| ■ 영문 제목 : Global Gallium Nitride Substrates Market Growth 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : LPI2407D21974 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2024년 5월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
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LP Information (LPI)사의 최신 조사에 따르면, 글로벌 질화 갈륨 기판 시장 규모는 2023년에 미화 XXX백만 달러로 산출되었습니다. 다운 스트림 시장의 수요가 증가함에 따라 질화 갈륨 기판은 조사 대상 기간 동안 XXX%의 CAGR(연평균 성장율)로 2030년까지 미화 XXX백만 달러의 시장규모로 예상됩니다.
본 조사 보고서는 글로벌 질화 갈륨 기판 시장의 성장 잠재력을 강조합니다. 질화 갈륨 기판은 향후 시장에서 안정적인 성장을 보일 것으로 예상됩니다. 그러나 제품 차별화, 비용 절감 및 공급망 최적화는 질화 갈륨 기판의 광범위한 채택을 위해 여전히 중요합니다. 시장 참여자들은 연구 개발에 투자하고, 전략적 파트너십을 구축하고, 진화하는 소비자 선호도에 맞춰 제품을 제공함으로써 질화 갈륨 기판 시장이 제공하는 막대한 기회를 활용해야 합니다.
[주요 특징]
질화 갈륨 기판 시장에 대한 보고서는 다양한 측면을 반영하고 업계에 대한 소중한 통찰력을 제공합니다.
시장 규모 및 성장: 본 조사 보고서는 질화 갈륨 기판 시장의 현재 규모와 성장에 대한 개요를 제공합니다. 여기에는 과거 데이터, 유형별 시장 세분화 (예 : 사파이어 GaN, 규소 GaN, GaN on GaN, 기타) 및 지역 분류가 포함될 수 있습니다.
시장 동인 및 과제: 본 보고서는 정부 규제, 환경 문제, 기술 발전 및 소비자 선호도 변화와 같은 질화 갈륨 기판 시장의 성장을 주도하는 요인을 식별하고 분석 할 수 있습니다. 또한 인프라 제한, 범위 불안, 높은 초기 비용 등 업계가 직면한 과제를 강조할 수 있습니다.
경쟁 환경: 본 조사 보고서는 질화 갈륨 기판 시장 내 경쟁 환경에 대한 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 업체의 프로필, 시장 점유율, 전략 및 제공 제품이 포함됩니다. 본 보고서는 또한 신흥 플레이어와 시장에 대한 잠재적 영향을 강조할 수 있습니다.
기술 개발: 본 조사 보고서는 질화 갈륨 기판 산업의 최신 기술 개발에 대해 자세히 살펴볼 수 있습니다. 여기에는 질화 갈륨 기판 기술의 발전, 질화 갈륨 기판 신규 진입자, 질화 갈륨 기판 신규 투자, 그리고 질화 갈륨 기판의 미래를 형성하는 기타 혁신이 포함됩니다.
다운스트림 고객 선호도: 본 보고서는 질화 갈륨 기판 시장의 고객 구매 행동 및 채택 동향을 조명할 수 있습니다. 여기에는 고객의 구매 결정에 영향을 미치는 요인, 질화 갈륨 기판 제품에 대한 선호도가 포함됩니다.
정부 정책 및 인센티브: 본 조사 보고서는 정부 정책 및 인센티브가 질화 갈륨 기판 시장에 미치는 영향을 분석합니다. 여기에는 규제 프레임워크, 보조금, 세금 인센티브 및 질화 갈륨 기판 시장을 촉진하기위한 기타 조치에 대한 평가가 포함될 수 있습니다. 본 보고서는 또한 이러한 정책이 시장 성장을 촉진하는데 미치는 효과도 분석합니다.
환경 영향 및 지속 가능성: 조사 보고서는 질화 갈륨 기판 시장의 환경 영향 및 지속 가능성 측면을 분석합니다.
시장 예측 및 미래 전망: 수행된 분석을 기반으로 본 조사 보고서는 질화 갈륨 기판 산업에 대한 시장 예측 및 전망을 제공합니다. 여기에는 시장 규모, 성장률, 지역 동향, 기술 발전 및 정책 개발에 대한 예측이 포함됩니다.
권장 사항 및 기회: 본 보고서는 업계 이해 관계자, 정책 입안자, 투자자를 위한 권장 사항으로 마무리됩니다. 본 보고서는 시장 참여자들이 새로운 트렌드를 활용하고, 도전 과제를 극복하며, 질화 갈륨 기판 시장의 성장과 발전에 기여할 수 있는 잠재적 기회를 강조합니다.
[시장 세분화]
질화 갈륨 기판 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 수량 및 금액 측면에서 제공합니다.
*** 종류별 세분화 ***
사파이어 GaN, 규소 GaN, GaN on GaN, 기타
*** 용도별 세분화 ***
의료, 자동차, 군사/국방, 기타
본 보고서는 또한 시장을 지역별로 분류합니다:
– 미주 (미국, 캐나다, 멕시코, 브라질)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 호주)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 중동 및 아프리카 (이집트, 남아프리카 공화국, 이스라엘, 터키, GCC 국가)
아래 프로파일링 대상 기업은 주요 전문가로부터 수집한 정보를 바탕으로 해당 기업의 서비스 범위, 제품 포트폴리오, 시장 점유율을 분석하여 선정되었습니다.
Toshiba, Koninklijke Philips, Texas Instruments, Saint Gobain, Sumitomo Electric Industries, Soitec Pte Ltd, Fujitsu Limited, Mitsubishi, NGK Insulators, Infineon Technologies, Sino Nitride Semiconductors, PAM Xiamen
[본 보고서에서 다루는 주요 질문]
– 글로벌 질화 갈륨 기판 시장의 향후 10년 전망은 어떻게 될까요?
– 전 세계 및 지역별 질화 갈륨 기판 시장 성장을 주도하는 요인은 무엇입니까?
– 시장과 지역별로 가장 빠르게 성장할 것으로 예상되는 분야는 무엇인가요?
– 최종 시장 규모에 따라 질화 갈륨 기판 시장 기회는 어떻게 다른가요?
– 질화 갈륨 기판은 종류, 용도를 어떻게 분류합니까?
※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.
■ 보고서 목차■ 보고서의 범위 ■ 보고서의 요약 ■ 기업별 세계 질화 갈륨 기판 시장분석 ■ 지역별 질화 갈륨 기판에 대한 추이 분석 ■ 미주 시장 ■ 아시아 태평양 시장 ■ 유럽 시장 ■ 중동 및 아프리카 시장 ■ 시장 동인, 도전 과제 및 동향 ■ 제조 비용 구조 분석 ■ 마케팅, 유통업체 및 고객 ■ 지역별 질화 갈륨 기판 시장 예측 ■ 주요 기업 분석 Toshiba, Koninklijke Philips, Texas Instruments, Saint Gobain, Sumitomo Electric Industries, Soitec Pte Ltd, Fujitsu Limited, Mitsubishi, NGK Insulators, Infineon Technologies, Sino Nitride Semiconductors, PAM Xiamen – Toshiba – Koninklijke Philips – Texas Instruments ■ 조사 결과 및 결론 [그림 목록]질화 갈륨 기판 이미지 질화 갈륨 기판 판매량 성장률 (2019-2030) 글로벌 질화 갈륨 기판 매출 성장률 (2019-2030) 지역별 질화 갈륨 기판 매출 (2019, 2023 및 2030) 글로벌 종류별 질화 갈륨 기판 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 종류별 질화 갈륨 기판 매출 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 용도별 질화 갈륨 기판 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 용도별 질화 갈륨 기판 매출 시장 점유율 기업별 질화 갈륨 기판 판매량 시장 2023 기업별 글로벌 질화 갈륨 기판 판매량 시장 점유율 2023 기업별 질화 갈륨 기판 매출 시장 2023 기업별 글로벌 질화 갈륨 기판 매출 시장 점유율 2023 지역별 글로벌 질화 갈륨 기판 판매량 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 질화 갈륨 기판 매출 시장 점유율 2023 미주 질화 갈륨 기판 판매량 (2019-2024) 미주 질화 갈륨 기판 매출 (2019-2024) 아시아 태평양 질화 갈륨 기판 판매량 (2019-2024) 아시아 태평양 질화 갈륨 기판 매출 (2019-2024) 유럽 질화 갈륨 기판 판매량 (2019-2024) 유럽 질화 갈륨 기판 매출 (2019-2024) 중동 및 아프리카 질화 갈륨 기판 판매량 (2019-2024) 중동 및 아프리카 질화 갈륨 기판 매출 (2019-2024) 미국 질화 갈륨 기판 시장규모 (2019-2024) 캐나다 질화 갈륨 기판 시장규모 (2019-2024) 멕시코 질화 갈륨 기판 시장규모 (2019-2024) 브라질 질화 갈륨 기판 시장규모 (2019-2024) 중국 질화 갈륨 기판 시장규모 (2019-2024) 일본 질화 갈륨 기판 시장규모 (2019-2024) 한국 질화 갈륨 기판 시장규모 (2019-2024) 동남아시아 질화 갈륨 기판 시장규모 (2019-2024) 인도 질화 갈륨 기판 시장규모 (2019-2024) 호주 질화 갈륨 기판 시장규모 (2019-2024) 독일 질화 갈륨 기판 시장규모 (2019-2024) 프랑스 질화 갈륨 기판 시장규모 (2019-2024) 영국 질화 갈륨 기판 시장규모 (2019-2024) 이탈리아 질화 갈륨 기판 시장규모 (2019-2024) 러시아 질화 갈륨 기판 시장규모 (2019-2024) 이집트 질화 갈륨 기판 시장규모 (2019-2024) 남아프리카 질화 갈륨 기판 시장규모 (2019-2024) 이스라엘 질화 갈륨 기판 시장규모 (2019-2024) 터키 질화 갈륨 기판 시장규모 (2019-2024) GCC 국가 질화 갈륨 기판 시장규모 (2019-2024) 질화 갈륨 기판의 제조 원가 구조 분석 질화 갈륨 기판의 제조 공정 분석 질화 갈륨 기판의 산업 체인 구조 질화 갈륨 기판의 유통 채널 글로벌 지역별 질화 갈륨 기판 판매량 시장 전망 (2025-2030) 글로벌 지역별 질화 갈륨 기판 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 질화 갈륨 기판 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 질화 갈륨 기판 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 질화 갈륨 기판 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 질화 갈륨 기판 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 ## 질화 갈륨 기판: 차세대 전력 반도체의 핵심 소재 질화 갈륨(GaN) 기판은 차세대 고성능 전자 소자의 기반이 되는 핵심 소재로, 최근 그 중요성이 날로 증대되고 있습니다. 기존의 실리콘(Si) 기판이 가지는 한계를 극복하고, 고주파, 고전력, 고효율 특성을 요구하는 다양한 응용 분야에서 혁신을 이끌 잠재력을 지니고 있습니다. 질화 갈륨 기판은 그 자체로 반도체적 특성을 가지며, 그 위에 질화 갈륨 기반의 능동층을 성장시켜 트랜지스터, 다이오드 등의 소자를 제작하는 데 사용됩니다. 본 글에서는 질화 갈륨 기판의 개념, 특징, 종류, 주요 응용 분야 및 관련 기술에 대해 심도 있게 다루고자 합니다. ### 질화 갈륨 기판의 정의 및 특징 질화 갈륨(GaN) 기판은 갈륨(Ga)과 질소(N) 원자가 이온 결합으로 이루어진 화합물 반도체 결정체입니다. GaN은 직접 천이형 밴드갭 반도체로서, 넓은 밴드갭 에너지(약 3.4 eV)와 높은 항복 전압, 그리고 우수한 열전도율이라는 뛰어난 물리적, 전기적 특성을 지니고 있습니다. 이러한 특성들은 기존의 실리콘 기판으로는 구현하기 어려운 고주파, 고전력, 고효율 동작을 가능하게 합니다. 질화 갈륨 기판의 핵심적인 특징은 다음과 같습니다. 첫째, **높은 전자 이동도**입니다. GaN은 실리콘에 비해 매우 높은 전자 이동도를 가지고 있어, 고주파에서의 스위칭 속도를 크게 향상시킬 수 있습니다. 이는 통신 장비, 레이더 등 고주파 응용 분야에서 소형화 및 성능 향상을 가능하게 합니다. 둘째, **높은 항복 전압**입니다. GaN은 넓은 밴드갭으로 인해 높은 전압을 견딜 수 있으며, 이는 고전력 전력 변환 장치 설계에 유리합니다. 결과적으로 전력 손실을 줄이고 효율을 높일 수 있습니다. 셋째, **우수한 열전도율**입니다. GaN은 열을 효과적으로 방출하는 능력이 뛰어나 고출력 동작 시 발생하는 열 문제를 해결하는 데 기여합니다. 이는 소자의 신뢰성과 수명을 향상시키는 중요한 요소입니다. 넷째, **기계적 강도**입니다. GaN은 다이아몬드에 버금가는 매우 높은 경도를 가지며, 이는 취급 및 가공 과정에서의 내구성을 높여줍니다. 그러나 이러한 우수한 특성에도 불구하고, 질화 갈륨 기판은 몇 가지 기술적 과제를 안고 있습니다. 첫째, **단결정 성장의 어려움**입니다. GaN은 다른 기판 재료와의 격자 불일치로 인해 높은 품질의 단결정 GaN 기판을 직접 성장시키는 것이 매우 어렵습니다. 이는 성장 과정에서 발생하는 전위(dislocation) 밀도를 낮추는 데 기술적 난이도가 존재함을 의미합니다. 둘째, **높은 성장 온도**입니다. GaN 결정을 성장시키기 위해서는 매우 높은 온도가 요구되며, 이는 성장 공정의 복잡성과 비용 상승의 원인이 됩니다. 셋째, **낮은 열팽창 계수 일치도**입니다. 기존의 실리콘 기판과 GaN의 열팽창 계수 차이가 커서 고온에서 성장된 GaN 박막에 응력이 발생하고 균열이 생길 수 있습니다. 이러한 문제점을 극복하기 위해 다양한 이종 기판(hetero-substrate) 위에 GaN을 성장시키거나, 자체적으로 GaN 단결정 기판을 성장시키는 연구가 활발히 진행되고 있습니다. ### 질화 갈륨 기판의 종류 질화 갈륨 기판은 크게 **이종 기판(Hetero-epitaxial Substrates)**과 **동종 기판(Homo-epitaxial Substrates)**으로 나눌 수 있습니다. **이종 기판**은 GaN 결정 성장의 지지체 역할을 하는 다른 종류의 기판을 의미합니다. 현재 상용화되어 가장 널리 사용되는 이종 기판은 **실리콘(Si) 기판**입니다. 실리콘 기판은 저렴한 가격과 대구경화가 용이하다는 장점을 가지지만, GaN과의 격자 불일치, 열팽창 계수 차이로 인해 성장되는 GaN 박막의 전위 밀도가 높아지는 단점을 가집니다. 이를 보완하기 위해 다양한 완충층(buffer layer) 기술이 적용됩니다. 또 다른 주요 이종 기판으로는 **실리콘 카바이드(SiC) 기판**이 있습니다. SiC는 GaN과 유사하게 높은 전력 및 고주파 특성에 적합한 재료이며, GaN과의 격자 불일치 및 열팽창 계수 차이가 실리콘 기판보다 적어 고품질의 GaN 박막 성장이 비교적 용이합니다. 따라서 SiC 기판 위에 성장된 GaN 소자는 높은 성능과 신뢰성을 보입니다. 하지만 SiC 기판은 실리콘 기판에 비해 가격이 비싸다는 단점이 있습니다. 그 외에도 **사파이어(Sapphire, Al₂O₃) 기판**이 초기 GaN 연구 및 상용화에 많이 사용되었습니다. 사파이어는 GaN 성장 측면에서 비교적 좋은 결과를 보여주었으나, 낮은 열전도율과 전도성으로 인해 고전력 응용에는 제약이 있습니다. 최근에는 **금속 유기 화학 증착법(MOCVD)** 기술의 발전과 함께 **질화 알루미늄(AlN)** 기판이나 **GaN 자체 기판**에 대한 연구도 활발히 진행되고 있습니다. **동종 기판**은 GaN 결정을 GaN 결정 그 자체 위에 성장시키는 방식을 의미합니다. 이는 격자 불일치 문제가 없어 매우 높은 결정 품질의 GaN 박막을 얻을 수 있다는 가장 큰 장점을 가집니다. 동종 GaN 기판은 주로 **고온 초고압(HTHP)법**이나 **초박막 용융법(Super-critical Fluid Deposition)** 등의 복잡한 공정을 통해 제작됩니다. 현재는 이러한 동종 GaN 기판의 제조 비용이 매우 높기 때문에 대량 상용화에는 한계가 있지만, 고성능 GaN 소자 개발을 위한 궁극적인 목표로 여겨지고 있습니다. 최근에는 질화 갈륨을 자체적으로 성장시켜 웨이퍼 형태로 만든 후, 이를 종자 결정(seed crystal)으로 사용하여 에피 성장하는 방식의 동종 GaN 기판 연구가 활발히 진행되고 있습니다. ### 질화 갈륨 기판의 주요 응용 분야 질화 갈륨 기판은 그 뛰어난 특성을 바탕으로 다양한 첨단 산업 분야에서 핵심 소재로 활용되고 있습니다. 첫째, **무선 통신 분야**입니다. GaN 기반의 고주파 트랜지스터는 기존 실리콘 기반의 소자에 비해 훨씬 높은 주파수 대역에서 동작할 수 있으며, 높은 출력과 효율을 제공합니다. 이는 5G 및 향후 6G 이동통신 기지국, 위성 통신, 레이더 시스템 등에서 더 빠르고 안정적인 데이터 통신을 가능하게 합니다. 특히, GaN은 높은 선형성과 낮은 잡음 특성을 제공하여 고품질의 신호 처리에 필수적입니다. 둘째, **전력 전자 분야**입니다. GaN은 넓은 밴드갭과 높은 항복 전압 특성으로 인해 기존의 실리콘 기반 전력 반도체로는 구현하기 어려운 고전압, 고전류, 고효율 동작을 가능하게 합니다. 이는 전기 자동차의 파워 트레인, 고효율 전원 공급 장치(SMPS), 태양광 발전 인버터, 산업용 모터 드라이브 등에서 에너지 효율을 극대화하고 소형화하는 데 크게 기여합니다. GaN 전력 소자는 스위칭 손실을 획기적으로 줄여 발열을 감소시키고, 더 높은 주파수에서 동작할 수 있어 수동 부품(코일, 커패시터)의 크기를 줄이는 데도 유리합니다. 셋째, **LED 및 조명 분야**입니다. 이미 청색 및 녹색 LED의 핵심 소재로 GaN이 널리 사용되고 있으며, 백색 LED 또한 GaN 칩을 기반으로 합니다. GaN의 넓은 밴드갭 에너지는 고효율의 발광을 가능하게 하며, 이를 통해 에너지 절감형 조명 및 디스플레이 기술 발전에 기여하고 있습니다. 특히, 고출력 LED 드라이버나 전원부에서도 GaN 전력 반도체가 활용될 가능성이 높습니다. 넷째, **방위 산업 및 우주 항공 분야**입니다. GaN은 높은 신뢰성과 극한 환경에서의 안정성 덕분에 군용 레이더, 통신 시스템, 위성 탑재 장비 등 극한 환경에서도 뛰어난 성능을 발휘해야 하는 분야에서 필수적인 소재로 사용됩니다. 높은 내열성과 내방사선 특성은 우주 및 군사 환경에서의 성능 저하를 최소화합니다. ### 질화 갈륨 기판 관련 기술 질화 갈륨 기판의 발전과 상용화를 위해서는 다양한 관련 기술들이 함께 발전해야 합니다. 첫째, **결정 성장 기술**입니다. 고품질의 GaN 기판을 효율적으로 성장시키는 기술은 가장 중요합니다. 금속 유기 화학 증착법(MOCVD)과 분자빔 에피탁시(MBE)는 GaN 박막을 성장시키는 대표적인 기술이며, 이종 기판과의 격자 및 열팽창 계수 불일치를 극복하기 위한 완충층 기술(buffer layer technology) 개발이 필수적입니다. 또한, 동종 GaN 기판을 대량으로 저렴하게 생산하기 위한 기술 개발 또한 중요한 연구 분야입니다. 둘째, **평탄화 및 가공 기술**입니다. 성장된 GaN 기판은 표면의 평탄도와 결정 품질이 소자 성능에 직접적인 영향을 미칩니다. 화학 기계적 연마(CMP)와 같은 정밀 연마 기술을 통해 표면의 미세한 결함을 제거하고 평탄도를 높이는 것이 중요합니다. 또한, GaN 반도체 소자를 제작하기 위한 고해상도 패터닝, 식각, 금속 증착 등의 공정 기술도 함께 발전해야 합니다. 셋째, **소자 설계 및 제작 기술**입니다. GaN의 고유한 특성을 최대한 활용할 수 있는 새로운 구조의 소자 설계가 필요합니다. 예를 들어, 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)는 GaN/AlGaN 계면에서 생성되는 2차원 전자 가스(2DEG)를 활용하여 고속, 고출력 동작을 구현합니다. 소자 제작 시에는 신뢰성을 높이기 위한 절연 기술, 표면 패시베이션 기술 등도 중요합니다. 넷째, **평가 및 분석 기술**입니다. 성장된 GaN 기판 및 소자의 결정 품질, 전기적 특성, 신뢰성 등을 정확하게 평가하고 분석하는 기술은 공정 개선 및 품질 관리에 필수적입니다. X-선 회절(XRD), 주사 전자 현미경(SEM), 투과 전자 현미경(TEM), 전기적 측정 장비 등이 활용됩니다. 결론적으로, 질화 갈륨 기판은 차세대 전자 소자의 가능성을 열어가는 혁신적인 소재입니다. 높은 전자 이동도, 넓은 밴드갭, 우수한 열 특성을 바탕으로 무선 통신, 전력 전자, LED 등 다양한 분야에서 성능 향상과 기술 혁신을 주도할 것으로 기대됩니다. 아직 해결해야 할 기술적 과제들이 남아있지만, 지속적인 연구 개발과 기술 혁신을 통해 질화 갈륨 기판은 미래 반도체 산업의 핵심 동력으로 자리매김할 것입니다. |
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