인듐 인화물 웨이퍼 시장 규모 및 점유율 분석 – 성장 동향 및 전망 (2026-2031년)

인듐 인화물(InP) 웨이퍼 시장은 2025년 1억 9,817만 달러에서 2026년 2억 2,142만 달러로 성장할 것으로 예상되며, 2026년부터 2031년까지 연평균 성장률(CAGR) 11.73%를 기록하며 2031년에는 3억 8,565만 달러에 이를 것으로 전망됩니다. 이러한 성장은 하이퍼스케일 데이터센터의 800G 및 1.6T 광학 업그레이드, 5G 및 6G 백홀 인프라의 전 세계적 확산, 그리고 양자 광학 연구 자금 확대에 힘입은 바가 큽니다. 더 큰 직경의 기판은 단위 비용을 절감하고, InP-on-Si 하이브리드 플랫폼은 추가적인 확장성을 제공합니다. 아시아 태평양 지역은 통합된 화합물 반도체 생태계를 기반으로 공급망을 주도하고 있으나, 서구권의 국내 생산 재개 프로그램이 가속화되면서 자국 내 생산 역량이 강화되고 있습니다. 결정 성장 노하우, 오랜 고객 인증 절차, 높은 자본 지출 등으로 인해 신규 진입이 어려워 시장 경쟁 강도는 중간 수준을 유지하고 있습니다.

주요 시장 동향 및 통찰력

1. 시장 성장 동인:
* 고속 광 트랜시버 수요 증가: 클라우드 운영자들이 800G 및 1.6T 링크로 전환함에 따라, 인듐 인화물만이 필요한 속도를 제공할 수 있는 에지 방출 레이저 및 포토다이오드에 대한 수요가 급증하고 있습니다. Coherent는 2024년 4분기에 InP 장치 생산량을 세 배로 늘렸으며, 3.2T 트랜시버를 샘플링 중입니다.
* 5G 및 6G 백홀 인프라 구축: 상업용 5G 백홀은 28GHz 이상에서 작동하며, InP HBT는 450GHz 이상의 차단 주파수와 4.5V 이상의 항복 전압을 제공합니다. 초기 6G 테스트베드는 테라헤르츠 주파수를 탐색하며 InP HEMT에 의존하고 있어, 광학 프런트엔드뿐만 아니라 RF 체인에서도 기판 수요가 증가하고 있습니다.
* 소비자용 SWIR(단파 적외선) 센싱 확대: STMicroelectronics의 양자점 SWIR 이미저는 얼굴 인증 및 저조도 사진 촬영을 목표로 하며, 통신 장비에서 스마트폰으로 수요를 전환시키고 있습니다. Apple과 Samsung은 SWIR 기반 건강 모니터링을 시제품화하여 소형 다이에 맞춤화된 76.2mm 웨이퍼에 대한 수요를 창출하고 있습니다.
* 양자 광학 R&D 프로그램 가속화: EU 자금 지원을 받는 QPIC1550 프로젝트는 InP 양자점 레이저의 상온 작동을 성공적으로 달성하여 양자 중계기에 필요한 극저온 오버헤드를 줄였습니다. 미국 CHIPS Act의 Coherent에 대한 3,300만 달러 보조금은 양자 컴퓨팅 장치용 150mm 생산 능력 확대를 목표로 합니다.
* 국방 IR 이미징 국내 생산 의무화: 국방 분야에서 적외선 이미징의 국내 생산 의무화는 InP 기판 수요를 촉진하고 있습니다.
* 6인치 InP 기판으로의 전환: 유휴 GaAs 6인치 라인을 활용하기 위한 6인치 InP 기판으로의 전환이 전 세계적으로 진행되고 있습니다.

2. 시장 제약 요인:
* 높은 웨이퍼 비용: InP 기판은 실리콘 웨이퍼에 비해 비용이 훨씬 높아, 비용에 민감한 애플리케이션에서의 채택을 제한합니다.
* 공급망 취약성: 중국의 인듐 함유 화합물에 대한 수출 통제 확대는 가격 변동성과 리드 타임 불확실성을 야기하여 서구권 제조업체에 영향을 미치고 있습니다.
* 기계적 취약성: 6인치 이상의 웨이퍼에서 기계적 취약성으로 인한 수율 손실은 대량 채택을 제한하고 비용을 증가시킵니다.
* Si-광학 하이브리드 레이저 플랫폼: 실리콘 광학 기반 하이브리드 레이저 플랫폼의 발전은 순수 InP 웨이퍼 수요를 감소시킬 수 있습니다.

세그먼트 분석

* 직경별: 2025년에는 100mm 웨이퍼가 43.72%의 시장 점유율을 차지하며 주류 트랜시버 라인에 공급되었습니다. 150mm 이상 기판은 2031년까지 13.15%의 CAGR로 성장할 것으로 예상되며, GaAs와의 비용 격차를 줄이고 있습니다. 그러나 6인치 이상에서의 기계적 취약성은 추가적인 확장을 제한하며, 76.2mm 웨이퍼는 엄격한 두께 균일성이 요구되는 특수 광학 분야에서 여전히 중요합니다.
* 웨이퍼 도핑 유형별: 2025년에는 언도핑 전도성 기판이 36.18%의 점유율로 광자 집적 회로 에피택시의 기반을 형성했습니다. 반절연성 Fe-도핑 웨이퍼는 5G RF 전력 증폭기에서 낮은 노이즈를 위한 기판 절연이 요구됨에 따라 12.93%의 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다. N형 Sn-도핑 및 P형 Zn-도핑 웨이퍼는 HEMT 및 HBT 장치를 목표로 하지만, RF 프런트엔드 시장에서 Fe-도핑 웨이퍼의 성장에 비하면 그 비중은 미미합니다.
* 애플리케이션별: 2025년에는 광자 및 광 트랜시버가 InP 웨이퍼 시장의 58.92%를 차지하며 하이퍼스케일 데이터 통신 업그레이드에 힘입어 성장했습니다. 양자 및 특수 센싱 애플리케이션은 국방용 라이다 및 QPIC1550 프로그램에서 검증된 상온 양자점 레이저에 힘입어 13.23%의 가장 빠른 CAGR로 성장하고 있습니다. RF 및 밀리미터파 장치도 5G 무선 통신에서 InP HEMT의 성능 우위에 힘입어 꾸준히 성장하고 있습니다.
* 최종 사용자 산업별: 2025년에는 통신 및 데이터 통신이 52.25%의 시장 점유율을 차지하며 메트로, 장거리 및 플러그형 ZR 시장에 광학 기술이 확산되었습니다. 소비자 가전은 플래그십 스마트폰의 생체 인식 SWIR 카메라에 힘입어 12.62%의 가장 높은 CAGR을 기록할 것으로 예상됩니다. 항공우주 및 국방 분야는 국내 생산으로 전환된 적외선 센서와 양자 보안 링크에 의존하며 중간 한 자릿수 성장을 유지하고 있습니다.
* 제조 기술별: 2025년에는 벌크 VGF(Vertical Gradient Freeze) 웨이퍼가 입증된 결함 밀도 제어 및 높은 저항률 덕분에 매출의 54.98%를 차지했습니다. InP-on-Si 하이브리드는 현재 한 자릿수 중반의 점유율에 불과하지만, 13.46%의 CAGR로 빠르게 성장하고 있습니다. X-FAB의 마이크로 전사 프린팅 플랫폼은 InP 다이를 300mm 실리콘 광학 장치에 배치하여 비용 및 스케일링 문제를 해결하고 있습니다.

지역 분석

* 아시아 태평양: 2025년 매출의 41.55%를 차지했으며, 12.41%의 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다. 일본의 JX Nippon Mining and Metals는 정제된 인듐 및 인 원료를 수직 통합하여 공급하고, 대만의 Visual Photonics Epitaxy는 데이터 통신 레이저용 100mm 생산량을 늘리고 있습니다. 한국의 첨단 소재 생태계는 MOCVD 소모품을 공급하여 지역 유동성을 강화하고 있습니다. 그러나 중국의 원자재 통제로 인한 수출 허가 복잡성은 일본 및 한국 생산자들에게 헤징 수요를 창출하며 가격 프리미엄을 누리게 합니다.
* 북미: 연방 인센티브의 혜택을 받고 있습니다. Coherent에 대한 3,300만 달러의 CHIPS 보조금은 텍사스에서 150mm 라인 생산 능력을 확장하여 양자 컴퓨팅 및 국방 공급망을 보호합니다. MIT Lincoln Laboratory와 같은 대학들은 극저온 큐비트 제어를 위한 InP-on-Si 이미터를 시제품화하여 미래 상업적 수요를 창출하고 있습니다.
* 유럽: 독일과 네덜란드 전반에 걸쳐 깊은 광학 전문성을 활용하고 있습니다. Ferdinand-Braun-Institut은 Fraunhofer IZM과 협력하여 테라헤르츠 레이더용 InP HBT를 공동 설계하고 있으며, SMART Photonics는 InP 기반 PIC를 위한 파운드리 서비스를 추진하고 있습니다. Freiberger Compound Materials는 1e4 cm-2 미만의 전위 밀도를 가진 VGF 웨이퍼를 공급하여 양자 통신 파일럿 프로젝트에서 설계 승인을 확보하고 있습니다.

경쟁 환경

인듐 인화물 웨이퍼 산업의 시장 집중도는 중간 수준입니다. Sumitomo Electric, AXT, Freiberger, JX Nippon Mining and Metals, Visual Photonics Epitaxy 등 상위 5개 공급업체가 2024년 매출의 약 70%를 차지했습니다. 기술적 장벽은 독점적인 결정 성장로, 맞춤형 도핑 화학, 그리고 트랜시버 OEM과의 수십 년에 걸친 인증 주기에 있습니다. Xiamen Powerway와 같은 신규 진입자들은 현지 원료의 비용 우위를 활용하지만, 1등급 고객을 확보하기 위해서는 신뢰성을 입증해야 합니다.

M&A는 수직 통합을 강화했습니다. Nokia의 Infinera 23억 달러 인수는 코히어런트 모듈용 InP PIC 노하우를 내재화하여 공급업체 위험을 줄였습니다. 미국 인센티브에 힘입은 Coherent의 생산 능력 확장은 기판 및 장치 공급업체로서의 입지를 강화하여 순수 웨이퍼 제조업체의 마진을 압박하고 있습니다. 이종 통합을 중심으로 전략적 파트너십이 부상하고 있습니다. X-FAB은 SMART Photonics와 협력하여 수동 실리콘과 능동 InP 다이를 결합한 파운드리 접근 방식을 제공하며 InP 웨이퍼 시장을 재편하고 있습니다.

기술 리더십은 이제 직경 스케일링, 5e-3 cm-2 미만의 결함 밀도 제어, 0.1nm RMS 미만의 에피 표면 거칠기에 집중되고 있습니다. 첨단 계측 및 AI 기반 공정 윈도우에 투자하는 공급업체는 150mm 웨이퍼에서 80% 이상의 수율을 달성하여 후발 주자와의 비용 격차를 확대하고 있습니다. 고객들은 지정학적 위험을 완화하기 위해 이중 소싱을 늘리고 있으며, 이는 InP 웨이퍼 시장 전반에 걸쳐 건전하지만 규율 있는 경쟁을 촉진하고 있습니다.

최근 산업 동향

* 2025년 4월: Nokia는 AIXTRON G10-AsP 장비를 사용하여 6인치 InP 웨이퍼에서 광자 IC 제조를 시작했으며, 통신 및 데이터센터 광학을 목표로 합니다.
* 2025년 3월: X-FAB, SMART Photonics, Epiphany Design은 2027년 상업 출시를 목표로 InP-on-Si 이종 광자 플랫폼을 출시했습니다.
* 2025년 1월: Ferdinand-Braun-Institut은 450GHz 이상의 InP HBT를 시연하여 서브-테라헤르츠 회로를 가능하게 했습니다.
* 2024년 12월: 중국은 안티몬 화합물에 대한 수출 통제를 확대하여 인듐 인화물 웨이퍼 공급업체에 대한 공급망 압력을 강화했습니다.

(참고: 본 보고서의 시장 규모 및 예측 수치는 Mordor Intelligence의 독점적인 추정 프레임워크를 사용하여 생성되었으며, 2026년 1월 현재 사용 가능한 최신 데이터 및 통찰력으로 업데이트되었습니다.)# 시장 개요

인듐 인화물(InP) 웨이퍼 시장은 고성능 통신, 데이터 센터, 광전자 공학 분야의 급격한 성장에 힘입어 지속적으로 확장되고 있습니다. InP는 실리콘이나 갈륨 비소(GaAs)와 같은 다른 반도체 재료에 비해 우수한 전자 이동성, 직접 밴드갭, 높은 열 안정성을 제공하여 고주파 및 고속 광학 장치에 필수적인 재료입니다. 특히 5G 통신, 인공지능(AI), 사물 인터넷(IoT) 기술의 발전은 InP 기반 광자 집적 회로(PIC) 및 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)의 수요를 증가시키고 있습니다. 이러한 기술은 더 빠른 데이터 전송 속도와 더 높은 대역폭을 요구하며, InP 웨이퍼는 이러한 요구사항을 충족시키는 데 핵심적인 역할을 합니다.

이러한 기술적 이점에도 불구하고, InP 웨이퍼 시장은 제조 비용, 생산 복잡성, 그리고 최근 중국의 수출 통제 확대와 같은 지정학적 요인으로 인한 공급망 압력 등 여러 도전에 직면해 있습니다. 그러나 InP-on-Si 이종 광자 플랫폼과 같은 혁신적인 기술 개발은 비용 효율성을 개선하고 InP 기술의 적용 범위를 넓히는 데 기여할 것으로 기대됩니다. 시장 참여자들은 이러한 기회와 도전을 동시에 관리하며 기술 혁신과 생산 효율성 향상에 주력하고 있습니다.

본 보고서는 인듐 인화물(Indium Phosphide, InP) 웨이퍼 시장에 대한 종합적인 분석을 제공합니다. 인듐 인화물은 실리콘보다 우수한 전자 속도를 제공하여 광전자 애플리케이션, 고속 트랜지스터 등에 활용되는 핵심 화합물입니다. 본 연구는 전 세계 InP 웨이퍼 제품의 시장 규모, 성장 동인, 제약 요인, 주요 공급업체 및 예측 기간 동안의 성장률을 다루며, COVID-19 팬데믹의 영향도 분석합니다.

시장 성장을 견인하는 주요 동인으로는 400G/800G/1.6T 고속 광 트랜시버 수요 증가, 5G 및 신흥 6G 백홀 인프라 구축, 스마트폰 및 웨어러블 기기에서의 SWIR(단파장 적외선) 감지 기술 확산, 양자 포토닉스 R&D 프로그램 가속화로 인한 InP PIC(Photonic Integrated Circuit) 투자 증대, 국방 IR-이미징 국내 생산 의무화로 인한 국내 InP 기판 수요 증가, 그리고 유휴 GaAs 6인치 라인을 활용하기 위한 6인치 InP 기판으로의 전환 등이 있습니다.

반면, 시장의 제약 요인으로는 실리콘/GaAs 대안 대비 높은 웨이퍼 비용, 갈륨(Ga) 및 인(P) 수출 통제 및 가격 변동성에 대한 공급망 노출, 6인치 웨이퍼 이상에서의 기계적 취약성으로 인한 수율 제한, 그리고 순수 InP 웨이퍼 볼륨을 감소시키는 Si-포토닉스 하이브리드 레이저 플랫폼의 부상 등이 있습니다.

본 보고서는 시장을 직경, 웨이퍼 도핑 유형, 애플리케이션, 최종 사용자 산업, 제조 기술 및 지역별로 세분화하여 분석합니다.

시장 규모 및 성장 예측에 따르면, 전 세계 인듐 인화물 웨이퍼 시장은 2025년 1억 9,817만 달러에서 2031년 3억 8,565만 달러로 연평균 11.73%의 견고한 성장률을 기록할 것으로 전망됩니다. 현재 포토닉스 및 광 트랜시버 애플리케이션이 2025년 수요의 58.92%를 차지하며 가장 큰 비중을 차지하고 있습니다. 특히 150mm 웨이퍼는 평방 센티미터당 비용 절감 및 유휴 GaAs 툴링 활용 이점으로 인해 13.15%의 높은 연평균 성장률을 보이며 중요성이 부각되고 있습니다. 지역별로는 아시아 태평양 지역이 2025년 매출의 41.55%를 차지하며 시장을 선도하고 있습니다.

경쟁 환경 분석은 시장 집중도, 주요 기업의 전략적 움직임, 시장 점유율 및 Sumitomo Electric Semiconductor Materials, AXT, Freiberger Compound Materials 등 주요 20개 기업의 프로필을 다룹니다. 공급망은 중국산 갈륨 및 인 의존도가 높아 수출 통제에 취약하며, 이는 국내 생산 능력 확대를 유도합니다. 또한, InP-on-Si 이종 통합 기술은 연평균 13.46%로 성장하며 전통적인 벌크 웨이퍼 수요를 대체할 잠재적 파괴적 트렌드로 주목받고 있습니다.

1. 서론

• 1.1 연구 가정 및 시장 정의
• 1.2 연구 범위

2. 연구 방법론

3. 요약

4. 시장 현황

• 4.1 시장 개요
• 4.2 시장 동인
  • 4.2.1 고속 광 트랜시버 수요 (400G/800G/1.6T)
  • 4.2.2 5G 및 신흥 6G 백홀 인프라 구축
  • 4.2.3 스마트폰 및 웨어러블 기기에서 소비자 SWIR 감지 증가
  • 4.2.4 InP PIC 자금 조달을 가속화하는 양자 광자학 R&D 프로그램
  • 4.2.5 국내 InP 기판을 촉진하는 국방 IR 이미징 국내 복귀 의무
  • 4.2.6 유휴 GaAs 6인치 라인을 활용하기 위한 6인치 InP 기판으로의 전환
• 4.3 시장 제약
  • 4.3.1 Si/GaAs 대안 대비 높은 웨이퍼 비용
  • 4.3.2 Ga-/P-수출 통제 및 가격 변동성에 대한 공급망 노출
  • 4.3.3 6인치 웨이퍼 이상에서 수율을 제한하는 기계적 취약성
  • 4.3.4 순수 InP 웨이퍼 생산량을 줄이는 Si-포토닉스 하이브리드 레이저 플랫폼
• 4.4 산업 가치 사슬 분석
• 4.5 규제 환경
• 4.6 기술 전망
• 4.7 포터의 5가지 경쟁 요인 분석
  • 4.7.1 공급업체의 교섭력
  • 4.7.2 구매자의 교섭력
  • 4.7.3 신규 진입자의 위협
  • 4.7.4 대체 제품의 위협
  • 4.7.5 경쟁 강도

5. 시장 규모 및 성장 예측 (가치)

• 5.1 직경별
  • 5.1.1 50.8 mm
  • 5.1.2 76.2 mm
  • 5.1.3 100 mm
  • 5.1.4 150 mm 이상
• 5.2 웨이퍼 도핑 유형별
  • 5.2.1 무도핑 전도성
  • 5.2.2 N형 (S / Sn 도핑)
  • 5.2.3 P형 (Zn 도핑)
  • 5.2.4 반절연성 (Fe 도핑)
• 5.3 애플리케이션별
  • 5.3.1 포토닉스 및 광 트랜시버
  • 5.3.2 RF 및 밀리미터파 장치 (HEMT, HBT)
  • 5.3.3 태양광 발전 및 전력 변환
  • 5.3.4 양자 및 특수 감지
• 5.4 최종 사용자 산업별
  • 5.4.1 통신 및 데이터 통신
  • 5.4.2 가전제품 및 웨어러블
  • 5.4.3 항공우주 및 방위
  • 5.4.4 자동차 및 운송
  • 5.4.5 의료 및 생명 과학
• 5.5 제조 기술별
  • 5.5.1 VGF 성장 벌크 웨이퍼
  • 5.5.2 LEC/tCZ 성장 벌크 웨이퍼
  • 5.5.3 에피택셜 InP-on-Si (하이브리드)
  • 5.5.4 MBE/MOCVD 에피레디 기판
• 5.6 지역별
  • 5.6.1 북미
  • 5.6.1.1 미국
  • 5.6.1.2 캐나다
  • 5.6.1.3 멕시코
  • 5.6.2 남미
  • 5.6.2.1 브라질
  • 5.6.2.2 아르헨티나
  • 5.6.2.3 남미 기타 지역
  • 5.6.3 유럽
  • 5.6.3.1 독일
  • 5.6.3.2 영국
  • 5.6.3.3 프랑스
  • 5.6.3.4 이탈리아
  • 5.6.3.5 유럽 기타 지역
  • 5.6.4 아시아 태평양
  • 5.6.4.1 중국
  • 5.6.4.2 일본
  • 5.6.4.3 대한민국
  • 5.6.4.4 인도
  • 5.6.4.5 아시아 태평양 기타 지역
  • 5.6.5 중동
  • 5.6.5.1 사우디아라비아
  • 5.6.5.2 아랍에미리트
  • 5.6.5.3 중동 기타 지역
  • 5.6.6 아프리카
  • 5.6.6.1 남아프리카 공화국
  • 5.6.6.2 아프리카 기타 지역

6. 경쟁 환경

• 6.1 시장 집중도
• 6.2 전략적 움직임
• 6.3 시장 점유율 분석
• 6.4 기업 프로필 {(글로벌 수준 개요, 시장 수준 개요, 핵심 부문, 사용 가능한 재무 정보, 전략 정보, 주요 기업의 시장 순위/점유율, 제품 및 서비스, 최근 개발 사항 포함)}
  • 6.4.1 Sumitomo Electric Semiconductor Materials, Inc.
  • 6.4.2 AXT, Inc.
  • 6.4.3 Freiberger Compound Materials GmbH
  • 6.4.4 Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd.
  • 6.4.5 IQE plc
  • 6.4.6 II-VI Incorporated (Coherent Corp.)
  • 6.4.7 JX Nippon Mining & Metals Corporation
  • 6.4.8 Semiconductor Wafer, Inc.
  • 6.4.9 Visual Photonics Epitaxy Co., Ltd. (VPEC)
  • 6.4.10 IntellEPI
  • 6.4.11 VIGO Photonics S.A.
  • 6.4.12 Western Minmetals (SC) Corporation
  • 6.4.13 PAM-XIAMEN (Powerway Wafer)
  • 6.4.14 SHANGHAI FAMOUS TRADE CO., LTD (ZMKJ)
  • 6.4.15 Atecom Technology Co., Ltd.
  • 6.4.16 Ding Ten Industrial Inc.
  • 6.4.17 Logitech Ltd.
  • 6.4.18 LandMark Optoelectronics Corporation
  • 6.4.19 Epihouse Optoelectronics Co., Ltd.
  • 6.4.20 Century Goldray Semiconductor Co., Ltd.

7. 시장 기회 및 미래 전망