| ■ 영문 제목 : Epi Wafers for Optoelectronic Devices Market, Global Outlook and Forecast 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : MONT2408K18027 ■ 조사/발행회사 : Market Monitor Global ■ 발행일 : 2024년 8월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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본 조사 보고서는 현재 동향, 시장 역학 및 미래 전망에 초점을 맞춰, 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 시장에 대한 포괄적인 분석을 제공합니다. 본 보고서는 북미, 유럽, 아시아 태평양 및 신흥 시장과 같은 주요 지역을 포함한 전 세계 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 시장을 대상으로 합니다. 또한 광전자 소자용 Epi 웨이퍼의 성장을 주도하는 주요 요인, 업계가 직면한 과제 및 시장 참여자를 위한 잠재적 기회도 기재합니다.
글로벌 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 시장은 최근 몇 년 동안 환경 문제, 정부 인센티브 및 기술 발전의 증가로 인해 급속한 성장을 목격했습니다. 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 시장은 FP LD, DFB LD, APD, PD, VCSEL, 기타를 포함한 다양한 이해 관계자에게 기회를 제공합니다. 민간 부문과 정부 간의 협력은 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 시장에 대한 지원 정책, 연구 개발 노력 및 투자를 가속화 할 수 있습니다. 또한 증가하는 소비자 수요는 시장 확장의 길을 제시합니다.
글로벌 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 시장은 2023년에 미화 XXX백만 달러로 조사되었으며 2030년까지 미화 XXX백만 달러에 도달할 것으로 예상되며, 예측 기간 동안 XXX%의 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다.
[주요 특징]
광전자 소자용 Epi 웨이퍼 시장에 대한 조사 보고서에는 포괄적인 통찰력을 제공하고 이해 관계자의 의사 결정을 용이하게하는 몇 가지 주요 항목이 포함되어 있습니다.
요약 : 본 보고서는 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 시장의 주요 결과, 시장 동향 및 주요 통찰력에 대한 개요를 제공합니다.
시장 개요: 본 보고서는 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 시장의 정의, 역사적 추이, 현재 시장 규모를 포함한 포괄적인 개요를 제공합니다. 종류(예: GaAs 기반, InP 기반, 기타), 지역 및 용도별로 시장을 세분화하여 각 세그먼트 내의 주요 동인, 과제 및 기회를 중점적으로 다룹니다.
시장 역학: 본 보고서는 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 시장의 성장과 발전을 주도하는 시장 역학을 분석합니다. 본 보고서에는 정부 정책 및 규정, 기술 발전, 소비자 동향 및 선호도, 인프라 개발, 업계 협력에 대한 평가가 포함되어 있습니다. 이 분석은 이해 관계자가 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 시장의 궤적에 영향을 미치는 요인을 이해하는데 도움이됩니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 시장내 경쟁 환경에 대한 심층 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 시장 플레이어의 프로필, 시장 점유율, 전략, 제품 포트폴리오 및 최근 동향이 포함됩니다.
시장 세분화 및 예측: 본 보고서는 종류, 지역 및 용도와 같은 다양한 매개 변수를 기반으로 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 시장을 세분화합니다. 정량적 데이터 및 분석을 통해 각 세그먼트의 시장 규모와 성장 예측을 제공합니다. 이를 통해 이해 관계자가 성장 기회를 파악하고 정보에 입각한 투자 결정을 내릴 수 있습니다.
기술 동향: 본 보고서는 주요기술의 발전과 새로운 대체품 등 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 시장을 형성하는 주요 기술 동향을 강조합니다. 이러한 트렌드가 시장 성장, 채택률, 소비자 선호도에 미치는 영향을 분석합니다.
시장 과제와 기회: 본 보고서는 기술적 병목 현상, 비용 제한, 높은 진입 장벽 등 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 시장이 직면한 주요 과제를 파악하고 분석합니다. 또한 정부 인센티브, 신흥 시장, 이해관계자 간의 협업 등 시장 성장의 기회에 대해서도 강조합니다.
규제 및 정책 분석: 본 보고서는 정부 인센티브, 배출 기준, 인프라 개발 계획 등 광전자 소자용 Epi 웨이퍼에 대한 규제 및 정책 환경을 평가합니다. 이러한 정책이 시장 성장에 미치는 영향을 분석하고 향후 규제 동향에 대한 인사이트를 제공합니다.
권장 사항 및 결론: 본 보고서는 소비자, 정책 입안자, 투자자, 인프라 제공업체 등 이해관계자를 위한 실행 가능한 권고 사항으로 마무리합니다. 이러한 권장 사항은 조사 결과를 바탕으로 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 시장의 주요 과제와 기회를 해결할 수 있습니다.
참고 데이터 및 부록: 보고서에는 분석 및 조사 결과를 입증하기 위한 보조 데이터, 차트, 그래프가 포함되어 있습니다. 또한 데이터 소스, 설문조사, 상세한 시장 예측과 같은 추가 세부 정보가 담긴 부록도 포함되어 있습니다.
[시장 세분화]
광전자 소자용 Epi 웨이퍼 시장은 종류별 및 용도별로 세분화됩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
■ 종류별 시장 세그먼트
– GaAs 기반, InP 기반, 기타
■ 용도별 시장 세그먼트
– FP LD, DFB LD, APD, PD, VCSEL, 기타
■ 지역별 및 국가별 글로벌 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 시장 점유율, 2023년(%)
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 아시아 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도)
– 남미 (브라질, 아르헨티나)
– 중동 및 아프리카 (터키, 이스라엘, 사우디 아라비아, UAE)
■ 주요 업체
– IQE Corporation、LandMark Optoelectronics Corporation、VPEC、IntelliEPI、Sumitomo Chemical Advanced Technologies、Shandong Huaguang Optoelectronics、Jiangsu Huaxing Laser Technology、Epihouse Optoelectroic
[주요 챕터의 개요]
1 장 : 광전자 소자용 Epi 웨이퍼의 정의, 시장 개요를 소개
2 장 : 매출 및 판매량을 기준으로한 글로벌 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 시장 규모
3 장 : 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 제조업체 경쟁 환경, 가격, 판매량 및 매출 시장 점유율, 최신 동향, M&A 정보 등에 대한 자세한 분석
4 장 : 종류별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
5 장 : 용도별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
6 장 : 지역 및 국가별 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 판매량. 각 지역 및 주요 국가의 시장 규모와 성장 잠재력에 대한 정량적 분석을 제공. 세계 각국의 시장 개발, 향후 개발 전망, 시장 기회을 소개
7 장 : 주요 업체의 프로필을 제공. 제품 판매, 매출, 가격, 총 마진, 제품 소개, 최근 동향 등 시장 내 주요 업체의 기본 상황을 자세히 소개
8 장 : 지역별 및 국가별 글로벌 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 시장규모
9 장 : 시장 역학, 시장의 최신 동향, 시장의 추진 요인 및 제한 요인, 업계내 업체가 직면한 과제 및 리스크, 업계의 관련 정책 분석을 소개
10 장 : 산업의 업 스트림 및 다운 스트림을 포함한 산업 체인 분석
11 장 : 보고서의 주요 요점 및 결론
※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.
■ 보고서 목차1. 조사 및 분석 보고서 소개 2. 글로벌 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 전체 시장 규모 3. 기업 환경 4. 종류별 시장 분석 5. 용도별 시장 분석 6. 지역별 시장 분석 7. 제조업체 및 브랜드 프로필 IQE Corporation、LandMark Optoelectronics Corporation、VPEC、IntelliEPI、Sumitomo Chemical Advanced Technologies、Shandong Huaguang Optoelectronics、Jiangsu Huaxing Laser Technology、Epihouse Optoelectroic IQE Corporation LandMark Optoelectronics Corporation VPEC 8. 글로벌 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 생산 능력 분석 9. 주요 시장 동향, 기회, 동인 및 제약 요인 10. 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 공급망 분석 11. 결론 [그림 목록]- 종류별 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 세그먼트, 2023년 - 용도별 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 세그먼트, 2023년 - 글로벌 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 시장 개요, 2023년 - 글로벌 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 시장 규모: 2023년 VS 2030년 - 글로벌 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 매출, 2019-2030 - 글로벌 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 판매량: 2019-2030 - 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 매출 기준 상위 3개 및 5개 업체 시장 점유율, 2023년 - 글로벌 종류별 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 종류별 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 매출 시장 점유율 - 글로벌 종류별 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 글로벌 종류별 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 가격 - 글로벌 용도별 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 용도별 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 매출 시장 점유율 - 글로벌 용도별 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 글로벌 용도별 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 가격 - 지역별 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 매출, 2023년 VS 2030년 - 지역별 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 매출 시장 점유율 - 지역별 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 매출 시장 점유율 - 지역별 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 북미 국가별 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 매출 시장 점유율 - 북미 국가별 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 미국 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 시장규모 - 캐나다 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 시장규모 - 멕시코 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 시장규모 - 유럽 국가별 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 매출 시장 점유율 - 유럽 국가별 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 독일 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 시장규모 - 프랑스 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 시장규모 - 영국 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 시장규모 - 이탈리아 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 시장규모 - 러시아 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 시장규모 - 아시아 지역별 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 매출 시장 점유율 - 아시아 지역별 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 중국 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 시장규모 - 일본 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 시장규모 - 한국 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 시장규모 - 동남아시아 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 시장규모 - 인도 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 시장규모 - 남미 국가별 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 매출 시장 점유율 - 남미 국가별 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 브라질 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 시장규모 - 아르헨티나 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 시장규모 - 중동 및 아프리카 국가별 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 매출 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 국가별 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 터키 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 시장규모 - 이스라엘 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 시장규모 - 사우디 아라비아 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 시장규모 - 아랍에미리트 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 시장규모 - 글로벌 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 생산 능력 - 지역별 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 생산량 비중, 2023년 VS 2030년 - 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 산업 가치 사슬 - 마케팅 채널 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 광전자 소자용 에피 웨이퍼(Epi Wafers for Optoelectronic Devices)는 빛과 전기의 상호작용을 활용하는 다양한 광전자 소자의 핵심 재료로 사용되는 고품질의 반도체 웨이퍼를 의미합니다. 일반적인 실리콘 웨이퍼와 달리, 에피 웨이퍼는 기판 위에 특정 결정 구조와 조성비를 가진 얇은 박막을 성장시켜 만듭니다. 이 박막은 소자의 광학적, 전기적 특성을 결정하는 결정적인 역할을 하므로, 극히 높은 순도와 정밀한 제어가 요구됩니다. 에피 웨이퍼의 핵심 특징은 바로 그 위에 성장된 에피층(Epitaxial Layer)에 있습니다. 에피 성장은 모체 기판(Substrate)의 결정 구조를 그대로 따라 얇은 막을 성장시키는 기술로, 이를 통해 기판과는 다른 물질이나 조성비를 가진 박막을 고품질로 얻을 수 있습니다. 이러한 에피층은 소자의 성능을 좌우하는 다양한 특성을 지니게 됩니다. 첫째, 결정성이 매우 우수합니다. 즉, 원자 배열이 규칙적이고 결함이 적어 전자나 광자의 이동이 원활하게 이루어집니다. 이는 소자의 효율과 속도를 높이는 데 필수적입니다. 둘째, 조성 제어가 가능합니다. 에피층을 구성하는 화합물의 비율을 정밀하게 조절하여 특정 파장의 빛을 흡수하거나 방출하는 능력을 최적화할 수 있습니다. 예를 들어, 갈륨비소(GaAs)에 알루미늄(Al)을 첨가하여 알루미늄갈륨비소(AlGaAs)를 만들거나, 인(P)을 첨가하여 갈륨비소인(GaAsP) 등을 만드는 방식입니다. 셋째, 도핑(Doping) 제어가 용이합니다. 반도체의 전기적 특성을 변화시키기 위해 불순물을 첨가하는 도핑 과정을 에피층 성장 과정에서 정밀하게 제어할 수 있어, 원하는 전도 타입과 농도를 갖는 박막을 구현할 수 있습니다. 넷째, 다층 구조 구현이 가능합니다. 여러 종류의 에피층을 순차적으로 성장시켜 특정 기능을 수행하는 복잡한 구조, 예를 들어 양자 우물(Quantum Well)이나 초격자(Superlattice) 구조를 만들 수 있습니다. 이러한 다층 구조는 광자와 전자의 상호작용을 극대화하여 소자의 성능을 획기적으로 향상시킬 수 있습니다. 광전자 소자용 에피 웨이퍼는 다양한 종류가 있으며, 주로 에피층을 구성하는 화합물 반도체의 종류와 그 구조에 따라 분류됩니다. 가장 대표적인 재료로는 III-V족 화합물 반도체가 있습니다. 이들은 주기율표의 3족 원소와 5족 원소가 결합한 화합물로, 실리콘보다 높은 전자 이동도와 직접적인 광학적 특성을 가지고 있어 광전자 소자에 매우 적합합니다. 주요 III-V족 화합물 에피 웨이퍼로는 다음과 같은 것들이 있습니다. - 갈륨비소(GaAs) 기반 에피 웨이퍼: 높은 전자 이동도 덕분에 고속 트랜지스터나 광검출기 등에 사용됩니다. 또한, 질화갈륨(GaN)과 함께 레이저 다이오드나 발광 다이오드(LED)의 성능 향상에도 기여합니다. - 인화인듐(InP) 기반 에피 웨이퍼: 적외선 영역에서 우수한 광학적 특성을 나타내어 광통신용 레이저나 광검출기, 고성능 포토디텍터 등에 주로 사용됩니다. 높은 전자 이동도는 고속 통신 시스템에 필수적입니다. - 질화갈륨(GaN) 기반 에피 웨이퍼: 고온, 고전압, 고주파 환경에서도 안정적인 성능을 발휘하며, 블루 및 UV 영역의 LED와 레이저 다이오드, 고출력 전자 소자 등에 활용됩니다. 특히 고휘도 LED 기술의 발전과 함께 매우 중요해졌습니다. - 알루미늄갈륨비소(AlGaAs) 및 갈륨비소인(GaAsP) 등 다양한 조성의 화합물 에피 웨이퍼: 특정 파장의 빛을 흡수하거나 방출하도록 조성비를 정밀하게 제어하여 다양한 색상의 LED, 솔라셀, 레이저 소자 등에 맞춤형으로 사용됩니다. 이 외에도 양자 우물(Quantum Well), 양자 점(Quantum Dot), 초격자(Superlattice)와 같이 에피층을 여러 개 겹쳐 쌓아 만든 복잡한 구조의 에피 웨이퍼는 특정 광학적, 전기적 특성을 극대화하기 위해 설계됩니다. 이러한 구조는 광자의 에너지 준위를 미세하게 조절하여 소자의 효율과 기능성을 혁신적으로 높일 수 있습니다. 광전자 소자용 에피 웨이퍼의 용도는 매우 광범위하며, 우리 생활 곳곳에서 중요한 역할을 수행하고 있습니다. - 광통신 시스템: 고속으로 데이터를 주고받는 광통신 시스템의 핵심 부품인 레이저 다이오드, 광검출기, 변조기 등에 사용됩니다. InP 기반 에피 웨이퍼는 특히 장거리 광통신에 필수적인 1.3~1.55 마이크로미터 파장 대역에서 효율적인 광 신호 생성 및 검출을 가능하게 합니다. - 조명 및 디스플레이: 고휘도 LED, OLED 디스플레이 등에서 색상 구현 및 에너지 효율 향상에 기여합니다. GaN 기반 에피 웨이퍼는 특히 밝고 선명한 청색광을 내는 데 핵심적인 역할을 하며, 이를 통해 백색광 LED 및 다양한 색상의 디스플레이 구현이 가능해졌습니다. - 태양전지: 태양광 에너지를 전기로 변환하는 태양전지에도 에피 웨이퍼 기술이 적용됩니다. 특정 파장의 빛을 효율적으로 흡수하고 전하를 분리하는 구조를 만들기 위해 다양한 조성의 III-V족 화합물 에피 웨이퍼가 사용되며, 이는 기존 실리콘 태양전지의 효율 한계를 극복하는 데 기여합니다. - 센서 및 이미징: 적외선 센서, 바이오 센서, 카메라 모듈의 이미지 센서 등 다양한 센싱 응용 분야에서도 에피 웨이퍼 기술이 활용됩니다. 특정 파장의 빛이나 물질에 반응하는 에피층을 설계하여 정밀한 감지 및 분석을 가능하게 합니다. - 레이저 응용: 바코드 스캐너, CD/DVD 플레이어, 의료용 레이저, 산업용 레이저 등 다양한 레이저 소자의 성능을 결정하는 핵심 부품으로 사용됩니다. 레이저의 출력, 파장, 안정성 등은 에피 웨이퍼의 재료와 구조에 의해 크게 좌우됩니다. 광전자 소자용 에피 웨이퍼 기술은 끊임없이 발전하고 있으며, 이를 뒷받침하는 다양한 관련 기술들이 존재합니다. - 금속유기화학증착법(MOCVD, Metalorganic Chemical Vapor Deposition) 및 분자빔에피택시법(MBE, Molecular Beam Epitaxy): 에피층을 성장시키는 가장 대표적인 방법입니다. MOCVD는 기체 상태의 금속유기 화합물과 비금속 화합물을 반응시켜 기판 위에 얇은 막을 성장시키는 기술로, 대량 생산에 적합하며 조성 및 도핑 제어가 용이합니다. MBE는 초고진공 상태에서 원자 또는 분자 빔을 증착시켜 박막을 성장시키는 기술로, 매우 정밀한 결정 성장과 복잡한 다층 구조 구현에 유리합니다. - 재료 과학 및 조성 제어 기술: 특정 파장의 빛을 효율적으로 흡수하거나 방출하기 위해 에피층을 구성하는 원소의 비율을 정밀하게 제어하는 기술은 광전자 소자의 성능에 직결됩니다. 다양한 조성의 합금 박막을 안정적으로 성장시키는 것이 중요합니다. - 결정 결함 제어 기술: 에피층의 결정성이 낮으면 전자의 이동을 방해하고 효율을 떨어뜨리므로, 결정 결함(결정 격자 오류, 불순물 등)을 최소화하는 것이 매우 중요합니다. 고품질의 에피층을 얻기 위한 성장 조건 최적화 및 결함 분석 기술이 필수적입니다. - 나노 구조 설계 및 제작 기술: 양자 우물, 양자 점, 초격자 등 나노 스케일의 복잡한 구조를 정확하게 구현하는 기술은 광자와 전자의 상호작용을 제어하여 소자의 성능을 극대화하는 데 핵심적입니다. - 측정 및 분석 기술: 성장된 에피 웨이퍼의 결정 품질, 조성, 두께, 도핑 농도 등을 정밀하게 측정하고 분석하는 기술은 제품의 신뢰성과 성능을 보장하는 데 필수적입니다. X선 회절(XRD), 투과전자현미경(TEM), 원자간 힘 현미경(AFM) 등 다양한 분석 장비와 기술이 활용됩니다. 앞으로도 광전자 소자 시장의 성장과 함께 에피 웨이퍼 기술은 더욱 발전할 것이며, 더욱 높은 효율, 새로운 기능, 저렴한 가격을 갖춘 소자 개발을 위한 연구가 활발히 진행될 것입니다. 특히, 차세대 통신 기술, 인공지능, 자율주행, 바이오 기술 등 첨단 산업 분야에서 광전자 소자의 중요성이 더욱 커짐에 따라 고품질 에피 웨이퍼의 역할은 더욱 중요해질 것으로 전망됩니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 광전자 소자용 Epi 웨이퍼 시장예측 2024-2030] (코드 : MONT2408K18027) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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