| ■ 영문 제목 : Global GaN Gate Drivers Market 2024 by Manufacturers, Regions, Type and Application, Forecast to 2030 | |
 | ■ 상품코드 : GIR2406C6555 ■ 조사/발행회사 : Globalinforesearch ■ 발행일 : 2024년 6월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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조사회사 Global Info Research의 최신 조사에 따르면, 세계의 GaN 게이트 드라이버 시장 규모는 2023년에 XXX백만 달러로 분석되었으며, 검토 기간 동안 xx%의 CAGR로 2030년까지 XXX백만 달러의 재조정된 규모로 성장이 예측됩니다.
Global Info Research 보고서에는 GaN 게이트 드라이버 산업 체인 동향 개요, 가전, 모션 컨트롤, 조명, 자동차, 공업, 기타 응용분야 및 선진 및 개발 도상국의 주요 기업의 시장 현황, GaN 게이트 드라이버의 최첨단 기술, 특허, 최신 용도 및 시장 동향을 분석했습니다.
지역별로는 주요 지역의 GaN 게이트 드라이버 시장을 분석합니다. 북미와 유럽은 정부 이니셔티브와 수요자 인식 제고에 힘입어 꾸준한 성장세를 보이고 있습니다. 아시아 태평양, 특히 중국은 탄탄한 내수 수요와 지원 정책, 강력한 제조 기반을 바탕으로 글로벌 GaN 게이트 드라이버 시장을 주도하고 있습니다.
[주요 특징]
본 보고서는 GaN 게이트 드라이버 시장에 대한 포괄적인 이해를 제공합니다. 본 보고서는 산업에 대한 전체적인 관점과 개별 구성 요소 및 이해 관계자에 대한 자세한 통찰력을 제공합니다. 본 보고서는 GaN 게이트 드라이버 산업 내의 시장 역학, 동향, 과제 및 기회를 분석합니다. 또한, 거시적 관점에서 시장을 분석하는 것이 포함됩니다.
시장 규모 및 세분화: 본 보고서는 판매량, 매출 및 종류별 (예 : 단일 채널 게이트 드라이버, 하프 브리지 게이트 드라이버, 풀 브리지 게이트 드라이버, 삼상 게이트 드라이버, 기타)의 시장 점유율을 포함한 전체 시장 규모에 대한 데이터를 수집합니다.
산업 분석: 보고서는 정부 정책 및 규제, 기술 발전, 수요자 선호도, 시장 역학 등 광범위한 산업 동향을 분석합니다. 이 분석은 GaN 게이트 드라이버 시장에 영향을 미치는 주요 동인과 과제를 이해하는데 도움이 됩니다.
지역 분석: 본 보고서에는 지역 또는 국가 단위로 GaN 게이트 드라이버 시장을 조사하는 것이 포함됩니다. 보고서는 정부 인센티브, 인프라 개발, 경제 상황 및 수요자 행동과 같은 지역 요인을 분석하여 다양한 시장 내의 변화와 기회를 식별합니다.
시장 전망: 보고서는 수집된 데이터와 분석을 통해 GaN 게이트 드라이버 시장에 대한 미래 전망 및 예측을 다룹니다. 여기에는 시장 성장률 추정, 시장 수요 예측, 새로운 트렌드 파악 등이 포함될 수 있습니다. 본 보고서에는 GaN 게이트 드라이버에 대한 보다 세분화된 접근 방식도 포함됩니다.
기업 분석: 본 보고서는 GaN 게이트 드라이버 제조업체, 공급업체 및 기타 관련 업계 플레이어를 다룹니다. 이 분석에는 재무 성과, 시장 포지셔닝, 제품 포트폴리오, 파트너십 및 전략에 대한 조사가 포함됩니다.
수요자 분석: 보고서는 GaN 게이트 드라이버에 대한 수요자 행동, 선호도 및 태도에 대한 데이터를 다룹니다. 여기에는 설문 조사, 인터뷰 및 응용 분야별 (가전, 모션 컨트롤, 조명, 자동차, 공업, 기타)의 다양한 수요자 리뷰 및 피드백 분석이 포함될 수 있습니다.
기술 분석: GaN 게이트 드라이버과 관련된 특정 기술을 다루는 보고서입니다. GaN 게이트 드라이버 분야의 현재 상황 및 잠재적 미래 발전 가능성을 평가합니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 개별 기업, 공급업체 및 수요업체를 분석하여 GaN 게이트 드라이버 시장의 경쟁 환경에 대한 통찰력을 제공합니다. 이 분석은 시장 점유율, 경쟁 우위 및 업계 플레이어 간의 차별화 가능성을 이해하는 데 도움이 됩니다.
시장 검증: 본 보고서에는 설문 조사, 인터뷰 및 포커스 그룹과 같은 주요 조사를 통해 결과 및 예측을 검증하는 작업이 포함됩니다.
[시장 세분화]
GaN 게이트 드라이버 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
종류별 시장 세그먼트
– 단일 채널 게이트 드라이버, 하프 브리지 게이트 드라이버, 풀 브리지 게이트 드라이버, 삼상 게이트 드라이버, 기타
용도별 시장 세그먼트
– 가전, 모션 컨트롤, 조명, 자동차, 공업, 기타
주요 대상 기업
– Efficient Power Conversion, Texas instruments, STMicroelectronics, uPI Semiconductor, IXYS, Analog Devices, OnSemi, Skyworks, MPS, Navitas, Allegro, pSemi
지역 분석은 다음을 포함합니다.
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 러시아, 이탈리아)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 인도, 동남아시아, 호주)
– 남미 (브라질, 아르헨티나, 콜롬비아)
– 중동 및 아프리카 (사우디아라비아, 아랍에미리트, 이집트, 남아프리카공화국)
본 조사 보고서는 아래 항목으로 구성되어 있습니다.
– GaN 게이트 드라이버 제품 범위, 시장 개요, 시장 추정, 주의 사항 및 기준 연도를 설명합니다.
– 2019년부터 2024년까지 GaN 게이트 드라이버의 가격, 판매량, 매출 및 세계 시장 점유율과 함께 GaN 게이트 드라이버의 주요 제조업체를 프로파일링합니다.
– GaN 게이트 드라이버 경쟁 상황, 판매량, 매출 및 주요 제조업체의 글로벌 시장 점유율이 상세하게 분석 됩니다.
– GaN 게이트 드라이버 상세 데이터는 2019년부터 2030년까지 지역별 판매량, 소비금액 및 성장성을 보여주기 위해 지역 레벨로 표시됩니다.
– 2019년부터 2030년까지 판매량 시장 점유율 및 성장률을 종류별, 용도별로 분류합니다.
– 2017년부터 2023년까지 세계 주요 국가의 판매량, 소비금액 및 시장 점유율과 함께 국가 레벨로 판매 데이터를 분류하고, 2025년부터 2030년까지 판매량 및 매출과 함께 지역, 종류 및 용도별로 GaN 게이트 드라이버 시장 예측을 수행합니다.
– 시장 역학, 성장요인, 저해요인, 동향 및 포터의 다섯 가지 힘 분석.
– 주요 원자재 및 주요 공급 업체, GaN 게이트 드라이버의 산업 체인.
– GaN 게이트 드라이버 판매 채널, 유통 업체, 고객(수요기업), 조사 결과 및 결론을 설명합니다.
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■ 보고서 목차■ 시장 개요 ■ 제조업체 프로필 Efficient Power Conversion Texas instruments STMicroelectronics ■ 제조업체간 경쟁 환경 ■ 지역별 소비 분석 ■ 종류별 시장 세분화 ■ 용도별 시장 세분화 ■ 북미 ■ 유럽 ■ 아시아 태평양 ■ 남미 ■ 중동 및 아프리카 ■ 시장 역학 ■ 원자재 및 산업 체인 ■ 유통 채널별 출하량 ■ 조사 결과 [그림 목록]- GaN 게이트 드라이버 이미지 - 종류별 세계의 GaN 게이트 드라이버 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 종류별 세계의 GaN 게이트 드라이버 소비 금액 시장 점유율 - 용도별 세계의 GaN 게이트 드라이버 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 용도별 세계의 GaN 게이트 드라이버 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 GaN 게이트 드라이버 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 세계의 GaN 게이트 드라이버 소비 금액 및 예측 (2019-2030) - 세계의 GaN 게이트 드라이버 판매량 (2019-2030) - 세계의 GaN 게이트 드라이버 평균 가격 (2019-2030) - 2023년 제조업체별 세계의 GaN 게이트 드라이버 판매량 시장 점유율 - 2023년 제조업체별 세계의 GaN 게이트 드라이버 소비 금액 시장 점유율 - 2023년 상위 3개 GaN 게이트 드라이버 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 2023년 상위 6개 GaN 게이트 드라이버 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 지역별 GaN 게이트 드라이버 판매량 시장 점유율 - 지역별 GaN 게이트 드라이버 소비 금액 시장 점유율 - 북미 GaN 게이트 드라이버 소비 금액 - 유럽 GaN 게이트 드라이버 소비 금액 - 아시아 태평양 GaN 게이트 드라이버 소비 금액 - 남미 GaN 게이트 드라이버 소비 금액 - 중동 및 아프리카 GaN 게이트 드라이버 소비 금액 - 세계의 종류별 GaN 게이트 드라이버 판매량 시장 점유율 - 세계의 종류별 GaN 게이트 드라이버 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 종류별 GaN 게이트 드라이버 평균 가격 - 세계의 용도별 GaN 게이트 드라이버 판매량 시장 점유율 - 세계의 용도별 GaN 게이트 드라이버 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 용도별 GaN 게이트 드라이버 평균 가격 - 북미 GaN 게이트 드라이버 종류별 판매량 시장 점유율 - 북미 GaN 게이트 드라이버 용도별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 GaN 게이트 드라이버 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 GaN 게이트 드라이버 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 미국 GaN 게이트 드라이버 소비 금액 및 성장률 - 캐나다 GaN 게이트 드라이버 소비 금액 및 성장률 - 멕시코 GaN 게이트 드라이버 소비 금액 및 성장률 - 유럽 GaN 게이트 드라이버 종류별 판매량 시장 점유율 - 유럽 GaN 게이트 드라이버 용도별 판매량 시장 점유율 - 유럽 GaN 게이트 드라이버 국가별 판매량 시장 점유율 - 유럽 GaN 게이트 드라이버 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 독일 GaN 게이트 드라이버 소비 금액 및 성장률 - 프랑스 GaN 게이트 드라이버 소비 금액 및 성장률 - 영국 GaN 게이트 드라이버 소비 금액 및 성장률 - 러시아 GaN 게이트 드라이버 소비 금액 및 성장률 - 이탈리아 GaN 게이트 드라이버 소비 금액 및 성장률 - 아시아 태평양 GaN 게이트 드라이버 종류별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 GaN 게이트 드라이버 용도별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 GaN 게이트 드라이버 지역별 판매 수량 시장 점유율 - 아시아 태평양 GaN 게이트 드라이버 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 중국 GaN 게이트 드라이버 소비 금액 및 성장률 - 일본 GaN 게이트 드라이버 소비 금액 및 성장률 - 한국 GaN 게이트 드라이버 소비 금액 및 성장률 - 인도 GaN 게이트 드라이버 소비 금액 및 성장률 - 동남아시아 GaN 게이트 드라이버 소비 금액 및 성장률 - 호주 GaN 게이트 드라이버 소비 금액 및 성장률 - 남미 GaN 게이트 드라이버 종류별 판매량 시장 점유율 - 남미 GaN 게이트 드라이버 용도별 판매량 시장 점유율 - 남미 GaN 게이트 드라이버 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 남미 GaN 게이트 드라이버 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 브라질 GaN 게이트 드라이버 소비 금액 및 성장률 - 아르헨티나 GaN 게이트 드라이버 소비 금액 및 성장률 - 중동 및 아프리카 GaN 게이트 드라이버 종류별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 GaN 게이트 드라이버 용도별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 GaN 게이트 드라이버 지역별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 GaN 게이트 드라이버 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 터키 GaN 게이트 드라이버 소비 금액 및 성장률 - 이집트 GaN 게이트 드라이버 소비 금액 및 성장률 - 사우디 아라비아 GaN 게이트 드라이버 소비 금액 및 성장률 - 남아프리카 공화국 GaN 게이트 드라이버 소비 금액 및 성장률 - GaN 게이트 드라이버 시장 성장 요인 - GaN 게이트 드라이버 시장 제약 요인 - GaN 게이트 드라이버 시장 동향 - 포터의 다섯 가지 힘 분석 - 2023년 GaN 게이트 드라이버의 제조 비용 구조 분석 - GaN 게이트 드라이버의 제조 공정 분석 - GaN 게이트 드라이버 산업 체인 - 직접 채널 장단점 - 간접 채널 장단점 - 방법론 - 조사 프로세스 및 데이터 소스 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 질화 갈륨(GaN) 전력 스위칭 소자의 효율적인 동작을 위한 필수적인 제어 회로인 GaN 게이트 드라이버는, 오늘날 고성능 전력 변환 시스템 설계에서 매우 중요한 역할을 담당하고 있습니다. GaN 소자는 실리콘(Si) 기반 MOSFET에 비해 월등히 빠른 스위칭 속도, 낮은 온 저항, 그리고 높은 항복 전압 등의 장점을 제공하지만, 이러한 잠재력을 최대한 발휘하기 위해서는 그에 걸맞은 게이트 드라이버 기술이 뒷받침되어야 합니다. GaN 게이트 드라이버는 GaN 트랜지스터의 게이트 전극에 적절한 전압과 전류를 신속하고 정확하게 공급하여, 소자가 최적의 성능을 발휘하도록 제어하는 핵심적인 부품입니다. GaN 게이트 드라이버의 가장 근본적인 역할은 GaN 트랜지스터의 게이트 전극에 인가되는 전압을 제어하는 것입니다. GaN 트랜지스터는 일반적으로 특정 임계 전압(Vth) 이상으로 게이트 전압이 인가될 때 온(ON) 상태가 되고, 임계 전압 이하로 내려가면 오프(OFF) 상태가 됩니다. 게이트 드라이버는 이 임계 전압을 기준으로 정밀하게 전압 레벨을 조절하여 소자를 효율적으로 온/오프 시킵니다. 또한, GaN 소자는 매우 빠른 스위칭 속도를 가지므로, 게이트 충방전 과정에서 발생하는 기생 커패시턴스를 빠르게 극복하기 위한 높은 피크 전류를 공급해야 합니다. 게이트 드라이버는 이를 위해 순간적으로 높은 전류를 공급할 수 있는 능력을 갖추고 있습니다. GaN 게이트 드라이버의 특징은 GaN 소자의 특성과 밀접하게 연관되어 있습니다. 첫째, **높은 스위칭 속도**를 지원하는 것이 필수적입니다. GaN 트랜지스터는 수십 MHz 이상의 스위칭 주파수에서도 효율적으로 동작할 수 있으므로, 게이트 드라이버 역시 이러한 빠른 스위칭을 지원할 수 있어야 합니다. 이는 짧은 게이트 충방전 시간을 의미하며, 이를 위해서는 높은 펄스 전류를 공급하는 능력이 중요합니다. 둘째, **낮은 기생 요소**를 특징으로 합니다. 효과적인 게이트 드라이버는 게이트 드라이버 자체의 내부 기생 커패시턴스나 인덕턴스를 최소화하여 소자의 스위칭 속도에 미치는 영향을 줄여야 합니다. 셋째, **정밀한 게이트 전압 제어**가 요구됩니다. GaN 트랜지스터의 특성에 따라 최적의 게이트 전압이 존재하며, 게이트 드라이버는 이 전압을 안정적으로 유지하고 정확하게 변경할 수 있어야 합니다. 과도한 게이트 전압은 소자의 손상을 초래할 수 있으며, 부족한 전압은 온 저항을 증가시켜 효율을 저하시킬 수 있습니다. 넷째, **신뢰성 있는 보호 기능**을 갖추어야 합니다. 과전류, 과전압, 과열 등으로부터 GaN 소자를 보호하기 위한 다양한 보호 회로가 내장되어야 합니다. 예를 들어, UVLO(Under-Voltage Lockout) 기능을 통해 게이트 드라이버 전압이 설정값 이하로 떨어지면 출력을 차단하여 소자 손상을 방지합니다. 또한, 과도한 게이트 전압 인가를 방지하기 위한 OVP(Over-Voltage Protection) 기능도 중요한 역할을 합니다. GaN 게이트 드라이버는 크게 통합형(Integrated) 게이트 드라이버와 분리형(Discrete) 게이트 드라이버로 나눌 수 있습니다. 통합형 게이트 드라이버는 하나의 칩 안에 게이트 구동 회로뿐만 아니라 컨트롤러, 보호 기능 등을 집적한 형태로, 설계 편의성과 컴팩트함을 제공합니다. 이는 GaN 소자의 동작을 최적화하기 위해 필요한 다양한 기능을 하나의 패키지로 제공하므로, PCB 공간을 절약하고 시스템의 전반적인 효율성을 향상시키는 데 기여합니다. 분리형 게이트 드라이버는 일반적으로 별도의 트랜지스터나 IC를 사용하여 게이트 구동 회로를 구성하는 방식입니다. 이는 설계 유연성이 높아 특정 애플리케이션의 요구사항에 맞춰 최적화된 드라이버를 구성할 수 있다는 장점이 있습니다. 하지만 통합형에 비해 설계가 복잡해지고 부품 수가 늘어날 수 있습니다. GaN 게이트 드라이버의 용도는 매우 광범위합니다. 첫째, **고주파 스위칭 전원 공급 장치(SMPS)** 분야에서 널리 사용됩니다. 서버 전원, 통신 장비 전원, PC 전원 등 높은 효율과 컴팩트함을 요구하는 다양한 애플리케이션에서 GaN 게이트 드라이버가 핵심적인 역할을 합니다. 둘째, **전기 자동차(EV)용 온보드 충전기(OBC)** 및 **전력 변환 시스템**에서도 GaN 게이트 드라이버의 적용이 증가하고 있습니다. EV의 효율 향상과 경량화에 기여하며, 더 빠른 충전 속도를 가능하게 합니다. 셋째, **태양광 인버터** 및 **풍력 발전 시스템**에서도 고효율 전력 변환을 위해 GaN 기술이 적용되고 있으며, 이에 따라 GaN 게이트 드라이버의 중요성도 커지고 있습니다. 넷째, **레이더 시스템**, **통신 장비** 등 고주파 고출력 애플리케이션에서도 GaN 게이트 드라이버의 역할이 중요합니다. GaN 게이트 드라이버와 관련된 기술은 지속적으로 발전하고 있습니다. **고속 게이트 구동 기술**은 더욱 빠른 스위칭 속도를 지원하기 위한 핵심 기술로, 게이트 드라이버의 상승/하강 시간을 단축시키는 데 초점을 맞추고 있습니다. **데드타임(Dead-time) 제어**는 상단(High-side) 및 하단(Low-side) 스위치가 동시에 켜지는 것을 방지하여 쇼트 방지(Shoot-through)를 막는 중요한 기능입니다. GaN 소자의 빠른 스위칭 속도는 짧은 데드타임을 요구하므로, 정밀하고 빠른 데드타임 제어 기술이 필수적입니다. **전력 통합(Power Integration)** 기술은 게이트 드라이버와 GaN 소자를 하나의 모듈로 통합하여 성능을 극대화하고 시스템의 복잡성을 줄이는 방향으로 발전하고 있습니다. **디지털 제어 기술**의 접목은 게이트 드라이버의 동작을 더욱 유연하고 지능적으로 제어할 수 있게 하여, 시스템의 성능 최적화 및 다양한 보호 기능 구현을 용이하게 합니다. 또한, **저EMI(Electromagnetic Interference) 설계 기술**은 GaN 소자의 빠른 스위칭으로 발생하는 전자기 간섭을 최소화하여 시스템의 신뢰성을 높이는 데 중요한 역할을 합니다. GaN 소자의 특성에 맞는 적절한 게이트 전압 프로파일을 생성하고, 기생 인덕턴스의 영향을 최소화하는 패키징 기술 역시 중요한 관련 기술이라 할 수 있습니다. 마지막으로, **안전성 및 신뢰성 향상 기술**은 과도한 게이트 전압, 전류, 온도를 감지하고 이에 대응하는 보호 회로를 더욱 정교하게 만드는 방향으로 발전하고 있으며, 이는 GaN 소자의 수명과 시스템의 안정성을 보장하는 데 필수적입니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 GaN 게이트 드라이버 시장 2024 : 기업, 종류, 용도, 시장예측] (코드 : GIR2406C6555) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
| ※본 조사보고서 [세계의 GaN 게이트 드라이버 시장 2024 : 기업, 종류, 용도, 시장예측] 에 대해서 E메일 문의는 여기를 클릭하세요. |
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