| ■ 영문 제목 : GaN Epitaxial Market, Global Outlook and Forecast 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : MONT2408K18026 ■ 조사/발행회사 : Market Monitor Global ■ 발행일 : 2024년 8월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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본 조사 보고서는 현재 동향, 시장 역학 및 미래 전망에 초점을 맞춰, GaN 에피택셜 시장에 대한 포괄적인 분석을 제공합니다. 본 보고서는 북미, 유럽, 아시아 태평양 및 신흥 시장과 같은 주요 지역을 포함한 전 세계 GaN 에피택셜 시장을 대상으로 합니다. 또한 GaN 에피택셜의 성장을 주도하는 주요 요인, 업계가 직면한 과제 및 시장 참여자를 위한 잠재적 기회도 기재합니다.
글로벌 GaN 에피택셜 시장은 최근 몇 년 동안 환경 문제, 정부 인센티브 및 기술 발전의 증가로 인해 급속한 성장을 목격했습니다. GaN 에피택셜 시장은 레이저 다이오드, LED, 파워일렉트로닉스 디바이스, RF 디바이스를 포함한 다양한 이해 관계자에게 기회를 제공합니다. 민간 부문과 정부 간의 협력은 GaN 에피택셜 시장에 대한 지원 정책, 연구 개발 노력 및 투자를 가속화 할 수 있습니다. 또한 증가하는 소비자 수요는 시장 확장의 길을 제시합니다.
글로벌 GaN 에피택셜 시장은 2023년에 미화 XXX백만 달러로 조사되었으며 2030년까지 미화 XXX백만 달러에 도달할 것으로 예상되며, 예측 기간 동안 XXX%의 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다.
[주요 특징]
GaN 에피택셜 시장에 대한 조사 보고서에는 포괄적인 통찰력을 제공하고 이해 관계자의 의사 결정을 용이하게하는 몇 가지 주요 항목이 포함되어 있습니다.
요약 : 본 보고서는 GaN 에피택셜 시장의 주요 결과, 시장 동향 및 주요 통찰력에 대한 개요를 제공합니다.
시장 개요: 본 보고서는 GaN 에피택셜 시장의 정의, 역사적 추이, 현재 시장 규모를 포함한 포괄적인 개요를 제공합니다. 종류(예: CVD, MBE), 지역 및 용도별로 시장을 세분화하여 각 세그먼트 내의 주요 동인, 과제 및 기회를 중점적으로 다룹니다.
시장 역학: 본 보고서는 GaN 에피택셜 시장의 성장과 발전을 주도하는 시장 역학을 분석합니다. 본 보고서에는 정부 정책 및 규정, 기술 발전, 소비자 동향 및 선호도, 인프라 개발, 업계 협력에 대한 평가가 포함되어 있습니다. 이 분석은 이해 관계자가 GaN 에피택셜 시장의 궤적에 영향을 미치는 요인을 이해하는데 도움이됩니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 GaN 에피택셜 시장내 경쟁 환경에 대한 심층 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 시장 플레이어의 프로필, 시장 점유율, 전략, 제품 포트폴리오 및 최근 동향이 포함됩니다.
시장 세분화 및 예측: 본 보고서는 종류, 지역 및 용도와 같은 다양한 매개 변수를 기반으로 GaN 에피택셜 시장을 세분화합니다. 정량적 데이터 및 분석을 통해 각 세그먼트의 시장 규모와 성장 예측을 제공합니다. 이를 통해 이해 관계자가 성장 기회를 파악하고 정보에 입각한 투자 결정을 내릴 수 있습니다.
기술 동향: 본 보고서는 주요기술의 발전과 새로운 대체품 등 GaN 에피택셜 시장을 형성하는 주요 기술 동향을 강조합니다. 이러한 트렌드가 시장 성장, 채택률, 소비자 선호도에 미치는 영향을 분석합니다.
시장 과제와 기회: 본 보고서는 기술적 병목 현상, 비용 제한, 높은 진입 장벽 등 GaN 에피택셜 시장이 직면한 주요 과제를 파악하고 분석합니다. 또한 정부 인센티브, 신흥 시장, 이해관계자 간의 협업 등 시장 성장의 기회에 대해서도 강조합니다.
규제 및 정책 분석: 본 보고서는 정부 인센티브, 배출 기준, 인프라 개발 계획 등 GaN 에피택셜에 대한 규제 및 정책 환경을 평가합니다. 이러한 정책이 시장 성장에 미치는 영향을 분석하고 향후 규제 동향에 대한 인사이트를 제공합니다.
권장 사항 및 결론: 본 보고서는 소비자, 정책 입안자, 투자자, 인프라 제공업체 등 이해관계자를 위한 실행 가능한 권고 사항으로 마무리합니다. 이러한 권장 사항은 조사 결과를 바탕으로 GaN 에피택셜 시장의 주요 과제와 기회를 해결할 수 있습니다.
참고 데이터 및 부록: 보고서에는 분석 및 조사 결과를 입증하기 위한 보조 데이터, 차트, 그래프가 포함되어 있습니다. 또한 데이터 소스, 설문조사, 상세한 시장 예측과 같은 추가 세부 정보가 담긴 부록도 포함되어 있습니다.
[시장 세분화]
GaN 에피택셜 시장은 종류별 및 용도별로 세분화됩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
■ 종류별 시장 세그먼트
– CVD, MBE
■ 용도별 시장 세그먼트
– 레이저 다이오드, LED, 파워일렉트로닉스 디바이스, RF 디바이스
■ 지역별 및 국가별 글로벌 GaN 에피택셜 시장 점유율, 2023년(%)
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 아시아 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도)
– 남미 (브라질, 아르헨티나)
– 중동 및 아프리카 (터키, 이스라엘, 사우디 아라비아, UAE)
■ 주요 업체
– EpiGaN (Soitec)、ALLOS Semiconductors、IQE、NTTAT、Episil-Precision、Enkris Semiconductor、Genettice、GLC Semiconductor
[주요 챕터의 개요]
1 장 : GaN 에피택셜의 정의, 시장 개요를 소개
2 장 : 매출 및 판매량을 기준으로한 글로벌 GaN 에피택셜 시장 규모
3 장 : GaN 에피택셜 제조업체 경쟁 환경, 가격, 판매량 및 매출 시장 점유율, 최신 동향, M&A 정보 등에 대한 자세한 분석
4 장 : 종류별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
5 장 : 용도별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
6 장 : 지역 및 국가별 GaN 에피택셜 판매량. 각 지역 및 주요 국가의 시장 규모와 성장 잠재력에 대한 정량적 분석을 제공. 세계 각국의 시장 개발, 향후 개발 전망, 시장 기회을 소개
7 장 : 주요 업체의 프로필을 제공. 제품 판매, 매출, 가격, 총 마진, 제품 소개, 최근 동향 등 시장 내 주요 업체의 기본 상황을 자세히 소개
8 장 : 지역별 및 국가별 글로벌 GaN 에피택셜 시장규모
9 장 : 시장 역학, 시장의 최신 동향, 시장의 추진 요인 및 제한 요인, 업계내 업체가 직면한 과제 및 리스크, 업계의 관련 정책 분석을 소개
10 장 : 산업의 업 스트림 및 다운 스트림을 포함한 산업 체인 분석
11 장 : 보고서의 주요 요점 및 결론
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■ 보고서 목차1. 조사 및 분석 보고서 소개 2. 글로벌 GaN 에피택셜 전체 시장 규모 3. 기업 환경 4. 종류별 시장 분석 5. 용도별 시장 분석 6. 지역별 시장 분석 7. 제조업체 및 브랜드 프로필 EpiGaN (Soitec)、ALLOS Semiconductors、IQE、NTTAT、Episil-Precision、Enkris Semiconductor、Genettice、GLC Semiconductor EpiGaN (Soitec) ALLOS Semiconductors IQE 8. 글로벌 GaN 에피택셜 생산 능력 분석 9. 주요 시장 동향, 기회, 동인 및 제약 요인 10. GaN 에피택셜 공급망 분석 11. 결론 [그림 목록]- 종류별 GaN 에피택셜 세그먼트, 2023년 - 용도별 GaN 에피택셜 세그먼트, 2023년 - 글로벌 GaN 에피택셜 시장 개요, 2023년 - 글로벌 GaN 에피택셜 시장 규모: 2023년 VS 2030년 - 글로벌 GaN 에피택셜 매출, 2019-2030 - 글로벌 GaN 에피택셜 판매량: 2019-2030 - GaN 에피택셜 매출 기준 상위 3개 및 5개 업체 시장 점유율, 2023년 - 글로벌 종류별 GaN 에피택셜 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 종류별 GaN 에피택셜 매출 시장 점유율 - 글로벌 종류별 GaN 에피택셜 판매량 시장 점유율 - 글로벌 종류별 GaN 에피택셜 가격 - 글로벌 용도별 GaN 에피택셜 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 용도별 GaN 에피택셜 매출 시장 점유율 - 글로벌 용도별 GaN 에피택셜 판매량 시장 점유율 - 글로벌 용도별 GaN 에피택셜 가격 - 지역별 GaN 에피택셜 매출, 2023년 VS 2030년 - 지역별 GaN 에피택셜 매출 시장 점유율 - 지역별 GaN 에피택셜 매출 시장 점유율 - 지역별 GaN 에피택셜 판매량 시장 점유율 - 북미 국가별 GaN 에피택셜 매출 시장 점유율 - 북미 국가별 GaN 에피택셜 판매량 시장 점유율 - 미국 GaN 에피택셜 시장규모 - 캐나다 GaN 에피택셜 시장규모 - 멕시코 GaN 에피택셜 시장규모 - 유럽 국가별 GaN 에피택셜 매출 시장 점유율 - 유럽 국가별 GaN 에피택셜 판매량 시장 점유율 - 독일 GaN 에피택셜 시장규모 - 프랑스 GaN 에피택셜 시장규모 - 영국 GaN 에피택셜 시장규모 - 이탈리아 GaN 에피택셜 시장규모 - 러시아 GaN 에피택셜 시장규모 - 아시아 지역별 GaN 에피택셜 매출 시장 점유율 - 아시아 지역별 GaN 에피택셜 판매량 시장 점유율 - 중국 GaN 에피택셜 시장규모 - 일본 GaN 에피택셜 시장규모 - 한국 GaN 에피택셜 시장규모 - 동남아시아 GaN 에피택셜 시장규모 - 인도 GaN 에피택셜 시장규모 - 남미 국가별 GaN 에피택셜 매출 시장 점유율 - 남미 국가별 GaN 에피택셜 판매량 시장 점유율 - 브라질 GaN 에피택셜 시장규모 - 아르헨티나 GaN 에피택셜 시장규모 - 중동 및 아프리카 국가별 GaN 에피택셜 매출 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 국가별 GaN 에피택셜 판매량 시장 점유율 - 터키 GaN 에피택셜 시장규모 - 이스라엘 GaN 에피택셜 시장규모 - 사우디 아라비아 GaN 에피택셜 시장규모 - 아랍에미리트 GaN 에피택셜 시장규모 - 글로벌 GaN 에피택셜 생산 능력 - 지역별 GaN 에피택셜 생산량 비중, 2023년 VS 2030년 - GaN 에피택셜 산업 가치 사슬 - 마케팅 채널 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 질화갈륨(GaN) 에피택셜은 질화갈륨 단결정 박막을 기판 위에 성장시키는 기술을 의미합니다. 이 기술은 차세대 반도체 소재로서 주목받고 있는 질화갈륨의 잠재력을 현실화하는 핵심적인 과정입니다. 질화갈륨은 기존의 실리콘 기반 반도체 소재가 가지는 한계를 뛰어넘는 우수한 전기적, 광학적 특성을 지니고 있어 고성능 전자 소자 및 발광 소자 구현에 필수적입니다. **질화갈륨 에피택셜의 기본 개념 및 성장 메커니즘** 에피택셜 성장은 결정질 기판 위에 동일한 결정 구조를 갖는 얇은 막을 성장시키는 기술입니다. 질화갈륨 에피택셜에서는 주로 질화갈륨의 결정 구조와 유사한 다른 결정 물질을 기판으로 사용합니다. 흔히 사용되는 기판으로는 사파이어(Sapphire), 실리콘 카바이드(SiC), 실리콘(Si) 등이 있습니다. 각 기판은 고유의 장단점을 가지며, 목표하는 소자의 성능 및 제작 비용에 따라 적절한 기판을 선택하게 됩니다. 질화갈륨 에피택셜 성장의 핵심은 원자층 단위로 결정이 순서대로 쌓이도록 제어하는 것입니다. 이는 주로 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition, CVD) 방법의 일종인 금속유기 화학기상증착법(Metalorganic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)을 통해 이루어집니다. MOCVD 공정에서는 질화갈륨 박막을 구성하는 원소인 갈륨(Ga)과 질소(N)를 각각 금속유기 화합물(예: 트리메틸갈륨, TMGa)과 암모니아(NH3) 형태로 반응로에 주입합니다. 이들 반응 가스가 고온의 기판 위에서 열분해되면서 표면에 증착되어 질화갈륨 결정이 성장하게 됩니다. 성장 과정에서 가장 중요한 요소는 온도, 압력, 반응 가스의 농도 및 유량 등입니다. 이러한 공정 변수들을 정밀하게 제어함으로써 박막의 두께, 조성, 결정성, 표면 거칠기 등을 조절할 수 있습니다. 특히 기판과의 격자 불일치로 인한 결정 결함을 최소화하는 것이 에피택셜 성장 기술의 핵심 과제 중 하나입니다. 예를 들어, 사파이어 기판은 질화갈륨과 격자 상수가 상당히 다르기 때문에 성장 초기에 완충층(buffer layer)을 형성하여 이러한 불일치를 완화하고 고품질의 질화갈륨 박막을 얻도록 유도합니다. **질화갈륨 에피택셜의 우수한 특징** 질화갈륨은 여러 면에서 실리콘과 같은 기존 반도체 소재를 능가하는 독특하고 뛰어난 특성을 지니고 있습니다. 이러한 특성들이 질화갈륨 에피택셜 기술의 중요성을 더욱 부각시킵니다. 첫째, **높은 에너지 밴드갭(Bandgap)**입니다. 질화갈륨은 약 3.4 eV의 넓은 밴드갭을 가지고 있어 고온, 고전압, 고주파수 환경에서도 안정적으로 동작할 수 있습니다. 이는 기존 실리콘 반도체가 견딜 수 있는 한계를 훨씬 뛰어넘는 수준이며, 고출력 전력 소자나 혹독한 환경에서 사용되는 전자 장치 개발에 이상적인 소재가 됩니다. 높은 밴드갭은 또한 자외선(UV) 영역에서의 발광 효율을 높여 UV LED 개발에도 유리하게 작용합니다. 둘째, **높은 전자 이동도(Electron Mobility)**입니다. 질화갈륨은 실리콘에 비해 전자 이동도가 월등히 높아 고주파수에서 더 빠른 스위칭 속도를 구현할 수 있습니다. 이는 고속 통신 장비, 레이더 시스템 등 초고속 작동이 요구되는 분야에서 핵심적인 장점이 됩니다. 셋째, **높은 항복 전압(Breakdown Voltage)**입니다. 질화갈륨은 높은 전기장에서도 절연 파괴가 일어나지 않는 능력이 뛰어나, 더 높은 전압을 견딜 수 있는 소자 설계가 가능합니다. 이는 전력 변환 효율을 높이고 장치의 크기를 줄이는 데 기여합니다. 예를 들어, 전기차 충전기나 스마트 그리드와 같은 고전력 시스템에서 에너지 손실을 줄이고 소형화하는 데 필수적인 역할을 합니다. 넷째, **화학적, 열적 안정성**입니다. 질화갈륨은 매우 안정적인 화합물로서 고온 및 부식 환경에서도 변질되지 않고 성능을 유지합니다. 이는 극한 환경에서의 신뢰성을 요구하는 산업 분야에서 중요한 이점입니다. **질화갈륨 에피택셜의 종류 및 활용** 질화갈륨 에피택셜 기술은 성장시키는 물질의 조성에 따라 다양한 종류로 구분될 수 있으며, 이에 따라 용도 또한 달라집니다. * **순수 질화갈륨 (GaN) 에피택셜**: 가장 기본적인 형태로, 고성능 고주파 전자 소자나 파워 소자에 주로 사용됩니다. 높은 전자 이동도와 항복 전압을 활용하여 통신 장비의 RF 증폭기, 전력 스위칭 소자 등에 적용됩니다. * **질화인듐갈륨 (InGaN) 에피택셜**: 질화갈륨에 인듐을 첨가하여 밴드갭을 조절할 수 있는 물질입니다. 인듐의 비율을 변화시킴으로써 가시광선 영역의 다양한 파장대의 빛을 방출할 수 있어 고효율 청색, 녹색, 적색 LED 및 레이저 다이오드(LD) 구현에 핵심적인 역할을 합니다. 우리가 흔히 사용하는 스마트폰 디스플레이, TV, 조명 등에 사용되는 LED가 바로 InGaN 에피택셜 기술의 산물입니다. * **질화알루미늄갈륨 (AlGaN) 에피택셜**: 질화갈륨에 알루미늄을 첨가한 물질로, 밴드갭을 더 넓힐 수 있습니다. 이는 자외선(UV) 영역의 빛을 방출하는 UV LED 및 UV 센서 개발에 활용됩니다. UV LED는 살균, 의료, 경화, 위조지폐 감별 등 다양한 산업 분야에서 중요한 응용처를 가집니다. * **이종접합 구조 (Heterojunction)**: 위에서 언급된 다양한 질화물 화합물을 계단식으로 쌓아 올리는 에피택셜 기술입니다. 예를 들어, 질화갈륨(GaN) 위에 질화알루미늄갈륨(AlGaN)을 성장시켜 고농도의 2차원 전자 가스(2DEG) 채널을 형성하는 AlGaN/GaN 헤테로구조는 높은 전자 이동도를 더욱 극대화하여 고성능 고주파 트랜지스터(HEMT: High Electron Mobility Transistor) 구현에 필수적입니다. 이러한 HEMT 소자는 5G 통신 기지국, 위성 통신 장비, 고출력 레이다 등에 광범위하게 사용됩니다. **질화갈륨 에피택셜 관련 기술 및 발전 동향** 질화갈륨 에피택셜 기술은 지속적으로 발전하고 있으며, 더욱 효율적이고 경제적인 소자 제작을 위한 다양한 연구가 진행 중입니다. * **기판 기술**: 앞서 언급한 사파이어, SiC, Si 기판 외에도 다양한 새로운 기판 소재들이 연구되고 있습니다. 특히 저렴하고 대구경 제작이 용이한 실리콘(Si) 기판 위에 고품질 질화갈륨을 성장시키는 기술은 경제성 확보를 위한 중요한 연구 분야입니다. 이를 위해 완충층 설계 및 공정 최적화에 대한 깊이 있는 연구가 필요합니다. 또한, 금속 유기 화학기상증착법(MOCVD) 외에도 분자빔에피택시(Molecular Beam Epitaxy, MBE)와 같은 다른 에피택셜 성장 기술도 특정 응용 분야에서 연구되고 있습니다. * **결정 결함 제어 기술**: 질화갈륨 에피택셜에서 발생하는 결정 결함(dislocation)은 소자의 성능과 신뢰성을 저하시키는 주요 원인입니다. 이러한 결함을 줄이기 위해 다양한 완충층 구조 설계, 성장 조건 최적화, 그리고 후처리 공정 개발 등이 활발히 이루어지고 있습니다. * **전력 변환 효율 향상**: 질화갈륨 기반의 파워 소자는 기존 실리콘 파워 소자에 비해 스위칭 손실이 적고 동작 주파수가 높아 전력 변환 효율을 크게 향상시킬 수 있습니다. 이는 에너지 절감과 소형화 측면에서 매우 중요하며, 친환경 에너지 시스템 구현에 핵심적인 역할을 합니다. * **UV 소자 기술**: 자외선 영역에서 작동하는 질화갈륨 기반 소자들은 기존 수은등과 같은 UV 광원 대비 친환경적이고 수명이 길다는 장점을 가집니다. 이를 활용한 수질 정화, 공기 살균, 식품 보존, 경화, 의료 진단 등 다양한 응용 분야가 확대되고 있습니다. * **양자 구조 및 양자점(Quantum Dot) 기술**: 질화갈륨 기반의 양자 구조나 양자점은 특정 파장의 빛을 매우 효율적으로 방출하거나 흡수하는 특성을 가집니다. 이는 차세대 디스플레이, 고효율 광통신, 양자 컴퓨팅 등 미래 기술 분야에서 잠재력이 매우 큰 연구 분야입니다. 결론적으로 질화갈륨 에피택셜 기술은 단순히 박막을 성장시키는 것을 넘어, 물질의 근본적인 특성을 최대로 활용하여 차세대 전자 및 광전자 소자를 구현하는 핵심 기반 기술입니다. 높은 에너지 밴드갭, 우수한 전자 이동도, 높은 항복 전압 등 질화갈륨이 가지는 고유의 장점들은 5G 통신, 전기차, 친환경 에너지, 조명, 디스플레이 등 미래 산업의 혁신을 이끌어갈 중요한 동력이며, 질화갈륨 에피택셜 기술의 지속적인 발전은 이러한 혁신의 실현을 앞당길 것입니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 GaN 에피택셜 시장예측 2024-2030] (코드 : MONT2408K18026) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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