| ■ 영문 제목 : Global Gallium Nitride (GaN) Epiwafers Market Growth 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : LPI2407D21968 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2024년 5월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
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LP Information (LPI)사의 최신 조사에 따르면, 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장 규모는 2023년에 미화 XXX백만 달러로 산출되었습니다. 다운 스트림 시장의 수요가 증가함에 따라 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼은 조사 대상 기간 동안 XXX%의 CAGR(연평균 성장율)로 2030년까지 미화 XXX백만 달러의 시장규모로 예상됩니다.
본 조사 보고서는 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장의 성장 잠재력을 강조합니다. 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼은 향후 시장에서 안정적인 성장을 보일 것으로 예상됩니다. 그러나 제품 차별화, 비용 절감 및 공급망 최적화는 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼의 광범위한 채택을 위해 여전히 중요합니다. 시장 참여자들은 연구 개발에 투자하고, 전략적 파트너십을 구축하고, 진화하는 소비자 선호도에 맞춰 제품을 제공함으로써 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장이 제공하는 막대한 기회를 활용해야 합니다.
[주요 특징]
질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장에 대한 보고서는 다양한 측면을 반영하고 업계에 대한 소중한 통찰력을 제공합니다.
시장 규모 및 성장: 본 조사 보고서는 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장의 현재 규모와 성장에 대한 개요를 제공합니다. 여기에는 과거 데이터, 유형별 시장 세분화 (예 : 2인치, 4인치, 6인치, 기타) 및 지역 분류가 포함될 수 있습니다.
시장 동인 및 과제: 본 보고서는 정부 규제, 환경 문제, 기술 발전 및 소비자 선호도 변화와 같은 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장의 성장을 주도하는 요인을 식별하고 분석 할 수 있습니다. 또한 인프라 제한, 범위 불안, 높은 초기 비용 등 업계가 직면한 과제를 강조할 수 있습니다.
경쟁 환경: 본 조사 보고서는 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장 내 경쟁 환경에 대한 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 업체의 프로필, 시장 점유율, 전략 및 제공 제품이 포함됩니다. 본 보고서는 또한 신흥 플레이어와 시장에 대한 잠재적 영향을 강조할 수 있습니다.
기술 개발: 본 조사 보고서는 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 산업의 최신 기술 개발에 대해 자세히 살펴볼 수 있습니다. 여기에는 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 기술의 발전, 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 신규 진입자, 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 신규 투자, 그리고 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼의 미래를 형성하는 기타 혁신이 포함됩니다.
다운스트림 고객 선호도: 본 보고서는 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장의 고객 구매 행동 및 채택 동향을 조명할 수 있습니다. 여기에는 고객의 구매 결정에 영향을 미치는 요인, 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 제품에 대한 선호도가 포함됩니다.
정부 정책 및 인센티브: 본 조사 보고서는 정부 정책 및 인센티브가 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장에 미치는 영향을 분석합니다. 여기에는 규제 프레임워크, 보조금, 세금 인센티브 및 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장을 촉진하기위한 기타 조치에 대한 평가가 포함될 수 있습니다. 본 보고서는 또한 이러한 정책이 시장 성장을 촉진하는데 미치는 효과도 분석합니다.
환경 영향 및 지속 가능성: 조사 보고서는 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장의 환경 영향 및 지속 가능성 측면을 분석합니다.
시장 예측 및 미래 전망: 수행된 분석을 기반으로 본 조사 보고서는 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 산업에 대한 시장 예측 및 전망을 제공합니다. 여기에는 시장 규모, 성장률, 지역 동향, 기술 발전 및 정책 개발에 대한 예측이 포함됩니다.
권장 사항 및 기회: 본 보고서는 업계 이해 관계자, 정책 입안자, 투자자를 위한 권장 사항으로 마무리됩니다. 본 보고서는 시장 참여자들이 새로운 트렌드를 활용하고, 도전 과제를 극복하며, 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장의 성장과 발전에 기여할 수 있는 잠재적 기회를 강조합니다.
[시장 세분화]
질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 수량 및 금액 측면에서 제공합니다.
*** 종류별 세분화 ***
2인치, 4인치, 6인치, 기타
*** 용도별 세분화 ***
RF, 전력 전자, 광전자, 기타
본 보고서는 또한 시장을 지역별로 분류합니다:
– 미주 (미국, 캐나다, 멕시코, 브라질)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 호주)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 중동 및 아프리카 (이집트, 남아프리카 공화국, 이스라엘, 터키, GCC 국가)
아래 프로파일링 대상 기업은 주요 전문가로부터 수집한 정보를 바탕으로 해당 기업의 서비스 범위, 제품 포트폴리오, 시장 점유율을 분석하여 선정되었습니다.
NTT AT, Mitsubishi, Sumitomo, EpiGaN, Qorvo, San’an Optoelectronics Co, Sai MicroElectronics Inc, Hailu Heavy Industry, Enkris, CoreEnergy Semiconductor, Innoscience
[본 보고서에서 다루는 주요 질문]
– 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장의 향후 10년 전망은 어떻게 될까요?
– 전 세계 및 지역별 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장 성장을 주도하는 요인은 무엇입니까?
– 시장과 지역별로 가장 빠르게 성장할 것으로 예상되는 분야는 무엇인가요?
– 최종 시장 규모에 따라 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장 기회는 어떻게 다른가요?
– 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼은 종류, 용도를 어떻게 분류합니까?
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■ 보고서 목차■ 보고서의 범위 ■ 보고서의 요약 ■ 기업별 세계 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장분석 ■ 지역별 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼에 대한 추이 분석 ■ 미주 시장 ■ 아시아 태평양 시장 ■ 유럽 시장 ■ 중동 및 아프리카 시장 ■ 시장 동인, 도전 과제 및 동향 ■ 제조 비용 구조 분석 ■ 마케팅, 유통업체 및 고객 ■ 지역별 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장 예측 ■ 주요 기업 분석 NTT AT, Mitsubishi, Sumitomo, EpiGaN, Qorvo, San’an Optoelectronics Co, Sai MicroElectronics Inc, Hailu Heavy Industry, Enkris, CoreEnergy Semiconductor, Innoscience – NTT AT – Mitsubishi – Sumitomo ■ 조사 결과 및 결론 [그림 목록]질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 이미지 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 판매량 성장률 (2019-2030) 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 매출 성장률 (2019-2030) 지역별 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 매출 (2019, 2023 및 2030) 글로벌 종류별 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 종류별 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 매출 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 용도별 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 용도별 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 매출 시장 점유율 기업별 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 판매량 시장 2023 기업별 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 판매량 시장 점유율 2023 기업별 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 매출 시장 2023 기업별 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 매출 시장 점유율 2023 지역별 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 판매량 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 매출 시장 점유율 2023 미주 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 판매량 (2019-2024) 미주 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 매출 (2019-2024) 아시아 태평양 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 판매량 (2019-2024) 아시아 태평양 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 매출 (2019-2024) 유럽 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 판매량 (2019-2024) 유럽 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 매출 (2019-2024) 중동 및 아프리카 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 판매량 (2019-2024) 중동 및 아프리카 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 매출 (2019-2024) 미국 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 캐나다 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 멕시코 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 브라질 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 중국 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 일본 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 한국 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 동남아시아 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 인도 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 호주 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 독일 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 프랑스 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 영국 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 이탈리아 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 러시아 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 이집트 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 남아프리카 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 이스라엘 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 터키 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) GCC 국가 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼의 제조 원가 구조 분석 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼의 제조 공정 분석 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼의 산업 체인 구조 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼의 유통 채널 글로벌 지역별 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 판매량 시장 전망 (2025-2030) 글로벌 지역별 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼는 질화 갈륨 (GaN) 단결정 박막이 기판 위에 성장된 형태를 의미합니다. 질화 갈륨은 넓은 띠 간격 (wide bandgap) 반도체 소재로서, 기존 실리콘 (Si) 기반 소재가 가지는 한계를 극복하고 고온, 고전압, 고주파 환경에서 뛰어난 성능을 발휘할 수 있다는 점에서 차세대 반도체 소재로 주목받고 있습니다. 이러한 질화 갈륨의 우수한 특성은 주로 전자소자 및 광전자소자 분야에서 활용되며, 그 핵심에는 에피 웨이퍼 기술이 자리 잡고 있습니다. 질화 갈륨 에피 웨이퍼의 핵심은 바로 '에피택셜 성장 (epitaxial growth)'이라는 공정에 있습니다. 에피택셜 성장이란 이미 존재하는 결정면 위에 동일한 결정 구조를 가지는 새로운 결정을 성장시키는 기술을 의미합니다. 질화 갈륨 에피 웨이퍼의 경우, 적절한 기판 위에 질화 갈륨 원자들이 규칙적으로 배열되면서 단결정의 박막 형태로 성장하게 됩니다. 이 과정에서 기판의 결정 구조와 성장하는 질화 갈륨 박막의 결정 방향이 일치하도록 제어하는 것이 매우 중요하며, 이를 통해 결정 결함이 최소화된 고품질의 질화 갈륨 박막을 얻을 수 있습니다. 질화 갈륨 에피 웨이퍼는 여러 가지 고유한 특징을 가지고 있습니다. 첫째, 매우 넓은 띠 간격 (약 3.4 eV)을 가지고 있어 높은 항복 전압 (breakdown voltage)을 구현할 수 있습니다. 이는 고전압 스위칭 소자나 전력 변환 장치에 매우 유리하게 작용합니다. 또한, 높은 전자 이동도 (electron mobility)를 가지므로 고주파에서도 빠르게 작동하는 고성능 트랜지스터를 제작할 수 있습니다. 둘째, 높은 열전도도 (thermal conductivity)를 지니고 있어 소자 작동 시 발생하는 열을 효과적으로 방출할 수 있습니다. 이는 고출력 소자의 안정적인 작동을 보장하는 데 중요한 요소입니다. 셋째, 화학적으로 안정하여 부식에 강하고, 높은 임계 전류 밀도 (critical current density)를 견딜 수 있습니다. 이러한 특성들은 기존 실리콘 소재로는 구현하기 어려운 극한 환경에서의 소자 제작을 가능하게 합니다. 질화 갈륨 에피 웨이퍼는 다양한 조성 및 구조에 따라 여러 종류로 나눌 수 있습니다. 가장 기본적인 형태는 순수한 질화 갈륨 (GaN) 박막을 성장시킨 에피 웨이퍼입니다. 하지만 실제 소자 구현 시에는 질화 갈륨과 알루미늄 질화 갈륨 (AlGaN) 또는 인듐 질화 갈륨 (InGaN) 등의 합금을 이용하여 박막의 에너지 띠 구조를 조절하고, 특정 기능을 구현하는 경우가 많습니다. 예를 들어, 고전자 이동도 트랜지스터 (HEMT)의 핵심 구조는 질화 갈륨과 알루미늄 질화 갈륨 계면에서 발생하는 2차원 전자 기체 (2-DEG, 2-dimensional electron gas)를 이용하는 것인데, 이때 AlGaN/GaN 헤테로구조 에피 웨이퍼가 사용됩니다. 또한, 발광 다이오드 (LED)나 레이저 다이오드 (LD)와 같은 광전자 소자에는 인듐 질화 갈륨 (InGaN) 박막이 사용되어 발광 파장을 조절합니다. 따라서 에피 웨이퍼의 종류는 소자의 용도에 따라 박막의 조성, 두께, 도핑 농도 등이 다르게 설계됩니다. 질화 갈륨 에피 웨이퍼의 가장 대표적인 용도는 전자소자 분야에서 찾아볼 수 있습니다. 고출력, 고주파 전력 증폭기 (PA, Power Amplifier)는 휴대폰 기지국, 레이더 시스템, 위성 통신 등 다양한 통신 장비의 핵심 부품으로 사용됩니다. 질화 갈륨 HEMT 소자는 실리콘 기반 소자에 비해 더 높은 주파수 대역에서 효율적으로 작동하며, 더 높은 전력 밀도를 구현할 수 있어 통신 시스템의 성능 향상에 크게 기여하고 있습니다. 또한, 전력 변환 장치에 사용되는 질화 갈륨 쇼트키 다이오드 (Schottky Diode)나 MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)는 실리콘 카바이드 (SiC) 소재와 더불어 고효율, 소형화가 요구되는 전기차 충전기, 전원 공급 장치, 태양광 인버터 등에 적용되고 있습니다. 광전자소자 분야에서도 질화 갈륨 에피 웨이퍼의 중요성은 매우 큽니다. 특히 청색, 녹색, 백색 LED 제작에 필수적인 소재로 사용됩니다. 인듐 질화 갈륨 (InGaN) 합금의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상의 빛을 구현할 수 있으며, 질화 갈륨 기반 LED는 기존 형광등이나 백열등에 비해 에너지 효율이 매우 높고 수명이 길다는 장점을 가지고 있습니다. 최근에는 고효율, 고휘도 청색 레이저 다이오드 (LD) 개발에도 질화 갈륨 에피 웨이퍼가 핵심적인 역할을 하고 있으며, 이는 차세대 디스플레이 기술인 마이크로 LED나 고화질 광 디스크 재생 등 다양한 분야에서 활용될 것으로 기대됩니다. 질화 갈륨 에피 웨이퍼 기술은 단순히 질화 갈륨 박막을 성장시키는 것을 넘어, 고품질의 에피 택셜 성장과 더불어 웨이퍼의 평탄도, 표면 품질, 결정학적 결함 제어 등 다양한 관련 기술을 포함합니다. 일반적으로 질화 갈륨 에피 웨이퍼는 사파이어 (sapphire) 또는 탄화 규소 (SiC)와 같은 이종 기판 위에 성장되는 경우가 많습니다. 이러한 이종 기판은 질화 갈륨과 격자 상수 및 열팽창 계수의 차이가 존재하기 때문에, 이를 극복하고 고품질의 질화 갈륨 박막을 성장시키기 위한 완충층 (buffer layer) 기술이 매우 중요합니다. 완충층은 기판과 질화 갈륨 박막 사이의 격자 불일치 및 열응력으로 인해 발생하는 결정 결함을 줄여주는 역할을 합니다. 또한, 질화 갈륨 에피 웨이퍼의 표면 품질은 후속 공정에서 소자 성능에 직접적인 영향을 미치므로, 고해상도 현미경 검사, 표면 거칠기 측정 등 엄격한 품질 관리가 이루어집니다. 최근에는 질화 갈륨 자체를 성장시키기 위한 기판으로 질화 갈륨 웨이퍼를 사용하는 연구도 활발히 진행되고 있습니다. 이는 이종 기판에서 발생하는 격자 불일치 문제를 근본적으로 해결하여 더욱 우수한 품질의 질화 갈륨 박막을 얻을 수 있다는 장점을 가집니다. 또한, 실리콘 웨이퍼 위에 질화 갈륨을 성장시키는 기술도 비용 절감 및 대구경 웨이퍼 제작을 위해 활발히 연구되고 있으며, 이 분야에서도 효율적인 완충층 설계와 공정 제어가 핵심적인 기술 경쟁력이 됩니다. 이처럼 질화 갈륨 에피 웨이퍼는 현대 첨단 전자 및 광전자 소자 산업의 근간을 이루는 중요한 소재이자 기술입니다. 고출력, 고주파, 고효율이 요구되는 다양한 응용 분야에서 질화 갈륨의 잠재력은 무궁무진하며, 지속적인 에피 웨이퍼 성장 기술의 발전은 이러한 혁신을 더욱 가속화할 것으로 기대됩니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 질화 갈륨 (GaN) 에피 웨이퍼 시장 2024-2030] (코드 : LPI2407D21968) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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