| ■ 영문 제목 : Global GaN on Si RF Device Market Growth 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : LPI2407D22036 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2024년 5월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
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LP Information (LPI)사의 최신 조사에 따르면, 글로벌 Si RF 장치 GaN 시장 규모는 2023년에 미화 XXX백만 달러로 산출되었습니다. 다운 스트림 시장의 수요가 증가함에 따라 Si RF 장치 GaN은 조사 대상 기간 동안 XXX%의 CAGR(연평균 성장율)로 2030년까지 미화 XXX백만 달러의 시장규모로 예상됩니다.
본 조사 보고서는 글로벌 Si RF 장치 GaN 시장의 성장 잠재력을 강조합니다. Si RF 장치 GaN은 향후 시장에서 안정적인 성장을 보일 것으로 예상됩니다. 그러나 제품 차별화, 비용 절감 및 공급망 최적화는 Si RF 장치 GaN의 광범위한 채택을 위해 여전히 중요합니다. 시장 참여자들은 연구 개발에 투자하고, 전략적 파트너십을 구축하고, 진화하는 소비자 선호도에 맞춰 제품을 제공함으로써 Si RF 장치 GaN 시장이 제공하는 막대한 기회를 활용해야 합니다.
[주요 특징]
Si RF 장치 GaN 시장에 대한 보고서는 다양한 측면을 반영하고 업계에 대한 소중한 통찰력을 제공합니다.
시장 규모 및 성장: 본 조사 보고서는 Si RF 장치 GaN 시장의 현재 규모와 성장에 대한 개요를 제공합니다. 여기에는 과거 데이터, 유형별 시장 세분화 (예 : 저전력, 고전력) 및 지역 분류가 포함될 수 있습니다.
시장 동인 및 과제: 본 보고서는 정부 규제, 환경 문제, 기술 발전 및 소비자 선호도 변화와 같은 Si RF 장치 GaN 시장의 성장을 주도하는 요인을 식별하고 분석 할 수 있습니다. 또한 인프라 제한, 범위 불안, 높은 초기 비용 등 업계가 직면한 과제를 강조할 수 있습니다.
경쟁 환경: 본 조사 보고서는 Si RF 장치 GaN 시장 내 경쟁 환경에 대한 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 업체의 프로필, 시장 점유율, 전략 및 제공 제품이 포함됩니다. 본 보고서는 또한 신흥 플레이어와 시장에 대한 잠재적 영향을 강조할 수 있습니다.
기술 개발: 본 조사 보고서는 Si RF 장치 GaN 산업의 최신 기술 개발에 대해 자세히 살펴볼 수 있습니다. 여기에는 Si RF 장치 GaN 기술의 발전, Si RF 장치 GaN 신규 진입자, Si RF 장치 GaN 신규 투자, 그리고 Si RF 장치 GaN의 미래를 형성하는 기타 혁신이 포함됩니다.
다운스트림 고객 선호도: 본 보고서는 Si RF 장치 GaN 시장의 고객 구매 행동 및 채택 동향을 조명할 수 있습니다. 여기에는 고객의 구매 결정에 영향을 미치는 요인, Si RF 장치 GaN 제품에 대한 선호도가 포함됩니다.
정부 정책 및 인센티브: 본 조사 보고서는 정부 정책 및 인센티브가 Si RF 장치 GaN 시장에 미치는 영향을 분석합니다. 여기에는 규제 프레임워크, 보조금, 세금 인센티브 및 Si RF 장치 GaN 시장을 촉진하기위한 기타 조치에 대한 평가가 포함될 수 있습니다. 본 보고서는 또한 이러한 정책이 시장 성장을 촉진하는데 미치는 효과도 분석합니다.
환경 영향 및 지속 가능성: 조사 보고서는 Si RF 장치 GaN 시장의 환경 영향 및 지속 가능성 측면을 분석합니다.
시장 예측 및 미래 전망: 수행된 분석을 기반으로 본 조사 보고서는 Si RF 장치 GaN 산업에 대한 시장 예측 및 전망을 제공합니다. 여기에는 시장 규모, 성장률, 지역 동향, 기술 발전 및 정책 개발에 대한 예측이 포함됩니다.
권장 사항 및 기회: 본 보고서는 업계 이해 관계자, 정책 입안자, 투자자를 위한 권장 사항으로 마무리됩니다. 본 보고서는 시장 참여자들이 새로운 트렌드를 활용하고, 도전 과제를 극복하며, Si RF 장치 GaN 시장의 성장과 발전에 기여할 수 있는 잠재적 기회를 강조합니다.
[시장 세분화]
Si RF 장치 GaN 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 수량 및 금액 측면에서 제공합니다.
*** 종류별 세분화 ***
저전력, 고전력
*** 용도별 세분화 ***
통신, 군사/방위, 가전 제품, 기타
본 보고서는 또한 시장을 지역별로 분류합니다:
– 미주 (미국, 캐나다, 멕시코, 브라질)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 호주)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 중동 및 아프리카 (이집트, 남아프리카 공화국, 이스라엘, 터키, GCC 국가)
아래 프로파일링 대상 기업은 주요 전문가로부터 수집한 정보를 바탕으로 해당 기업의 서비스 범위, 제품 포트폴리오, 시장 점유율을 분석하여 선정되었습니다.
WOLFSPEED, INC, MACOM, Infineon Technologies, NXP Semiconductors, GAN Systems, Qorvo Inc., Ampleon Netherlands B.V., SICC, CETC, Dynax, Huawei
[본 보고서에서 다루는 주요 질문]
– 글로벌 Si RF 장치 GaN 시장의 향후 10년 전망은 어떻게 될까요?
– 전 세계 및 지역별 Si RF 장치 GaN 시장 성장을 주도하는 요인은 무엇입니까?
– 시장과 지역별로 가장 빠르게 성장할 것으로 예상되는 분야는 무엇인가요?
– 최종 시장 규모에 따라 Si RF 장치 GaN 시장 기회는 어떻게 다른가요?
– Si RF 장치 GaN은 종류, 용도를 어떻게 분류합니까?
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■ 보고서 목차■ 보고서의 범위 ■ 보고서의 요약 ■ 기업별 세계 Si RF 장치 GaN 시장분석 ■ 지역별 Si RF 장치 GaN에 대한 추이 분석 ■ 미주 시장 ■ 아시아 태평양 시장 ■ 유럽 시장 ■ 중동 및 아프리카 시장 ■ 시장 동인, 도전 과제 및 동향 ■ 제조 비용 구조 분석 ■ 마케팅, 유통업체 및 고객 ■ 지역별 Si RF 장치 GaN 시장 예측 ■ 주요 기업 분석 WOLFSPEED, INC, MACOM, Infineon Technologies, NXP Semiconductors, GAN Systems, Qorvo Inc., Ampleon Netherlands B.V., SICC, CETC, Dynax, Huawei – WOLFSPEED – MACOM – Infineon Technologies ■ 조사 결과 및 결론 [그림 목록]Si RF 장치 GaN 이미지 Si RF 장치 GaN 판매량 성장률 (2019-2030) 글로벌 Si RF 장치 GaN 매출 성장률 (2019-2030) 지역별 Si RF 장치 GaN 매출 (2019, 2023 및 2030) 글로벌 종류별 Si RF 장치 GaN 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 종류별 Si RF 장치 GaN 매출 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 용도별 Si RF 장치 GaN 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 용도별 Si RF 장치 GaN 매출 시장 점유율 기업별 Si RF 장치 GaN 판매량 시장 2023 기업별 글로벌 Si RF 장치 GaN 판매량 시장 점유율 2023 기업별 Si RF 장치 GaN 매출 시장 2023 기업별 글로벌 Si RF 장치 GaN 매출 시장 점유율 2023 지역별 글로벌 Si RF 장치 GaN 판매량 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 Si RF 장치 GaN 매출 시장 점유율 2023 미주 Si RF 장치 GaN 판매량 (2019-2024) 미주 Si RF 장치 GaN 매출 (2019-2024) 아시아 태평양 Si RF 장치 GaN 판매량 (2019-2024) 아시아 태평양 Si RF 장치 GaN 매출 (2019-2024) 유럽 Si RF 장치 GaN 판매량 (2019-2024) 유럽 Si RF 장치 GaN 매출 (2019-2024) 중동 및 아프리카 Si RF 장치 GaN 판매량 (2019-2024) 중동 및 아프리카 Si RF 장치 GaN 매출 (2019-2024) 미국 Si RF 장치 GaN 시장규모 (2019-2024) 캐나다 Si RF 장치 GaN 시장규모 (2019-2024) 멕시코 Si RF 장치 GaN 시장규모 (2019-2024) 브라질 Si RF 장치 GaN 시장규모 (2019-2024) 중국 Si RF 장치 GaN 시장규모 (2019-2024) 일본 Si RF 장치 GaN 시장규모 (2019-2024) 한국 Si RF 장치 GaN 시장규모 (2019-2024) 동남아시아 Si RF 장치 GaN 시장규모 (2019-2024) 인도 Si RF 장치 GaN 시장규모 (2019-2024) 호주 Si RF 장치 GaN 시장규모 (2019-2024) 독일 Si RF 장치 GaN 시장규모 (2019-2024) 프랑스 Si RF 장치 GaN 시장규모 (2019-2024) 영국 Si RF 장치 GaN 시장규모 (2019-2024) 이탈리아 Si RF 장치 GaN 시장규모 (2019-2024) 러시아 Si RF 장치 GaN 시장규모 (2019-2024) 이집트 Si RF 장치 GaN 시장규모 (2019-2024) 남아프리카 Si RF 장치 GaN 시장규모 (2019-2024) 이스라엘 Si RF 장치 GaN 시장규모 (2019-2024) 터키 Si RF 장치 GaN 시장규모 (2019-2024) GCC 국가 Si RF 장치 GaN 시장규모 (2019-2024) Si RF 장치 GaN의 제조 원가 구조 분석 Si RF 장치 GaN의 제조 공정 분석 Si RF 장치 GaN의 산업 체인 구조 Si RF 장치 GaN의 유통 채널 글로벌 지역별 Si RF 장치 GaN 판매량 시장 전망 (2025-2030) 글로벌 지역별 Si RF 장치 GaN 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 Si RF 장치 GaN 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 Si RF 장치 GaN 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 Si RF 장치 GaN 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 Si RF 장치 GaN 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 갈륨나이트라이드(GaN) on 실리콘(Si) RF 장치에 대한 이해를 돕기 위해 개념, 특징, 종류, 용도 및 관련 기술에 대해 약 3000자 정도로 설명해 드리겠습니다. **갈륨나이트라이드(GaN) on 실리콘(Si) RF 장치** 갈륨나이트라이드(GaN) on 실리콘(Si) RF 장치는 차세대 고주파(RF) 통신 시스템에서 핵심적인 역할을 수행하는 반도체 소자입니다. 전통적으로 사용되어 온 실리콘(Si) 기반 반도체에 비해 월등히 뛰어난 전자 이동도, 높은 항복 전압, 우수한 열 전도성 등의 특성을 가진 GaN을 실리콘 기판 위에 성장시켜 제작되는 소자를 의미합니다. 이러한 특성 덕분에 GaN on Si RF 장치는 기존의 GaAs(갈륨비소) 기반 소자나 실리콘 기반 소자로는 구현하기 어려웠던 고출력, 고효율, 고주파 동작을 가능하게 합니다. GaN on Si RF 장치의 기본적인 개념은 고성능의 GaN 물질을 저렴하고 대면적으로 제작 가능한 실리콘 웨이퍼 상에 성장시키는 것입니다. GaN은 직접 밴드갭을 가지며 높은 전자 포화 속도를 가지고 있어 고속 스위칭 및 고주파 증폭에 매우 유리합니다. 또한, GaN은 열 전도성이 실리콘보다 뛰어나 고출력 동작 시 발생하는 열을 효과적으로 방출할 수 있다는 장점도 있습니다. 반면, GaN 단결정 기판은 제조 비용이 매우 높고 대면적화가 어렵다는 단점이 있습니다. 이러한 GaN 기판의 한계를 극복하기 위해 저렴하고 풍부한 실리콘 기판 위에 GaN 박막을 성장시키는 기술이 개발되었는데, 이것이 바로 GaN on Si 기술의 핵심입니다. GaN on Si RF 장치의 주요 특징은 다음과 같습니다. 첫째, **높은 출력 밀도**입니다. GaN은 높은 항복 전압을 가지고 있어 더 높은 전압에서 동작할 수 있으며, 이는 동일 면적당 더 높은 출력을 낼 수 있음을 의미합니다. 둘째, **높은 효율**입니다. GaN의 높은 전자 이동도와 낮은 직렬 저항은 전력 변환 손실을 줄여 고효율 동작을 가능하게 합니다. 이는 전력 소비를 줄여 배터리 수명을 연장하거나 발열을 감소시키는 데 기여합니다. 셋째, **넓은 동작 주파수 범위**입니다. GaN on Si RF 장치는 수십 GHz 이상의 매우 높은 주파수에서도 우수한 성능을 유지하므로 5G 및 향후 6G 통신, 위성 통신 등 광대역 고주파 애플리케이션에 적합합니다. 넷째, **우수한 열 방출 능력**입니다. 실리콘은 GaN 자체보다 열 전도성이 낮지만, GaN on Si 구조는 적절한 버퍼층 설계를 통해 GaN 자체의 뛰어난 열 전도성을 일부 활용할 수 있습니다. 더불어 실리콘 기판의 열 방출 능력 덕분에 효과적인 열 관리가 가능해져 장치 신뢰성을 높일 수 있습니다. 마지막으로 **저렴한 제조 비용**입니다. 실리콘은 현재 반도체 산업에서 가장 보편적으로 사용되는 기판으로, 성숙된 공정 기술과 대량 생산 능력을 바탕으로 가격 경쟁력이 매우 높습니다. GaN on Si 기술은 이러한 실리콘 기판의 장점을 활용하여 GaN 기반 고성능 소자의 가격을 낮추는 데 크게 기여합니다. GaN on Si RF 장치는 그 구조와 동작 방식에 따라 다양한 종류로 나눌 수 있습니다. 가장 대표적인 구조는 **HEMT(High Electron Mobility Transistor)**입니다. HEMT는 서로 다른 밴드갭 에너지를 가진 두 개의 화합물 반도체 계면에서 2차원 전자 가스(2DEG) 채널을 형성하여 높은 전자 이동도를 얻는 구조입니다. GaN on Si HEMT의 경우, 주로 AlGaN/GaN 이종접합을 이용하여 채널을 형성합니다. AlGaN과 GaN의 격자 불일치, 그리고 양자 역학적 효과로 인해 높은 농도의 2DEG가 형성되며, 이 2DEG의 높은 이동도 덕분에 고속 스위칭 및 고주파 증폭이 가능해집니다. HEMT는 다시 **슈피트키 접합(Schottky junction)**을 게이트로 사용하는 **Schottky HEMT**와, 질화물 반도체 터널링 접합을 이용하는 **게이트 접합 HEMT** 등으로 세분화될 수 있습니다. 또한, 절연체와 반도체 계면을 활용하는 **MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)** 기반의 GaN on Si 장치도 연구 및 개발되고 있습니다. GaN on Si RF 장치는 그 뛰어난 성능으로 인해 매우 광범위한 분야에서 활용되고 있습니다. 주요 용도로는 **5G 및 차세대 이동통신 기지국 증폭기**가 있습니다. 5G 통신은 더 높은 주파수 대역과 더 넓은 대역폭을 사용하므로 기존 기술로는 구현하기 어려운 고출력 및 고효율 증폭기가 필수적입니다. GaN on Si RF 장치는 이러한 요구 사항을 충족시키며, 기지국의 전력 소비를 줄이고 더 넓은 커버리지를 제공하는 데 기여합니다. 또한, **위성 통신 및 레이더 시스템**에서도 중요한 역할을 합니다. 높은 주파수에서의 안정적인 고출력 신호 생성은 위성 통신의 효율성을 높이고 레이더 시스템의 탐지 성능을 향상시킵니다. **무선 통신 장비**의 증폭기, **전자전 장비**, **고출력 스위칭 장치** 등 다양한 군사 및 항공우주 분야에서도 그 활용도가 높습니다. 최근에는 전기차의 **전력 변환 장치(DC-DC 컨버터, 인버터)**에서도 GaN on Si 기술이 주목받고 있으며, 이는 차량의 에너지 효율을 높이고 소형화를 가능하게 합니다. GaN on Si RF 장치의 개발 및 상용화를 위해서는 다양한 관련 기술들이 뒷받침되어야 합니다. 가장 중요한 기술 중 하나는 **고품질 GaN 박막 성장 기술**입니다. 실리콘 기판은 GaN과 격자 상수가 크게 다르기 때문에, GaN 박막 성장 시 격자 불일치로 인한 전위(dislocation) 및 스트레인(strain)이 발생하기 쉽습니다. 이러한 결함은 소자의 성능 저하 및 신뢰성 문제를 야기할 수 있습니다. 따라서, 이를 최소화하기 위해 다양한 **버퍼층 기술**이 개발되었습니다. 예를 들어, AlN(질화알루미늄), AlGaN 등 다양한 조성을 갖는 다층 버퍼 구조를 사용하여 격자 불일치를 점진적으로 완화시키고 전위의 확산을 억제하는 기술이 적용됩니다. 또한, **전기적 특성 및 신뢰성 향상을 위한 소자 설계 기술**도 매우 중요합니다. 게이트 전극, 소스/드레인 전극의 최적화, 계면 특성 개선, 열 방출 구조 설계 등 다양한 측면에서의 연구가 활발히 진행되고 있습니다. **고주파 소자 특성 분석 및 검증 기술** 또한 필수적이며, RF 매칭, 임피던스 특성, 잡음 지수 등 고주파 회로 설계에 필요한 다양한 파라미터들을 정확하게 측정하고 분석하는 기술이 요구됩니다. 마지막으로, **에피 성장된 GaN on Si 웨이퍼를 반도체 소자로 제작하는 공정 기술** 역시 중요합니다. 이는 포토리소그래피, 식각, 금속 증착 등 기존의 실리콘 공정 기술과 GaN 특성에 맞는 새로운 공정 기술의 융합을 필요로 합니다. 요약하자면, GaN on Si RF 장치는 고성능 GaN 소재의 이점을 저렴한 실리콘 기판 위에서 실현함으로써, 기존의 한계를 뛰어넘는 고출력, 고효율, 고주파 동작을 가능하게 하는 혁신적인 기술입니다. 5G 통신을 비롯한 다양한 첨단 산업 분야에서 핵심적인 역할을 수행할 것으로 기대되며, 관련 소재 성장, 소자 설계, 공정 기술의 지속적인 발전이 이루어지고 있습니다. |
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