| ■ 영문 제목 : Global EUV Photoresists Market 2024 by Manufacturers, Regions, Type and Application, Forecast to 2030 | |
 | ■ 상품코드 : GIR2407E18834 ■ 조사/발행회사 : Globalinforesearch ■ 발행일 : 2024년 4월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 부품/재료 |
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조사회사 Global Info Research의 최신 조사에 따르면, 세계의 EUV 포토레지스트 시장 규모는 2023년에 XXX백만 달러로 분석되었으며, 검토 기간 동안 xx%의 CAGR로 2030년까지 XXX백만 달러의 재조정된 규모로 성장이 예측됩니다.
Global Info Research 보고서에는 EUV 포토레지스트 산업 체인 동향 개요, 집적 회로, 이산 소자 응용분야 및 선진 및 개발 도상국의 주요 기업의 시장 현황, EUV 포토레지스트의 최첨단 기술, 특허, 최신 용도 및 시장 동향을 분석했습니다.
지역별로는 주요 지역의 EUV 포토레지스트 시장을 분석합니다. 북미와 유럽은 정부 이니셔티브와 수요자 인식 제고에 힘입어 꾸준한 성장세를 보이고 있습니다. 아시아 태평양, 특히 중국은 탄탄한 내수 수요와 지원 정책, 강력한 제조 기반을 바탕으로 글로벌 EUV 포토레지스트 시장을 주도하고 있습니다.
[주요 특징]
본 보고서는 EUV 포토레지스트 시장에 대한 포괄적인 이해를 제공합니다. 본 보고서는 산업에 대한 전체적인 관점과 개별 구성 요소 및 이해 관계자에 대한 자세한 통찰력을 제공합니다. 본 보고서는 EUV 포토레지스트 산업 내의 시장 역학, 동향, 과제 및 기회를 분석합니다. 또한, 거시적 관점에서 시장을 분석하는 것이 포함됩니다.
시장 규모 및 세분화: 본 보고서는 판매량, 매출 및 종류별 (예 : 건식 포토레지스트, 액체 포토레지스트)의 시장 점유율을 포함한 전체 시장 규모에 대한 데이터를 수집합니다.
산업 분석: 보고서는 정부 정책 및 규제, 기술 발전, 수요자 선호도, 시장 역학 등 광범위한 산업 동향을 분석합니다. 이 분석은 EUV 포토레지스트 시장에 영향을 미치는 주요 동인과 과제를 이해하는데 도움이 됩니다.
지역 분석: 본 보고서에는 지역 또는 국가 단위로 EUV 포토레지스트 시장을 조사하는 것이 포함됩니다. 보고서는 정부 인센티브, 인프라 개발, 경제 상황 및 수요자 행동과 같은 지역 요인을 분석하여 다양한 시장 내의 변화와 기회를 식별합니다.
시장 전망: 보고서는 수집된 데이터와 분석을 통해 EUV 포토레지스트 시장에 대한 미래 전망 및 예측을 다룹니다. 여기에는 시장 성장률 추정, 시장 수요 예측, 새로운 트렌드 파악 등이 포함될 수 있습니다. 본 보고서에는 EUV 포토레지스트에 대한 보다 세분화된 접근 방식도 포함됩니다.
기업 분석: 본 보고서는 EUV 포토레지스트 제조업체, 공급업체 및 기타 관련 업계 플레이어를 다룹니다. 이 분석에는 재무 성과, 시장 포지셔닝, 제품 포트폴리오, 파트너십 및 전략에 대한 조사가 포함됩니다.
수요자 분석: 보고서는 EUV 포토레지스트에 대한 수요자 행동, 선호도 및 태도에 대한 데이터를 다룹니다. 여기에는 설문 조사, 인터뷰 및 응용 분야별 (집적 회로, 이산 소자)의 다양한 수요자 리뷰 및 피드백 분석이 포함될 수 있습니다.
기술 분석: EUV 포토레지스트과 관련된 특정 기술을 다루는 보고서입니다. EUV 포토레지스트 분야의 현재 상황 및 잠재적 미래 발전 가능성을 평가합니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 개별 기업, 공급업체 및 수요업체를 분석하여 EUV 포토레지스트 시장의 경쟁 환경에 대한 통찰력을 제공합니다. 이 분석은 시장 점유율, 경쟁 우위 및 업계 플레이어 간의 차별화 가능성을 이해하는 데 도움이 됩니다.
시장 검증: 본 보고서에는 설문 조사, 인터뷰 및 포커스 그룹과 같은 주요 조사를 통해 결과 및 예측을 검증하는 작업이 포함됩니다.
[시장 세분화]
EUV 포토레지스트 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
종류별 시장 세그먼트
– 건식 포토레지스트, 액체 포토레지스트
용도별 시장 세그먼트
– 집적 회로, 이산 소자
주요 대상 기업
– JSR, TOK, Shin-Etsu Chemical, FUJIFILM Electronic Materials, Sumitomo, Dongjin Semichem, DuPont
지역 분석은 다음을 포함합니다.
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 러시아, 이탈리아)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 인도, 동남아시아, 호주)
– 남미 (브라질, 아르헨티나, 콜롬비아)
– 중동 및 아프리카 (사우디아라비아, 아랍에미리트, 이집트, 남아프리카공화국)
본 조사 보고서는 아래 항목으로 구성되어 있습니다.
– EUV 포토레지스트 제품 범위, 시장 개요, 시장 추정, 주의 사항 및 기준 연도를 설명합니다.
– 2019년부터 2024년까지 EUV 포토레지스트의 가격, 판매량, 매출 및 세계 시장 점유율과 함께 EUV 포토레지스트의 주요 제조업체를 프로파일링합니다.
– EUV 포토레지스트 경쟁 상황, 판매량, 매출 및 주요 제조업체의 글로벌 시장 점유율이 상세하게 분석 됩니다.
– EUV 포토레지스트 상세 데이터는 2019년부터 2030년까지 지역별 판매량, 소비금액 및 성장성을 보여주기 위해 지역 레벨로 표시됩니다.
– 2019년부터 2030년까지 판매량 시장 점유율 및 성장률을 종류별, 용도별로 분류합니다.
– 2017년부터 2023년까지 세계 주요 국가의 판매량, 소비금액 및 시장 점유율과 함께 국가 레벨로 판매 데이터를 분류하고, 2025년부터 2030년까지 판매량 및 매출과 함께 지역, 종류 및 용도별로 EUV 포토레지스트 시장 예측을 수행합니다.
– 시장 역학, 성장요인, 저해요인, 동향 및 포터의 다섯 가지 힘 분석.
– 주요 원자재 및 주요 공급 업체, EUV 포토레지스트의 산업 체인.
– EUV 포토레지스트 판매 채널, 유통 업체, 고객(수요기업), 조사 결과 및 결론을 설명합니다.
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■ 보고서 목차■ 시장 개요 ■ 제조업체 프로필 JSR TOK Shin-Etsu Chemical ■ 제조업체간 경쟁 환경 ■ 지역별 소비 분석 ■ 종류별 시장 세분화 ■ 용도별 시장 세분화 ■ 북미 ■ 유럽 ■ 아시아 태평양 ■ 남미 ■ 중동 및 아프리카 ■ 시장 역학 ■ 원자재 및 산업 체인 ■ 유통 채널별 출하량 ■ 조사 결과 [그림 목록]- EUV 포토레지스트 이미지 - 종류별 세계의 EUV 포토레지스트 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 종류별 세계의 EUV 포토레지스트 소비 금액 시장 점유율 - 용도별 세계의 EUV 포토레지스트 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 용도별 세계의 EUV 포토레지스트 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 EUV 포토레지스트 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 세계의 EUV 포토레지스트 소비 금액 및 예측 (2019-2030) - 세계의 EUV 포토레지스트 판매량 (2019-2030) - 세계의 EUV 포토레지스트 평균 가격 (2019-2030) - 2023년 제조업체별 세계의 EUV 포토레지스트 판매량 시장 점유율 - 2023년 제조업체별 세계의 EUV 포토레지스트 소비 금액 시장 점유율 - 2023년 상위 3개 EUV 포토레지스트 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 2023년 상위 6개 EUV 포토레지스트 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 지역별 EUV 포토레지스트 판매량 시장 점유율 - 지역별 EUV 포토레지스트 소비 금액 시장 점유율 - 북미 EUV 포토레지스트 소비 금액 - 유럽 EUV 포토레지스트 소비 금액 - 아시아 태평양 EUV 포토레지스트 소비 금액 - 남미 EUV 포토레지스트 소비 금액 - 중동 및 아프리카 EUV 포토레지스트 소비 금액 - 세계의 종류별 EUV 포토레지스트 판매량 시장 점유율 - 세계의 종류별 EUV 포토레지스트 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 종류별 EUV 포토레지스트 평균 가격 - 세계의 용도별 EUV 포토레지스트 판매량 시장 점유율 - 세계의 용도별 EUV 포토레지스트 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 용도별 EUV 포토레지스트 평균 가격 - 북미 EUV 포토레지스트 종류별 판매량 시장 점유율 - 북미 EUV 포토레지스트 용도별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 EUV 포토레지스트 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 EUV 포토레지스트 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 미국 EUV 포토레지스트 소비 금액 및 성장률 - 캐나다 EUV 포토레지스트 소비 금액 및 성장률 - 멕시코 EUV 포토레지스트 소비 금액 및 성장률 - 유럽 EUV 포토레지스트 종류별 판매량 시장 점유율 - 유럽 EUV 포토레지스트 용도별 판매량 시장 점유율 - 유럽 EUV 포토레지스트 국가별 판매량 시장 점유율 - 유럽 EUV 포토레지스트 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 독일 EUV 포토레지스트 소비 금액 및 성장률 - 프랑스 EUV 포토레지스트 소비 금액 및 성장률 - 영국 EUV 포토레지스트 소비 금액 및 성장률 - 러시아 EUV 포토레지스트 소비 금액 및 성장률 - 이탈리아 EUV 포토레지스트 소비 금액 및 성장률 - 아시아 태평양 EUV 포토레지스트 종류별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 EUV 포토레지스트 용도별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 EUV 포토레지스트 지역별 판매 수량 시장 점유율 - 아시아 태평양 EUV 포토레지스트 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 중국 EUV 포토레지스트 소비 금액 및 성장률 - 일본 EUV 포토레지스트 소비 금액 및 성장률 - 한국 EUV 포토레지스트 소비 금액 및 성장률 - 인도 EUV 포토레지스트 소비 금액 및 성장률 - 동남아시아 EUV 포토레지스트 소비 금액 및 성장률 - 호주 EUV 포토레지스트 소비 금액 및 성장률 - 남미 EUV 포토레지스트 종류별 판매량 시장 점유율 - 남미 EUV 포토레지스트 용도별 판매량 시장 점유율 - 남미 EUV 포토레지스트 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 남미 EUV 포토레지스트 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 브라질 EUV 포토레지스트 소비 금액 및 성장률 - 아르헨티나 EUV 포토레지스트 소비 금액 및 성장률 - 중동 및 아프리카 EUV 포토레지스트 종류별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 EUV 포토레지스트 용도별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 EUV 포토레지스트 지역별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 EUV 포토레지스트 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 터키 EUV 포토레지스트 소비 금액 및 성장률 - 이집트 EUV 포토레지스트 소비 금액 및 성장률 - 사우디 아라비아 EUV 포토레지스트 소비 금액 및 성장률 - 남아프리카 공화국 EUV 포토레지스트 소비 금액 및 성장률 - EUV 포토레지스트 시장 성장 요인 - EUV 포토레지스트 시장 제약 요인 - EUV 포토레지스트 시장 동향 - 포터의 다섯 가지 힘 분석 - 2023년 EUV 포토레지스트의 제조 비용 구조 분석 - EUV 포토레지스트의 제조 공정 분석 - EUV 포토레지스트 산업 체인 - 직접 채널 장단점 - 간접 채널 장단점 - 방법론 - 조사 프로세스 및 데이터 소스 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 극자외선(EUV, Extreme Ultraviolet) 포토레지스트는 반도체 제조 공정에서 미세한 회로 패턴을 웨이퍼에 구현하기 위해 사용되는 핵심 소재입니다. 일반적인 포토레지스트가 가시광선이나 심자외선(DUV, Deep Ultraviolet)을 이용하여 패턴을 형성하는 반면, EUV 포토레지스트는 파장이 7~13.5 나노미터(nm)에 이르는 극자외선을 감광제로 사용합니다. 이러한 초단파장의 빛은 기존의 포토레지스트로는 구현하기 어려운 수십 나노미터 이하의 초미세 패턴을 형성할 수 있게 해 줍니다. EUV 포토레지스트의 가장 큰 특징은 기존 포토레지스트와는 근본적으로 다른 감광 메커니즘을 가지고 있다는 점입니다. 기존 포토레지스트는 빛 에너지를 흡수하여 포토애시드 제너레이터(PAG)라는 물질이 산을 발생시키고, 이 산이 고분자 수지의 화학적 구조를 변화시켜 용해도 차이를 만들어내는 방식으로 패턴이 형성되었습니다. 그러나 EUV 광은 에너지가 매우 높기 때문에 PAG 없이도 직접적으로 포토레지스트 내의 분자 구조를 파괴하거나 변화시키는 것이 가능합니다. 이러한 직접적인 분자 파괴 방식은 기존 방식보다 더 적은 양의 빛으로도 효과적인 패턴 형성이 가능하게 하여, EUV 공정의 생산성을 높이는 데 기여합니다. EUV 포토레지스트는 크게 두 가지 종류로 나눌 수 있습니다. 첫 번째는 금속 유기 화합물을 기반으로 하는 **금속 기반 포토레지스트(Metal-based photoresists)**입니다. 이 종류의 포토레지스트는 금속 원자가 빛 에너지를 효율적으로 흡수하여 분해되면서 패턴을 형성하는 원리를 이용합니다. 금속 기반 포토레지스트는 높은 감도와 해상도를 제공할 수 있지만, 금속 잔류물이나 산화와 같은 부작용이 발생할 가능성이 있어 공정 제어에 어려움이 있을 수 있습니다. 특히, 형성된 패턴 내에 금속 성분이 남아 있게 되면 반도체 소자의 성능에 부정적인 영향을 미칠 수 있으므로, 잔류물 제거 공정이 매우 중요합니다. 두 번째는 기존 포토레지스트의 화학 증폭형(Chemically Amplified Resist, CAR) 개념을 확장한 **화학 증폭형 EUV 포토레지스트(Chemically Amplified EUV photoresists)**입니다. 이 방식은 EUV 빛이 포토레지스트 내의 특정 화학물질과 반응하여 화학 반응을 개시하고, 이 개시된 화학 반응이 연쇄적으로 일어나면서 고분자 수지의 용해도를 변화시키는 방식입니다. 화학 증폭형 EUV 포토레지스트는 금속 기반 포토레지스트에 비해 잔류물 문제가 적고 공정 제어가 용이하다는 장점을 가집니다. 또한, 반응 효율을 높여 낮은 광량으로도 선명한 패턴을 형성할 수 있으며, 이는 EUV 노광 장비의 광원 출력이 상대적으로 낮다는 점을 고려할 때 매우 중요한 장점입니다. 하지만 화학 증폭형 EUV 포토레지스트는 포토애시드 제너레이터(PAG)의 효율성, 확산(diffusion) 제어, 그리고 복잡한 화학 반응 메커니즘으로 인해 개발에 많은 어려움이 따릅니다. PAG에서 생성된 산이 포토레지스트 내부에서 의도치 않게 확산되면 패턴의 선명도를 저하시키는 주요 원인이 되기 때문입니다. 이를 극복하기 위해 다양한 첨가제나 고분자 구조 설계가 연구되고 있습니다. EUV 포토레지스트의 가장 중요한 용도는 최첨단 반도체 집적회로(IC) 제조입니다. 특히, 7나노미터(nm) 이하 공정에서 미세 회로 패턴을 형성하는 데 필수적으로 사용됩니다. 스마트폰의 고성능 AP, 인공지능(AI) 가속기, 데이터센터용 CPU 등 고도로 집적된 반도체 칩을 만들기 위해서는 EUV 리소그래피 기술이 반드시 필요하며, EUV 포토레지스트는 이 과정에서 가장 중요한 소재 역할을 수행합니다. EUV 포토레지스트의 성능, 즉 해상도, 감도, 그리고 노광 후 패턴의 충실도(fidelity)는 최종 반도체 칩의 성능과 수율을 결정짓는 핵심 요소가 됩니다. EUV 포토레지스트와 관련된 주요 기술로는 **고해상도(High Resolution)**, **고감도(High Sensitivity)**, **낮은 노이즈(Low Stochastic Defects)**, **낮은 확산(Low Diffusion)**, **높은 에칭 저항성(High Etch Resistance)**, 그리고 **낮은 잔류물(Low Residue)** 등이 있습니다. 고해상도는 수 나노미터 이하의 미세 패턴을 얼마나 정밀하게 구현할 수 있는지를 나타내는 지표입니다. EUV 광의 짧은 파장은 고해상도를 가능하게 하는 근본적인 요인이지만, 포토레지스트 자체의 분자 크기, 화학 반응의 정밀도, 그리고 공정 조건에 의해서도 크게 좌우됩니다. 고감도는 적은 양의 EUV 광 에너지로도 충분한 화학 반응을 일으켜 패턴을 형성할 수 있는 능력을 의미합니다. 광원은 EUV 노광 장비에 장착되는데, EUV 광원의 출력이 제한적이기 때문에 높은 감도는 생산성을 크게 향상시키는 데 기여합니다. 이는 노광 시간을 단축시키고 웨이퍼당 처리량을 늘릴 수 있게 합니다. 낮은 노이즈, 또는 낮은 입자 결함(stochastic defects)은 포토레지스트가 미세 패턴을 형성할 때 발생하는 무작위적인 결함의 발생률을 의미합니다. 극히 미세한 패턴을 만들 때는 포토레지스트 분자의 무작위적인 분포나 화학 반응의 불균일성 때문에 패턴이 끊기거나 예상치 못한 부분이 형성되는 경우가 발생할 수 있습니다. 이러한 결함을 최소화하는 기술은 반도체 수율 확보에 매우 중요합니다. 낮은 확산은 화학 증폭형 포토레지스트에서 특히 중요한 기술입니다. EUV 광에 의해 생성된 산이 포토레지스트 내부에서 과도하게 확산되면, 원래 노광된 패턴보다 더 넓거나 흐릿한 패턴이 형성되어 해상도가 저하됩니다. 이를 방지하기 위해 포토레지스트 내의 고분자 구조를 설계하거나, 확산 억제제(diffusion inhibitor)와 같은 첨가제를 사용합니다. 높은 에칭 저항성은 포토레지스트로 형성된 패턴을 이용하여 아래층의 물질을 식각(etching)할 때, 포토레지스트 패턴이 식각 공정에 의해 손상되지 않고 형상을 유지하는 능력을 말합니다. 미세 패턴을 형성하는 만큼, 이 패턴을 다음 공정으로 전달하기 위한 에칭 공정은 매우 중요하며, 포토레지스트는 이 에칭 공정의 가혹한 환경을 견뎌내야 합니다. 낮은 잔류물은 포토레지스트를 사용하고 제거하는 과정에서 웨이퍼 표면에 남는 불필요한 물질이 없어야 함을 의미합니다. 금속 기반 포토레지스트의 경우 금속 잔류물이 문제가 될 수 있으며, 화학 증폭형 포토레지스트에서도 반응 부산물이나 불완전한 제거로 인한 잔류물이 발생할 수 있습니다. 이러한 잔류물은 반도체 소자의 성능 저하 또는 불량을 야기하므로, 포토레지스트 소재 자체의 특성과 세정 공정 기술이 함께 중요하게 고려됩니다. EUV 포토레지스트는 지속적인 연구 개발을 통해 계속해서 발전하고 있으며, 더 높은 해상도, 더 높은 감도, 더 적은 결함을 가지는 차세대 EUV 포토레지스트 개발이 미래 반도체 기술 발전을 위한 중요한 과제로 남아있습니다. 이는 단순히 소재 자체의 개발을 넘어, EUV 광원, EUV 마스크, 노광 장비, 그리고 관련 공정 기술과의 통합적인 최적화를 요구하는 복합적인 기술 영역입니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 EUV 포토레지스트 시장 2024 : 기업, 종류, 용도, 시장예측] (코드 : GIR2407E18834) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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