| ■ 영문 제목 : Global GaN Semiconductor Power Devices Market Growth 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : LPI2407D22044 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2024년 5월 (2025년 또는 2026년) 갱신판이 있습니다. 문의주세요. ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
| Single User (1명 열람용) | USD3,660 ⇒환산￦5,124,000 | 견적의뢰/주문/질문 |
| Multi User (5명 열람용) | USD5,490 ⇒환산￦7,686,000 | 견적의뢰/주문/질문 |
| Corporate User (동일기업내 공유가능) | USD7,320 ⇒환산￦10,248,000 | 견적의뢰/구입/질문 |
|
※가격옵션 설명 - 납기는 즉일~2일소요됩니다. 3일이상 소요되는 경우는 별도표기 또는 연락드립니다. - 지불방법은 계좌이체/무통장입금 또는 카드결제입니다. |
LP Information (LPI)사의 최신 조사에 따르면, 글로벌 GaN 반도체 전력 장치 시장 규모는 2023년에 미화 XXX백만 달러로 산출되었습니다. 다운 스트림 시장의 수요가 증가함에 따라 GaN 반도체 전력 장치은 조사 대상 기간 동안 XXX%의 CAGR(연평균 성장율)로 2030년까지 미화 XXX백만 달러의 시장규모로 예상됩니다.
본 조사 보고서는 글로벌 GaN 반도체 전력 장치 시장의 성장 잠재력을 강조합니다. GaN 반도체 전력 장치은 향후 시장에서 안정적인 성장을 보일 것으로 예상됩니다. 그러나 제품 차별화, 비용 절감 및 공급망 최적화는 GaN 반도체 전력 장치의 광범위한 채택을 위해 여전히 중요합니다. 시장 참여자들은 연구 개발에 투자하고, 전략적 파트너십을 구축하고, 진화하는 소비자 선호도에 맞춰 제품을 제공함으로써 GaN 반도체 전력 장치 시장이 제공하는 막대한 기회를 활용해야 합니다.
[주요 특징]
GaN 반도체 전력 장치 시장에 대한 보고서는 다양한 측면을 반영하고 업계에 대한 소중한 통찰력을 제공합니다.
시장 규모 및 성장: 본 조사 보고서는 GaN 반도체 전력 장치 시장의 현재 규모와 성장에 대한 개요를 제공합니다. 여기에는 과거 데이터, 유형별 시장 세분화 (예 : 600V, 기타) 및 지역 분류가 포함될 수 있습니다.
시장 동인 및 과제: 본 보고서는 정부 규제, 환경 문제, 기술 발전 및 소비자 선호도 변화와 같은 GaN 반도체 전력 장치 시장의 성장을 주도하는 요인을 식별하고 분석 할 수 있습니다. 또한 인프라 제한, 범위 불안, 높은 초기 비용 등 업계가 직면한 과제를 강조할 수 있습니다.
경쟁 환경: 본 조사 보고서는 GaN 반도체 전력 장치 시장 내 경쟁 환경에 대한 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 업체의 프로필, 시장 점유율, 전략 및 제공 제품이 포함됩니다. 본 보고서는 또한 신흥 플레이어와 시장에 대한 잠재적 영향을 강조할 수 있습니다.
기술 개발: 본 조사 보고서는 GaN 반도체 전력 장치 산업의 최신 기술 개발에 대해 자세히 살펴볼 수 있습니다. 여기에는 GaN 반도체 전력 장치 기술의 발전, GaN 반도체 전력 장치 신규 진입자, GaN 반도체 전력 장치 신규 투자, 그리고 GaN 반도체 전력 장치의 미래를 형성하는 기타 혁신이 포함됩니다.
다운스트림 고객 선호도: 본 보고서는 GaN 반도체 전력 장치 시장의 고객 구매 행동 및 채택 동향을 조명할 수 있습니다. 여기에는 고객의 구매 결정에 영향을 미치는 요인, GaN 반도체 전력 장치 제품에 대한 선호도가 포함됩니다.
정부 정책 및 인센티브: 본 조사 보고서는 정부 정책 및 인센티브가 GaN 반도체 전력 장치 시장에 미치는 영향을 분석합니다. 여기에는 규제 프레임워크, 보조금, 세금 인센티브 및 GaN 반도체 전력 장치 시장을 촉진하기위한 기타 조치에 대한 평가가 포함될 수 있습니다. 본 보고서는 또한 이러한 정책이 시장 성장을 촉진하는데 미치는 효과도 분석합니다.
환경 영향 및 지속 가능성: 조사 보고서는 GaN 반도체 전력 장치 시장의 환경 영향 및 지속 가능성 측면을 분석합니다.
시장 예측 및 미래 전망: 수행된 분석을 기반으로 본 조사 보고서는 GaN 반도체 전력 장치 산업에 대한 시장 예측 및 전망을 제공합니다. 여기에는 시장 규모, 성장률, 지역 동향, 기술 발전 및 정책 개발에 대한 예측이 포함됩니다.
권장 사항 및 기회: 본 보고서는 업계 이해 관계자, 정책 입안자, 투자자를 위한 권장 사항으로 마무리됩니다. 본 보고서는 시장 참여자들이 새로운 트렌드를 활용하고, 도전 과제를 극복하며, GaN 반도체 전력 장치 시장의 성장과 발전에 기여할 수 있는 잠재적 기회를 강조합니다.
[시장 세분화]
GaN 반도체 전력 장치 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 수량 및 금액 측면에서 제공합니다.
*** 종류별 세분화 ***
600V, 기타
*** 용도별 세분화 ***
서버/기타 IT 장비, 고효율/안정적인 전원 공급 장치, HEV/EV 장치의 급속한 확장
본 보고서는 또한 시장을 지역별로 분류합니다:
– 미주 (미국, 캐나다, 멕시코, 브라질)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 호주)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 중동 및 아프리카 (이집트, 남아프리카 공화국, 이스라엘, 터키, GCC 국가)
아래 프로파일링 대상 기업은 주요 전문가로부터 수집한 정보를 바탕으로 해당 기업의 서비스 범위, 제품 포트폴리오, 시장 점유율을 분석하여 선정되었습니다.
Fujitsu,Toshiba,Koninklijke Philips,Texas Instruments,EPIGAN,NTT Advanced Technology,RF Micro Devices,Cree Incorporated,Aixtron,International Quantum Epitaxy (IQE),Mitsubishi Chemical,AZZURO Semiconductors,Efficient Power Conversion (EPC),GaN Systems,Infineon
[본 보고서에서 다루는 주요 질문]
– 글로벌 GaN 반도체 전력 장치 시장의 향후 10년 전망은 어떻게 될까요?
– 전 세계 및 지역별 GaN 반도체 전력 장치 시장 성장을 주도하는 요인은 무엇입니까?
– 시장과 지역별로 가장 빠르게 성장할 것으로 예상되는 분야는 무엇인가요?
– 최종 시장 규모에 따라 GaN 반도체 전력 장치 시장 기회는 어떻게 다른가요?
– GaN 반도체 전력 장치은 종류, 용도를 어떻게 분류합니까?
※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.
■ 보고서 목차■ 보고서의 범위 ■ 보고서의 요약 ■ 기업별 세계 GaN 반도체 전력 장치 시장분석 ■ 지역별 GaN 반도체 전력 장치에 대한 추이 분석 ■ 미주 시장 ■ 아시아 태평양 시장 ■ 유럽 시장 ■ 중동 및 아프리카 시장 ■ 시장 동인, 도전 과제 및 동향 ■ 제조 비용 구조 분석 ■ 마케팅, 유통업체 및 고객 ■ 지역별 GaN 반도체 전력 장치 시장 예측 ■ 주요 기업 분석 Fujitsu,Toshiba,Koninklijke Philips,Texas Instruments,EPIGAN,NTT Advanced Technology,RF Micro Devices,Cree Incorporated,Aixtron,International Quantum Epitaxy (IQE),Mitsubishi Chemical,AZZURO Semiconductors,Efficient Power Conversion (EPC),GaN Systems,Infineon – Fujitsu – Toshiba – Koninklijke Philips ■ 조사 결과 및 결론 [그림 목록]GaN 반도체 전력 장치 이미지 GaN 반도체 전력 장치 판매량 성장률 (2019-2030) 글로벌 GaN 반도체 전력 장치 매출 성장률 (2019-2030) 지역별 GaN 반도체 전력 장치 매출 (2019, 2023 및 2030) 글로벌 종류별 GaN 반도체 전력 장치 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 종류별 GaN 반도체 전력 장치 매출 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 용도별 GaN 반도체 전력 장치 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 용도별 GaN 반도체 전력 장치 매출 시장 점유율 기업별 GaN 반도체 전력 장치 판매량 시장 2023 기업별 글로벌 GaN 반도체 전력 장치 판매량 시장 점유율 2023 기업별 GaN 반도체 전력 장치 매출 시장 2023 기업별 글로벌 GaN 반도체 전력 장치 매출 시장 점유율 2023 지역별 글로벌 GaN 반도체 전력 장치 판매량 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 GaN 반도체 전력 장치 매출 시장 점유율 2023 미주 GaN 반도체 전력 장치 판매량 (2019-2024) 미주 GaN 반도체 전력 장치 매출 (2019-2024) 아시아 태평양 GaN 반도체 전력 장치 판매량 (2019-2024) 아시아 태평양 GaN 반도체 전력 장치 매출 (2019-2024) 유럽 GaN 반도체 전력 장치 판매량 (2019-2024) 유럽 GaN 반도체 전력 장치 매출 (2019-2024) 중동 및 아프리카 GaN 반도체 전력 장치 판매량 (2019-2024) 중동 및 아프리카 GaN 반도체 전력 장치 매출 (2019-2024) 미국 GaN 반도체 전력 장치 시장규모 (2019-2024) 캐나다 GaN 반도체 전력 장치 시장규모 (2019-2024) 멕시코 GaN 반도체 전력 장치 시장규모 (2019-2024) 브라질 GaN 반도체 전력 장치 시장규모 (2019-2024) 중국 GaN 반도체 전력 장치 시장규모 (2019-2024) 일본 GaN 반도체 전력 장치 시장규모 (2019-2024) 한국 GaN 반도체 전력 장치 시장규모 (2019-2024) 동남아시아 GaN 반도체 전력 장치 시장규모 (2019-2024) 인도 GaN 반도체 전력 장치 시장규모 (2019-2024) 호주 GaN 반도체 전력 장치 시장규모 (2019-2024) 독일 GaN 반도체 전력 장치 시장규모 (2019-2024) 프랑스 GaN 반도체 전력 장치 시장규모 (2019-2024) 영국 GaN 반도체 전력 장치 시장규모 (2019-2024) 이탈리아 GaN 반도체 전력 장치 시장규모 (2019-2024) 러시아 GaN 반도체 전력 장치 시장규모 (2019-2024) 이집트 GaN 반도체 전력 장치 시장규모 (2019-2024) 남아프리카 GaN 반도체 전력 장치 시장규모 (2019-2024) 이스라엘 GaN 반도체 전력 장치 시장규모 (2019-2024) 터키 GaN 반도체 전력 장치 시장규모 (2019-2024) GCC 국가 GaN 반도체 전력 장치 시장규모 (2019-2024) GaN 반도체 전력 장치의 제조 원가 구조 분석 GaN 반도체 전력 장치의 제조 공정 분석 GaN 반도체 전력 장치의 산업 체인 구조 GaN 반도체 전력 장치의 유통 채널 글로벌 지역별 GaN 반도체 전력 장치 판매량 시장 전망 (2025-2030) 글로벌 지역별 GaN 반도체 전력 장치 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 GaN 반도체 전력 장치 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 GaN 반도체 전력 장치 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 GaN 반도체 전력 장치 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 GaN 반도체 전력 장치 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 질화갈륨(GaN) 반도체 전력 장치는 기존의 실리콘(Si) 기반 전력 반도체 장치를 대체하며 급부상하고 있는 차세대 전력 반도체 기술입니다. 질화갈륨은 실리콘보다 훨씬 우수한 전기적, 열적 특성을 가지고 있어 고효율, 고속 스위칭, 고밀도화가 가능한 전력 변환 시스템 구현에 핵심적인 역할을 합니다. 본 문서에서는 GaN 반도체 전력 장치의 기본적인 개념과 주요 특징, 그리고 다양한 응용 분야 및 관련 기술에 대해 심층적으로 설명하고자 합니다. GaN 반도체 전력 장치의 정의는 질화갈륨이라는 화합물 반도체를 기반으로 제작된 전력용 반도체 소자를 의미합니다. 전력 반도체는 전기 에너지의 흐름을 제어하고 변환하는 역할을 담당하며, 전력 전자 시스템의 효율과 성능을 좌우하는 핵심 부품입니다. 기존의 전력 반도체 시장은 대부분 실리콘 기반의 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 및 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)가 주를 이루었으나, 이러한 소자들은 전기적 특성의 한계로 인해 고주파, 고효율, 소형화에 대한 요구를 충족시키기 어려웠습니다. GaN은 이러한 한계를 극복할 수 있는 잠재력을 가진 물질로 주목받고 있습니다. GaN 반도체 전력 장치의 가장 두드러진 특징은 뛰어난 물성에 기인합니다. 첫째, 높은 항복 전압(Breakdown Voltage)을 가집니다. 이는 GaN의 높은 절연 파괴 강도 덕분으로, 더 높은 전압에서도 안정적으로 동작할 수 있음을 의미합니다. 따라서 더 높은 전력 밀도를 구현하거나, 더 높은 전압의 전력 시스템에 적용할 수 있습니다. 둘째, 매우 높은 전자 이동도(Electron Mobility)를 가집니다. GaN은 실리콘보다 전자 이동도가 2~3배 높아 스위칭 속도가 훨씬 빠릅니다. 이는 전력 변환 과정에서의 에너지 손실을 줄여주고, 더 높은 주파수에서 동작할 수 있게 하여 전력 변환 장치의 크기를 줄이는 데 기여합니다. 셋째, 넓은 밴드갭(Wide Bandgap) 물질입니다. GaN의 밴드갭은 실리콘보다 약 3배 넓어 고온에서도 안정적인 성능을 유지할 수 있습니다. 이는 냉각 시스템의 부담을 줄여주고, 극한 환경에서도 동작 가능한 전력 장치 개발을 가능하게 합니다. 넷째, 높은 열전도율을 가집니다. 물론 다이아몬드나 실리콘 카바이드(SiC)만큼 높지는 않지만, 실리콘보다는 우수하여 발생하는 열을 효율적으로 방출할 수 있습니다. 이러한 특성들을 종합하면, GaN 전력 장치는 동일한 성능을 훨씬 작은 크기와 가벼운 무게로 구현할 수 있으며, 에너지 효율 또한 크게 향상시킬 수 있습니다. GaN 반도체 전력 장치는 여러 종류로 나눌 수 있으며, 그 구조와 동작 방식에 따라 분류됩니다. 가장 대표적인 구조는 HEMT(High Electron Mobility Transistor)입니다. GaN HEMT는 서로 다른 물질로 된 두 개의 반도체 계면에서 2차원 전자 가스(2DEG, two-dimensional electron gas)라는 고이동도 전자 채널을 형성하여 고속 스위칭 특성을 구현합니다. 주로 질화알루미늄갈륨(AlGaN)과 질화갈륨(GaN)의 이종 접합(Heterojunction)을 이용하여 제작되며, 게이트 전압에 따라 2DEG 채널의 전류를 제어하는 방식으로 동작합니다. GaN HEMT는 전압 개방형(normally-off)과 전압 폐쇄형(normally-on)으로 나눌 수 있으며, 안전성을 고려하여 일반적으로 전압 개방형 소자가 선호됩니다. 또 다른 종류로는 MOSFET 구조를 적용한 GaN MOSFET도 연구되고 있으며, 기존 MOSFET 기술과의 호환성이 높다는 장점이 있습니다. 또한, 다이오드(Diode) 형태의 전력 장치인 GaN 쇼트키 다이오드(Schottky Diode) 역시 GaN 소재의 장점을 활용하여 고속 복구 및 저 손실 특성을 제공합니다. GaN 반도체 전력 장치의 용도는 매우 광범위합니다. 모바일 기기의 고속 충전기, 노트북 어댑터, 데이터 센터의 전력 공급 장치(PSU) 등에서 효율과 크기를 혁신적으로 개선하는 데 사용되고 있습니다. 이는 더 작고 가벼운 충전기를 가능하게 하고, 데이터 센터의 에너지 소비를 줄여 운영 비용을 절감하는 데 크게 기여합니다. 또한, 전기 자동차(EV) 분야에서도 GaN 전력 장치의 적용이 확대되고 있습니다. 전기 자동차의 온보드 충전기(OBC), DC-DC 컨버터, 인버터 등에 GaN 소자를 적용하면 에너지 효율을 높여 주행 거리를 연장하고, 시스템의 부피와 무게를 줄여 차량 설계를 유연하게 할 수 있습니다. 자동차의 전장화가 가속화됨에 따라, 고온 및 고전압 환경에서도 안정적인 성능을 발휘하는 GaN 전력 장치의 중요성은 더욱 커지고 있습니다. 태양광 발전 시스템의 인버터, 풍력 발전 시스템의 전력 변환 장치 등 신재생 에너지 분야에서도 GaN은 시스템 효율을 높이고 부피를 줄이는 데 기여합니다. 더 나아가, 5G 통신 기지국, 레이더 시스템과 같은 고주파 응용 분야에서도 GaN의 높은 전자 이동도와 항복 전압 특성이 활용되어 통신 성능 향상에 중요한 역할을 하고 있습니다. 산업용 전력 장치, 전기 철도, 항공 우주 등 극한 환경이나 높은 전력 밀도가 요구되는 다양한 분야에서도 GaN 전력 장치의 적용이 점차 확대될 것으로 기대됩니다. GaN 반도체 전력 장치와 관련된 핵심 기술은 다양합니다. 먼저, GaN 에피 택셜 성장 기술입니다. GaN 전력 장치의 성능은 기판 위에 성장되는 고품질의 GaN 결정층에 의해 크게 좌우됩니다. 일반적으로 사파이어(Sapphire), 실리콘 카바이드(SiC), 실리콘(Si) 기판 위에서 GaN 에피 택셜 성장이 이루어지며, 각 기판마다 장단점이 있어 최적의 성장 조건을 확보하는 것이 중요합니다. 특히 실리콘 기판은 대면적화 및 비용 효율성 측면에서 유리하여 많은 연구가 진행되고 있습니다. 다음으로, 소자 구조 설계 기술입니다. GaN HEMT의 경우, 2DEG 채널을 효과적으로 형성하고 전류를 제어하기 위한 게이트 구조, 전극 설계, 채널 두께 등이 중요하며, 누설 전류 감소, 항복 전압 향상 등을 위한 다양한 구조 최적화 연구가 진행되고 있습니다. 또한, 소자의 신뢰성 확보를 위한 기술도 중요합니다. GaN 소자는 실리콘 소자에 비해 열이나 스트레스에 민감할 수 있으므로, 장시간 안정적인 동작을 보장하기 위한 소자 패키징 기술, 열 관리 기술, 계면 제어 기술 등이 필수적입니다. 더불어, GaN 전력 장치를 효율적으로 구동하기 위한 드라이버 회로 설계 기술 역시 중요하게 다루어집니다. GaN 소자는 기존 실리콘 소자와는 다른 구동 특성을 가지므로, 최적의 스위칭 성능을 이끌어내기 위한 전용 드라이버 IC 개발이 요구됩니다. 마지막으로, GaN 기반 시스템 통합 기술도 중요합니다. GaN 소자의 우수한 성능을 최대한 활용하기 위해서는 회로 설계, PCB 레이아웃, 수동 소자 선택 등 시스템 전반에 걸친 최적화가 필요합니다. 요약하자면, GaN 반도체 전력 장치는 실리콘의 한계를 뛰어넘는 우수한 전기적, 열적 특성을 바탕으로 전력 변환 효율 향상, 소형화, 경량화를 실현하는 차세대 기술입니다. 모바일 기기부터 전기 자동차, 신재생 에너지 시스템, 통신 분야에 이르기까지 다양한 응용 분야에서 그 가치를 인정받고 있으며, 지속적인 기술 개발을 통해 앞으로 더욱 중요한 역할을 수행할 것으로 기대됩니다. 고품질 에피 택셜 성장, 정교한 소자 설계, 소자 신뢰성 확보, 그리고 효율적인 시스템 통합 기술은 GaN 전력 장치의 성공적인 상용화와 발전을 위한 핵심 요소라 할 수 있습니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 GaN 반도체 전력 장치 시장 2024-2030] (코드 : LPI2407D22044) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
| ※본 조사보고서 [세계의 GaN 반도체 전력 장치 시장 2024-2030] 에 대해서 E메일 문의는 여기를 클릭하세요. |
※당 사이트에 없는 보고서도 취급 가능한 경우가 많으니 문의 주세요!