| ■ 영문 제목 : Global Gallium Nitride (GaN) Based Devices Market Growth 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : LPI2407D21967 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2024년 5월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
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LP Information (LPI)사의 최신 조사에 따르면, 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 시장 규모는 2023년에 미화 XXX백만 달러로 산출되었습니다. 다운 스트림 시장의 수요가 증가함에 따라 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치은 조사 대상 기간 동안 XXX%의 CAGR(연평균 성장율)로 2030년까지 미화 XXX백만 달러의 시장규모로 예상됩니다.
본 조사 보고서는 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 시장의 성장 잠재력을 강조합니다. 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치은 향후 시장에서 안정적인 성장을 보일 것으로 예상됩니다. 그러나 제품 차별화, 비용 절감 및 공급망 최적화는 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치의 광범위한 채택을 위해 여전히 중요합니다. 시장 참여자들은 연구 개발에 투자하고, 전략적 파트너십을 구축하고, 진화하는 소비자 선호도에 맞춰 제품을 제공함으로써 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 시장이 제공하는 막대한 기회를 활용해야 합니다.
[주요 특징]
질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 시장에 대한 보고서는 다양한 측면을 반영하고 업계에 대한 소중한 통찰력을 제공합니다.
시장 규모 및 성장: 본 조사 보고서는 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 시장의 현재 규모와 성장에 대한 개요를 제공합니다. 여기에는 과거 데이터, 유형별 시장 세분화 (예 : 전력소자a, 전자소자, 광전소자, RF소자) 및 지역 분류가 포함될 수 있습니다.
시장 동인 및 과제: 본 보고서는 정부 규제, 환경 문제, 기술 발전 및 소비자 선호도 변화와 같은 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 시장의 성장을 주도하는 요인을 식별하고 분석 할 수 있습니다. 또한 인프라 제한, 범위 불안, 높은 초기 비용 등 업계가 직면한 과제를 강조할 수 있습니다.
경쟁 환경: 본 조사 보고서는 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 시장 내 경쟁 환경에 대한 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 업체의 프로필, 시장 점유율, 전략 및 제공 제품이 포함됩니다. 본 보고서는 또한 신흥 플레이어와 시장에 대한 잠재적 영향을 강조할 수 있습니다.
기술 개발: 본 조사 보고서는 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 산업의 최신 기술 개발에 대해 자세히 살펴볼 수 있습니다. 여기에는 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 기술의 발전, 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 신규 진입자, 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 신규 투자, 그리고 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치의 미래를 형성하는 기타 혁신이 포함됩니다.
다운스트림 고객 선호도: 본 보고서는 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 시장의 고객 구매 행동 및 채택 동향을 조명할 수 있습니다. 여기에는 고객의 구매 결정에 영향을 미치는 요인, 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 제품에 대한 선호도가 포함됩니다.
정부 정책 및 인센티브: 본 조사 보고서는 정부 정책 및 인센티브가 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 시장에 미치는 영향을 분석합니다. 여기에는 규제 프레임워크, 보조금, 세금 인센티브 및 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 시장을 촉진하기위한 기타 조치에 대한 평가가 포함될 수 있습니다. 본 보고서는 또한 이러한 정책이 시장 성장을 촉진하는데 미치는 효과도 분석합니다.
환경 영향 및 지속 가능성: 조사 보고서는 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 시장의 환경 영향 및 지속 가능성 측면을 분석합니다.
시장 예측 및 미래 전망: 수행된 분석을 기반으로 본 조사 보고서는 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 산업에 대한 시장 예측 및 전망을 제공합니다. 여기에는 시장 규모, 성장률, 지역 동향, 기술 발전 및 정책 개발에 대한 예측이 포함됩니다.
권장 사항 및 기회: 본 보고서는 업계 이해 관계자, 정책 입안자, 투자자를 위한 권장 사항으로 마무리됩니다. 본 보고서는 시장 참여자들이 새로운 트렌드를 활용하고, 도전 과제를 극복하며, 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 시장의 성장과 발전에 기여할 수 있는 잠재적 기회를 강조합니다.
[시장 세분화]
질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 수량 및 금액 측면에서 제공합니다.
*** 종류별 세분화 ***
전력소자a, 전자소자, 광전소자, RF소자
*** 용도별 세분화 ***
레이더, 위성, 기지국, 인버터, 전원스위치, 기타
본 보고서는 또한 시장을 지역별로 분류합니다:
– 미주 (미국, 캐나다, 멕시코, 브라질)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 호주)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 중동 및 아프리카 (이집트, 남아프리카 공화국, 이스라엘, 터키, GCC 국가)
아래 프로파일링 대상 기업은 주요 전문가로부터 수집한 정보를 바탕으로 해당 기업의 서비스 범위, 제품 포트폴리오, 시장 점유율을 분석하여 선정되었습니다.
Infineon, ON Semiconductor, Texas Instruments, Navitas, Power Integrations, GaN Systems, Fujitsu, Toshiba, NTT Advanced Technology, RF Micro Devices, Cree Incorporated, Aixtron, Dalian Xinguan Technology, CorEnergy Semi, Suzhou Gpower
[본 보고서에서 다루는 주요 질문]
– 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 시장의 향후 10년 전망은 어떻게 될까요?
– 전 세계 및 지역별 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 시장 성장을 주도하는 요인은 무엇입니까?
– 시장과 지역별로 가장 빠르게 성장할 것으로 예상되는 분야는 무엇인가요?
– 최종 시장 규모에 따라 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 시장 기회는 어떻게 다른가요?
– 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치은 종류, 용도를 어떻게 분류합니까?
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■ 보고서 목차■ 보고서의 범위 ■ 보고서의 요약 ■ 기업별 세계 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 시장분석 ■ 지역별 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치에 대한 추이 분석 ■ 미주 시장 ■ 아시아 태평양 시장 ■ 유럽 시장 ■ 중동 및 아프리카 시장 ■ 시장 동인, 도전 과제 및 동향 ■ 제조 비용 구조 분석 ■ 마케팅, 유통업체 및 고객 ■ 지역별 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 시장 예측 ■ 주요 기업 분석 Infineon, ON Semiconductor, Texas Instruments, Navitas, Power Integrations, GaN Systems, Fujitsu, Toshiba, NTT Advanced Technology, RF Micro Devices, Cree Incorporated, Aixtron, Dalian Xinguan Technology, CorEnergy Semi, Suzhou Gpower – Infineon – ON Semiconductor – Texas Instruments ■ 조사 결과 및 결론 [그림 목록]질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 이미지 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 판매량 성장률 (2019-2030) 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 매출 성장률 (2019-2030) 지역별 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 매출 (2019, 2023 및 2030) 글로벌 종류별 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 종류별 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 매출 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 용도별 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 용도별 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 매출 시장 점유율 기업별 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 판매량 시장 2023 기업별 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 판매량 시장 점유율 2023 기업별 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 매출 시장 2023 기업별 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 매출 시장 점유율 2023 지역별 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 판매량 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 매출 시장 점유율 2023 미주 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 판매량 (2019-2024) 미주 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 매출 (2019-2024) 아시아 태평양 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 판매량 (2019-2024) 아시아 태평양 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 매출 (2019-2024) 유럽 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 판매량 (2019-2024) 유럽 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 매출 (2019-2024) 중동 및 아프리카 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 판매량 (2019-2024) 중동 및 아프리카 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 매출 (2019-2024) 미국 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 시장규모 (2019-2024) 캐나다 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 시장규모 (2019-2024) 멕시코 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 시장규모 (2019-2024) 브라질 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 시장규모 (2019-2024) 중국 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 시장규모 (2019-2024) 일본 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 시장규모 (2019-2024) 한국 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 시장규모 (2019-2024) 동남아시아 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 시장규모 (2019-2024) 인도 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 시장규모 (2019-2024) 호주 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 시장규모 (2019-2024) 독일 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 시장규모 (2019-2024) 프랑스 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 시장규모 (2019-2024) 영국 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 시장규모 (2019-2024) 이탈리아 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 시장규모 (2019-2024) 러시아 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 시장규모 (2019-2024) 이집트 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 시장규모 (2019-2024) 남아프리카 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 시장규모 (2019-2024) 이스라엘 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 시장규모 (2019-2024) 터키 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 시장규모 (2019-2024) GCC 국가 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 시장규모 (2019-2024) 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치의 제조 원가 구조 분석 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치의 제조 공정 분석 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치의 산업 체인 구조 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치의 유통 채널 글로벌 지역별 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 판매량 시장 전망 (2025-2030) 글로벌 지역별 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 ## 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치의 이해 질화 갈륨(Gallium Nitride, GaN)은 주기율표 13족 원소인 갈륨(Ga)과 15족 원소인 질소(N)가 결합한 화합물 반도체입니다. GaN 기반 장치는 이러한 GaN 물질의 독특한 물리적, 전기적 특성을 활용하여 제작된 전자 소자 및 광전자 소자를 총칭합니다. 기존의 실리콘(Si) 기반 반도체 기술이 한계에 도달하면서 고성능, 고효율, 소형화가 요구되는 다양한 분야에서 GaN이 차세대 핵심 소재로 주목받고 있습니다. GaN의 가장 두드러진 특징 중 하나는 높은 밴드갭 에너지입니다. GaN의 밴드갭은 약 3.4 eV로, 실리콘(1.1 eV)에 비해 훨씬 넓습니다. 이 높은 밴드갭 에너지는 GaN 기반 장치가 높은 항복 전압(breakdown voltage)을 견딜 수 있게 하여 고전압, 고출력 애플리케이션에 적합하게 만듭니다. 또한, GaN은 전자 이동도(electron mobility)가 높아 스위칭 속도가 빠르고 낮은 온-저항(on-resistance)을 가집니다. 이는 전력 변환 효율을 극대화하고 발열을 줄이는 데 기여합니다. 열전도성 또한 우수하여 고밀도 집적 시 발생하는 열을 효과적으로 방출할 수 있습니다. 이러한 우수한 특성 덕분에 GaN 기반 장치는 크게 전력 반도체와 광전자 소자 분야에서 활용되고 있습니다. 전력 반도체 분야에서는 고주파 및 고효율 전력 변환기, 전력 증폭기, 전력 스위칭 소자 등에 사용됩니다. 예를 들어, 스마트폰 충전기, 노트북 어댑터, 전기차 충전 시스템, 태양광 인버터 등에서 기존 실리콘 기반 부품을 대체하여 전력 손실을 줄이고 에너지 효율을 높이는 데 중요한 역할을 합니다. 특히, 고주파 작동이 가능하여 통신 장비의 성능을 향상시키고, 소형화에도 기여하여 공간 제약이 있는 기기들에 유리합니다. 광전자 소자 분야에서는 GaN의 높은 밴드갭 에너지가 가시광선 영역의 발광 소자 제작에 이상적입니다. GaN을 기반으로 하는 대표적인 소자로는 발광 다이오드(LED)와 레이저 다이오드(LD)가 있습니다. 특히 청색 LED는 GaN 없이는 구현 불가능했을 기술이며, 이를 통해 백색 LED가 가능해져 에너지 효율적인 조명 시대를 열었습니다. 또한, 디스플레이 백라이트, 자동차 조명, 의료 기기 등 다양한 분야에서 활용됩니다. 최근에는 GaN 기반 자외선(UV) LED 기술도 발전하고 있으며, 이는 수처리, 살균, 의료 진단 등 특수 분야에 응용될 잠재력을 가지고 있습니다. GaN 기반 장치의 종류는 그 기능과 구조에 따라 다양하게 분류될 수 있습니다. 전력 스위칭 소자로는 주로 질화 갈륨/질화 알루미늄 갈륨(GaN/AlGaN) 헤테로구조를 이용한 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT: High Electron Mobility Transistor)가 대표적입니다. HEMT는 전계 효과 트랜지스터(FET: Field-Effect Transistor)의 일종으로, GaN과 AlGaN 계면에서 발생하는 2차원 전자 가스(2DEG: Two-Dimensional Electron Gas)를 이용하여 높은 전자 이동도와 빠른 스위칭 속도를 구현합니다. 또한, 수직형 GaN 소자 기술도 활발히 연구되고 있으며, 이는 더 높은 항복 전압과 전류 처리 능력을 제공할 수 있습니다. 광전자 소자로는 앞서 언급한 LED와 LD가 있습니다. 이들 소자는 GaN 자체 또는 InGaN(인듐 갈륨 질화물)과 같이 다른 원소를 첨가하여 발광 파장을 조절합니다. 적색, 녹색, 청색 파장의 소자를 조합하여 백색광을 구현하는 것이 가능하며, 이는 디스플레이 및 조명 기술의 혁신을 가져왔습니다. GaN 기반 장치의 제조에는 몇 가지 기술적 과제가 존재합니다. 가장 큰 난관 중 하나는 GaN 단결정을 성장시키기 위한 적절한 기판(substrate)의 부재입니다. GaN은 실리콘이나 사파이어(sapphire)와 같은 일반적인 기판 위에 성장시키는데, 이들 기판과 GaN 간의 결정 구조 및 열팽창 계수 차이로 인해 격자 불일치(lattice mismatch)가 발생하며, 이는 소자의 성능과 신뢰성에 영향을 미칠 수 있습니다. 이러한 문제를 해결하기 위해 질화 알루미늄(AlN)이나 질화 갈륨(GaN) 자체를 버퍼층으로 사용하거나, 실리콘 기판 위에 GaN을 성장시키는 기술 등이 개발되고 있습니다. 또한, 고품질 GaN 결정 성장을 위한 MOCVD(Metalorganic Chemical Vapor Deposition)와 같은 첨단 증착 기술이 필수적입니다. GaN 기반 장치의 잠재력은 무궁무진합니다. 고효율 전력 변환 기술은 에너지 절감과 탄소 배출 감소에 기여하며, 고성능 RF(Radio Frequency) 소자는 5G, 6G 통신 시대의 핵심 부품으로 자리매김할 것입니다. 또한, 차세대 디스플레이 및 조명 기술 발전에도 중요한 역할을 할 것입니다. 이러한 이유로 많은 연구 기관과 기업들이 GaN 기반 소자 기술 개발에 막대한 투자를 하고 있으며, 지속적인 기술 혁신을 통해 더욱 발전된 형태의 GaN 소자들이 등장할 것으로 기대됩니다. GaN 기반 장치는 미래 전자 산업을 이끌어갈 핵심 기술로, 우리의 삶을 더욱 풍요롭고 효율적으로 만드는 데 크게 기여할 것입니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 질화 갈륨 (GaN) 기반 장치 시장 2024-2030] (코드 : LPI2407D21967) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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