| ■ 영문 제목 : Global GaN Devices Market Growth 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : LPI2407D22031 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2024년 5월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
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LP Information (LPI)사의 최신 조사에 따르면, 글로벌 GaN 장치 시장 규모는 2023년에 미화 XXX백만 달러로 산출되었습니다. 다운 스트림 시장의 수요가 증가함에 따라 GaN 장치은 조사 대상 기간 동안 XXX%의 CAGR(연평균 성장율)로 2030년까지 미화 XXX백만 달러의 시장규모로 예상됩니다.
본 조사 보고서는 글로벌 GaN 장치 시장의 성장 잠재력을 강조합니다. GaN 장치은 향후 시장에서 안정적인 성장을 보일 것으로 예상됩니다. 그러나 제품 차별화, 비용 절감 및 공급망 최적화는 GaN 장치의 광범위한 채택을 위해 여전히 중요합니다. 시장 참여자들은 연구 개발에 투자하고, 전략적 파트너십을 구축하고, 진화하는 소비자 선호도에 맞춰 제품을 제공함으로써 GaN 장치 시장이 제공하는 막대한 기회를 활용해야 합니다.
[주요 특징]
GaN 장치 시장에 대한 보고서는 다양한 측면을 반영하고 업계에 대한 소중한 통찰력을 제공합니다.
시장 규모 및 성장: 본 조사 보고서는 GaN 장치 시장의 현재 규모와 성장에 대한 개요를 제공합니다. 여기에는 과거 데이터, 유형별 시장 세분화 (예 : 전력 반도체, 광 반도체, 기타) 및 지역 분류가 포함될 수 있습니다.
시장 동인 및 과제: 본 보고서는 정부 규제, 환경 문제, 기술 발전 및 소비자 선호도 변화와 같은 GaN 장치 시장의 성장을 주도하는 요인을 식별하고 분석 할 수 있습니다. 또한 인프라 제한, 범위 불안, 높은 초기 비용 등 업계가 직면한 과제를 강조할 수 있습니다.
경쟁 환경: 본 조사 보고서는 GaN 장치 시장 내 경쟁 환경에 대한 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 업체의 프로필, 시장 점유율, 전략 및 제공 제품이 포함됩니다. 본 보고서는 또한 신흥 플레이어와 시장에 대한 잠재적 영향을 강조할 수 있습니다.
기술 개발: 본 조사 보고서는 GaN 장치 산업의 최신 기술 개발에 대해 자세히 살펴볼 수 있습니다. 여기에는 GaN 장치 기술의 발전, GaN 장치 신규 진입자, GaN 장치 신규 투자, 그리고 GaN 장치의 미래를 형성하는 기타 혁신이 포함됩니다.
다운스트림 고객 선호도: 본 보고서는 GaN 장치 시장의 고객 구매 행동 및 채택 동향을 조명할 수 있습니다. 여기에는 고객의 구매 결정에 영향을 미치는 요인, GaN 장치 제품에 대한 선호도가 포함됩니다.
정부 정책 및 인센티브: 본 조사 보고서는 정부 정책 및 인센티브가 GaN 장치 시장에 미치는 영향을 분석합니다. 여기에는 규제 프레임워크, 보조금, 세금 인센티브 및 GaN 장치 시장을 촉진하기위한 기타 조치에 대한 평가가 포함될 수 있습니다. 본 보고서는 또한 이러한 정책이 시장 성장을 촉진하는데 미치는 효과도 분석합니다.
환경 영향 및 지속 가능성: 조사 보고서는 GaN 장치 시장의 환경 영향 및 지속 가능성 측면을 분석합니다.
시장 예측 및 미래 전망: 수행된 분석을 기반으로 본 조사 보고서는 GaN 장치 산업에 대한 시장 예측 및 전망을 제공합니다. 여기에는 시장 규모, 성장률, 지역 동향, 기술 발전 및 정책 개발에 대한 예측이 포함됩니다.
권장 사항 및 기회: 본 보고서는 업계 이해 관계자, 정책 입안자, 투자자를 위한 권장 사항으로 마무리됩니다. 본 보고서는 시장 참여자들이 새로운 트렌드를 활용하고, 도전 과제를 극복하며, GaN 장치 시장의 성장과 발전에 기여할 수 있는 잠재적 기회를 강조합니다.
[시장 세분화]
GaN 장치 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 수량 및 금액 측면에서 제공합니다.
*** 종류별 세분화 ***
전력 반도체, 광 반도체, 기타
*** 용도별 세분화 ***
가전 제품, 자동차/운송, 산업용, 항공 우주/국방, 기타
본 보고서는 또한 시장을 지역별로 분류합니다:
– 미주 (미국, 캐나다, 멕시코, 브라질)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 호주)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 중동 및 아프리카 (이집트, 남아프리카 공화국, 이스라엘, 터키, GCC 국가)
아래 프로파일링 대상 기업은 주요 전문가로부터 수집한 정보를 바탕으로 해당 기업의 서비스 범위, 제품 포트폴리오, 시장 점유율을 분석하여 선정되었습니다.
Fujitsu, Toshiba, Koninklijke Philips, Texas Instruments, EPIGAN, NTT Advanced Technology, RF Micro Devices, Cree Incorporated, Avago Technologies, GaN Systems, Infineon Technologies, OSRAM Opto Semiconductors, Qorvo, Aixtron, Nichia, NXP Semiconductors, Panasonic Semiconductors, International Quantum Epitaxy (IQE), Mitsubi
[본 보고서에서 다루는 주요 질문]
– 글로벌 GaN 장치 시장의 향후 10년 전망은 어떻게 될까요?
– 전 세계 및 지역별 GaN 장치 시장 성장을 주도하는 요인은 무엇입니까?
– 시장과 지역별로 가장 빠르게 성장할 것으로 예상되는 분야는 무엇인가요?
– 최종 시장 규모에 따라 GaN 장치 시장 기회는 어떻게 다른가요?
– GaN 장치은 종류, 용도를 어떻게 분류합니까?
※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.
■ 보고서 목차■ 보고서의 범위 ■ 보고서의 요약 ■ 기업별 세계 GaN 장치 시장분석 ■ 지역별 GaN 장치에 대한 추이 분석 ■ 미주 시장 ■ 아시아 태평양 시장 ■ 유럽 시장 ■ 중동 및 아프리카 시장 ■ 시장 동인, 도전 과제 및 동향 ■ 제조 비용 구조 분석 ■ 마케팅, 유통업체 및 고객 ■ 지역별 GaN 장치 시장 예측 ■ 주요 기업 분석 Fujitsu, Toshiba, Koninklijke Philips, Texas Instruments, EPIGAN, NTT Advanced Technology, RF Micro Devices, Cree Incorporated, Avago Technologies, GaN Systems, Infineon Technologies, OSRAM Opto Semiconductors, Qorvo, Aixtron, Nichia, NXP Semiconductors, Panasonic Semiconductors, International Quantum Epitaxy (IQE), Mitsubi – Fujitsu – Toshiba – Koninklijke Philips ■ 조사 결과 및 결론 [그림 목록]GaN 장치 이미지 GaN 장치 판매량 성장률 (2019-2030) 글로벌 GaN 장치 매출 성장률 (2019-2030) 지역별 GaN 장치 매출 (2019, 2023 및 2030) 글로벌 종류별 GaN 장치 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 종류별 GaN 장치 매출 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 용도별 GaN 장치 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 용도별 GaN 장치 매출 시장 점유율 기업별 GaN 장치 판매량 시장 2023 기업별 글로벌 GaN 장치 판매량 시장 점유율 2023 기업별 GaN 장치 매출 시장 2023 기업별 글로벌 GaN 장치 매출 시장 점유율 2023 지역별 글로벌 GaN 장치 판매량 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 GaN 장치 매출 시장 점유율 2023 미주 GaN 장치 판매량 (2019-2024) 미주 GaN 장치 매출 (2019-2024) 아시아 태평양 GaN 장치 판매량 (2019-2024) 아시아 태평양 GaN 장치 매출 (2019-2024) 유럽 GaN 장치 판매량 (2019-2024) 유럽 GaN 장치 매출 (2019-2024) 중동 및 아프리카 GaN 장치 판매량 (2019-2024) 중동 및 아프리카 GaN 장치 매출 (2019-2024) 미국 GaN 장치 시장규모 (2019-2024) 캐나다 GaN 장치 시장규모 (2019-2024) 멕시코 GaN 장치 시장규모 (2019-2024) 브라질 GaN 장치 시장규모 (2019-2024) 중국 GaN 장치 시장규모 (2019-2024) 일본 GaN 장치 시장규모 (2019-2024) 한국 GaN 장치 시장규모 (2019-2024) 동남아시아 GaN 장치 시장규모 (2019-2024) 인도 GaN 장치 시장규모 (2019-2024) 호주 GaN 장치 시장규모 (2019-2024) 독일 GaN 장치 시장규모 (2019-2024) 프랑스 GaN 장치 시장규모 (2019-2024) 영국 GaN 장치 시장규모 (2019-2024) 이탈리아 GaN 장치 시장규모 (2019-2024) 러시아 GaN 장치 시장규모 (2019-2024) 이집트 GaN 장치 시장규모 (2019-2024) 남아프리카 GaN 장치 시장규모 (2019-2024) 이스라엘 GaN 장치 시장규모 (2019-2024) 터키 GaN 장치 시장규모 (2019-2024) GCC 국가 GaN 장치 시장규모 (2019-2024) GaN 장치의 제조 원가 구조 분석 GaN 장치의 제조 공정 분석 GaN 장치의 산업 체인 구조 GaN 장치의 유통 채널 글로벌 지역별 GaN 장치 판매량 시장 전망 (2025-2030) 글로벌 지역별 GaN 장치 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 GaN 장치 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 GaN 장치 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 GaN 장치 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 GaN 장치 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 질화 갈륨(GaN, Gallium Nitride) 기반의 전자 소자, 즉 GaN 소자는 차세대 반도체 기술의 핵심으로 주목받고 있으며, 기존의 실리콘(Si) 기반 소자를 뛰어넘는 우수한 성능을 제공합니다. 이러한 GaN 소자의 개념을 이해하기 위해 정의, 주요 특징, 다양한 종류, 광범위한 응용 분야 및 관련 핵심 기술들을 살펴보겠습니다. GaN 소자의 근본적인 정의는 질화 갈륨이라는 화합물 반도체를 주 재료로 하여 제작된 전자 소자입니다. 질화 갈륨은 주기율표 상에서 13족의 갈륨(Ga)과 15족의 질소(N)가 결합된 III-V족 화합물 반도체입니다. 이러한 독특한 결정 구조와 전자적 특성 덕분에 GaN 소자는 기존의 실리콘 소자로는 달성하기 어려운 높은 주파수, 높은 전력, 높은 효율 및 높은 내열성을 구현할 수 있습니다. GaN 소자가 갖는 가장 두드러진 특징은 높은 전자 이동도입니다. 질화 갈륨은 실리콘에 비해 훨씬 높은 전자 이동도를 가지는데, 이는 전자들이 재료 내에서 더 빠르고 효율적으로 움직일 수 있음을 의미합니다. 이러한 빠른 전자 이동은 소자의 동작 속도를 크게 향상시켜 고주파수에서의 응용을 가능하게 합니다. 또한, GaN은 넓은 밴드갭(Bandgap) 특성을 가지고 있습니다. 밴드갭은 반도체 내에서 전자가 자유롭게 움직일 수 있는 허용 에너지 범위를 결정하는 중요한 요소인데, 넓은 밴드갭은 더 높은 항복 전압(Breakdown Voltage)을 가능하게 하여 고전력 동작에 유리하게 작용합니다. 더불어 GaN은 높은 열전도율과 우수한 화학적 안정성을 지니고 있어, 고온 환경에서도 안정적으로 동작하며 소자 수명을 연장시키는 데 기여합니다. 이러한 특성들은 소형화 및 고성능화라는 현대 전자 기기 트렌드에 매우 부합합니다. GaN 소자의 종류는 그 기능과 구조에 따라 다양하게 분류될 수 있습니다. 가장 대표적인 것으로는 **GaN 전계 효과 트랜지스터(FET, Field-Effect Transistor)**가 있습니다. GaN FET는 크게 **고전자 이동도 트랜지스터(HEMT, High Electron Mobility Transistor)**와 **수직형 FET**로 나눌 수 있습니다. HEMT는 서로 다른 밴드갭을 가진 두 개의 반도체 물질(예: GaN과 AlGaN)을 접합하여 형성되는 2차원 전자 기체(2DEG, two-dimensional electron gas) 채널을 이용하는 소자입니다. 이 2DEG 채널에서 전자가 매우 높은 이동도로 움직이기 때문에 고주파 및 고출력 스위칭에 탁월한 성능을 발휘합니다. HEMT는 다시 게이트 구조에 따라 **접촉형 HEMT(MISHFET, Metal-Insulator-Semiconductor FET)**와 **절연 게이트 HEMT(MISFET, Metal-Insulator-Semiconductor FET)** 등으로 나뉘며, 특히 GaN 기반의 **MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor FET)** 구조도 연구되고 있습니다. 수직형 FET는 전류가 기판을 통과하여 흐르는 구조로, 더 높은 전력 밀도와 집적도를 구현할 수 있다는 장점을 가집니다. GaN FET 외에도 **GaN 다이오드(Diode)** 역시 중요한 소자 중 하나입니다. 특히 GaN은 높은 항복 전압 덕분에 **쇼트키 다이오드(Schottky Diode)** 제작에 매우 적합하며, 높은 스위칭 속도와 낮은 순방향 전압 강하를 제공하여 전력 변환 회로의 효율을 크게 높일 수 있습니다. **GaN 기반의 LED(Light Emitting Diode)** 또한 널리 사용되는 대표적인 GaN 소자입니다. 청색 및 녹색 광을 효율적으로 방출하는 능력 때문에 백라이트, 조명, 디스플레이 등 다양한 분야에서 활용되고 있으며, 이는 GaN의 발광 특성을 이용한 것입니다. 또한, **GaN 기반의 레이저 다이오드(LD, Laser Diode)**는 광통신, 센싱, 광학 저장 장치 등에서 중요한 역할을 합니다. GaN 소자의 응용 분야는 매우 광범위하며, 그 활용 범위는 지속적으로 확장되고 있습니다. **전력 전자(Power Electronics)** 분야에서는 GaN FET 및 다이오드가 고효율 스위칭 소자로 사용되어 스마트폰 충전기, 노트북 어댑터, 서버 전원 공급 장치, 전기 자동차 충전 시스템 등 다양한 전력 변환 장치의 크기를 줄이고 에너지 효율을 높이는 데 크게 기여하고 있습니다. 특히 빠른 스위칭 속도는 전력 변환 손실을 줄여 에너지 절감 효과를 극대화합니다. **무선 주파수(RF, Radio Frequency) 통신** 분야에서도 GaN 소자는 혁신을 주도하고 있습니다. GaN HEMT는 높은 출력 전력과 뛰어난 고주파 성능을 바탕으로 기지국 송신 증폭기, 위성 통신 장비, 레이더 시스템 등 고출력 RF 애플리케이션에 필수적으로 사용됩니다. 높은 주파수 대역에서의 성능 향상은 5G, 6G와 같은 차세대 통신 기술의 발전을 위한 핵심 요소입니다. **조명 및 디스플레이** 분야에서 GaN 기반 LED는 높은 효율과 긴 수명으로 기존의 백열등이나 형광등을 대체하며 에너지 절약형 조명 시장을 선도하고 있습니다. 또한, 스마트폰, TV 등에서 사용되는 백라이트 유닛이나 마이크로 LED 디스플레이 기술에도 GaN이 핵심 소재로 활용되어 더욱 밝고 선명한 화면을 구현합니다. **자동차 산업**에서도 GaN 소자의 적용이 확대되고 있습니다. 전기 자동차의 파워트레인 효율 향상, 차량용 충전 시스템, 첨단 운전자 지원 시스템(ADAS)의 레이더 및 통신 모듈 등에 GaN 소자가 사용되어 연비 향상, 충전 시간 단축, 차량 내 통신 성능 강화에 기여합니다. GaN 소자의 성능을 극대화하고 상용화를 가속화하기 위한 관련 **핵심 기술**들도 꾸준히 발전하고 있습니다. **기판 기술**은 GaN 소자의 성능에 결정적인 영향을 미치는데, 일반적으로 사파이어(Sapphire), 탄화규소(SiC, Silicon Carbide), 실리콘(Si) 웨이퍼 위에 GaN 박막을 성장시키는 방식으로 제작됩니다. 하지만 각 기판마다 결정 격자 불일치(Lattice Mismatch) 및 열팽창 계수 차이로 인해 결함(Defect)이 발생하기 쉬운 단점이 있습니다. 따라서 GaN 자체 웨이퍼 성장 기술이나 이러한 결함을 최소화하는 성장 기술 개발이 중요한 연구 과제입니다. **소자 구조 설계 및 제작 기술** 또한 매우 중요합니다. HEMT의 경우, 2DEG 채널의 성능을 최적화하기 위한 계면 제어 기술, 고품질 게이트 절연막 형성 기술, 전류 압축(Current Collapse) 현상 방지 기술 등이 요구됩니다. 또한, 집적도를 높이기 위한 수직형 소자 구조 연구와 고온에서도 안정적인 동작을 보장하는 패키징 기술 역시 필수적입니다. **공정 기술** 측면에서는 고해상도 패터닝 기술, 식각 기술, 증착 기술 등 기존 반도체 공정 기술의 발전과 더불어 GaN 특성에 맞는 새로운 공정 개발이 필요합니다. 특히 고출력 동작 시 발생하는 열을 효율적으로 방출하기 위한 열 관리 기술과 소자의 신뢰성을 확보하기 위한 테스트 및 검증 기술도 중요합니다. 결론적으로 GaN 소자는 높은 전자 이동도, 넓은 밴드갭, 우수한 열적 및 화학적 안정성 등의 고유한 특성을 바탕으로 전력 전자, RF 통신, 조명, 자동차 등 다양한 산업 분야에서 혁신적인 성능 향상을 이끌고 있는 차세대 반도체 기술입니다. 이러한 GaN 소자의 잠재력을 최대한 발휘하기 위해서는 기판, 소자 설계, 공정, 패키징 등 관련 핵심 기술의 지속적인 발전과 연구 개발이 필수적이며, 앞으로도 우리 삶의 많은 영역에서 중요한 역할을 할 것으로 기대됩니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 GaN 장치 시장 2024-2030] (코드 : LPI2407D22031) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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