| ■ 영문 제목 : Global IGBT-Based Power Semiconductor Market 2024 by Manufacturers, Regions, Type and Application, Forecast to 2030 | |
 | ■ 상품코드 : GIR2409H6110 ■ 조사/발행회사 : Globalinforesearch ■ 발행일 : 2024년 9월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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조사회사 Global Info Research의 최신 조사에 따르면, 세계의 IGBT 기반 파워 반도체 시장 규모는 2023년에 XXX백만 달러로 분석되었으며, 검토 기간 동안 xx%의 CAGR로 2030년까지 XXX백만 달러의 재조정된 규모로 성장이 예측됩니다.
Global Info Research 보고서에는 IGBT 기반 파워 반도체 산업 체인 동향 개요, 가전, 항공 우주, 자동차, 기타 응용분야 및 선진 및 개발 도상국의 주요 기업의 시장 현황, IGBT 기반 파워 반도체의 최첨단 기술, 특허, 최신 용도 및 시장 동향을 분석했습니다.
지역별로는 주요 지역의 IGBT 기반 파워 반도체 시장을 분석합니다. 북미와 유럽은 정부 이니셔티브와 수요자 인식 제고에 힘입어 꾸준한 성장세를 보이고 있습니다. 아시아 태평양, 특히 중국은 탄탄한 내수 수요와 지원 정책, 강력한 제조 기반을 바탕으로 글로벌 IGBT 기반 파워 반도체 시장을 주도하고 있습니다.
[주요 특징]
본 보고서는 IGBT 기반 파워 반도체 시장에 대한 포괄적인 이해를 제공합니다. 본 보고서는 산업에 대한 전체적인 관점과 개별 구성 요소 및 이해 관계자에 대한 자세한 통찰력을 제공합니다. 본 보고서는 IGBT 기반 파워 반도체 산업 내의 시장 역학, 동향, 과제 및 기회를 분석합니다. 또한, 거시적 관점에서 시장을 분석하는 것이 포함됩니다.
시장 규모 및 세분화: 본 보고서는 판매량, 매출 및 종류별 (예 : 디스트리트형, 모듈형)의 시장 점유율을 포함한 전체 시장 규모에 대한 데이터를 수집합니다.
산업 분석: 보고서는 정부 정책 및 규제, 기술 발전, 수요자 선호도, 시장 역학 등 광범위한 산업 동향을 분석합니다. 이 분석은 IGBT 기반 파워 반도체 시장에 영향을 미치는 주요 동인과 과제를 이해하는데 도움이 됩니다.
지역 분석: 본 보고서에는 지역 또는 국가 단위로 IGBT 기반 파워 반도체 시장을 조사하는 것이 포함됩니다. 보고서는 정부 인센티브, 인프라 개발, 경제 상황 및 수요자 행동과 같은 지역 요인을 분석하여 다양한 시장 내의 변화와 기회를 식별합니다.
시장 전망: 보고서는 수집된 데이터와 분석을 통해 IGBT 기반 파워 반도체 시장에 대한 미래 전망 및 예측을 다룹니다. 여기에는 시장 성장률 추정, 시장 수요 예측, 새로운 트렌드 파악 등이 포함될 수 있습니다. 본 보고서에는 IGBT 기반 파워 반도체에 대한 보다 세분화된 접근 방식도 포함됩니다.
기업 분석: 본 보고서는 IGBT 기반 파워 반도체 제조업체, 공급업체 및 기타 관련 업계 플레이어를 다룹니다. 이 분석에는 재무 성과, 시장 포지셔닝, 제품 포트폴리오, 파트너십 및 전략에 대한 조사가 포함됩니다.
수요자 분석: 보고서는 IGBT 기반 파워 반도체에 대한 수요자 행동, 선호도 및 태도에 대한 데이터를 다룹니다. 여기에는 설문 조사, 인터뷰 및 응용 분야별 (가전, 항공 우주, 자동차, 기타)의 다양한 수요자 리뷰 및 피드백 분석이 포함될 수 있습니다.
기술 분석: IGBT 기반 파워 반도체과 관련된 특정 기술을 다루는 보고서입니다. IGBT 기반 파워 반도체 분야의 현재 상황 및 잠재적 미래 발전 가능성을 평가합니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 개별 기업, 공급업체 및 수요업체를 분석하여 IGBT 기반 파워 반도체 시장의 경쟁 환경에 대한 통찰력을 제공합니다. 이 분석은 시장 점유율, 경쟁 우위 및 업계 플레이어 간의 차별화 가능성을 이해하는 데 도움이 됩니다.
시장 검증: 본 보고서에는 설문 조사, 인터뷰 및 포커스 그룹과 같은 주요 조사를 통해 결과 및 예측을 검증하는 작업이 포함됩니다.
[시장 세분화]
IGBT 기반 파워 반도체 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
종류별 시장 세그먼트
– 디스트리트형, 모듈형
용도별 시장 세그먼트
– 가전, 항공 우주, 자동차, 기타
주요 대상 기업
– Infineon Technologies、Mitsubishi、Fuji Electric、Semikron、ON Semiconductors、Fairchild Semiconductors、Texas Instruments Incorporated、STMicroelectronics、IXYS、Toshiba
지역 분석은 다음을 포함합니다.
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 러시아, 이탈리아)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 인도, 동남아시아, 호주)
– 남미 (브라질, 아르헨티나, 콜롬비아)
– 중동 및 아프리카 (사우디아라비아, 아랍에미리트, 이집트, 남아프리카공화국)
본 조사 보고서는 아래 항목으로 구성되어 있습니다.
– IGBT 기반 파워 반도체 제품 범위, 시장 개요, 시장 추정, 주의 사항 및 기준 연도를 설명합니다.
– 2019년부터 2024년까지 IGBT 기반 파워 반도체의 가격, 판매량, 매출 및 세계 시장 점유율과 함께 IGBT 기반 파워 반도체의 주요 제조업체를 프로파일링합니다.
– IGBT 기반 파워 반도체 경쟁 상황, 판매량, 매출 및 주요 제조업체의 글로벌 시장 점유율이 상세하게 분석 됩니다.
– IGBT 기반 파워 반도체 상세 데이터는 2019년부터 2030년까지 지역별 판매량, 소비금액 및 성장성을 보여주기 위해 지역 레벨로 표시됩니다.
– 2019년부터 2030년까지 판매량 시장 점유율 및 성장률을 종류별, 용도별로 분류합니다.
– 2017년부터 2023년까지 세계 주요 국가의 판매량, 소비금액 및 시장 점유율과 함께 국가 레벨로 판매 데이터를 분류하고, 2025년부터 2030년까지 판매량 및 매출과 함께 지역, 종류 및 용도별로 IGBT 기반 파워 반도체 시장 예측을 수행합니다.
– 시장 역학, 성장요인, 저해요인, 동향 및 포터의 다섯 가지 힘 분석.
– 주요 원자재 및 주요 공급 업체, IGBT 기반 파워 반도체의 산업 체인.
– IGBT 기반 파워 반도체 판매 채널, 유통 업체, 고객(수요기업), 조사 결과 및 결론을 설명합니다.
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■ 보고서 목차■ 시장 개요 ■ 제조업체 프로필 Infineon Technologies Mitsubishi Fuji Electric ■ 제조업체간 경쟁 환경 ■ 지역별 소비 분석 ■ 종류별 시장 세분화 ■ 용도별 시장 세분화 ■ 북미 ■ 유럽 ■ 아시아 태평양 ■ 남미 ■ 중동 및 아프리카 ■ 시장 역학 ■ 원자재 및 산업 체인 ■ 유통 채널별 출하량 ■ 조사 결과 [그림 목록]- IGBT 기반 파워 반도체 이미지 - 종류별 세계의 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 종류별 세계의 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 시장 점유율 - 용도별 세계의 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 용도별 세계의 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 세계의 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 및 예측 (2019-2030) - 세계의 IGBT 기반 파워 반도체 판매량 (2019-2030) - 세계의 IGBT 기반 파워 반도체 평균 가격 (2019-2030) - 2023년 제조업체별 세계의 IGBT 기반 파워 반도체 판매량 시장 점유율 - 2023년 제조업체별 세계의 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 시장 점유율 - 2023년 상위 3개 IGBT 기반 파워 반도체 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 2023년 상위 6개 IGBT 기반 파워 반도체 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 지역별 IGBT 기반 파워 반도체 판매량 시장 점유율 - 지역별 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 시장 점유율 - 북미 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 - 유럽 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 - 아시아 태평양 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 - 남미 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 - 중동 및 아프리카 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 - 세계의 종류별 IGBT 기반 파워 반도체 판매량 시장 점유율 - 세계의 종류별 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 종류별 IGBT 기반 파워 반도체 평균 가격 - 세계의 용도별 IGBT 기반 파워 반도체 판매량 시장 점유율 - 세계의 용도별 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 용도별 IGBT 기반 파워 반도체 평균 가격 - 북미 IGBT 기반 파워 반도체 종류별 판매량 시장 점유율 - 북미 IGBT 기반 파워 반도체 용도별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 IGBT 기반 파워 반도체 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 IGBT 기반 파워 반도체 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 미국 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 및 성장률 - 캐나다 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 및 성장률 - 멕시코 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 및 성장률 - 유럽 IGBT 기반 파워 반도체 종류별 판매량 시장 점유율 - 유럽 IGBT 기반 파워 반도체 용도별 판매량 시장 점유율 - 유럽 IGBT 기반 파워 반도체 국가별 판매량 시장 점유율 - 유럽 IGBT 기반 파워 반도체 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 독일 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 및 성장률 - 프랑스 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 및 성장률 - 영국 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 및 성장률 - 러시아 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 및 성장률 - 이탈리아 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 및 성장률 - 아시아 태평양 IGBT 기반 파워 반도체 종류별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 IGBT 기반 파워 반도체 용도별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 IGBT 기반 파워 반도체 지역별 판매 수량 시장 점유율 - 아시아 태평양 IGBT 기반 파워 반도체 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 중국 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 및 성장률 - 일본 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 및 성장률 - 한국 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 및 성장률 - 인도 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 및 성장률 - 동남아시아 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 및 성장률 - 호주 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 및 성장률 - 남미 IGBT 기반 파워 반도체 종류별 판매량 시장 점유율 - 남미 IGBT 기반 파워 반도체 용도별 판매량 시장 점유율 - 남미 IGBT 기반 파워 반도체 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 남미 IGBT 기반 파워 반도체 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 브라질 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 및 성장률 - 아르헨티나 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 및 성장률 - 중동 및 아프리카 IGBT 기반 파워 반도체 종류별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 IGBT 기반 파워 반도체 용도별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 IGBT 기반 파워 반도체 지역별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 IGBT 기반 파워 반도체 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 터키 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 및 성장률 - 이집트 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 및 성장률 - 사우디 아라비아 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 및 성장률 - 남아프리카 공화국 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 및 성장률 - IGBT 기반 파워 반도체 시장 성장 요인 - IGBT 기반 파워 반도체 시장 제약 요인 - IGBT 기반 파워 반도체 시장 동향 - 포터의 다섯 가지 힘 분석 - 2023년 IGBT 기반 파워 반도체의 제조 비용 구조 분석 - IGBT 기반 파워 반도체의 제조 공정 분석 - IGBT 기반 파워 반도체 산업 체인 - 직접 채널 장단점 - 간접 채널 장단점 - 방법론 - 조사 프로세스 및 데이터 소스 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 ## IGBT 기반 파워 반도체: 현대 전력 전자 시스템의 핵심 동력 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 기반 파워 반도체는 현대 전력 전자 시스템에서 매우 중요한 역할을 담당하는 핵심 부품입니다. 이는 고전압 및 대전류를 효율적으로 제어할 수 있는 능력을 바탕으로 다양한 산업 분야에서 폭넓게 활용되고 있습니다. IGBT는 바이폴라 트랜지스터(Bipolar Transistor)의 전류 구동 방식과 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)의 전압 제어 방식을 결합한 하이브리드 구조를 가지고 있어, 두 소자의 장점을 모두 취하면서 단점을 극복한 이상적인 스위칭 소자라 할 수 있습니다. IGBT의 근본적인 개념은 빠르고 정확하게 전류의 흐름을 제어하는 것입니다. 이는 게이트 단자에 전압을 인가함으로써 소자의 내부적인 전류 경로를 개폐하는 방식으로 이루어집니다. 특히 MOSFET의 높은 입력 임피던스를 활용하여 게이트 구동 회로를 단순화하고 전력 소모를 줄일 수 있으며, 바이폴라 트랜지스터의 낮은 포화 전압을 이용하여 전력 손실을 최소화할 수 있다는 장점을 가집니다. 이러한 특성은 고효율, 소형화, 고신뢰성이 요구되는 현대 전력 전자 장치 설계에 있어 매우 유리하게 작용합니다. IGBT의 구조를 좀 더 자세히 살펴보면, 기본적으로 다층 구조를 이루고 있습니다. 이미터, 콜렉터, 게이트 단자를 가지며, 내부적으로는 MOSFET과 바이폴라 트랜지스터의 동작 원리가 결합되어 있습니다. 게이트에 전압이 인가되면 MOSFET 부분에서 전류가 흐르기 시작하고, 이 전류가 바이폴라 트랜지스터의 베이스 전류 역할을 하여 더 큰 콜렉터 전류를 흐르게 하는 연쇄 반응을 일으킵니다. 이 과정에서 바이폴라 트랜지스터의 벌크(Bulk) 특성으로 인해 낮은 포화 전압을 유지할 수 있으며, 이는 온-저항(On-resistance)을 낮추는 효과로 이어져 전력 손실을 크게 줄여줍니다. IGBT는 이러한 기본적인 원리를 바탕으로 다양한 형태와 용량으로 개발되고 있습니다. 가장 기본적인 형태로는 단일 IGBT 소자가 있으며, 이는 높은 전압 및 전류 용량을 가지는 개별 부품으로 사용됩니다. 더 나아가, 이러한 IGBT 소자들을 하나 또는 여러 개 모듈 형태로 집적화하여 사용하기도 합니다. IGBT 모듈은 여러 개의 IGBT 소자와 함께 프리휠링 다이오드(Freewheeling Diode)와 같은 보조 소자들을 하나의 패키지에 내장하고 있어, 시스템 설계의 편의성을 높이고 배선 길이를 단축하여 기생 인덕턴스를 줄이는 효과를 가져옵니다. 또한, 특정 애플리케이션에 맞춰 반도체 스위칭 소자들을 최적으로 조합한 IPM(Intelligent Power Module)도 널리 사용됩니다. IPM은 IGBT와 더불어 제어 회로, 보호 회로, 온도 센서 등을 통합하고 있어 고도의 지능적인 제어가 가능하며, 시스템의 신뢰성을 향상시키는 데 기여합니다. IGBT 기반 파워 반도체의 주요 특징은 다음과 같습니다. 첫째, 높은 내압 및 대전류 처리 능력을 가지고 있어 수백 볼트에서 수천 볼트의 전압과 수십 암페어에서 수백 암페어의 전류를 안정적으로 제어할 수 있습니다. 둘째, MOSFET의 전압 제어 방식과 바이폴라 트랜지스터의 전류 구동 방식의 조합으로 인해 상대적으로 낮은 포화 전압을 가지므로 온-상태 전력 손실이 적습니다. 셋째, 스위칭 속도가 바이폴라 트랜지스터보다는 빠르고 MOSFET보다는 느린 편이지만, 현대 전력 전자 시스템에서 요구되는 스위칭 주파수 범위에서 충분히 활용 가능합니다. 넷째, 비교적 단순한 게이트 구동 회로를 요구하여 설계의 용이성을 제공합니다. 마지막으로, 넓은 작동 온도 범위와 높은 신뢰성을 가지고 있어 다양한 산업 환경에서 사용될 수 있습니다. IGBT의 활용 분야는 매우 광범위합니다. 대표적인 용도로는 전력 변환 장치(Power Converters)가 있습니다. AC 전압을 DC 전압으로 변환하는 정류기(Rectifier), DC 전압을 AC 전압으로 변환하는 인버터(Inverter), DC 전압의 레벨을 바꾸는 DC-DC 컨버터 등 다양한 전력 변환 장치에 IGBT가 핵심적인 스위칭 소자로 사용됩니다. 이러한 전력 변환 장치는 산업용 전력 공급 장치, 모터 드라이브, UPS(Uninterruptible Power Supply), 태양광 및 풍력 발전 시스템의 전력 조절 장치, 전기 자동차의 구동 시스템 등에 필수적입니다. 특히, 산업용 모터 드라이브 분야에서 IGBT는 모터의 속도와 토크를 정밀하게 제어하여 에너지 효율을 높이고 성능을 향상시키는 데 결정적인 역할을 합니다. 또한, 고전압 직류 송전(HVDC) 시스템에서도 IGBT는 대규모 전력 전송의 효율성을 높이는 데 기여합니다. 최근에는 전기 자동차 시장의 폭발적인 성장과 함께 IGBT의 수요가 크게 증가하고 있습니다. 전기 자동차의 핵심 부품인 인버터, 컨버터, 온보드 차저 등에 IGBT가 사용되어 배터리 전력을 효율적으로 모터로 전달하고, 충전 시스템을 제어합니다. IGBT 기반 파워 반도체 기술은 지속적으로 발전하고 있습니다. 최근 연구 개발의 주요 방향은 다음과 같습니다. 첫째, 온-상태 전압 강하를 더욱 낮추고 스위칭 손실을 줄여 전력 변환 효율을 극대화하는 것입니다. 이를 위해 새로운 반도체 재료(예: 실리콘 카바이드(SiC), 질화 갈륨(GaN))를 활용하거나 소자 구조를 최적화하는 연구가 진행되고 있습니다. 둘째, 스위칭 속도를 더욱 향상시켜 더 높은 주파수에서 작동할 수 있도록 하는 것입니다. 이는 전력 변환 장치의 소형화 및 경량화를 가능하게 합니다. 셋째, 고전압 및 고전류 용량을 더욱 확대하여 더욱 까다로운 애플리케이션에도 적용할 수 있도록 하는 것입니다. 넷째, 신뢰성을 더욱 높이고 과열, 과전압, 과전류 등으로부터 소자를 보호하기 위한 내장된 보호 기능을 강화하는 것입니다. 또한, 시스템 통합의 용이성을 높이기 위한 스마트 파워 모듈(SPM) 및 지능형 파워 모듈(IPM) 기술도 더욱 발전하고 있습니다. 결론적으로, IGBT 기반 파워 반도체는 현대 전력 전자 기술의 발전과 확산에 있어 빼놓을 수 없는 중요한 요소입니다. 고효율, 고신뢰성, 다양한 용량 및 적용 범위를 갖춘 IGBT는 에너지 효율 향상, 환경 규제 대응, 신재생 에너지 확대, 전기차 보급 등 다양한 사회적 요구를 충족시키는 데 필수적인 기술입니다. 앞으로도 IGBT 기술은 더욱 발전하여 더욱 효율적이고 지능적인 전력 변환 시스템을 구현하는 데 핵심적인 역할을 수행할 것으로 기대됩니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 IGBT 기반 파워 반도체 시장 2024 : 기업, 종류, 용도, 시장예측] (코드 : GIR2409H6110) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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