| ■ 영문 제목 : Global Gallium Nitride (GaN) on Silicon (Si) Market Growth 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : LPI2406A4132 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2024년 6월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자＆반도체 |
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LP Information (LPI)사의 최신 조사에 따르면, 글로벌 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장 규모는 2023년에 미화 XXX백만 달러로 산출되었습니다. 다운 스트림 시장의 수요가 증가함에 따라 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 은 조사 대상 기간 동안 XXX%의 CAGR(연평균 성장율)로 2030년까지 미화 XXX백만 달러의 시장규모로 예상됩니다.
본 조사 보고서는 글로벌 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장의 성장 잠재력을 강조합니다. 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 은 향후 시장에서 안정적인 성장을 보일 것으로 예상됩니다. 그러나 제품 차별화, 비용 절감 및 공급망 최적화는 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 의 광범위한 채택을 위해 여전히 중요합니다. 시장 참여자들은 연구 개발에 투자하고, 전략적 파트너십을 구축하고, 진화하는 소비자 선호도에 맞춰 제품을 제공함으로써 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장이 제공하는 막대한 기회를 활용해야 합니다.
[주요 특징]
실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장에 대한 보고서는 다양한 측면을 반영하고 업계에 대한 소중한 통찰력을 제공합니다.
시장 규모 및 성장: 본 조사 보고서는 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장의 현재 규모와 성장에 대한 개요를 제공합니다. 여기에는 과거 데이터, 유형별 시장 세분화 (예 : GaN-on-실리콘 파워 디바이스, GaN-on-실리콘 RF 칩, GaN-on-실리콘 LED 칩) 및 지역 분류가 포함될 수 있습니다.
시장 동인 및 과제: 본 보고서는 정부 규제, 환경 문제, 기술 발전 및 소비자 선호도 변화와 같은 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장의 성장을 주도하는 요인을 식별하고 분석 할 수 있습니다. 또한 인프라 제한, 범위 불안, 높은 초기 비용 등 업계가 직면한 과제를 강조할 수 있습니다.
경쟁 환경: 본 조사 보고서는 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장 내 경쟁 환경에 대한 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 업체의 프로필, 시장 점유율, 전략 및 제공 제품이 포함됩니다. 본 보고서는 또한 신흥 플레이어와 시장에 대한 잠재적 영향을 강조할 수 있습니다.
기술 개발: 본 조사 보고서는 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 산업의 최신 기술 개발에 대해 자세히 살펴볼 수 있습니다. 여기에는 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 기술의 발전, 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 신규 진입자, 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 신규 투자, 그리고 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 의 미래를 형성하는 기타 혁신이 포함됩니다.
다운스트림 고객 선호도: 본 보고서는 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장의 고객 구매 행동 및 채택 동향을 조명할 수 있습니다. 여기에는 고객의 구매 결정에 영향을 미치는 요인, 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 제품에 대한 선호도가 포함됩니다.
정부 정책 및 인센티브: 본 조사 보고서는 정부 정책 및 인센티브가 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장에 미치는 영향을 분석합니다. 여기에는 규제 프레임워크, 보조금, 세금 인센티브 및 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장을 촉진하기위한 기타 조치에 대한 평가가 포함될 수 있습니다. 본 보고서는 또한 이러한 정책이 시장 성장을 촉진하는데 미치는 효과도 분석합니다.
환경 영향 및 지속 가능성: 조사 보고서는 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장의 환경 영향 및 지속 가능성 측면을 분석합니다.
시장 예측 및 미래 전망: 수행된 분석을 기반으로 본 조사 보고서는 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 산업에 대한 시장 예측 및 전망을 제공합니다. 여기에는 시장 규모, 성장률, 지역 동향, 기술 발전 및 정책 개발에 대한 예측이 포함됩니다.
권장 사항 및 기회: 본 보고서는 업계 이해 관계자, 정책 입안자, 투자자를 위한 권장 사항으로 마무리됩니다. 본 보고서는 시장 참여자들이 새로운 트렌드를 활용하고, 도전 과제를 극복하며, 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장의 성장과 발전에 기여할 수 있는 잠재적 기회를 강조합니다.
[시장 세분화]
실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 수량 및 금액 측면에서 제공합니다.
*** 종류별 세분화 ***
GaN-on-실리콘 파워 디바이스, GaN-on-실리콘 RF 칩, GaN-on-실리콘 LED 칩
*** 용도별 세분화 ***
가전, 자동차 전자, 5G, 기타
본 보고서는 또한 시장을 지역별로 분류합니다:
– 미주 (미국, 캐나다, 멕시코, 브라질)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 호주)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 중동 및 아프리카 (이집트, 남아프리카 공화국, 이스라엘, 터키, GCC 국가)
아래 프로파일링 대상 기업은 주요 전문가로부터 수집한 정보를 바탕으로 해당 기업의 서비스 범위, 제품 포트폴리오, 시장 점유율을 분석하여 선정되었습니다.
Navitas, Transphorm, Innoscience, Infineon Technologies, TI, China Resources Microelectronics, STMicroelectronics/MACOM
[본 보고서에서 다루는 주요 질문]
– 글로벌 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장의 향후 10년 전망은 어떻게 될까요?
– 전 세계 및 지역별 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장 성장을 주도하는 요인은 무엇입니까?
– 시장과 지역별로 가장 빠르게 성장할 것으로 예상되는 분야는 무엇인가요?
– 최종 시장 규모에 따라 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장 기회는 어떻게 다른가요?
– 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 은 종류, 용도를 어떻게 분류합니까?
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■ 보고서 목차■ 보고서의 범위 ■ 보고서의 요약 ■ 기업별 세계 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장분석 ■ 지역별 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 에 대한 추이 분석 ■ 미주 시장 ■ 아시아 태평양 시장 ■ 유럽 시장 ■ 중동 및 아프리카 시장 ■ 시장 동인, 도전 과제 및 동향 ■ 제조 비용 구조 분석 ■ 마케팅, 유통업체 및 고객 ■ 지역별 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장 예측 ■ 주요 기업 분석 Navitas, Transphorm, Innoscience, Infineon Technologies, TI, China Resources Microelectronics, STMicroelectronics/MACOM – Navitas – Transphorm – Innoscience ■ 조사 결과 및 결론 [그림 목록]실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 이미지 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 판매량 성장률 (2019-2030) 글로벌 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 매출 성장률 (2019-2030) 지역별 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 매출 (2019, 2023 및 2030) 글로벌 종류별 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 종류별 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 매출 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 용도별 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 용도별 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 매출 시장 점유율 기업별 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 판매량 시장 2023 기업별 글로벌 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 판매량 시장 점유율 2023 기업별 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 매출 시장 2023 기업별 글로벌 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 매출 시장 점유율 2023 지역별 글로벌 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 판매량 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 매출 시장 점유율 2023 미주 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 판매량 (2019-2024) 미주 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 매출 (2019-2024) 아시아 태평양 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 판매량 (2019-2024) 아시아 태평양 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 매출 (2019-2024) 유럽 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 판매량 (2019-2024) 유럽 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 매출 (2019-2024) 중동 및 아프리카 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 판매량 (2019-2024) 중동 및 아프리카 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 매출 (2019-2024) 미국 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장규모 (2019-2024) 캐나다 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장규모 (2019-2024) 멕시코 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장규모 (2019-2024) 브라질 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장규모 (2019-2024) 중국 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장규모 (2019-2024) 일본 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장규모 (2019-2024) 한국 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장규모 (2019-2024) 동남아시아 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장규모 (2019-2024) 인도 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장규모 (2019-2024) 호주 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장규모 (2019-2024) 독일 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장규모 (2019-2024) 프랑스 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장규모 (2019-2024) 영국 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장규모 (2019-2024) 이탈리아 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장규모 (2019-2024) 러시아 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장규모 (2019-2024) 이집트 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장규모 (2019-2024) 남아프리카 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장규모 (2019-2024) 이스라엘 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장규모 (2019-2024) 터키 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장규모 (2019-2024) GCC 국가 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장규모 (2019-2024) 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 의 제조 원가 구조 분석 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 의 제조 공정 분석 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 의 산업 체인 구조 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 의 유통 채널 글로벌 지역별 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 판매량 시장 전망 (2025-2030) 글로벌 지역별 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 실리콘 기반 질화 갈륨(GaN on Si)은 고성능 전자 및 광전자 소자 제작에 있어 매우 주목받는 기술입니다. 본 기술은 전기적 및 열적 특성이 우수한 질화 갈륨(GaN) 반도체 물질을 값싸고 대량 생산이 가능한 실리콘(Si) 기판 위에 성장시키는 것을 핵심으로 합니다. 이러한 이종 접합(heteroepitaxy) 기술은 기존의 사파이어(sapphire)나 탄화 규소(SiC) 기판을 사용하는 GaN 소자 대비 비용 효율성과 집적도를 크게 향상시킬 수 있는 잠재력을 가지고 있습니다. **1. 정의 및 기본 개념** 실리콘 기반 질화 갈륨은 그 이름에서 알 수 있듯이, 전자 및 전력 소자의 핵심 소재인 GaN 박막을 실리콘 웨이퍼 위에 성장시킨 화합물 반도체 웨이퍼를 의미합니다. GaN은 직접 밴드갭을 가지며 높은 전자 이동도, 높은 항복 전압, 우수한 열 전도성 등 여러 가지 장점을 가지고 있어 고주파, 고출력, 고온 환경에서 사용되는 다양한 소자에 이상적인 소재입니다. 하지만 GaN 단결정을 성장시키기 위한 자체적인 대면적 기판 생산은 기술적으로 매우 어렵고 비용이 많이 듭니다. 반면 실리콘은 전자 산업의 기반이 되는 소재로, 이미 성숙된 공정과 대량 생산 기술을 통해 매우 저렴하고 품질 좋은 대구경 웨이퍼를 확보할 수 있습니다. 따라서 실리콘 기판 위에 GaN을 성장시키는 기술은 GaN 소자의 상용화를 앞당기고 비용 경쟁력을 확보하는 데 결정적인 역할을 합니다. 이종 접합 과정은 서로 다른 결정 구조와 격자 상수, 열팽창 계수를 가진 물질을 성장시키는 것이기 때문에 여러 가지 기술적인 난제를 해결해야 합니다. GaN과 Si는 격자 불일치가 크고, 결정 방향도 달라 직접적으로 GaN을 Si 기판 위에 성장시키면 표면에 결함이 많이 발생하고 소자 성능을 저하시키게 됩니다. 이러한 문제를 극복하기 위해 완충층(buffer layer) 기술이 매우 중요합니다. 완충층은 Si 기판과 GaN 박막 사이에 위치하여 격자 불일치에서 발생하는 응력을 완화하고, 결함 밀도를 낮추며, GaN 결정의 품질을 향상시키는 역할을 합니다. 일반적으로 알루미늄 질화물(AlN) 또는 알루미늄 갈륨 질화물(AlGaN)과 같은 물질이 완충층으로 사용되며, 다층 구조를 통해 점진적으로 격자 상수를 맞춰나가고 소성 변형을 유도하여 우수한 품질의 GaN 박막을 얻습니다. **2. 주요 특징 및 장점** 실리콘 기반 GaN 기술의 가장 큰 장점은 역시 **비용 효율성**입니다. 앞서 언급했듯이, 실리콘은 기존 반도체 산업의 성숙된 인프라를 활용할 수 있어 사파이어나 SiC 기판 대비 훨씬 저렴합니다. 이는 GaN 소자의 대중화와 적용 범위를 확대하는 데 매우 중요한 요소입니다. 두 번째 특징은 **대구경 웨이퍼 제작 가능성**입니다. 실리콘은 현재 300mm (12인치) 웨이퍼까지 상용화되어 있으며, 450mm 웨이퍼 기술도 연구 개발 중에 있습니다. 반면 사파이어는 일반적으로 2인치, 4인치, 6인치 웨이퍼가 주로 사용되며, SiC는 4인치, 6인치가 주류입니다. 대구경 웨이퍼는 한 번에 더 많은 칩을 생산할 수 있어 생산성을 높이고 개당 제조 단가를 낮추는 데 기여합니다. 세 번째로, 실리콘 웨이퍼는 **우수한 열 전도성**을 가지고 있어 GaN 소자에서 발생하는 열을 효과적으로 방출하는 데 도움을 줄 수 있습니다. 비록 GaN 자체의 열전도성이 SiC보다는 낮지만, 실리콘 기판은 GaN 단결정 기판보다는 열 방출에 유리한 측면이 있습니다. 이는 고출력 소자에서 발생하는 열 문제를 완화하여 소자의 신뢰성과 수명을 향상시키는 데 기여할 수 있습니다. 네 번째, 실리콘은 **기존 실리콘 공정과의 호환성**을 일부 가질 수 있다는 잠재력이 있습니다. 물론 GaN 공정은 별도의 특수 공정이 필요하지만, 실리콘 웨이퍼를 기판으로 사용함으로써 기존의 실리콘 기반 반도체 공정 라인 일부를 활용하거나, SiC 기반 GaN 공정 대비 초기 투자 비용을 절감할 수 있는 여지가 있습니다. 이는 반도체 칩 제조사들이 GaN 기술에 쉽게 진입할 수 있도록 하는 요인이 될 수 있습니다. **3. GaN on Si 기술의 발전 및 과제** GaN on Si 기술은 지난 수십 년간 많은 연구 개발을 통해 꾸준히 발전해 왔습니다. 초기에는 완충층 기술의 부족으로 인해 GaN 박막의 결정성이 좋지 않아 소자 성능이 낮았지만, MOCVD (Metalorganic Chemical Vapor Deposition)와 같은 성장 방법의 발전과 함께 AlN/AlGaN 다층 완충층 구조, 초격자(superlattice) 구조 등의 새로운 완충층 설계가 도입되면서 GaN 결정 품질이 크게 향상되었습니다. 또한, GaN on Si 웨이퍼의 가장 큰 기술적 과제 중 하나는 **열팽창 계수 차이로 인한 박막 내 응력과 균열 발생** 문제입니다. 실리콘과 GaN은 열팽창 계수가 크게 다르기 때문에 고온에서 성장된 후 냉각되는 과정에서 큰 응력이 발생하며, 이는 GaN 박막에 균열을 유발하여 웨이퍼 수율을 저하시키는 주요 원인이 됩니다. 이를 해결하기 위해 다양한 완충층 설계, 공정 온도 최적화, 웨이퍼 드릴링(drilling)과 같은 기계적 스트레스 완화 기술 등이 연구되고 있습니다. 또 다른 주요 과제는 ** GaN 박막 내의 결함(dislocation) 밀도**입니다. 격자 불일치로 인해 필연적으로 발생하는 전위(dislocation)는 소자의 누설 전류를 증가시키고 성능을 저하시키는 요인이 됩니다. 이러한 결함 밀도를 낮추기 위한 노력으로, GaN 상부층 성장 전에 계면 제어 기술이나 별도의 박막 성장 공정을 도입하여 결함의 전파를 막는 연구가 진행되고 있습니다. 특히 고출력 전력 소자의 경우, **GaN/AlGaN 이종접합 계면에서의 2차원 전자 가스(2DEG)의 품질**이 중요합니다. 2DEG의 높은 이동도와 농도는 소자의 성능을 결정짓는 핵심 요소인데, 실리콘 기판 상에서 성장된 GaN 박막의 계면 특성을 최적화하는 것이 중요합니다. 또한, GaN on Si 웨이퍼의 두께가 수십 마이크로미터 이상으로 두꺼워질 경우 휘어짐(bowing) 문제가 발생하며, 이는 후속 공정에서 웨이퍼 핸들링 및 패터닝을 어렵게 만들 수 있습니다. **4. 주요 응용 분야 및 관련 기술** 실리콘 기반 GaN 기술은 다양한 고성능 전자 및 광전자 소자에 적용될 수 있습니다. 가장 대표적인 분야는 **고주파 전력 증폭기(RF Power Amplifier)**입니다. 휴대폰 기지국, 위성 통신, 레이더 시스템 등 고주파 신호를 처리해야 하는 통신 장비에서 GaN on Si 기반 FET(Field-Effect Transistor)는 높은 전력 효율과 넓은 대역폭을 제공하여 성능을 크게 향상시킬 수 있습니다. **전력 변환 장치(Power Converter)** 분야에서도 GaN on Si 기술은 혁신을 가져오고 있습니다. 전기차 충전기, 노트북 전원 어댑터, 태양광 인버터 등에서 사용되는 GaN 기반 파워 스위칭 소자는 실리콘 기반 MOSFET이나 IGBT 대비 스위칭 속도가 빠르고, 온 저항이 낮으며, 고전압을 견딜 수 있어 에너지 효율을 높이고 장치를 소형화하는 데 기여합니다. 또한, **LED(Light Emitting Diode)** 분야에서도 GaN on Si 기술은 중요한 역할을 합니다. 백색 LED의 핵심 소재인 청색 LED는 GaN을 기반으로 하며, 실리콘 기판 상에서 GaN을 성장시키는 기술은 LED 생산 단가를 낮추고 대면적화하는 데 기여할 수 있습니다. 다만, LED와 같은 광학 소자의 경우, 실리콘 기판이 투명하지 않아 빛 추출 효율에 대한 고려가 필요하며, 이를 극복하기 위한 추가적인 기술 개발이 이루어지고 있습니다. 관련 기술로는 앞서 언급한 **MOCVD 성장 기술** 외에도, GaN on Si 웨이퍼를 다루기 위한 **웨이퍼 세정 및 표면 처리 기술**, **패터닝 및 식각 기술**, **금속화 및 패키징 기술** 등 전반적인 반도체 공정 기술이 중요합니다. 특히 GaN on Si 웨이퍼는 기존 실리콘 웨이퍼와는 다른 물리적, 화학적 특성을 가지므로 이에 최적화된 공정 기술 개발이 필수적입니다. 또한, **다양한 완충층 구조 설계 및 분석 기술**, **결함 제어 및 감소 기술**, **소자 성능 최적화 기술** 등도 핵심적인 관련 기술이라 할 수 있습니다. 최근에는 기존의 완충층 기술을 넘어, **스핀 코팅 또는 증착 방식의 유기 절연체 박막을 이용한 완충층 기술**이나, **다양한 박막 증착 기술을 조합한 하이브리드 완충층 기술** 등 새로운 접근 방식도 연구되고 있으며, 이는 GaN on Si 기술의 적용 범위를 더욱 넓히고 성능을 향상시키는 데 기여할 것으로 기대됩니다. 결론적으로, 실리콘 기반 질화 갈륨 기술은 값싼 실리콘 기판의 장점과 GaN의 우수한 전기적, 열적 특성을 결합하여 차세대 반도체 소자 기술의 핵심으로 자리매김하고 있습니다. 여전히 기술적인 난제들이 존재하지만, 지속적인 연구 개발을 통해 이러한 문제점들을 극복하고 있으며, 향후 고성능 전자 기기 및 에너지 효율 솔루션 시장에서 중요한 역할을 수행할 것으로 전망됩니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 실리콘 (Si)의 질화 갈륨 (GaN) 시장 2024-2030] (코드 : LPI2406A4132) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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