| ■ 영문 제목 : Global GaN FET Market Growth 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : LPI2407D22034 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2024년 5월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
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LP Information (LPI)사의 최신 조사에 따르면, 글로벌 GaN FET 시장 규모는 2023년에 미화 XXX백만 달러로 산출되었습니다. 다운 스트림 시장의 수요가 증가함에 따라 GaN FET은 조사 대상 기간 동안 XXX%의 CAGR(연평균 성장율)로 2030년까지 미화 XXX백만 달러의 시장규모로 예상됩니다.
본 조사 보고서는 글로벌 GaN FET 시장의 성장 잠재력을 강조합니다. GaN FET은 향후 시장에서 안정적인 성장을 보일 것으로 예상됩니다. 그러나 제품 차별화, 비용 절감 및 공급망 최적화는 GaN FET의 광범위한 채택을 위해 여전히 중요합니다. 시장 참여자들은 연구 개발에 투자하고, 전략적 파트너십을 구축하고, 진화하는 소비자 선호도에 맞춰 제품을 제공함으로써 GaN FET 시장이 제공하는 막대한 기회를 활용해야 합니다.
[주요 특징]
GaN FET 시장에 대한 보고서는 다양한 측면을 반영하고 업계에 대한 소중한 통찰력을 제공합니다.
시장 규모 및 성장: 본 조사 보고서는 GaN FET 시장의 현재 규모와 성장에 대한 개요를 제공합니다. 여기에는 과거 데이터, 유형별 시장 세분화 (예 : 고갈 모드, 강화 모드) 및 지역 분류가 포함될 수 있습니다.
시장 동인 및 과제: 본 보고서는 정부 규제, 환경 문제, 기술 발전 및 소비자 선호도 변화와 같은 GaN FET 시장의 성장을 주도하는 요인을 식별하고 분석 할 수 있습니다. 또한 인프라 제한, 범위 불안, 높은 초기 비용 등 업계가 직면한 과제를 강조할 수 있습니다.
경쟁 환경: 본 조사 보고서는 GaN FET 시장 내 경쟁 환경에 대한 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 업체의 프로필, 시장 점유율, 전략 및 제공 제품이 포함됩니다. 본 보고서는 또한 신흥 플레이어와 시장에 대한 잠재적 영향을 강조할 수 있습니다.
기술 개발: 본 조사 보고서는 GaN FET 산업의 최신 기술 개발에 대해 자세히 살펴볼 수 있습니다. 여기에는 GaN FET 기술의 발전, GaN FET 신규 진입자, GaN FET 신규 투자, 그리고 GaN FET의 미래를 형성하는 기타 혁신이 포함됩니다.
다운스트림 고객 선호도: 본 보고서는 GaN FET 시장의 고객 구매 행동 및 채택 동향을 조명할 수 있습니다. 여기에는 고객의 구매 결정에 영향을 미치는 요인, GaN FET 제품에 대한 선호도가 포함됩니다.
정부 정책 및 인센티브: 본 조사 보고서는 정부 정책 및 인센티브가 GaN FET 시장에 미치는 영향을 분석합니다. 여기에는 규제 프레임워크, 보조금, 세금 인센티브 및 GaN FET 시장을 촉진하기위한 기타 조치에 대한 평가가 포함될 수 있습니다. 본 보고서는 또한 이러한 정책이 시장 성장을 촉진하는데 미치는 효과도 분석합니다.
환경 영향 및 지속 가능성: 조사 보고서는 GaN FET 시장의 환경 영향 및 지속 가능성 측면을 분석합니다.
시장 예측 및 미래 전망: 수행된 분석을 기반으로 본 조사 보고서는 GaN FET 산업에 대한 시장 예측 및 전망을 제공합니다. 여기에는 시장 규모, 성장률, 지역 동향, 기술 발전 및 정책 개발에 대한 예측이 포함됩니다.
권장 사항 및 기회: 본 보고서는 업계 이해 관계자, 정책 입안자, 투자자를 위한 권장 사항으로 마무리됩니다. 본 보고서는 시장 참여자들이 새로운 트렌드를 활용하고, 도전 과제를 극복하며, GaN FET 시장의 성장과 발전에 기여할 수 있는 잠재적 기회를 강조합니다.
[시장 세분화]
GaN FET 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 수량 및 금액 측면에서 제공합니다.
*** 종류별 세분화 ***
고갈 모드, 강화 모드
*** 용도별 세분화 ***
자동차, 전력전자, 국방, 항공 우주, LED, 태양광, 기타
본 보고서는 또한 시장을 지역별로 분류합니다:
– 미주 (미국, 캐나다, 멕시코, 브라질)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 호주)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 중동 및 아프리카 (이집트, 남아프리카 공화국, 이스라엘, 터키, GCC 국가)
아래 프로파일링 대상 기업은 주요 전문가로부터 수집한 정보를 바탕으로 해당 기업의 서비스 범위, 제품 포트폴리오, 시장 점유율을 분석하여 선정되었습니다.
Nexperia, Transphorm, Panasonic, Texas Instruments, Infineon, Renesas Electronics, Toshiba, Cree, Qorvo, EPC, GaN Systems
[본 보고서에서 다루는 주요 질문]
– 글로벌 GaN FET 시장의 향후 10년 전망은 어떻게 될까요?
– 전 세계 및 지역별 GaN FET 시장 성장을 주도하는 요인은 무엇입니까?
– 시장과 지역별로 가장 빠르게 성장할 것으로 예상되는 분야는 무엇인가요?
– 최종 시장 규모에 따라 GaN FET 시장 기회는 어떻게 다른가요?
– GaN FET은 종류, 용도를 어떻게 분류합니까?
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■ 보고서 목차■ 보고서의 범위 ■ 보고서의 요약 ■ 기업별 세계 GaN FET 시장분석 ■ 지역별 GaN FET에 대한 추이 분석 ■ 미주 시장 ■ 아시아 태평양 시장 ■ 유럽 시장 ■ 중동 및 아프리카 시장 ■ 시장 동인, 도전 과제 및 동향 ■ 제조 비용 구조 분석 ■ 마케팅, 유통업체 및 고객 ■ 지역별 GaN FET 시장 예측 ■ 주요 기업 분석 Nexperia, Transphorm, Panasonic, Texas Instruments, Infineon, Renesas Electronics, Toshiba, Cree, Qorvo, EPC, GaN Systems – Nexperia – Transphorm – Panasonic ■ 조사 결과 및 결론 [그림 목록]GaN FET 이미지 GaN FET 판매량 성장률 (2019-2030) 글로벌 GaN FET 매출 성장률 (2019-2030) 지역별 GaN FET 매출 (2019, 2023 및 2030) 글로벌 종류별 GaN FET 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 종류별 GaN FET 매출 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 용도별 GaN FET 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 용도별 GaN FET 매출 시장 점유율 기업별 GaN FET 판매량 시장 2023 기업별 글로벌 GaN FET 판매량 시장 점유율 2023 기업별 GaN FET 매출 시장 2023 기업별 글로벌 GaN FET 매출 시장 점유율 2023 지역별 글로벌 GaN FET 판매량 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 GaN FET 매출 시장 점유율 2023 미주 GaN FET 판매량 (2019-2024) 미주 GaN FET 매출 (2019-2024) 아시아 태평양 GaN FET 판매량 (2019-2024) 아시아 태평양 GaN FET 매출 (2019-2024) 유럽 GaN FET 판매량 (2019-2024) 유럽 GaN FET 매출 (2019-2024) 중동 및 아프리카 GaN FET 판매량 (2019-2024) 중동 및 아프리카 GaN FET 매출 (2019-2024) 미국 GaN FET 시장규모 (2019-2024) 캐나다 GaN FET 시장규모 (2019-2024) 멕시코 GaN FET 시장규모 (2019-2024) 브라질 GaN FET 시장규모 (2019-2024) 중국 GaN FET 시장규모 (2019-2024) 일본 GaN FET 시장규모 (2019-2024) 한국 GaN FET 시장규모 (2019-2024) 동남아시아 GaN FET 시장규모 (2019-2024) 인도 GaN FET 시장규모 (2019-2024) 호주 GaN FET 시장규모 (2019-2024) 독일 GaN FET 시장규모 (2019-2024) 프랑스 GaN FET 시장규모 (2019-2024) 영국 GaN FET 시장규모 (2019-2024) 이탈리아 GaN FET 시장규모 (2019-2024) 러시아 GaN FET 시장규모 (2019-2024) 이집트 GaN FET 시장규모 (2019-2024) 남아프리카 GaN FET 시장규모 (2019-2024) 이스라엘 GaN FET 시장규모 (2019-2024) 터키 GaN FET 시장규모 (2019-2024) GCC 국가 GaN FET 시장규모 (2019-2024) GaN FET의 제조 원가 구조 분석 GaN FET의 제조 공정 분석 GaN FET의 산업 체인 구조 GaN FET의 유통 채널 글로벌 지역별 GaN FET 판매량 시장 전망 (2025-2030) 글로벌 지역별 GaN FET 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 GaN FET 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 GaN FET 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 GaN FET 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 GaN FET 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 질화갈륨(GaN) 전계효과 트랜지스터(FET)는 기존의 실리콘(Si) 기반 반도체 소자의 한계를 극복하기 위해 개발된 차세대 전력 반도체 소자입니다. GaN FET는 질화갈륨이라는 화합물 반도체 소재의 우수한 전기적 특성을 활용하여 고속 스위칭, 고효율, 고온 동작, 소형화 등 다양한 장점을 제공합니다. 이는 전력 변환 효율 향상, 에너지 절감, 전자 기기 성능 향상에 크게 기여할 수 있는 잠재력을 가지고 있으며, 스마트폰 충전기, 서버 전원 공급 장치, 전기 자동차 충전기, 태양광 인버터 등 다양한 분야에서 기존 Si-MOSFET을 대체하며 그 영역을 빠르게 확장해 나가고 있습니다. GaN FET의 가장 핵심적인 특징은 소재 자체의 우수한 물성에서 비롯됩니다. 질화갈륨은 실리콘 대비 약 3배 높은 항복 전압을 가지며, 이는 동일한 전압에서도 더 얇은 채널을 사용하여 높은 전력 밀도를 구현할 수 있게 합니다. 또한, 전자 이동도가 실리콘보다 2~3배 높아 스위칭 속도가 매우 빠릅니다. 이는 전력 변환 시 발생하는 스위칭 손실을 줄여 전력 변환 효율을 극대화하는 데 결정적인 역할을 합니다. 더불어 GaN은 높은 열 전도성을 가지고 있어 고온에서도 안정적으로 동작할 수 있으며, 이는 소자 집적도를 높이고 냉각 시스템을 간소화하는 데 유리합니다. 이러한 특징들은 GaN FET가 기존 실리콘 MOSFET이 갖는 물리적 한계를 뛰어넘어 더욱 작고, 더 효율적이며, 더 강력한 전력 전자 시스템을 구현할 수 있게 하는 원동력이 됩니다. GaN FET의 구조는 크게 두 가지 방식으로 나눌 수 있습니다. 첫 번째는 HEMT(High Electron Mobility Transistor) 구조이며, 두 번째는 캐리어 주입 방식에 따른 다양한 변형 구조입니다. HEMT는 서로 다른 밴드갭 에너지를 가지는 두 종류의 반도체(예: AlGaN/GaN 이종 접합)를 접합하여 2차원 전자 가스(2DEG: two-dimensional electron gas)를 형성하고, 이를 제어하여 전류를 흐르게 하는 방식입니다. AlGaN과 GaN 계면에서 발생하는 이차원 전자 가스는 매우 높은 전자 이동도를 가지므로, 이 구조의 GaN FET는 매우 빠른 스위칭 속도를 자랑합니다. HEMT 구조는 다시 작동 방식에 따라 일반적으로 두 가지로 분류됩니다. 하나는 정상 모드(normally-on) 또는 P채널 FET와 유사한 동작을 하는 **슈미트(Schmitt) FET**와 유사한 동작을 하는 것이며, 다른 하나는 비정상 모드(normally-off) 또는 N채널 MOSFET과 유사한 동작을 하는 **슈퍼 정션(Superjunction)**과 유사한 동작을 하는 것입니다. 비정상 모드 GaN FET는 전원 OFF 시 전류가 흐르지 않아 안전성을 높이고 회로 설계를 단순화하는 데 유리합니다. 최근에는 공핍 모드(depletion mode) GaN FET의 단점인 정상 동작 모드를 극복하기 위해 절연 게이트 FET(IGFET)와 유사한 구조를 가지는 비정상 모드(normally-off) GaN FET 개발이 활발히 이루어지고 있습니다. 특히 수직 구조를 채택한 GaN FET는 더 높은 항복 전압과 전력 밀도를 달성할 수 있어 고출력 애플리케이션에 적합합니다. GaN FET의 활용은 무궁무진합니다. 가장 대표적인 용도는 고효율 전력 변환입니다. 스마트폰, 노트북 등의 휴대용 기기를 위한 고속 충전기에서는 기존 실리콘 기반 충전기보다 훨씬 작고 가벼우면서도 높은 충전 속도를 제공합니다. 또한, 데이터 센터, 서버, 통신 장비 등에 사용되는 전원 공급 장치(PSU)의 효율을 크게 향상시켜 에너지 소비를 줄이고 발열을 억제하는 데 기여합니다. 전기 자동차(EV) 시장에서는 차량 내 전력 변환 시스템, 온보드 충전기(OBC), DC-DC 컨버터 등에 적용되어 차량의 에너지 효율을 높이고 주행 거리를 늘리는 데 중요한 역할을 합니다. 또한, 태양광 발전 시스템의 인버터, 산업용 모터 드라이브, 고주파 통신 장비, 레이더 시스템 등 고성능 및 고효율이 요구되는 다양한 분야에서 기존 부품을 대체하며 기술 혁신을 이끌고 있습니다. GaN FET의 성능을 극대화하고 상용화를 가속화하기 위한 관련 기술 개발도 활발히 진행되고 있습니다. **수직 GaN FET**는 더 높은 전력 밀도와 더 넓은 항복 전압 범위를 제공하기 위해 연구되고 있으며, 이는 고출력 애플리케이션에서의 적용 가능성을 더욱 넓힙니다. **향상된 게이트 구조**는 누설 전류를 줄이고 스위칭 특성을 개선하는 데 중점을 두고 있으며, 예를 들어 캐리어 주입을 제어하기 위한 다양한 게이트 전극 재료 및 구조가 연구되고 있습니다. 또한, **고온 동작**을 위한 패키징 기술 및 열 관리 기술 개발도 중요합니다. GaN FET는 높은 온도에서도 안정적으로 동작하지만, 효과적인 방열 없이는 성능 저하 및 수명 단축을 초래할 수 있기 때문입니다. **신뢰성 향상** 역시 중요한 연구 분야입니다. 현재 GaN FET의 상용화에 가장 큰 걸림돌 중 하나는 장기적인 신뢰성 문제로, 특히 고전압 및 고온 환경에서의 수명 및 안정성 확보가 필수적입니다. 이를 위해 소자 제작 공정 최적화, 패키징 기술 개선, 그리고 가혹한 조건에서의 테스트 및 분석이 활발히 이루어지고 있습니다. 마지막으로, **하이브리드 통합 기술**은 GaN 디바이스를 기존 실리콘 집적 회로(IC)와 효율적으로 통합하는 방법을 연구하는 분야입니다. 이를 통해 전력 제어 기능과 로직 기능을 하나의 칩에 집적하여 시스템의 성능을 향상시키고 비용을 절감할 수 있습니다. 결론적으로, GaN FET는 우수한 전기적 특성을 바탕으로 전력 전자 분야에 혁신을 가져올 잠재력이 매우 큰 소재입니다. 고효율, 고속 스위칭, 고온 동작 등 GaN FET가 제공하는 이점은 에너지 효율 향상과 전자 기기 성능 개선에 결정적인 역할을 할 것입니다. 지속적인 기술 개발과 신뢰성 확보 노력을 통해 GaN FET는 미래 전력 시스템의 핵심 부품으로 자리매김할 것으로 기대됩니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 GaN FET 시장 2024-2030] (코드 : LPI2407D22034) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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