| ■ 영문 제목 : Global Discrete SiC-MOSFET Market 2024 by Manufacturers, Regions, Type and Application, Forecast to 2030 | |
 | ■ 상품코드 : GIR2407E15293 ■ 조사/발행회사 : Globalinforesearch ■ 발행일 : 2024년 4월 (2025년 또는 2026년) 갱신판이 있습니다. 문의주세요. ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
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조사회사 Global Info Research의 최신 조사에 따르면, 세계의 개별 SiC-MOSFET 시장 규모는 2023년에 XXX백만 달러로 분석되었으며, 검토 기간 동안 xx%의 CAGR로 2030년까지 XXX백만 달러의 재조정된 규모로 성장이 예측됩니다.
Global Info Research 보고서에는 개별 SiC-MOSFET 산업 체인 동향 개요, 철도, 자동차, 스마트 그리드, 통신 전력, 가전 제품, 기타 응용분야 및 선진 및 개발 도상국의 주요 기업의 시장 현황, 개별 SiC-MOSFET의 최첨단 기술, 특허, 최신 용도 및 시장 동향을 분석했습니다.
지역별로는 주요 지역의 개별 SiC-MOSFET 시장을 분석합니다. 북미와 유럽은 정부 이니셔티브와 수요자 인식 제고에 힘입어 꾸준한 성장세를 보이고 있습니다. 아시아 태평양, 특히 중국은 탄탄한 내수 수요와 지원 정책, 강력한 제조 기반을 바탕으로 글로벌 개별 SiC-MOSFET 시장을 주도하고 있습니다.
[주요 특징]
본 보고서는 개별 SiC-MOSFET 시장에 대한 포괄적인 이해를 제공합니다. 본 보고서는 산업에 대한 전체적인 관점과 개별 구성 요소 및 이해 관계자에 대한 자세한 통찰력을 제공합니다. 본 보고서는 개별 SiC-MOSFET 산업 내의 시장 역학, 동향, 과제 및 기회를 분석합니다. 또한, 거시적 관점에서 시장을 분석하는 것이 포함됩니다.
시장 규모 및 세분화: 본 보고서는 판매량, 매출 및 종류별 (예 : 200V 이하, 200-650V, 650-1200V, 1200-1700V, 1700V 이상)의 시장 점유율을 포함한 전체 시장 규모에 대한 데이터를 수집합니다.
산업 분석: 보고서는 정부 정책 및 규제, 기술 발전, 수요자 선호도, 시장 역학 등 광범위한 산업 동향을 분석합니다. 이 분석은 개별 SiC-MOSFET 시장에 영향을 미치는 주요 동인과 과제를 이해하는데 도움이 됩니다.
지역 분석: 본 보고서에는 지역 또는 국가 단위로 개별 SiC-MOSFET 시장을 조사하는 것이 포함됩니다. 보고서는 정부 인센티브, 인프라 개발, 경제 상황 및 수요자 행동과 같은 지역 요인을 분석하여 다양한 시장 내의 변화와 기회를 식별합니다.
시장 전망: 보고서는 수집된 데이터와 분석을 통해 개별 SiC-MOSFET 시장에 대한 미래 전망 및 예측을 다룹니다. 여기에는 시장 성장률 추정, 시장 수요 예측, 새로운 트렌드 파악 등이 포함될 수 있습니다. 본 보고서에는 개별 SiC-MOSFET에 대한 보다 세분화된 접근 방식도 포함됩니다.
기업 분석: 본 보고서는 개별 SiC-MOSFET 제조업체, 공급업체 및 기타 관련 업계 플레이어를 다룹니다. 이 분석에는 재무 성과, 시장 포지셔닝, 제품 포트폴리오, 파트너십 및 전략에 대한 조사가 포함됩니다.
수요자 분석: 보고서는 개별 SiC-MOSFET에 대한 수요자 행동, 선호도 및 태도에 대한 데이터를 다룹니다. 여기에는 설문 조사, 인터뷰 및 응용 분야별 (철도, 자동차, 스마트 그리드, 통신 전력, 가전 제품, 기타)의 다양한 수요자 리뷰 및 피드백 분석이 포함될 수 있습니다.
기술 분석: 개별 SiC-MOSFET과 관련된 특정 기술을 다루는 보고서입니다. 개별 SiC-MOSFET 분야의 현재 상황 및 잠재적 미래 발전 가능성을 평가합니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 개별 기업, 공급업체 및 수요업체를 분석하여 개별 SiC-MOSFET 시장의 경쟁 환경에 대한 통찰력을 제공합니다. 이 분석은 시장 점유율, 경쟁 우위 및 업계 플레이어 간의 차별화 가능성을 이해하는 데 도움이 됩니다.
시장 검증: 본 보고서에는 설문 조사, 인터뷰 및 포커스 그룹과 같은 주요 조사를 통해 결과 및 예측을 검증하는 작업이 포함됩니다.
[시장 세분화]
개별 SiC-MOSFET 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
종류별 시장 세그먼트
– 200V 이하, 200-650V, 650-1200V, 1200-1700V, 1700V 이상
용도별 시장 세그먼트
– 철도, 자동차, 스마트 그리드, 통신 전력, 가전 제품, 기타
주요 대상 기업
– ROHM,Wolfspeed,Mitsubishi Electric,STMicroelectronics,Infineon Technologies,Littelfuse,Ascatron,Fuji Electric Co., Ltd.,Toshiba,MicroSemi (Microchip),GeneSiC Semiconductor Inc.,Global Power Technology Co., Ltd., Inc.,Shenzhen BASiC Semiconductor LTD.,InventChip Technology Co., Ltd.,ON Semiconductor,Vishay,Alpha & Omega Semiconductor
지역 분석은 다음을 포함합니다.
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 러시아, 이탈리아)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 인도, 동남아시아, 호주)
– 남미 (브라질, 아르헨티나, 콜롬비아)
– 중동 및 아프리카 (사우디아라비아, 아랍에미리트, 이집트, 남아프리카공화국)
본 조사 보고서는 아래 항목으로 구성되어 있습니다.
– 개별 SiC-MOSFET 제품 범위, 시장 개요, 시장 추정, 주의 사항 및 기준 연도를 설명합니다.
– 2019년부터 2024년까지 개별 SiC-MOSFET의 가격, 판매량, 매출 및 세계 시장 점유율과 함께 개별 SiC-MOSFET의 주요 제조업체를 프로파일링합니다.
– 개별 SiC-MOSFET 경쟁 상황, 판매량, 매출 및 주요 제조업체의 글로벌 시장 점유율이 상세하게 분석 됩니다.
– 개별 SiC-MOSFET 상세 데이터는 2019년부터 2030년까지 지역별 판매량, 소비금액 및 성장성을 보여주기 위해 지역 레벨로 표시됩니다.
– 2019년부터 2030년까지 판매량 시장 점유율 및 성장률을 종류별, 용도별로 분류합니다.
– 2017년부터 2023년까지 세계 주요 국가의 판매량, 소비금액 및 시장 점유율과 함께 국가 레벨로 판매 데이터를 분류하고, 2025년부터 2030년까지 판매량 및 매출과 함께 지역, 종류 및 용도별로 개별 SiC-MOSFET 시장 예측을 수행합니다.
– 시장 역학, 성장요인, 저해요인, 동향 및 포터의 다섯 가지 힘 분석.
– 주요 원자재 및 주요 공급 업체, 개별 SiC-MOSFET의 산업 체인.
– 개별 SiC-MOSFET 판매 채널, 유통 업체, 고객(수요기업), 조사 결과 및 결론을 설명합니다.
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■ 보고서 목차■ 시장 개요 ■ 제조업체 프로필 ROHM Wolfspeed Mitsubishi Electric ■ 제조업체간 경쟁 환경 ■ 지역별 소비 분석 ■ 종류별 시장 세분화 ■ 용도별 시장 세분화 ■ 북미 ■ 유럽 ■ 아시아 태평양 ■ 남미 ■ 중동 및 아프리카 ■ 시장 역학 ■ 원자재 및 산업 체인 ■ 유통 채널별 출하량 ■ 조사 결과 [그림 목록]- 개별 SiC-MOSFET 이미지 - 종류별 세계의 개별 SiC-MOSFET 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 종류별 세계의 개별 SiC-MOSFET 소비 금액 시장 점유율 - 용도별 세계의 개별 SiC-MOSFET 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 용도별 세계의 개별 SiC-MOSFET 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 개별 SiC-MOSFET 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 세계의 개별 SiC-MOSFET 소비 금액 및 예측 (2019-2030) - 세계의 개별 SiC-MOSFET 판매량 (2019-2030) - 세계의 개별 SiC-MOSFET 평균 가격 (2019-2030) - 2023년 제조업체별 세계의 개별 SiC-MOSFET 판매량 시장 점유율 - 2023년 제조업체별 세계의 개별 SiC-MOSFET 소비 금액 시장 점유율 - 2023년 상위 3개 개별 SiC-MOSFET 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 2023년 상위 6개 개별 SiC-MOSFET 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 지역별 개별 SiC-MOSFET 판매량 시장 점유율 - 지역별 개별 SiC-MOSFET 소비 금액 시장 점유율 - 북미 개별 SiC-MOSFET 소비 금액 - 유럽 개별 SiC-MOSFET 소비 금액 - 아시아 태평양 개별 SiC-MOSFET 소비 금액 - 남미 개별 SiC-MOSFET 소비 금액 - 중동 및 아프리카 개별 SiC-MOSFET 소비 금액 - 세계의 종류별 개별 SiC-MOSFET 판매량 시장 점유율 - 세계의 종류별 개별 SiC-MOSFET 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 종류별 개별 SiC-MOSFET 평균 가격 - 세계의 용도별 개별 SiC-MOSFET 판매량 시장 점유율 - 세계의 용도별 개별 SiC-MOSFET 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 용도별 개별 SiC-MOSFET 평균 가격 - 북미 개별 SiC-MOSFET 종류별 판매량 시장 점유율 - 북미 개별 SiC-MOSFET 용도별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 개별 SiC-MOSFET 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 개별 SiC-MOSFET 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 미국 개별 SiC-MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 캐나다 개별 SiC-MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 멕시코 개별 SiC-MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 유럽 개별 SiC-MOSFET 종류별 판매량 시장 점유율 - 유럽 개별 SiC-MOSFET 용도별 판매량 시장 점유율 - 유럽 개별 SiC-MOSFET 국가별 판매량 시장 점유율 - 유럽 개별 SiC-MOSFET 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 독일 개별 SiC-MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 프랑스 개별 SiC-MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 영국 개별 SiC-MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 러시아 개별 SiC-MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 이탈리아 개별 SiC-MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 아시아 태평양 개별 SiC-MOSFET 종류별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 개별 SiC-MOSFET 용도별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 개별 SiC-MOSFET 지역별 판매 수량 시장 점유율 - 아시아 태평양 개별 SiC-MOSFET 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 중국 개별 SiC-MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 일본 개별 SiC-MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 한국 개별 SiC-MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 인도 개별 SiC-MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 동남아시아 개별 SiC-MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 호주 개별 SiC-MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 남미 개별 SiC-MOSFET 종류별 판매량 시장 점유율 - 남미 개별 SiC-MOSFET 용도별 판매량 시장 점유율 - 남미 개별 SiC-MOSFET 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 남미 개별 SiC-MOSFET 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 브라질 개별 SiC-MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 아르헨티나 개별 SiC-MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 중동 및 아프리카 개별 SiC-MOSFET 종류별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 개별 SiC-MOSFET 용도별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 개별 SiC-MOSFET 지역별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 개별 SiC-MOSFET 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 터키 개별 SiC-MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 이집트 개별 SiC-MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 사우디 아라비아 개별 SiC-MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 남아프리카 공화국 개별 SiC-MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 개별 SiC-MOSFET 시장 성장 요인 - 개별 SiC-MOSFET 시장 제약 요인 - 개별 SiC-MOSFET 시장 동향 - 포터의 다섯 가지 힘 분석 - 2023년 개별 SiC-MOSFET의 제조 비용 구조 분석 - 개별 SiC-MOSFET의 제조 공정 분석 - 개별 SiC-MOSFET 산업 체인 - 직접 채널 장단점 - 간접 채널 장단점 - 방법론 - 조사 프로세스 및 데이터 소스 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 개별 실리콘 카바이드 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(Discrete SiC-MOSFET)는 차세대 전력 반도체 소자로, 기존 실리콘(Si) 기반 전력 소자 대비 뛰어난 성능과 효율을 제공하여 다양한 산업 분야에서 주목받고 있습니다. 이 소자의 핵심적인 개념을 이해하기 위해 정의, 주요 특징, 종류, 그리고 응용 분야와 관련 기술에 대해 자세히 살펴보겠습니다. 먼저 개별 SiC-MOSFET의 **정의**는 다음과 같습니다. SiC-MOSFET은 반도체 소재로 탄화규소(SiC)를 사용하고, 작동 방식은 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 원리를 따릅니다. '개별(Discrete)'이라는 용어는 여러 개의 소자가 집적된 집적회로(IC) 형태가 아닌, 독립적으로 작동하는 단일 소자를 의미합니다. 즉, 개별 SiC-MOSFET은 특정 기능을 수행하도록 설계된 독립적인 탄화규소 기반 MOSFET 소자를 지칭합니다. 기존 Si-MOSFET의 p-채널 또는 n-채널 구조와 유사하지만, 훨씬 더 높은 항복 전압, 낮은 온 저항, 그리고 고온에서의 우수한 안정성을 특징으로 합니다. 개별 SiC-MOSFET이 지닌 **주요 특징**은 기존 Si-MOSFET과 비교했을 때 그 우수성이 두드러집니다. 첫째, **매우 높은 항복 전압(High Breakdown Voltage)**입니다. SiC는 실리콘에 비해 약 10배 높은 전기장 강도를 가집니다. 이는 동일한 전압을 견디기 위해 필요한 소자의 두께가 훨씬 얇아질 수 있음을 의미하며, 결과적으로 소자 간 거리(drift region)를 줄여 온 저항을 감소시키는 데 기여합니다. 높은 항복 전압은 고전압 애플리케이션에서 스위칭 손실을 줄이고 시스템의 효율을 높이는 데 필수적입니다. 둘째, **매우 낮은 온 저항(Low On-Resistance)**입니다. 앞서 언급한 높은 전기장 강도와 더불어 SiC의 높은 캐리어 이동도(mobility) 덕분에, 개별 SiC-MOSFET은 동일한 크기의 Si-MOSFET에 비해 현저히 낮은 온 저항을 가집니다. 온 저항은 전류가 흐를 때 소자 내부에서 발생하는 전압 강하를 결정하며, 이 값이 낮을수록 전력 손실이 줄어듭니다. 이는 특히 고전류 애플리케이션에서 발열을 줄이고 시스템 효율을 극대화하는 데 중요한 역할을 합니다. 셋째, **고주파 스위칭 성능(High-Frequency Switching Performance)**입니다. 낮은 게이트 전하량(gate charge)과 출력 전하량(output charge)을 통해 더 빠른 스위칭 속도를 구현할 수 있습니다. 이는 전력 변환 회로의 스위칭 주파수를 높여, 기존에는 사용하기 어려웠던 고주파 동작을 가능하게 합니다. 고주파 스위칭은 전력 변환기(power converter)의 크기를 줄이고(수동 부품의 소형화) 효율을 개선하는 데 기여합니다. 넷째, **고온 동작 안정성(High-Temperature Operation Stability)**입니다. SiC는 실리콘보다 훨씬 높은 밴드갭 에너지(bandgap energy)를 가지고 있습니다. 이로 인해 높은 온도에서도 고유 전도도(intrinsic carrier concentration)가 낮게 유지되며, 열에 의한 성능 저하가 적습니다. 이는 냉각 시스템의 요구 사항을 완화하고, 혹독한 환경에서도 안정적인 작동을 보장하여 시스템의 신뢰성을 높입니다. 다섯째, **매우 낮은 누설 전류(Very Low Leakage Current)**입니다. 고온에서도 누설 전류가 낮게 유지되는 특성은 전력 손실을 더욱 줄이고, 시스템의 전력 효율을 향상시키는 데 기여합니다. 개별 SiC-MOSFET은 그 구조와 구현 방식에 따라 다양한 **종류**로 나눌 수 있습니다. 가장 일반적인 구조는 평면형(Planar)과 단체형(V-groove 또는 Trench) 구조입니다. * **평면형 SiC-MOSFET:** 채널이 소자 표면에 평평하게 형성되는 구조입니다. 제조 공정이 비교적 간단하고 성숙되어 있지만, 높은 전류 밀도 구현에는 한계가 있을 수 있습니다. * **단체형(Trench) SiC-MOSFET:** 소자 표면에 깊은 홈(trench)을 파고 그 안에 채널을 형성하는 구조입니다. 이 구조는 단위 면적당 더 많은 채널을 집적할 수 있어 온 저항을 크게 낮추는 데 유리하며, 고성능 애플리케이션에 주로 사용됩니다. 또한, 채널의 종류에 따라 n-채널과 p-채널로 구분될 수 있으나, 현재 시장에서 주력으로 사용되는 개별 SiC-MOSFET은 대부분 n-채널입니다. 이는 SiC 소재의 특성상 n-채널 소자가 p-채널 소자보다 더 우수한 성능(낮은 온 저항, 높은 캐리어 이동도)을 보이기 때문입니다. 개별 SiC-MOSFET은 이러한 뛰어난 특성을 바탕으로 매우 광범위한 **용도**를 가집니다. * **전기 자동차(Electric Vehicles, EVs):** EV의 구동 인버터, 온보드 충전기(On-Board Charger, OBC), DC-DC 컨버터 등에 사용되어 에너지 효율을 높이고 주행 거리를 늘리는 데 크게 기여합니다. 고전압 및 고효율 요구 사항을 충족하는 데 핵심적인 역할을 합니다. * **신재생 에너지 시스템:** 태양광 발전 시스템의 인버터, 풍력 발전 시스템의 전력 변환 장치 등에 적용되어 에너지 변환 효율을 높이고 시스템의 소형화 및 경량화를 가능하게 합니다. * **산업용 전원 공급 장치(Industrial Power Supplies):** 서버 전원, 데이터 센터 전원 등 높은 효율과 신뢰성이 요구되는 다양한 산업용 전원 장치에 사용됩니다. * **전력망(Power Grid) 및 스마트 그리드:** 고효율 전력 변환 및 제어를 위한 장치에 적용되어 에너지 손실을 줄이고 전력 품질을 향상시키는 데 기여합니다. * **항공 우주 및 방위 산업:** 경량화, 고효율, 고온 및 고방사선 환경에서의 안정성이 요구되는 분야에 적용될 수 있습니다. 개별 SiC-MOSFET의 성능을 극대화하고 시장 적용을 확대하기 위한 **관련 기술** 또한 지속적으로 발전하고 있습니다. * **제조 공정 기술:** 고품질의 SiC 웨이퍼 생산, 기판 결함(defect) 감소, 소자 구조 최적화 등은 SiC-MOSFET의 성능과 수율을 결정하는 중요한 요소입니다. 특히 n-채널 MOSFET의 채널 저항을 낮추기 위한 표면 처리 및 도핑 기술, 그리고 게이트 산화막(gate oxide)의 품질 향상 기술은 핵심적인 연구 분야입니다. * **패키징 기술(Packaging Technology):** 고온, 고전류, 고주파 스위칭 환경에서 안정적으로 작동하기 위한 특수 패키징 기술이 요구됩니다. 저유도 패키징(low-inductance packaging), 고온 패키징 재료 개발 등은 시스템 레벨의 성능 향상과 직결됩니다. * **드라이버 회로(Driver Circuit) 기술:** SiC-MOSFET은 상대적으로 높은 게이트 전압(일반적으로 15V 이상)을 요구하며, 빠른 스위칭 속도를 제어하기 위한 정밀하고 안정적인 게이트 드라이버 회로 설계가 중요합니다. * **시뮬레이션 및 설계 도구:** 소자 성능 예측 및 최적화를 위한 첨단 시뮬레이션 소프트웨어와 설계 도구의 발전은 새로운 SiC-MOSFET 제품 개발 속도를 높이는 데 기여합니다. * **시스템 통합 및 신뢰성 평가:** 실제 애플리케이션 환경에서의 성능을 검증하고 장기적인 신뢰성을 확보하기 위한 시스템 통합 및 엄격한 신뢰성 평가가 중요합니다. 결론적으로, 개별 SiC-MOSFET은 에너지 효율 향상, 시스템 소형화, 고온 동작 등 기존 Si-MOSFET의 한계를 극복할 수 있는 혁신적인 전력 반도체 소자입니다. 그 뛰어난 물리적 특성과 지속적인 기술 개발을 통해 전기 자동차, 신재생 에너지, 산업용 전원 장치 등 다양한 분야에서 미래 기술 발전을 견인할 핵심 부품으로 자리매김하고 있습니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 개별 SiC-MOSFET 시장 2024 : 기업, 종류, 용도, 시장예측] (코드 : GIR2407E15293) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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