| ■ 영문 제목 : Global CVD SiC Market 2024 by Manufacturers, Regions, Type and Application, Forecast to 2030 | |
| ■ 상품코드 : GIR2407E13467 ■ 조사/발행회사 : Globalinforesearch ■ 발행일 : 2024년 4월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 부품/재료 | |
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조사회사 Global Info Research의 최신 조사에 따르면, 세계의 CVD SiC 시장 규모는 2023년에 XXX백만 달러로 분석되었으며, 검토 기간 동안 xx%의 CAGR로 2030년까지 XXX백만 달러의 재조정된 규모로 성장이 예측됩니다.
Global Info Research 보고서에는 CVD SiC 산업 체인 동향 개요, 급속 열 프로세스 부품, 플라즈마 식각 부품, 서셉터 및 더미 웨이퍼, LED 웨이퍼 캐리어 및 커버 플레이트, 기타 응용분야 및 선진 및 개발 도상국의 주요 기업의 시장 현황, CVD SiC의 최첨단 기술, 특허, 최신 용도 및 시장 동향을 분석했습니다.
지역별로는 주요 지역의 CVD SiC 시장을 분석합니다. 북미와 유럽은 정부 이니셔티브와 수요자 인식 제고에 힘입어 꾸준한 성장세를 보이고 있습니다. 아시아 태평양, 특히 중국은 탄탄한 내수 수요와 지원 정책, 강력한 제조 기반을 바탕으로 글로벌 CVD SiC 시장을 주도하고 있습니다.
[주요 특징]
본 보고서는 CVD SiC 시장에 대한 포괄적인 이해를 제공합니다. 본 보고서는 산업에 대한 전체적인 관점과 개별 구성 요소 및 이해 관계자에 대한 자세한 통찰력을 제공합니다. 본 보고서는 CVD SiC 산업 내의 시장 역학, 동향, 과제 및 기회를 분석합니다. 또한, 거시적 관점에서 시장을 분석하는 것이 포함됩니다.
시장 규모 및 세분화: 본 보고서는 판매량, 매출 및 종류별 (예 : 고저항률용, 중저항률용, 저저항률용)의 시장 점유율을 포함한 전체 시장 규모에 대한 데이터를 수집합니다.
산업 분석: 보고서는 정부 정책 및 규제, 기술 발전, 수요자 선호도, 시장 역학 등 광범위한 산업 동향을 분석합니다. 이 분석은 CVD SiC 시장에 영향을 미치는 주요 동인과 과제를 이해하는데 도움이 됩니다.
지역 분석: 본 보고서에는 지역 또는 국가 단위로 CVD SiC 시장을 조사하는 것이 포함됩니다. 보고서는 정부 인센티브, 인프라 개발, 경제 상황 및 수요자 행동과 같은 지역 요인을 분석하여 다양한 시장 내의 변화와 기회를 식별합니다.
시장 전망: 보고서는 수집된 데이터와 분석을 통해 CVD SiC 시장에 대한 미래 전망 및 예측을 다룹니다. 여기에는 시장 성장률 추정, 시장 수요 예측, 새로운 트렌드 파악 등이 포함될 수 있습니다. 본 보고서에는 CVD SiC에 대한 보다 세분화된 접근 방식도 포함됩니다.
기업 분석: 본 보고서는 CVD SiC 제조업체, 공급업체 및 기타 관련 업계 플레이어를 다룹니다. 이 분석에는 재무 성과, 시장 포지셔닝, 제품 포트폴리오, 파트너십 및 전략에 대한 조사가 포함됩니다.
수요자 분석: 보고서는 CVD SiC에 대한 수요자 행동, 선호도 및 태도에 대한 데이터를 다룹니다. 여기에는 설문 조사, 인터뷰 및 응용 분야별 (급속 열 프로세스 부품, 플라즈마 식각 부품, 서셉터 및 더미 웨이퍼, LED 웨이퍼 캐리어 및 커버 플레이트, 기타)의 다양한 수요자 리뷰 및 피드백 분석이 포함될 수 있습니다.
기술 분석: CVD SiC과 관련된 특정 기술을 다루는 보고서입니다. CVD SiC 분야의 현재 상황 및 잠재적 미래 발전 가능성을 평가합니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 개별 기업, 공급업체 및 수요업체를 분석하여 CVD SiC 시장의 경쟁 환경에 대한 통찰력을 제공합니다. 이 분석은 시장 점유율, 경쟁 우위 및 업계 플레이어 간의 차별화 가능성을 이해하는 데 도움이 됩니다.
시장 검증: 본 보고서에는 설문 조사, 인터뷰 및 포커스 그룹과 같은 주요 조사를 통해 결과 및 예측을 검증하는 작업이 포함됩니다.
[시장 세분화]
CVD SiC 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
종류별 시장 세그먼트
– 고저항률용, 중저항률용, 저저항률용
용도별 시장 세그먼트
– 급속 열 프로세스 부품, 플라즈마 식각 부품, 서셉터 및 더미 웨이퍼, LED 웨이퍼 캐리어 및 커버 플레이트, 기타
주요 대상 기업
– Tokai Carbon,Morgan Advanced Materials,Ferrotec,CoorsTek,Dow,AGC,SKC Solmics
지역 분석은 다음을 포함합니다.
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 러시아, 이탈리아)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 인도, 동남아시아, 호주)
– 남미 (브라질, 아르헨티나, 콜롬비아)
– 중동 및 아프리카 (사우디아라비아, 아랍에미리트, 이집트, 남아프리카공화국)
본 조사 보고서는 아래 항목으로 구성되어 있습니다.
– CVD SiC 제품 범위, 시장 개요, 시장 추정, 주의 사항 및 기준 연도를 설명합니다.
– 2019년부터 2024년까지 CVD SiC의 가격, 판매량, 매출 및 세계 시장 점유율과 함께 CVD SiC의 주요 제조업체를 프로파일링합니다.
– CVD SiC 경쟁 상황, 판매량, 매출 및 주요 제조업체의 글로벌 시장 점유율이 상세하게 분석 됩니다.
– CVD SiC 상세 데이터는 2019년부터 2030년까지 지역별 판매량, 소비금액 및 성장성을 보여주기 위해 지역 레벨로 표시됩니다.
– 2019년부터 2030년까지 판매량 시장 점유율 및 성장률을 종류별, 용도별로 분류합니다.
– 2017년부터 2023년까지 세계 주요 국가의 판매량, 소비금액 및 시장 점유율과 함께 국가 레벨로 판매 데이터를 분류하고, 2025년부터 2030년까지 판매량 및 매출과 함께 지역, 종류 및 용도별로 CVD SiC 시장 예측을 수행합니다.
– 시장 역학, 성장요인, 저해요인, 동향 및 포터의 다섯 가지 힘 분석.
– 주요 원자재 및 주요 공급 업체, CVD SiC의 산업 체인.
– CVD SiC 판매 채널, 유통 업체, 고객(수요기업), 조사 결과 및 결론을 설명합니다.
※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.
■ 보고서 목차■ 시장 개요 ■ 제조업체 프로필 Tokai Carbon Morgan Advanced Materials Ferrotec ■ 제조업체간 경쟁 환경 ■ 지역별 소비 분석 ■ 종류별 시장 세분화 ■ 용도별 시장 세분화 ■ 북미 ■ 유럽 ■ 아시아 태평양 ■ 남미 ■ 중동 및 아프리카 ■ 시장 역학 ■ 원자재 및 산업 체인 ■ 유통 채널별 출하량 ■ 조사 결과 [그림 목록]- CVD SiC 이미지 - 종류별 세계의 CVD SiC 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 종류별 세계의 CVD SiC 소비 금액 시장 점유율 - 용도별 세계의 CVD SiC 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 용도별 세계의 CVD SiC 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 CVD SiC 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 세계의 CVD SiC 소비 금액 및 예측 (2019-2030) - 세계의 CVD SiC 판매량 (2019-2030) - 세계의 CVD SiC 평균 가격 (2019-2030) - 2023년 제조업체별 세계의 CVD SiC 판매량 시장 점유율 - 2023년 제조업체별 세계의 CVD SiC 소비 금액 시장 점유율 - 2023년 상위 3개 CVD SiC 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 2023년 상위 6개 CVD SiC 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 지역별 CVD SiC 판매량 시장 점유율 - 지역별 CVD SiC 소비 금액 시장 점유율 - 북미 CVD SiC 소비 금액 - 유럽 CVD SiC 소비 금액 - 아시아 태평양 CVD SiC 소비 금액 - 남미 CVD SiC 소비 금액 - 중동 및 아프리카 CVD SiC 소비 금액 - 세계의 종류별 CVD SiC 판매량 시장 점유율 - 세계의 종류별 CVD SiC 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 종류별 CVD SiC 평균 가격 - 세계의 용도별 CVD SiC 판매량 시장 점유율 - 세계의 용도별 CVD SiC 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 용도별 CVD SiC 평균 가격 - 북미 CVD SiC 종류별 판매량 시장 점유율 - 북미 CVD SiC 용도별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 CVD SiC 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 CVD SiC 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 미국 CVD SiC 소비 금액 및 성장률 - 캐나다 CVD SiC 소비 금액 및 성장률 - 멕시코 CVD SiC 소비 금액 및 성장률 - 유럽 CVD SiC 종류별 판매량 시장 점유율 - 유럽 CVD SiC 용도별 판매량 시장 점유율 - 유럽 CVD SiC 국가별 판매량 시장 점유율 - 유럽 CVD SiC 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 독일 CVD SiC 소비 금액 및 성장률 - 프랑스 CVD SiC 소비 금액 및 성장률 - 영국 CVD SiC 소비 금액 및 성장률 - 러시아 CVD SiC 소비 금액 및 성장률 - 이탈리아 CVD SiC 소비 금액 및 성장률 - 아시아 태평양 CVD SiC 종류별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 CVD SiC 용도별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 CVD SiC 지역별 판매 수량 시장 점유율 - 아시아 태평양 CVD SiC 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 중국 CVD SiC 소비 금액 및 성장률 - 일본 CVD SiC 소비 금액 및 성장률 - 한국 CVD SiC 소비 금액 및 성장률 - 인도 CVD SiC 소비 금액 및 성장률 - 동남아시아 CVD SiC 소비 금액 및 성장률 - 호주 CVD SiC 소비 금액 및 성장률 - 남미 CVD SiC 종류별 판매량 시장 점유율 - 남미 CVD SiC 용도별 판매량 시장 점유율 - 남미 CVD SiC 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 남미 CVD SiC 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 브라질 CVD SiC 소비 금액 및 성장률 - 아르헨티나 CVD SiC 소비 금액 및 성장률 - 중동 및 아프리카 CVD SiC 종류별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 CVD SiC 용도별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 CVD SiC 지역별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 CVD SiC 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 터키 CVD SiC 소비 금액 및 성장률 - 이집트 CVD SiC 소비 금액 및 성장률 - 사우디 아라비아 CVD SiC 소비 금액 및 성장률 - 남아프리카 공화국 CVD SiC 소비 금액 및 성장률 - CVD SiC 시장 성장 요인 - CVD SiC 시장 제약 요인 - CVD SiC 시장 동향 - 포터의 다섯 가지 힘 분석 - 2023년 CVD SiC의 제조 비용 구조 분석 - CVD SiC의 제조 공정 분석 - CVD SiC 산업 체인 - 직접 채널 장단점 - 간접 채널 장단점 - 방법론 - 조사 프로세스 및 데이터 소스 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition, CVD) 방식으로 제조된 실리콘 카바이드(Silicon Carbide, SiC)를 CVD SiC라고 합니다. CVD SiC는 SiC 결정 성장 기술의 한 종류로, 고온에서 실리콘과 탄소를 함유한 가스 전구체를 반응시켜 SiC 박막 또는 벌크 결정을 성장시키는 방법입니다. 이 독특한 제조 공정 덕분에 CVD SiC는 다른 SiC 제조 방법으로는 얻기 어려운 우수한 물성을 지니고 있으며, 반도체, 전력 전자, 센서, 기계 부품 등 다양한 첨단 산업 분야에서 중요한 소재로 활용되고 있습니다. CVD SiC의 가장 두드러진 특징은 뛰어난 내열성, 내화학성, 높은 경도, 우수한 전기적 특성, 그리고 낮은 열팽창 계수입니다. 먼저, SiC는 다이아몬드 다음으로 높은 경도를 가지는 물질 중 하나로, 긁힘이나 마모에 매우 강하여 극한 환경에서의 사용에 적합합니다. 이러한 높은 경도는 SiC 결정 구조 내의 강한 공유 결합에 기인합니다. 또한, CVD SiC는 최대 2000°C 이상의 고온에서도 안정성을 유지하며, 산화 분위기에서도 표면에 얇은 산화막(SiO2)을 형성하여 추가적인 산화를 방지하는 뛰어난 내열성을 자랑합니다. 이는 고온에서 작동하는 전력 반도체 소자나 고온용 구조 부품 제작에 있어 결정적인 장점입니다. 화학적으로도 CVD SiC는 매우 안정적입니다. 강산이나 강염기에도 잘 부식되지 않아 다양한 화학 물질에 노출되는 환경에서도 사용할 수 있습니다. 이러한 내화학성은 화학 반응기 부품, 촉매 지지체, 또는 부식성 환경에서의 센서 보호막 등으로 활용될 수 있게 합니다. 전기적 특성 측면에서는 높은 항복 전압과 낮은 누설 전류를 가지므로, 고전압 및 고주파수 환경에서 효율적으로 작동하는 전력 반도체 소자의 기판 또는 박막으로 각광받고 있습니다. 특히, SiC는 실리콘에 비해 높은 전자 이동도와 넓은 밴드갭을 가지고 있어 고온 및 고출력 애플리케이션에 유리하며, 이는 기존 실리콘 기반 소자의 한계를 극복할 수 있는 잠재력을 제공합니다. 낮은 열팽창 계수는 온도 변화에 따른 치수 변화가 적다는 것을 의미하며, 이는 정밀한 부품이나 복잡한 구조물의 안정성을 높이는 데 기여합니다. CVD SiC는 성장 방식과 목적에 따라 다양한 형태로 제조될 수 있습니다. 가장 대표적인 것은 SiC 박막으로, 일반적으로 실리콘(Si) 또는 다양한 유전체 기판 위에 증착됩니다. 이때, CVD 공정 조건(온도, 압력, 가스 조성, 유량 등)을 정밀하게 제어함으로써 박막의 조성, 결정성, 두께, 표면 거칠기 등을 원하는 대로 조절할 수 있습니다. 벌크 SiC 결정은 주로 승화 성장법(Sublimation growth)이나 고온 용융 성장법(High-temperature melt growth)과 같은 비(非)CVD 방식을 통해 성장되는 경우가 많지만, 특정 구조나 품질의 SiC 단결정을 얻기 위해 CVD 기술이 적용되기도 합니다. 또한, CVD SiC는 다결정(polycrystalline) 또는 단결정(single-crystalline) 형태로 제조될 수 있으며, 최종 응용 분야의 요구 사항에 따라 적절한 결정 구조를 선택합니다. 예를 들어, 고품질의 반도체 소자 제작에는 결정 결함이 적은 단결정 SiC 기판이 필수적입니다. CVD SiC의 용도는 그 우수한 물성을 바탕으로 매우 광범위하게 적용됩니다. 전력 반도체 분야에서는 SiC MOSFET, SiC 쇼트키 다이오드 등의 기판 또는 소자 활성층으로 사용됩니다. 이러한 SiC 기반 소자는 기존 실리콘 소자 대비 높은 전력 밀도, 효율성, 그리고 고온 작동 능력을 제공하여 전기 자동차, 신재생 에너지 시스템, 고속 열차 등의 전력 변환 장치 성능을 혁신적으로 향상시키고 있습니다. 또한, 고온 환경에서 작동하는 반도체 소자의 절연층이나 게이트 산화막으로도 CVD SiC 박막이 활용될 수 있습니다. 기계 및 산업 분야에서도 CVD SiC는 중요한 역할을 합니다. 뛰어난 내마모성과 내열성을 바탕으로 펌프 임펠러, 베어링, 밸브 부품, 씰링 재료 등 마찰과 마모가 심하거나 고온에 노출되는 부품에 코팅되거나 직접적으로 사용됩니다. 이러한 적용은 부품의 수명을 연장시키고 유지보수 비용을 절감하는 효과를 가져옵니다. 또한, 반사율이 낮고 열충격에 강한 특성을 활용하여 고온용 연소기 노즐, 항공 우주 부품, 또는 고온 센서 보호용 하우징 등으로도 사용될 수 있습니다. 광학 분야에서는 높은 경도와 화학적 안정성을 바탕으로 윈도우 재료, 거울 코팅, 또는 광학 센서 부품으로 활용되기도 합니다. 특히, 자외선(UV) 영역에서의 투과성이 우수하여 UV 센서나 광학 부품으로도 응용 가능성이 높습니다. CVD SiC와 관련된 주요 기술로는 다양한 CVD 방법론이 있습니다. 가장 일반적인 것은 **저압 화학 기상 증착(Low-Pressure Chemical Vapor Deposition, LPCVD)**과 **대기압 화학 기상 증착(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition, APCVD)**입니다. LPCVD는 낮은 압력에서 반응을 진행하여 박막의 균일성과 제어성을 높이는 데 유리하며, 주로 고품질의 반도체 박막 증착에 사용됩니다. APCVD는 대기압에서 공정이 이루어져 비교적 간단하고 저렴하게 대량 생산이 가능하다는 장점이 있습니다. 최근에는 **플라즈마 강화 화학 기상 증착(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)** 기술도 많이 활용되고 있습니다. PECVD는 플라즈마를 이용하여 반응 가스를 활성화시켜 저온에서도 고품질의 박막을 증착할 수 있게 해주므로, 실리콘과 같은 저융점 기판 위에도 SiC 박막을 형성할 수 있다는 장점이 있습니다. CVD SiC 제조 기술의 발전과 더불어, SiC 결정의 성장 방법 자체도 중요한 관련 기술로 간주됩니다. 앞서 언급한 승화 성장법(예: 물리 기상 증착, Physical Vapor Deposition, PVD와 유사한 개념으로 볼 수 있으나 고온 기체 상태에서 증착)이나 고온 용융 성장법 등이 SiC 단결정 기판을 생산하는 주요 기술이며, CVD SiC 박막은 이러한 단결정 기판 위에 성장되는 경우가 많습니다. 따라서 고품질의 CVD SiC 박막을 얻기 위해서는 고품질의 SiC 단결정 기판 제조 기술이 선행되어야 합니다. 또한, CVD 공정의 효율성과 정밀도를 높이기 위한 다양한 기술들이 연구되고 있습니다. 예를 들어, 반응 속도와 박막 특성을 최적화하기 위한 **흐름 역학(Fluid Dynamics)** 제어 기술, 증착 과정을 실시간으로 모니터링하고 제어하는 **공정 분석(In-situ Process Monitoring)** 기술, 그리고 특정 결정면이나 격자 방향으로 SiC를 성장시키는 **유도 성장(Template-Guided Growth)** 기술 등도 CVD SiC 제조와 밀접하게 관련되어 있습니다. 최근에는 실리콘 이외에 다양한 기판 위에서 고품질의 SiC를 성장시키거나, SiC 나노 구조를 정밀하게 제어하는 기술도 활발히 연구되고 있습니다. 결론적으로, CVD SiC는 독특한 제조 공정을 통해 얻어지는 탁월한 물성을 바탕으로 현대 첨단 산업의 여러 분야에서 필수적인 소재로 자리매김하고 있습니다. 뛰어난 내열성, 내화학성, 기계적 강도, 그리고 우수한 전기적 특성은 고성능 전력 전자 소자부터 극한 환경에서의 기계 부품에 이르기까지 그 응용 범위를 넓혀가고 있습니다. 지속적인 CVD 공정 기술 및 관련 성장 기술의 발전은 CVD SiC의 성능을 더욱 향상시키고 새로운 응용 분야를 개척하는 데 중요한 역할을 할 것으로 기대됩니다. |

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