| ■ 영문 제목 : Global Double Gate MOSFET Market 2024 by Manufacturers, Regions, Type and Application, Forecast to 2030 | |
 | ■ 상품코드 : GIR2407E15848 ■ 조사/발행회사 : Globalinforesearch ■ 발행일 : 2024년 4월 (2025년 또는 2026년) 갱신판이 있습니다. 문의주세요. ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
| Single User (1명 열람용) | USD3,480 ⇒환산￦4,872,000 | 견적의뢰/주문/질문 |
| Multi User (20명 열람용) | USD5,220 ⇒환산￦7,308,000 | 견적의뢰/주문/질문 |
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조사회사 Global Info Research의 최신 조사에 따르면, 세계의 더블 게이트 MOSFET 시장 규모는 2023년에 XXX백만 달러로 분석되었으며, 검토 기간 동안 xx%의 CAGR로 2030년까지 XXX백만 달러의 재조정된 규모로 성장이 예측됩니다.
Global Info Research 보고서에는 더블 게이트 MOSFET 산업 체인 동향 개요, 자동차, 전기, 기타 응용분야 및 선진 및 개발 도상국의 주요 기업의 시장 현황, 더블 게이트 MOSFET의 최첨단 기술, 특허, 최신 용도 및 시장 동향을 분석했습니다.
지역별로는 주요 지역의 더블 게이트 MOSFET 시장을 분석합니다. 북미와 유럽은 정부 이니셔티브와 수요자 인식 제고에 힘입어 꾸준한 성장세를 보이고 있습니다. 아시아 태평양, 특히 중국은 탄탄한 내수 수요와 지원 정책, 강력한 제조 기반을 바탕으로 글로벌 더블 게이트 MOSFET 시장을 주도하고 있습니다.
[주요 특징]
본 보고서는 더블 게이트 MOSFET 시장에 대한 포괄적인 이해를 제공합니다. 본 보고서는 산업에 대한 전체적인 관점과 개별 구성 요소 및 이해 관계자에 대한 자세한 통찰력을 제공합니다. 본 보고서는 더블 게이트 MOSFET 산업 내의 시장 역학, 동향, 과제 및 기회를 분석합니다. 또한, 거시적 관점에서 시장을 분석하는 것이 포함됩니다.
시장 규모 및 세분화: 본 보고서는 판매량, 매출 및 종류별 (예 : N 및 N 채널 듀얼 모스펫, N 및 P 채널 듀얼 모스펫, P 및 P 채널 듀얼 모스펫)의 시장 점유율을 포함한 전체 시장 규모에 대한 데이터를 수집합니다.
산업 분석: 보고서는 정부 정책 및 규제, 기술 발전, 수요자 선호도, 시장 역학 등 광범위한 산업 동향을 분석합니다. 이 분석은 더블 게이트 MOSFET 시장에 영향을 미치는 주요 동인과 과제를 이해하는데 도움이 됩니다.
지역 분석: 본 보고서에는 지역 또는 국가 단위로 더블 게이트 MOSFET 시장을 조사하는 것이 포함됩니다. 보고서는 정부 인센티브, 인프라 개발, 경제 상황 및 수요자 행동과 같은 지역 요인을 분석하여 다양한 시장 내의 변화와 기회를 식별합니다.
시장 전망: 보고서는 수집된 데이터와 분석을 통해 더블 게이트 MOSFET 시장에 대한 미래 전망 및 예측을 다룹니다. 여기에는 시장 성장률 추정, 시장 수요 예측, 새로운 트렌드 파악 등이 포함될 수 있습니다. 본 보고서에는 더블 게이트 MOSFET에 대한 보다 세분화된 접근 방식도 포함됩니다.
기업 분석: 본 보고서는 더블 게이트 MOSFET 제조업체, 공급업체 및 기타 관련 업계 플레이어를 다룹니다. 이 분석에는 재무 성과, 시장 포지셔닝, 제품 포트폴리오, 파트너십 및 전략에 대한 조사가 포함됩니다.
수요자 분석: 보고서는 더블 게이트 MOSFET에 대한 수요자 행동, 선호도 및 태도에 대한 데이터를 다룹니다. 여기에는 설문 조사, 인터뷰 및 응용 분야별 (자동차, 전기, 기타)의 다양한 수요자 리뷰 및 피드백 분석이 포함될 수 있습니다.
기술 분석: 더블 게이트 MOSFET과 관련된 특정 기술을 다루는 보고서입니다. 더블 게이트 MOSFET 분야의 현재 상황 및 잠재적 미래 발전 가능성을 평가합니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 개별 기업, 공급업체 및 수요업체를 분석하여 더블 게이트 MOSFET 시장의 경쟁 환경에 대한 통찰력을 제공합니다. 이 분석은 시장 점유율, 경쟁 우위 및 업계 플레이어 간의 차별화 가능성을 이해하는 데 도움이 됩니다.
시장 검증: 본 보고서에는 설문 조사, 인터뷰 및 포커스 그룹과 같은 주요 조사를 통해 결과 및 예측을 검증하는 작업이 포함됩니다.
[시장 세분화]
더블 게이트 MOSFET 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
종류별 시장 세그먼트
– N 및 N 채널 듀얼 모스펫, N 및 P 채널 듀얼 모스펫, P 및 P 채널 듀얼 모스펫
용도별 시장 세그먼트
– 자동차, 전기, 기타
주요 대상 기업
– Infineon Technologies,Onsemi,Vishay,NXP Semiconductors,STMicroelectronics,Renesas Electronics,Littelfuse,Texas Instruments,Power Integration,Mitsubishi Electric,Microchip Technology
지역 분석은 다음을 포함합니다.
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 러시아, 이탈리아)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 인도, 동남아시아, 호주)
– 남미 (브라질, 아르헨티나, 콜롬비아)
– 중동 및 아프리카 (사우디아라비아, 아랍에미리트, 이집트, 남아프리카공화국)
본 조사 보고서는 아래 항목으로 구성되어 있습니다.
– 더블 게이트 MOSFET 제품 범위, 시장 개요, 시장 추정, 주의 사항 및 기준 연도를 설명합니다.
– 2019년부터 2024년까지 더블 게이트 MOSFET의 가격, 판매량, 매출 및 세계 시장 점유율과 함께 더블 게이트 MOSFET의 주요 제조업체를 프로파일링합니다.
– 더블 게이트 MOSFET 경쟁 상황, 판매량, 매출 및 주요 제조업체의 글로벌 시장 점유율이 상세하게 분석 됩니다.
– 더블 게이트 MOSFET 상세 데이터는 2019년부터 2030년까지 지역별 판매량, 소비금액 및 성장성을 보여주기 위해 지역 레벨로 표시됩니다.
– 2019년부터 2030년까지 판매량 시장 점유율 및 성장률을 종류별, 용도별로 분류합니다.
– 2017년부터 2023년까지 세계 주요 국가의 판매량, 소비금액 및 시장 점유율과 함께 국가 레벨로 판매 데이터를 분류하고, 2025년부터 2030년까지 판매량 및 매출과 함께 지역, 종류 및 용도별로 더블 게이트 MOSFET 시장 예측을 수행합니다.
– 시장 역학, 성장요인, 저해요인, 동향 및 포터의 다섯 가지 힘 분석.
– 주요 원자재 및 주요 공급 업체, 더블 게이트 MOSFET의 산업 체인.
– 더블 게이트 MOSFET 판매 채널, 유통 업체, 고객(수요기업), 조사 결과 및 결론을 설명합니다.
※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.
■ 보고서 목차■ 시장 개요 ■ 제조업체 프로필 Infineon Technologies Onsemi Vishay ■ 제조업체간 경쟁 환경 ■ 지역별 소비 분석 ■ 종류별 시장 세분화 ■ 용도별 시장 세분화 ■ 북미 ■ 유럽 ■ 아시아 태평양 ■ 남미 ■ 중동 및 아프리카 ■ 시장 역학 ■ 원자재 및 산업 체인 ■ 유통 채널별 출하량 ■ 조사 결과 [그림 목록]- 더블 게이트 MOSFET 이미지 - 종류별 세계의 더블 게이트 MOSFET 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 종류별 세계의 더블 게이트 MOSFET 소비 금액 시장 점유율 - 용도별 세계의 더블 게이트 MOSFET 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 용도별 세계의 더블 게이트 MOSFET 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 더블 게이트 MOSFET 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 세계의 더블 게이트 MOSFET 소비 금액 및 예측 (2019-2030) - 세계의 더블 게이트 MOSFET 판매량 (2019-2030) - 세계의 더블 게이트 MOSFET 평균 가격 (2019-2030) - 2023년 제조업체별 세계의 더블 게이트 MOSFET 판매량 시장 점유율 - 2023년 제조업체별 세계의 더블 게이트 MOSFET 소비 금액 시장 점유율 - 2023년 상위 3개 더블 게이트 MOSFET 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 2023년 상위 6개 더블 게이트 MOSFET 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 지역별 더블 게이트 MOSFET 판매량 시장 점유율 - 지역별 더블 게이트 MOSFET 소비 금액 시장 점유율 - 북미 더블 게이트 MOSFET 소비 금액 - 유럽 더블 게이트 MOSFET 소비 금액 - 아시아 태평양 더블 게이트 MOSFET 소비 금액 - 남미 더블 게이트 MOSFET 소비 금액 - 중동 및 아프리카 더블 게이트 MOSFET 소비 금액 - 세계의 종류별 더블 게이트 MOSFET 판매량 시장 점유율 - 세계의 종류별 더블 게이트 MOSFET 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 종류별 더블 게이트 MOSFET 평균 가격 - 세계의 용도별 더블 게이트 MOSFET 판매량 시장 점유율 - 세계의 용도별 더블 게이트 MOSFET 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 용도별 더블 게이트 MOSFET 평균 가격 - 북미 더블 게이트 MOSFET 종류별 판매량 시장 점유율 - 북미 더블 게이트 MOSFET 용도별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 더블 게이트 MOSFET 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 더블 게이트 MOSFET 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 미국 더블 게이트 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 캐나다 더블 게이트 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 멕시코 더블 게이트 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 유럽 더블 게이트 MOSFET 종류별 판매량 시장 점유율 - 유럽 더블 게이트 MOSFET 용도별 판매량 시장 점유율 - 유럽 더블 게이트 MOSFET 국가별 판매량 시장 점유율 - 유럽 더블 게이트 MOSFET 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 독일 더블 게이트 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 프랑스 더블 게이트 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 영국 더블 게이트 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 러시아 더블 게이트 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 이탈리아 더블 게이트 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 아시아 태평양 더블 게이트 MOSFET 종류별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 더블 게이트 MOSFET 용도별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 더블 게이트 MOSFET 지역별 판매 수량 시장 점유율 - 아시아 태평양 더블 게이트 MOSFET 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 중국 더블 게이트 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 일본 더블 게이트 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 한국 더블 게이트 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 인도 더블 게이트 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 동남아시아 더블 게이트 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 호주 더블 게이트 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 남미 더블 게이트 MOSFET 종류별 판매량 시장 점유율 - 남미 더블 게이트 MOSFET 용도별 판매량 시장 점유율 - 남미 더블 게이트 MOSFET 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 남미 더블 게이트 MOSFET 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 브라질 더블 게이트 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 아르헨티나 더블 게이트 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 중동 및 아프리카 더블 게이트 MOSFET 종류별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 더블 게이트 MOSFET 용도별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 더블 게이트 MOSFET 지역별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 더블 게이트 MOSFET 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 터키 더블 게이트 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 이집트 더블 게이트 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 사우디 아라비아 더블 게이트 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 남아프리카 공화국 더블 게이트 MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 더블 게이트 MOSFET 시장 성장 요인 - 더블 게이트 MOSFET 시장 제약 요인 - 더블 게이트 MOSFET 시장 동향 - 포터의 다섯 가지 힘 분석 - 2023년 더블 게이트 MOSFET의 제조 비용 구조 분석 - 더블 게이트 MOSFET의 제조 공정 분석 - 더블 게이트 MOSFET 산업 체인 - 직접 채널 장단점 - 간접 채널 장단점 - 방법론 - 조사 프로세스 및 데이터 소스 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 더블 게이트 MOSFET은 기존의 단일 게이트 MOSFET 구조를 확장하여 두 개의 게이트를 가지는 반도체 소자입니다. 이러한 구조적 변화는 전류 흐름을 제어하는 데 있어 더욱 정밀한 조작을 가능하게 하며, 결과적으로 소자의 성능 향상 및 새로운 응용 분야 개척에 기여하고 있습니다. 더블 게이트 MOSFET의 핵심적인 개념은 채널 영역에 대한 두 개의 게이트 전극에 의해 전계 효과가 중첩된다는 점입니다. 이는 마치 두 개의 문이 전류의 흐름을 조절하는 것과 같다고 비유할 수 있습니다. 각각의 게이트는 별도의 제어 전압을 통해 인가될 수 있으며, 이 두 전압의 상호작용을 통해 채널 내 전하 캐리어의 농도와 분포를 매우 세밀하게 조절할 수 있습니다. 이러한 조절 능력은 기존 단일 게이트 MOSFET에서 달성하기 어려운 낮은 문턱 전압(threshold voltage) 구현, 높은 온 전류(on-current), 그리고 우수한 서브스레숄드 스윙(subthreshold swing, SS) 특성을 제공합니다. 서브스레숄드 스윙은 게이트 전압이 변화함에 따라 드레인 전류가 얼마나 급격하게 변하는지를 나타내는 지표입니다. 값이 낮을수록 더 적은 게이트 전압 변화로도 전류를 효과적으로 끄고 켤 수 있다는 의미이며, 이는 저전력 소자 설계에 매우 중요한 요소입니다. 더블 게이트 MOSFET은 두 개의 게이트를 통해 채널 전체에 걸쳐 보다 균일하고 강력한 전계 효과를 발생시킬 수 있기 때문에, 이상적인 서브스레숄드 스윙 값인 60mV/decade (상온 기준)에 훨씬 가깝거나 심지어 이를 능가하는 특성을 나타내기도 합니다. 이는 차세대 저전력 전자 기기, 특히 모바일 기기나 IoT(Internet of Things) 장치에서 요구하는 초저전력 소모를 실현하는 데 결정적인 역할을 할 수 있습니다. 또한, 더블 게이트 MOSFET은 채널 길이 축소로 인해 발생하는 단채널 효과(short-channel effects)를 효과적으로 억제할 수 있다는 장점을 가집니다. 단채널 효과란 트랜지스터의 채널 길이가 매우 짧아질 때 발생하는 현상으로, 드레인 전압이 채널의 전도에 미치는 영향이 커져 문턱 전압이 낮아지거나 전류가 불안정해지는 등의 문제를 야기합니다. 더블 게이트 구조에서는 두 개의 게이트가 채널을 효과적으로 "감싸는" 형태가 되기 때문에, 드레인 전압의 간섭을 줄이고 게이트의 제어력을 높여 단채널 효과를 크게 완화할 수 있습니다. 이는 나노미터 스케일의 트랜지스터를 집적하여 고성능 집적 회로를 구현하는 데 필수적인 기술입니다. 더블 게이트 MOSFET은 게이트 구조에 따라 크게 두 가지 주요 종류로 나눌 수 있습니다. 첫 번째는 핀펫(FinFET) 또는 3차원 핀펫(3D FinFET)입니다. 핀펫은 채널 영역이 마치 물고기 지느러미(fin)처럼 돌출되어 있고, 이 지느러미의 양측면과 상부, 즉 세 면을 게이트가 감싸는 구조입니다. 이러한 3차원적인 게이트 구조는 단위 면적당 더 많은 전류를 흘릴 수 있게 하고, 앞서 언급한 서브스레숄드 특성과 단채널 효과 억제 능력을 극대화합니다. 현재 첨단 로직 반도체 공정에서 가장 널리 사용되는 트랜지스터 구조 중 하나입니다. 두 번째는 평면형 더블 게이트 MOSFET(Planar Double-Gate MOSFET) 또는 이중 게이트 실리콘 온 인슐레이터(Dual-Gate SOI, Silicon-On-Insulator) 트랜지스터입니다. 이 구조는 채널 영역이 웨이퍼 평면에 평평하게 놓여 있고, 그 위아래로 두 개의 게이트가 배치되는 형태입니다. 핀펫에 비해 제조 공정이 상대적으로 간단할 수 있다는 장점이 있지만, 게이트가 채널을 감싸는 면적이 핀펫에 비해 작아 성능 면에서는 다소 제한적일 수 있습니다. 하지만 특정 응용 분야에서는 여전히 유용하게 사용될 수 있습니다. 더블 게이트 MOSFET은 그 뛰어난 성능과 효율성 덕분에 다양한 분야에서 폭넓게 응용되고 있습니다. 가장 대표적인 응용 분야는 고성능 컴퓨팅을 위한 마이크로프로세서 및 그래픽 처리 장치(GPU)입니다. 더욱 작고 빠른 트랜지스터 집적은 전반적인 칩 성능을 향상시키며, 더블 게이트 MOSFET은 이러한 요구를 충족시키는 핵심 기술입니다. 또한, 모바일 기기, 스마트폰, 태블릿 등은 배터리 수명이 중요하기 때문에 초저전력 소모를 구현하는 것이 필수적입니다. 더블 게이트 MOSFET의 우수한 서브스레숄드 특성은 이러한 기기들의 전력 효율을 크게 높여줍니다. 사물 인터넷(IoT) 기기들도 지속적으로 증가하고 있으며, 이러한 기기들은 종종 배터리로 작동하거나 전력 공급이 제한적인 환경에 배치됩니다. 더블 게이트 MOSFET은 극도로 낮은 전력으로도 원활하게 작동할 수 있어 IoT 기기의 센서, 통신 모듈, 마이크로컨트롤러 등에 이상적인 솔루션을 제공합니다. 또한, 고성능 메모리 소자, 특히 차세대 DRAM이나 비휘발성 메모리의 성능 향상에도 기여할 수 있습니다. 더블 게이트 MOSFET과 관련된 주요 기술로는 전극 물질의 선택, 절연막의 종류 및 두께 조절, 채널 물질의 특성 최적화 등이 있습니다. 게이트 전극 물질로는 기존의 폴리실리콘 대신 금속 게이트(metal gate)를 사용하여 게이트 전극의 낮은 저항과 우수한 전도성을 확보하고, 문턱 전압 조절을 용이하게 합니다. 절연막으로는 하이-케이(high-k) 유전체를 사용하여 절연 성능을 높이면서도 게이트 전극과의 거리를 좁혀 캐패시턴스를 증가시켜 채널 제어 효율을 높입니다. 채널 물질로는 실리콘 외에 실리콘게르마늄(SiGe)이나 III-V족 화합물 반도체와 같이 더 높은 이동도를 가진 물질을 사용하여 전류 구동 능력을 더욱 향상시키는 연구도 활발히 진행되고 있습니다. 더블 게이트 MOSFET은 현재 반도체 산업에서 가장 주목받는 트랜지스터 기술 중 하나이며, 미래의 전자 기기 성능과 효율성을 좌우하는 핵심 동력으로 작용할 것입니다. 지속적인 연구 개발을 통해 더 높은 성능과 낮은 전력 소모를 달성하고, 다양한 응용 분야에서의 혁신을 이끌어낼 것으로 기대됩니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 더블 게이트 MOSFET 시장 2024 : 기업, 종류, 용도, 시장예측] (코드 : GIR2407E15848) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
| ※본 조사보고서 [세계의 더블 게이트 MOSFET 시장 2024 : 기업, 종류, 용도, 시장예측] 에 대해서 E메일 문의는 여기를 클릭하세요. |
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