| ■ 영문 제목 : Global Gallium Nitride(GaN) Substrates Market Growth 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : LPI2407D21975 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2024년 5월 (2025년 또는 2026년) 갱신판이 있습니다. 문의주세요. ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 부품/재료 |
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LP Information (LPI)사의 최신 조사에 따르면, 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 기판 시장 규모는 2023년에 미화 XXX백만 달러로 산출되었습니다. 다운 스트림 시장의 수요가 증가함에 따라 질화 갈륨 (GaN) 기판은 조사 대상 기간 동안 XXX%의 CAGR(연평균 성장율)로 2030년까지 미화 XXX백만 달러의 시장규모로 예상됩니다.
본 조사 보고서는 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 기판 시장의 성장 잠재력을 강조합니다. 질화 갈륨 (GaN) 기판은 향후 시장에서 안정적인 성장을 보일 것으로 예상됩니다. 그러나 제품 차별화, 비용 절감 및 공급망 최적화는 질화 갈륨 (GaN) 기판의 광범위한 채택을 위해 여전히 중요합니다. 시장 참여자들은 연구 개발에 투자하고, 전략적 파트너십을 구축하고, 진화하는 소비자 선호도에 맞춰 제품을 제공함으로써 질화 갈륨 (GaN) 기판 시장이 제공하는 막대한 기회를 활용해야 합니다.
[주요 특징]
질화 갈륨 (GaN) 기판 시장에 대한 보고서는 다양한 측면을 반영하고 업계에 대한 소중한 통찰력을 제공합니다.
시장 규모 및 성장: 본 조사 보고서는 질화 갈륨 (GaN) 기판 시장의 현재 규모와 성장에 대한 개요를 제공합니다. 여기에는 과거 데이터, 유형별 시장 세분화 (예 : 사파이어 GaN, 규소 GaN, SiC GaN, GaN on GaN, 기타) 및 지역 분류가 포함될 수 있습니다.
시장 동인 및 과제: 본 보고서는 정부 규제, 환경 문제, 기술 발전 및 소비자 선호도 변화와 같은 질화 갈륨 (GaN) 기판 시장의 성장을 주도하는 요인을 식별하고 분석 할 수 있습니다. 또한 인프라 제한, 범위 불안, 높은 초기 비용 등 업계가 직면한 과제를 강조할 수 있습니다.
경쟁 환경: 본 조사 보고서는 질화 갈륨 (GaN) 기판 시장 내 경쟁 환경에 대한 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 업체의 프로필, 시장 점유율, 전략 및 제공 제품이 포함됩니다. 본 보고서는 또한 신흥 플레이어와 시장에 대한 잠재적 영향을 강조할 수 있습니다.
기술 개발: 본 조사 보고서는 질화 갈륨 (GaN) 기판 산업의 최신 기술 개발에 대해 자세히 살펴볼 수 있습니다. 여기에는 질화 갈륨 (GaN) 기판 기술의 발전, 질화 갈륨 (GaN) 기판 신규 진입자, 질화 갈륨 (GaN) 기판 신규 투자, 그리고 질화 갈륨 (GaN) 기판의 미래를 형성하는 기타 혁신이 포함됩니다.
다운스트림 고객 선호도: 본 보고서는 질화 갈륨 (GaN) 기판 시장의 고객 구매 행동 및 채택 동향을 조명할 수 있습니다. 여기에는 고객의 구매 결정에 영향을 미치는 요인, 질화 갈륨 (GaN) 기판 제품에 대한 선호도가 포함됩니다.
정부 정책 및 인센티브: 본 조사 보고서는 정부 정책 및 인센티브가 질화 갈륨 (GaN) 기판 시장에 미치는 영향을 분석합니다. 여기에는 규제 프레임워크, 보조금, 세금 인센티브 및 질화 갈륨 (GaN) 기판 시장을 촉진하기위한 기타 조치에 대한 평가가 포함될 수 있습니다. 본 보고서는 또한 이러한 정책이 시장 성장을 촉진하는데 미치는 효과도 분석합니다.
환경 영향 및 지속 가능성: 조사 보고서는 질화 갈륨 (GaN) 기판 시장의 환경 영향 및 지속 가능성 측면을 분석합니다.
시장 예측 및 미래 전망: 수행된 분석을 기반으로 본 조사 보고서는 질화 갈륨 (GaN) 기판 산업에 대한 시장 예측 및 전망을 제공합니다. 여기에는 시장 규모, 성장률, 지역 동향, 기술 발전 및 정책 개발에 대한 예측이 포함됩니다.
권장 사항 및 기회: 본 보고서는 업계 이해 관계자, 정책 입안자, 투자자를 위한 권장 사항으로 마무리됩니다. 본 보고서는 시장 참여자들이 새로운 트렌드를 활용하고, 도전 과제를 극복하며, 질화 갈륨 (GaN) 기판 시장의 성장과 발전에 기여할 수 있는 잠재적 기회를 강조합니다.
[시장 세분화]
질화 갈륨 (GaN) 기판 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 수량 및 금액 측면에서 제공합니다.
*** 종류별 세분화 ***
사파이어 GaN, 규소 GaN, SiC GaN, GaN on GaN, 기타
*** 용도별 세분화 ***
건강 관리, 자동차, 가전 제품, 일반 조명, 군사/국방
본 보고서는 또한 시장을 지역별로 분류합니다:
– 미주 (미국, 캐나다, 멕시코, 브라질)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 호주)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 중동 및 아프리카 (이집트, 남아프리카 공화국, 이스라엘, 터키, GCC 국가)
아래 프로파일링 대상 기업은 주요 전문가로부터 수집한 정보를 바탕으로 해당 기업의 서비스 범위, 제품 포트폴리오, 시장 점유율을 분석하여 선정되었습니다.
Saint Gobain Ltd, Sumitomo Electric Industries, Ltd, Toshiba Corporation, Soitec Pte ltd, Mitsubishi Chemical Corporation, Kyma Technologies, Fujitsu Limited, Aixtron Ltd, EpiGaN NV, NTT Advanced Technology Corporation, NGK Insulators Ltd, PAM Xiamen Co., Ltd, Unipress Ltd, Nanowin technologies Co. Ltd, AE Tech. Co. Ltd, Six point Mate
[본 보고서에서 다루는 주요 질문]
– 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 기판 시장의 향후 10년 전망은 어떻게 될까요?
– 전 세계 및 지역별 질화 갈륨 (GaN) 기판 시장 성장을 주도하는 요인은 무엇입니까?
– 시장과 지역별로 가장 빠르게 성장할 것으로 예상되는 분야는 무엇인가요?
– 최종 시장 규모에 따라 질화 갈륨 (GaN) 기판 시장 기회는 어떻게 다른가요?
– 질화 갈륨 (GaN) 기판은 종류, 용도를 어떻게 분류합니까?
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■ 보고서 목차■ 보고서의 범위 ■ 보고서의 요약 ■ 기업별 세계 질화 갈륨 (GaN) 기판 시장분석 ■ 지역별 질화 갈륨 (GaN) 기판에 대한 추이 분석 ■ 미주 시장 ■ 아시아 태평양 시장 ■ 유럽 시장 ■ 중동 및 아프리카 시장 ■ 시장 동인, 도전 과제 및 동향 ■ 제조 비용 구조 분석 ■ 마케팅, 유통업체 및 고객 ■ 지역별 질화 갈륨 (GaN) 기판 시장 예측 ■ 주요 기업 분석 Saint Gobain Ltd, Sumitomo Electric Industries, Ltd, Toshiba Corporation, Soitec Pte ltd, Mitsubishi Chemical Corporation, Kyma Technologies, Fujitsu Limited, Aixtron Ltd, EpiGaN NV, NTT Advanced Technology Corporation, NGK Insulators Ltd, PAM Xiamen Co., Ltd, Unipress Ltd, Nanowin technologies Co. Ltd, AE Tech. Co. Ltd, Six point Mate – Saint Gobain Ltd – Sumitomo Electric Industries – Toshiba Corporation ■ 조사 결과 및 결론 [그림 목록]질화 갈륨 (GaN) 기판 이미지 질화 갈륨 (GaN) 기판 판매량 성장률 (2019-2030) 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 기판 매출 성장률 (2019-2030) 지역별 질화 갈륨 (GaN) 기판 매출 (2019, 2023 및 2030) 글로벌 종류별 질화 갈륨 (GaN) 기판 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 종류별 질화 갈륨 (GaN) 기판 매출 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 용도별 질화 갈륨 (GaN) 기판 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 용도별 질화 갈륨 (GaN) 기판 매출 시장 점유율 기업별 질화 갈륨 (GaN) 기판 판매량 시장 2023 기업별 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 기판 판매량 시장 점유율 2023 기업별 질화 갈륨 (GaN) 기판 매출 시장 2023 기업별 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 기판 매출 시장 점유율 2023 지역별 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 기판 판매량 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 질화 갈륨 (GaN) 기판 매출 시장 점유율 2023 미주 질화 갈륨 (GaN) 기판 판매량 (2019-2024) 미주 질화 갈륨 (GaN) 기판 매출 (2019-2024) 아시아 태평양 질화 갈륨 (GaN) 기판 판매량 (2019-2024) 아시아 태평양 질화 갈륨 (GaN) 기판 매출 (2019-2024) 유럽 질화 갈륨 (GaN) 기판 판매량 (2019-2024) 유럽 질화 갈륨 (GaN) 기판 매출 (2019-2024) 중동 및 아프리카 질화 갈륨 (GaN) 기판 판매량 (2019-2024) 중동 및 아프리카 질화 갈륨 (GaN) 기판 매출 (2019-2024) 미국 질화 갈륨 (GaN) 기판 시장규모 (2019-2024) 캐나다 질화 갈륨 (GaN) 기판 시장규모 (2019-2024) 멕시코 질화 갈륨 (GaN) 기판 시장규모 (2019-2024) 브라질 질화 갈륨 (GaN) 기판 시장규모 (2019-2024) 중국 질화 갈륨 (GaN) 기판 시장규모 (2019-2024) 일본 질화 갈륨 (GaN) 기판 시장규모 (2019-2024) 한국 질화 갈륨 (GaN) 기판 시장규모 (2019-2024) 동남아시아 질화 갈륨 (GaN) 기판 시장규모 (2019-2024) 인도 질화 갈륨 (GaN) 기판 시장규모 (2019-2024) 호주 질화 갈륨 (GaN) 기판 시장규모 (2019-2024) 독일 질화 갈륨 (GaN) 기판 시장규모 (2019-2024) 프랑스 질화 갈륨 (GaN) 기판 시장규모 (2019-2024) 영국 질화 갈륨 (GaN) 기판 시장규모 (2019-2024) 이탈리아 질화 갈륨 (GaN) 기판 시장규모 (2019-2024) 러시아 질화 갈륨 (GaN) 기판 시장규모 (2019-2024) 이집트 질화 갈륨 (GaN) 기판 시장규모 (2019-2024) 남아프리카 질화 갈륨 (GaN) 기판 시장규모 (2019-2024) 이스라엘 질화 갈륨 (GaN) 기판 시장규모 (2019-2024) 터키 질화 갈륨 (GaN) 기판 시장규모 (2019-2024) GCC 국가 질화 갈륨 (GaN) 기판 시장규모 (2019-2024) 질화 갈륨 (GaN) 기판의 제조 원가 구조 분석 질화 갈륨 (GaN) 기판의 제조 공정 분석 질화 갈륨 (GaN) 기판의 산업 체인 구조 질화 갈륨 (GaN) 기판의 유통 채널 글로벌 지역별 질화 갈륨 (GaN) 기판 판매량 시장 전망 (2025-2030) 글로벌 지역별 질화 갈륨 (GaN) 기판 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 질화 갈륨 (GaN) 기판 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 질화 갈륨 (GaN) 기판 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 질화 갈륨 (GaN) 기판 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 질화 갈륨 (GaN) 기판 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 질화 갈륨 (Gallium Nitride, GaN) 기판은 질화 갈륨 단결정을 성장시키기 위한 기반 재료를 의미합니다. GaN은 뛰어난 전자적 및 광학적 특성을 지닌 화합물 반도체로서, 특히 고주파, 고출력, 고온 및 고효율을 요구하는 전자 소자 및 발광 다이오드(LED), 레이저 다이오드(LD)와 같은 광전자 소자 분야에서 기존의 실리콘(Si) 기판을 대체하거나 보완할 수 있는 차세대 소재로 주목받고 있습니다. 이러한 GaN 기반 소자 성능의 핵심은 고품질의 GaN 단결정 기판에 달려 있습니다. GaN 기판의 주요 특징은 다음과 같습니다. 첫째, 매우 넓은 밴드갭 에너지(약 3.4 eV at 300K)를 가지고 있어 고온에서도 안정적으로 작동할 수 있으며, 높은 항복 전압을 견딜 수 있어 고출력 파워 소자 구현에 유리합니다. 둘째, 전자 이동도가 뛰어나 높은 주파수에서의 동작이 가능합니다. 특히 2차원 전자 가스(2DEG, Two-Dimensional Electron Gas) 채널을 형성하기 용이하여 고속 전자 소자 제작에 적합합니다. 셋째, 열전도도가 상대적으로 높아 소자 동작 시 발생하는 열을 효과적으로 방출할 수 있습니다. 넷째, 화학적으로 매우 안정하여 다양한 환경에서도 신뢰성이 높습니다. GaN 기판은 성장 방법 및 지지 기판의 종류에 따라 여러 가지로 분류될 수 있습니다. 전통적으로 GaN 단결정을 얻기 위해 사파이어(Sapphire, Al₂O₃)나 탄화규소(Silicon Carbide, SiC)와 같은 이종(hetero) 기판 위에 GaN 박막을 성장시키는 방식이 널리 사용되었습니다. 이 경우, GaN과 지지 기판 간의 격자 상수 및 열팽창 계수 차이로 인해 박막 내부에 높은 밀도의 전위(dislocation)가 형성되어 소자 성능을 저하시키는 문제가 있었습니다. 이를 극복하기 위해 최근에는 수소화물 기상 증착법(HVPE, Hydride Vapor Phase Epitaxy)이나 암모니아화 용융법(Ammonia Molten Salt Method) 등을 이용하여 GaN 자체를 두껍게 성장시켜 자립형(freestanding) GaN 기판을 제조하는 기술이 발전하고 있습니다. 자립형 GaN 기판은 이종 기판 대비 전위 밀도가 훨씬 낮아 고성능 소자 제작에 필수적입니다. GaN 기판의 가장 대표적인 용도는 전자 소자 분야입니다. GaN 기반 HEMT(High Electron Mobility Transistor)는 기존의 실리콘 기반 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)보다 높은 스위칭 속도, 낮은 온 저항, 그리고 높은 항복 전압을 제공하여 무선 통신 기기(5G, 6G 통신), 전력 변환 장치(스위칭 파워 서플라이, 전기차 충전기), 레이더 시스템 등에 활용됩니다. 또한, GaN은 우수한 발광 특성을 지니고 있어 청색, 녹색, 자색 LED 및 레이저 다이오드의 핵심 소재로 사용됩니다. 스마트폰 디스플레이의 백라이트, 차량용 조명, 일반 조명 등 다양한 분야에서 효율적인 광원 구현에 기여하고 있습니다. GaN 기판의 제조 및 응용과 관련된 주요 기술로는 에피 성장 기술, 표면 처리 기술, 그리고 소자 제작 기술 등이 있습니다. 에피 성장 기술은 고품질의 GaN 단결정을 균일하게 성장시키는 핵심 기술로, MOVPE(Metalorganic Vapor Phase Epitaxy) 또는 MOCVD(Metalorganic Chemical Vapor Deposition)와 HVPE 등이 주요 방식으로 사용됩니다. 이러한 에피 성장 공정에서는 전위 밀도를 낮추기 위해 다양한 버퍼층(buffer layer) 기술이나 성장 조건을 최적화하는 연구가 활발히 진행되고 있습니다. 표면 처리 기술은 성장된 GaN 기판의 표면 거칠기를 최소화하고, 오염을 제거하여 후속 에피 성장 및 소자 제작 공정의 효율성을 높이는 데 중요합니다. 또한, GaN 기판 위에 다른 화합물 반도체 물질(예: AlGaN, InGaN)을 성공적으로 성장시켜 고성능 트랜지스터나 발광 소자를 만들기 위한 이종 접합 기술도 매우 중요합니다. 최근에는 GaN 기판을 경제적으로 생산하고, 더욱 높은 품질을 확보하기 위한 기술 개발이 지속적으로 이루어지고 있습니다. 예를 들어, 실리콘 기판 위에 GaN을 성장시키는 이종 에피 기술은 비용 절감 측면에서 유리하지만, 높은 격자 불일치로 인한 전위 문제가 여전히 존재합니다. 이를 해결하기 위해 고온 알루미늄 질화물(AlN) 버퍼층, 계단식 조성 버퍼층 등의 기술이 적용되고 있습니다. 또한, 기존의 사파이어나 SiC 기판 외에 실리콘(Si) 기판을 활용하는 연구도 활발한데, 이는 대면적 웨이퍼 생산이 가능하고 기존 실리콘 반도체 공정과의 호환성이 높다는 장점을 가지기 때문입니다. 하지만 실리콘과의 큰 격자 불일치 및 열팽창 계수 차이를 극복하는 것이 중요한 과제입니다. 이러한 기술 발전은 GaN 기반 소자의 성능 향상뿐만 아니라 생산 비용 절감으로 이어져 GaN 소자의 상용화를 더욱 가속화할 것으로 기대됩니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 질화 갈륨 (GaN) 기판 시장 2024-2030] (코드 : LPI2407D21975) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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