장 예측 ■ 주요 기업 분석 MACOM,Qorvo,Cree, Inc,Empower RF Systems,Microchip Technology,RFHIC,Arralis Ltd,Altum RF – MACOM – Qorvo – Cree ■ 조사 결과 및 결론 [그림 목록]GaN-on-SiC 전력 증폭기 이미지 GaN-on-SiC 전력 증폭기 판매량 성장률 (2019-2030) 글로벌 GaN-on-SiC 전력 증폭기 매출 성장률 (2019-2030) 지역별 GaN-on-SiC 전력 증폭기 매출 (2019, 2023 및 2030) 글로벌 종류별 GaN-on-SiC 전력 증폭기 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 종류별 GaN-on-SiC 전력 증폭기 매출 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 용도별 GaN-on-SiC 전력 증폭기 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 용도별 GaN-on-SiC 전력 증폭기 매출 시장 점유율 기업별 GaN-on-SiC 전력 증폭기 판매량 시장 2023 기업별 글로벌 GaN-on-SiC 전력 증폭기 판매량 시장 점유율 2023 기업별 GaN-on-SiC 전력 증폭기 매출 시장 2023 기업별 글로벌 GaN-on-SiC 전력 증폭기 매출 시장 점유율 2023 지역별 글로벌 GaN-on-SiC 전력 증폭기 판매량 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 GaN-on-SiC 전력 증폭기 매출 시장 점유율 2023 미주 GaN-on-SiC 전력 증폭기 판매량 (2019-2024) 미주 GaN-on-SiC 전력 증폭기 매출 (2019-2024) 아시아 태평양 GaN-on-SiC 전력 증폭기 판매량 (2019-2024) 아시아 태평양 GaN-on-SiC 전력 증폭기 매출 (2019-2024) 유럽 GaN-on-SiC 전력 증폭기 판매량 (2019-2024) 유럽 GaN-on-SiC 전력 증폭기 매출 (2019-2024) 중동 및 아프리카 GaN-on-SiC 전력 증폭기 판매량 (2019-2024) 중동 및 아프리카 GaN-on-SiC 전력 증폭기 매출 (2019-2024) 미국 GaN-on-SiC 전력 증폭기 시장규모 (2019-2024) 캐나다 GaN-on-SiC 전력 증폭기 시장규모 (2019-2024) 멕시코 GaN-on-SiC 전력 증폭기 시장규모 (2019-2024) 브라질 GaN-on-SiC 전력 증폭기 시장규모 (2019-2024) 중국 GaN-on-SiC 전력 증폭기 시장규모 (2019-2024) 일본 GaN-on-SiC 전력 증폭기 시장규모 (2019-2024) 한국 GaN-on-SiC 전력 증폭기 시장규모 (2019-2024) 동남아시아 GaN-on-SiC 전력 증폭기 시장규모 (2019-2024) 인도 GaN-on-SiC 전력 증폭기 시장규모 (2019-2024) 호주 GaN-on-SiC 전력 증폭기 시장규모 (2019-2024) 독일 GaN-on-SiC 전력 증폭기 시장규모 (2019-2024) 프랑스 GaN-on-SiC 전력 증폭기 시장규모 (2019-2024) 영국 GaN-on-SiC 전력 증폭기 시장규모 (2019-2024) 이탈리아 GaN-on-SiC 전력 증폭기 시장규모 (2019-2024) 러시아 GaN-on-SiC 전력 증폭기 시장규모 (2019-2024) 이집트 GaN-on-SiC 전력 증폭기 시장규모 (2019-2024) 남아프리카 GaN-on-SiC 전력 증폭기 시장규모 (2019-2024) 이스라엘 GaN-on-SiC 전력 증폭기 시장규모 (2019-2024) 터키 GaN-on-SiC 전력 증폭기 시장규모 (2019-2024) GCC 국가 GaN-on-SiC 전력 증폭기 시장규모 (2019-2024) GaN-on-SiC 전력 증폭기의 제조 원가 구조 분석 GaN-on-SiC 전력 증폭기의 제조 공정 분석 GaN-on-SiC 전력 증폭기의 산업 체인 구조 GaN-on-SiC 전력 증폭기의 유통 채널 글로벌 지역별 GaN-on-SiC 전력 증폭기 판매량 시장 전망 (2025-2030) 글로벌 지역별 GaN-on-SiC 전력 증폭기 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 GaN-on-SiC 전력 증폭기 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 GaN-on-SiC 전력 증폭기 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 GaN-on-SiC 전력 증폭기 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 GaN-on-SiC 전력 증폭기 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 갈륨나이트라이드(GaN) on 실리콘 카바이드(SiC) 전력 증폭기는 차세대 고성능 전자 기기에서 핵심적인 역할을 수행하는 반도체 소자입니다. 이 기술은 기존의 실리콘 기반 전력 증폭기가 가진 한계를 극복하고, 훨씬 높은 전력 밀도, 효율성, 그리고 넓은 작동 온도 범위를 제공함으로써 다양한 첨단 응용 분야에서 필수적인 요소로 자리 잡고 있습니다. GaN-on-SiC 전력 증폭기의 기본 개념은 질화물 반도체 물질인 질화 갈륨(GaN)을 넓은 밴드갭 특성을 가진 절연체 기판인 실리콘 카바이드(SiC) 위에 성장시켜 제작되는 것입니다. GaN은 전자 이동도가 매우 높아 고주파 및 고출력 작동에 유리하며, SiC는 우수한 열전도성과 높은 항복 전압을 가지고 있어 GaN 소자에서 발생하는 열을 효과적으로 방출하고 높은 전기장을 견딜 수 있게 합니다. 이러한 조합은 GaN-on-SiC 전력 증폭기가 기존 실리콘 기반 기술로는 달성하기 어려운 수준의 성능을 구현할 수 있도록 합니다. GaN-on-SiC 전력 증폭기의 주요 특징으로는 다음과 같은 점들을 들 수 있습니다. 첫째, 높은 전력 밀도입니다. GaN은 실리콘보다 훨씬 높은 항복 전압과 전기장 강도를 가지므로, 더 작은 면적에서 더 높은 출력을 낼 수 있습니다. 이는 기기의 소형화 및 경량화에 크게 기여합니다. 둘째, 뛰어난 효율성입니다. GaN은 높은 전자 이동도 덕분에 낮은 온-저항을 가지며, 이는 전력 변환 과정에서 발생하는 손실을 줄여 높은 효율성을 제공합니다. 특히 높은 주파수에서도 효율 저하가 적어 통신 시스템 등에서 중요한 이점으로 작용합니다. 셋째, 넓은 작동 온도 범위입니다. SiC 기판의 우수한 열전도성과 GaN 자체의 높은 열 안정성은 소자가 극한의 온도 조건에서도 안정적으로 작동할 수 있도록 합니다. 이는 항공우주, 군사, 자동차 등 혹독한 환경에서 사용되는 장치에 매우 중요합니다. 넷째, 높은 주파수 응답입니다. GaN은 높은 전자 이동도와 낮은 기생 용량으로 인해 수십 GHz 이상의 고주파수 대역에서도 탁월한 성능을 발휘합니다. 이는 5G 및 차세대 이동 통신 시스템, 레이더 시스템 등에서 핵심적인 역할을 합니다. 다섯째, 높은 신뢰성입니다. SiC 기판과의 구조적 및 열적 호환성은 소자의 수명과 신뢰성을 향상시키는 데 기여합니다. GaN-on-SiC 전력 증폭기는 다양한 구조로 제작될 수 있으며, 그중 대표적인 형태는 금속-반도체-금속(MSM) 구조의 쇼트키 다이오드 기반 증폭기와 필드 효과 트랜지스터(FET) 기반 증폭기입니다. FET 기반 증폭기는 다시 접합 FET(JFET), 전계 효과 트랜지스터(FET) 중에서도 특히 수직 전계 효과 트랜지스터(VFET)나 수평 전계 효과 트랜지스터(HFET)가 주로 사용됩니다. HFET는 GaN과 다른 물질(예: AlGaN) 사이의 이종 접합에서 발생하는 2차원 전자 기체(2DEG)를 이용하여 전류를 제어하는 방식으로, 높은 전력 증폭 특성을 제공합니다. HFET 중에서도 특히 수직 구조의 전력 소자가 더욱 높은 항복 전압과 전력 밀도를 가능하게 하여 최근 주목받고 있습니다. GaN-on-SiC 전력 증폭기의 응용 분야는 매우 광범위합니다. 가장 대표적인 분야는 무선 통신 시스템입니다. 5G 및 향후 6G 이동 통신 기지국 및 사용자 장비에서 고출력, 고효율 증폭기 역할로 사용되어 데이터 전송 속도와 통신 범위를 향상시킵니다. 또한, 레이더 시스템에서도 고성능의 송수신기를 구현하는 데 필수적입니다. 항공우주 및 방위 산업에서는 위성 통신, 군용 무선 통신, 미사일 유도 시스템 등에서 요구되는 고신뢰성 및 극한 환경에서의 작동 성능을 만족시킵니다. 자동차 산업에서는 전기차의 전력 변환 시스템, 차량 레이더, LiDAR 등에서 효율적인 전력 관리 및 고주파 통신을 위해 사용됩니다. 또한, 전력 공급 장치, 산업용 전력 제어 장치, 고주파 유도 가열 시스템 등 다양한 산업 응용 분야에서도 그 활용이 확대되고 있습니다. GaN-on-SiC 전력 증폭기와 관련된 핵심 기술로는 고품질 GaN 박막 성장 기술, 고성능 소자 설계 및 제작 기술, 패키징 기술, 그리고 테스트 및 신뢰성 평가 기술 등이 있습니다. 고품질 GaN 박막 성장은 SiC 기판 위에 결정 결함이 적고 균일한 GaN 층을 형성하는 것이 중요하며, 이를 위해 MOVPE(Metalorganic Vapor Phase Epitaxy)와 같은 성장 방법이 사용됩니다. 소자 설계 및 제작 기술은 HEMT 구조 최적화, 게이트 길이 단축, 계면 특성 제어 등을 통해 높은 주파수 성능과 전력 처리 능력을 확보하는 데 중점을 둡니다. 패키징 기술은 고온 및 고출력 환경에서도 안정적인 전기적 연결과 열 방출을 보장하는 것이 중요하며, 고주파 특성을 고려한 설계가 요구됩니다. 또한, 소자의 장기적인 신뢰성을 확보하기 위한 엄격한 테스트 및 분석 기술도 중요합니다. 결론적으로 GaN-on-SiC 전력 증폭기는 우수한 전자적 특성과 열적 특성을 바탕으로 기존 기술의 한계를 뛰어넘는 고성능을 제공하며, 5G 통신을 비롯한 다양한 첨단 산업 분야의 발전에 지대한 기여를 하고 있습니다. 지속적인 연구 개발을 통해 GaN-on-SiC 기술은 더욱 높은 효율성, 더 넓은 작동 대역폭, 그리고 더욱 향상된 신뢰성을 갖추게 될 것이며, 미래 전자 기술의 핵심 동력으로 더욱 중요한 역할을 수행할 것으로 기대됩니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 GaN-on-SiC 전력 증폭기 시장 2024-2030] (코드 : LPI2407D22054) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
| ※본 조사보고서 [세계의 GaN-on-SiC 전력 증폭기 시장 2024-2030] 에 대해서 E메일 문의는 여기를 클릭하세요. |
※당 사이트에 없는 보고서도 취급 가능한 경우가 많으니 문의 주세요!