| ■ 영문 제목 : Global GaAs RF Devices Market Growth 2025-2031 | |
 | ■ 상품코드 : LPK23JU1401 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2025년 3월 ■ 페이지수 : 94 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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| LP인포메이션 (LPI) 의 최신 조사 자료는 GaAs RF 기기의 과거 판매실적을 살펴보고 2024년의 GaAs RF 기기 판매실적을 검토하여 2025년부터 2031년까지 예상되는 GaAs RF 기기 판매에 대한 지역 및 시장 세그먼트별 포괄적인 분석을 제공합니다. 글로벌 GaAs RF 기기 시장규모는 2024년 xxx백만 달러에서 연평균 xx% 성장하여 2031년에는 xxx백만 달러에 달할 것으로 예측되고 있습니다. 본 보고서의 시장규모 데이터는 무역 전쟁 및 러시아-우크라이나 전쟁의 영향을 반영했습니다. 본 조사 자료는 글로벌 GaAs RF 기기 시장에 관해서 조사, 분석한 보고서로서, 기업별 시장 점유율, 지역별 시장규모 (미주, 미국, 캐나다, 멕시코, 브라질, 아시아 태평양, 중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 유럽, 독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아, 중동/아프리카, 이집트, 남아프리카, 터키, 중동GCC국 등), 시장동향, 판매/유통업자/고객 리스트, 시장예측 (2026년-2031년), 주요 기업동향 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) 등의 정보를 수록하고 있습니다. 또한, 주요지역의 종류별 (파워 앰프, RF 스위치, 고주파 필터, 저잡음 앰프, 기타) 시장규모와 용도별 (가전, 무선 통신) 시장규모 데이터도 포함되어 있습니다. ***** 목차 구성 ***** 보고서의 범위 경영자용 요약 - 글로벌 GaAs RF 기기 시장규모 2020년-2031년 - 지역별 GaAs RF 기기 시장분석 - 종류별 GaAs RF 기기 시장규모 2020년-2025년 (파워 앰프, RF 스위치, 고주파 필터, 저잡음 앰프, 기타) - 용도별 GaAs RF 기기 시장규모 2020년-2025년 (가전, 무선 통신) 기업별 GaAs RF 기기 시장분석 - 기업별 GaAs RF 기기 판매량 - 기업별 GaAs RF 기기 매출액 - 기업별 GaAs RF 기기 판매가격 - 주요기업의 GaAs RF 기기 생산거점, 판매거점 - 시장 집중도 분석 지역별 분석 - 지역별 GaAs RF 기기 판매량 2020년-2025년 - 지역별 GaAs RF 기기 매출액 2020년-2025년 미주 시장 - 미주의 GaAs RF 기기 시장규모 2020년-2025년 - 미주의 GaAs RF 기기 시장규모 : 종류별 - 미주의 GaAs RF 기기 시장규모 : 용도별 - 미국 GaAs RF 기기 시장규모 - 캐나다 GaAs RF 기기 시장규모 - 멕시코 GaAs RF 기기 시장규모 - 브라질 GaAs RF 기기 시장규모 아시아 태평양 시장 - 아시아 태평양의 GaAs RF 기기 시장규모 2020년-2025년 - 아시아 태평양의 GaAs RF 기기 시장규모 : 종류별 - 아시아 태평양의 GaAs RF 기기 시장규모 : 용도별 - 중국 GaAs RF 기기 시장규모 - 일본 GaAs RF 기기 시장규모 - 한국 GaAs RF 기기 시장규모 - 동남아시아 GaAs RF 기기 시장규모 - 인도 GaAs RF 기기 시장규모 유럽 시장 - 유럽의 GaAs RF 기기 시장규모 2020년-2025년 - 유럽의 GaAs RF 기기 시장규모 : 종류별 - 유럽의 GaAs RF 기기 시장규모 : 용도별 - 독일 GaAs RF 기기 시장규모 - 프랑스 GaAs RF 기기 시장규모 - 영국 GaAs RF 기기 시장규모 중동/아프리카 시장 - 중동/아프리카의 GaAs RF 기기 시장규모 2020년-2025년 - 중동/아프리카의 GaAs RF 기기 시장규모 : 종류별 - 중동/아프리카의 GaAs RF 기기 시장규모 : 용도별 - 이집트 GaAs RF 기기 시장규모 - 남아프리카 GaAs RF 기기 시장규모 - 중동GCC GaAs RF 기기 시장규모 시장의 성장요인, 과제, 동향 - 시장의 성장요인, 기회 - 시장의 과제, 리스크 - 산업 동향 제조원가 구조 분석 - 원재료 및 공급업체 - GaAs RF 기기의 제조원가 구조 분석 - GaAs RF 기기의 제조 프로세스 분석 - GaAs RF 기기의 산업체인 구조 마케팅, 유통업체, 고객 - 판매채널 - GaAs RF 기기의 유통업체 - GaAs RF 기기의 주요 고객 지역별 GaAs RF 기기 시장 예측 - 지역별 GaAs RF 기기 시장규모 예측 2026년-2031년 - 미주 시장 예측 - 아시아 태평양 시장 예측 - 유럽 시장 예측 - 중동/아프리카 시장 예측 - GaAs RF 기기의 종류별 시장예측 (파워 앰프, RF 스위치, 고주파 필터, 저잡음 앰프, 기타) - GaAs RF 기기의 용도별 시장예측 (가전, 무선 통신) 주요 기업 분석 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) - Skyworks, Qorvo, Broadcom, Sumitomo Electric Industries, Murata Manufacturing, MACOM, Analog Devices, Mitsubishi Electric 조사의 결과/결론 |
LPI (LP Information)’ newest research report, the “GaAs RF Devices Industry Forecast” looks at past sales and reviews total world GaAs RF Devices sales in 2024, providing a comprehensive analysis by region and market sector of projected GaAs RF Devices sales for 2025 through 2031. With GaAs RF Devices sales broken down by region, market sector and sub-sector, this report provides a detailed analysis in US$ millions of the world GaAs RF Devices industry.
This Insight Report provides a comprehensive analysis of the global GaAs RF Devices landscape and highlights key trends related to product segmentation, company formation, revenue, and market share, latest development, and M&A activity. This report also analyzes the strategies of leading global companies with a focus on GaAs RF Devices portfolios and capabilities, market entry strategies, market positions, and geographic footprints, to better understand these firms’ unique position in an accelerating global GaAs RF Devices market.
This Insight Report evaluates the key market trends, drivers, and affecting factors shaping the global outlook for GaAs RF Devices and breaks down the forecast by type, by application, geography, and market size to highlight emerging pockets of opportunity. With a transparent methodology based on hundreds of bottom-up qualitative and quantitative market inputs, this study forecast offers a highly nuanced view of the current state and future trajectory in the global GaAs RF Devices.
The global GaAs RF Devices market size is projected to grow from US$ million in 2024 to US$ million in 2031; it is expected to grow at a CAGR of % from 2025 to 2031.
United States market for GaAs RF Devices is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
China market for GaAs RF Devices is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Europe market for GaAs RF Devices is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Global key GaAs RF Devices players cover Skyworks, Qorvo, Broadcom, Sumitomo Electric Industries, Murata Manufacturing, MACOM, Analog Devices and Mitsubishi Electric, etc. In terms of revenue, the global two largest companies occupied for a share nearly % in 2024.
This report presents a comprehensive overview, market shares, and growth opportunities of GaAs RF Devices market by product type, application, key manufacturers and key regions and countries.
[Market Segmentation]
Segmentation by type
Power Amplifier
RF Switch
Radio Frequency Filter
Low Noise Amplifier
Others
Segmentation by application
Consumer Electronics
Wireless Communication
This report also splits the market by region:
Americas
United States
Canada
Mexico
Brazil
APAC
China
Japan
Korea
Southeast Asia
India
Australia
Europe
Germany
France
UK
Italy
Russia
Middle East & Africa
Egypt
South Africa
Israel
Turkey
GCC Countries
The below companies that are profiled have been selected based on inputs gathered from primary experts and analyzing the company’s coverage, product portfolio, its market penetration.
Skyworks
Qorvo
Broadcom
Sumitomo Electric Industries
Murata Manufacturing
MACOM
Analog Devices
Mitsubishi Electric
[Key Questions Addressed in this Report]
What is the 10-year outlook for the global GaAs RF Devices market?
What factors are driving GaAs RF Devices market growth, globally and by region?
Which technologies are poised for the fastest growth by market and region?
How do GaAs RF Devices market opportunities vary by end market size?
How does GaAs RF Devices break out type, application?
What are the influences of trade war and Russia-Ukraine war?
1 Scope of the Report |
| ※참고 정보 ## 갈륨비소(GaAs) RF 기기 개론 갈륨비소(GaAs) RF 기기는 무선 주파수(RF) 신호를 처리하는 데 사용되는 전자 부품을 의미합니다. 갈륨(Ga)과 비소(As)라는 두 원소를 결합하여 만든 화합물 반도체인 갈륨비소는 실리콘(Si)과 같은 기존 반도체 소재에 비해 우수한 전기적 특성을 가지고 있어 고주명, 고주파수 응용 분야에서 핵심적인 역할을 수행합니다. 본 글에서는 GaAs RF 기기의 개념과 주요 특징, 그리고 다양한 응용 분야에 대해 심도 있게 논의하고자 합니다. GaAs RF 기기의 가장 두드러진 특징은 **높은 전자 이동도**입니다. 이는 전자들이 재료를 통해 더 빠르고 효율적으로 이동할 수 있음을 의미하며, 결과적으로 훨씬 더 높은 주파수에서 작동할 수 있게 합니다. 또한, GaAs는 실리콘보다 **낮은 누설 전류**를 가지므로 에너지 효율이 뛰어나고, **높은 항복 전압**을 견딜 수 있어 높은 전력 레벨에서도 안정적으로 작동할 수 있습니다. 이러한 장점들은 GaAs를 레이더, 위성 통신, 휴대폰 기지국 등 고성능 RF 시스템에 필수적인 소재로 만듭니다. 더불어, GaAs는 **저잡음 특성**도 우수하여 미약한 신호를 증폭해야 하는 민감한 수신기에 매우 적합합니다. GaAs RF 기기는 그 기능과 구조에 따라 다양하게 분류될 수 있습니다. 대표적인 종류로는 **고전자 이동 트랜지스터(HEMT, High Electron Mobility Transistor)**, **MESFET(MEtal Semiconductor Field-Effect Transistor)**, **HBT(Heterojunction Bipolar Transistor)**, 그리고 **PIN 다이오드** 등이 있습니다. HEMT는 높은 전자 이동도를 활용하여 초고주파 대역에서 최고의 성능을 발휘하며, 특히 저잡음 증폭기(LNA)나 고속 스위치에 많이 사용됩니다. MESFET는 비교적 간단한 구조로 제작이 용이하며, 증폭기나 혼합기 등에 폭넓게 활용됩니다. HBT는 바이폴라 트랜지스터의 높은 전류 증폭 능력을 바탕으로 고출력 증폭기에 적합하며, PIN 다이오드는 고속 스위칭 특성을 이용하여 RF 신호의 차단 및 통과를 제어하는 데 사용됩니다. 또한, GaAs는 **고효율 전력 증폭기(PA, Power Amplifier)** 제작에도 중요한 역할을 하는데, 이는 무선 통신 장비의 송신 전력을 효율적으로 증폭하여 통신 거리와 품질을 향상시키는 데 필수적입니다. GaAs RF 기기의 용도는 매우 광범위합니다. **이동 통신 분야**에서는 휴대폰, 스마트폰, 그리고 기지국에서 고속 데이터 전송과 안정적인 통신을 위해 GaAs 기반의 PA, LNA, 스위치 등이 필수적으로 사용됩니다. **위성 통신 분야**에서는 위성 탑재 장비 및 지상 수신 장비에서 고성능 RF 프론트엔드를 구성하는 데 GaAs RF 기기가 핵심적인 역할을 합니다. 이는 위성과 지구 간의 안정적이고 효율적인 통신을 가능하게 합니다. **레이더 시스템**에서는 목표물 탐지 및 추적을 위해 고출력, 고주파수에서 작동하는 GaAs 기반의 증폭기 및 스위치가 사용되며, 특히 고해상도 레이더의 성능 향상에 기여합니다. **무선 LAN (Wi-Fi)**과 같은 무선 통신 기술에서도 고속 데이터 전송을 지원하기 위해 GaAs RF 부품이 활용됩니다. 또한, **항공우주 및 방위 산업**에서는 극한의 환경에서도 안정적인 성능을 발휘하는 GaAs RF 기기의 신뢰성이 중요하게 작용합니다. 최근에는 **5G 및 차세대 통신 기술**의 발전과 함께 더 높은 주파수 대역과 더 넓은 대역폭을 지원할 수 있는 고성능 GaAs RF 기기에 대한 수요가 더욱 증가하고 있습니다. GaAs RF 기기와 관련된 주요 기술로는 **공정 기술**과 **소자 설계 기술**이 있습니다. GaAs 웨이퍼 제조, 에피택셜 성장, 포토리소그래피, 식각, 금속 증착 등 다양한 첨단 반도체 공정 기술이 GaAs RF 기기의 성능과 신뢰성을 결정짓습니다. 특히, 마이크로파 및 밀리미터파 대역에서 우수한 성능을 얻기 위해서는 나노미터 스케일의 미세 공정이 필수적입니다. 소자 설계 측면에서는 HEMT, HBT 등 다양한 소자 구조를 최적화하고, 고주파수 특성을 극대화하며, 저잡음 및 고출력 특성을 동시에 만족시키는 연구가 활발히 진행되고 있습니다. 또한, GaAs와 다른 소재(예: 질화갈륨, GaN)를 접합하여 새로운 특성을 얻는 **이종 접합 기술**이나 **통합 기술**도 GaAs RF 기기의 성능 향상을 위한 중요한 연구 분야입니다. 예를 들어, GaAs와 GaN을 통합하는 기술은 고출력 및 고효율 특성을 동시에 확보하는 데 기여할 수 있습니다. 이러한 관련 기술의 발전은 앞으로 더욱 혁신적인 GaAs RF 기기의 탄생을 이끌 것으로 기대됩니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 GaAs RF 기기 시장 2025-2031] (코드 : LPK23JU1401) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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