| ■ 영문 제목 : Global GaAs RF Semiconductors Market Growth 2025-2031 | |
 | ■ 상품코드 : LPK23JL1371 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2025년 3월 ■ 페이지수 : 107 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
| Single User (1명 열람용) | USD3,660 ⇒환산￦4,941,000 | 견적의뢰/주문/질문 |
| Multi User (20명 열람용) | USD5,490 ⇒환산￦7,411,500 | 견적의뢰/주문/질문 |
| Corporate User (기업 열람용) | USD7,320 ⇒환산￦9,882,000 | 견적의뢰/구입/질문 |
|
※가격옵션 설명 - 납기는 즉일~2일소요됩니다. 3일이상 소요되는 경우는 별도표기 또는 연락드립니다. - 지불방법은 계좌이체/무통장입금 또는 카드결제입니다. |
| LPI (LP Information)의 최신 조사 보고서는 GaAs RF 반도체의 과거 판매실적을 살펴보고 2024년의 GaAs RF 반도체 판매실적을 검토하여 2025년부터 2031년까지 예상되는 GaAs RF 반도체 판매에 대한 지역 및 시장 세그먼트별 포괄적인 분석을 제공합니다. 세계의 GaAs RF 반도체 시장규모는 2024년 xxx백만 달러에서 연평균 xx% 성장하여 2031년에는 xxx백만 달러에 달할 것으로 예측되고 있습니다. 본 보고서의 시장규모 데이터는 무역 전쟁 및 러시아-우크라이나 전쟁의 영향을 반영했습니다. 본 보고서는 GaAs RF 반도체의 세계시장에 관해서 조사, 분석한 자료로서, 기업별 시장 점유율, 지역별 시장규모 (미주, 미국, 캐나다, 멕시코, 브라질, 아시아, 중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 유럽, 독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아, 중동/아프리카, 이집트, 남아프리카, 터키, 중동GCC국 등), 시장동향, 판매/유통업자/고객 리스트, 시장예측 (2026년-2031년), 주요 기업동향 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) 등의 정보를 포함하고 있습니다. 또한, 주요지역의 종류별 시장규모 (VHF, UHF, EHF)와 용도별 시장규모 (가전, 통신, 항공 우주 및 방위, 자동차, CATV 및 유선 광대역, 기타) 데이터도 수록되어 있습니다. ***** 목차 구성 ***** 보고서의 범위 경영자용 요약 - 세계의 GaAs RF 반도체 시장규모 2020년-2031년 - 지역별 GaAs RF 반도체 시장분석 - 종류별 GaAs RF 반도체 시장규모 2020년-2025년 (VHF, UHF, EHF) - 용도별 GaAs RF 반도체 시장규모 2020년-2025년 (가전, 통신, 항공 우주 및 방위, 자동차, CATV 및 유선 광대역, 기타) 기업별 GaAs RF 반도체 시장분석 - 기업별 GaAs RF 반도체 판매량 - 기업별 GaAs RF 반도체 매출액 - 기업별 GaAs RF 반도체 판매가격 - 주요기업의 GaAs RF 반도체 생산거점, 판매거점 - 시장 집중도 분석 지역별 분석 - 지역별 GaAs RF 반도체 판매량 2020년-2025년 - 지역별 GaAs RF 반도체 매출액 2020년-2025년 미주 시장 - 미주의 GaAs RF 반도체 시장규모 2020년-2025년 - 미주의 GaAs RF 반도체 시장규모 : 종류별 - 미주의 GaAs RF 반도체 시장규모 : 용도별 - 미국 GaAs RF 반도체 시장규모 - 캐나다 GaAs RF 반도체 시장규모 - 멕시코 GaAs RF 반도체 시장규모 - 브라질 GaAs RF 반도체 시장규모 아시아 시장 - 아시아의 GaAs RF 반도체 시장규모 2020년-2025년 - 아시아의 GaAs RF 반도체 시장규모 : 종류별 - 아시아의 GaAs RF 반도체 시장규모 : 용도별 - 중국 GaAs RF 반도체 시장규모 - 일본 GaAs RF 반도체 시장규모 - 한국 GaAs RF 반도체 시장규모 - 동남아시아 GaAs RF 반도체 시장규모 - 인도 GaAs RF 반도체 시장규모 유럽 시장 - 유럽의 GaAs RF 반도체 시장규모 2020년-2025년 - 유럽의 GaAs RF 반도체 시장규모 : 종류별 - 유럽의 GaAs RF 반도체 시장규모 : 용도별 - 독일 GaAs RF 반도체 시장규모 - 프랑스 GaAs RF 반도체 시장규모 - 영국 GaAs RF 반도체 시장규모 중동/아프리카 시장 - 중동/아프리카의 GaAs RF 반도체 시장규모 2020년-2025년 - 중동/아프리카의 GaAs RF 반도체 시장규모 : 종류별 - 중동/아프리카의 GaAs RF 반도체 시장규모 : 용도별 - 이집트 GaAs RF 반도체 시장규모 - 남아프리카 GaAs RF 반도체 시장규모 - 중동GCC GaAs RF 반도체 시장규모 시장의 성장요인, 과제, 동향 - 시장의 성장요인, 기회 - 시장의 과제, 리스크 - 산업 동향 제조원가 구조 분석 - 원재료 및 공급업체 - GaAs RF 반도체의 제조원가 구조 분석 - GaAs RF 반도체의 제조 프로세스 분석 - GaAs RF 반도체의 산업체인 구조 마케팅, 유통업체, 고객 - 판매채널 - GaAs RF 반도체의 유통업체 - GaAs RF 반도체의 주요 고객 지역별 GaAs RF 반도체 시장 예측 - 지역별 GaAs RF 반도체 시장규모 예측 2026년-2031년 - 미주 지역 예측 - 아시아 지역 예측 - 유럽 지역 예측 - 중동/아프리카 지역 예측 - GaAs RF 반도체의 종류별 시장예측 (VHF, UHF, EHF) - GaAs RF 반도체의 용도별 시장예측 (가전, 통신, 항공 우주 및 방위, 자동차, CATV 및 유선 광대역, 기타) 주요 기업 분석 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) - Qorvo, Skyworks, Analog Devices, Qualcomm, NXP Semiconductors, MACOM, Microchip Technology, Murata Manufacturing, Cree, Maxim Integrated 조사의 결론 |
Gallium arsenide is an important semiconductor material. Semiconductor devices made of gallium arsenide have the advantages of high frequency, high temperature, low temperature performance, low noise, and strong radiation resistance. GaAs has been the material of choice for RF components for smartphones. Some of its advantages include very high electron mobility, high thermal stability, low noise and wide temperature operating range. This makes it suitable for a variety of applications, such as consumer equipment, satellite communications and radar, etc. GaA is increasingly used in various RF devices in smartphones, which is driving the market growth.
LPI (LP Information)’ newest research report, the “GaAs RF Semiconductors Industry Forecast” looks at past sales and reviews total world GaAs RF Semiconductors sales in 2024, providing a comprehensive analysis by region and market sector of projected GaAs RF Semiconductors sales for 2025 through 2031. With GaAs RF Semiconductors sales broken down by region, market sector and sub-sector, this report provides a detailed analysis in US$ millions of the world GaAs RF Semiconductors industry.
This Insight Report provides a comprehensive analysis of the global GaAs RF Semiconductors landscape and highlights key trends related to product segmentation, company formation, revenue, and market share, latest development, and M&A activity. This report also analyzes the strategies of leading global companies with a focus on GaAs RF Semiconductors portfolios and capabilities, market entry strategies, market positions, and geographic footprints, to better understand these firms’ unique position in an accelerating global GaAs RF Semiconductors market.
This Insight Report evaluates the key market trends, drivers, and affecting factors shaping the global outlook for GaAs RF Semiconductors and breaks down the forecast by type, by application, geography, and market size to highlight emerging pockets of opportunity. With a transparent methodology based on hundreds of bottom-up qualitative and quantitative market inputs, this study forecast offers a highly nuanced view of the current state and future trajectory in the global GaAs RF Semiconductors.
The global GaAs RF Semiconductors market size is projected to grow from US$ million in 2024 to US$ million in 2031; it is expected to grow at a CAGR of % from 2025 to 2031.
United States market for GaAs RF Semiconductors is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
China market for GaAs RF Semiconductors is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Europe market for GaAs RF Semiconductors is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Global key GaAs RF Semiconductors players cover Qorvo, Skyworks, Analog Devices, Qualcomm, NXP Semiconductors, MACOM, Microchip Technology, Murata Manufacturing and Cree, etc. In terms of revenue, the global two largest companies occupied for a share nearly % in 2024.
This report presents a comprehensive overview, market shares, and growth opportunities of GaAs RF Semiconductors market by product type, application, key manufacturers and key regions and countries.
[Market Segmentation]
Segmentation by type
VHF
UHF
EHF
Segmentation by application
Consumer Devices
Telecommunication
Aerospace and Defense
Automotive
CATV and Wired Broadband
Others
This report also splits the market by region:
Americas
United States
Canada
Mexico
Brazil
APAC
China
Japan
Korea
Southeast Asia
India
Australia
Europe
Germany
France
UK
Italy
Russia
Middle East & Africa
Egypt
South Africa
Israel
Turkey
GCC Countries
The below companies that are profiled have been selected based on inputs gathered from primary experts and analyzing the company’s coverage, product portfolio, its market penetration.
Qorvo
Skyworks
Analog Devices
Qualcomm
NXP Semiconductors
MACOM
Microchip Technology
Murata Manufacturing
Cree
Maxim Integrated
[Key Questions Addressed in this Report]
What is the 10-year outlook for the global GaAs RF Semiconductors market?
What factors are driving GaAs RF Semiconductors market growth, globally and by region?
Which technologies are poised for the fastest growth by market and region?
How do GaAs RF Semiconductors market opportunities vary by end market size?
How does GaAs RF Semiconductors break out type, application?
What are the influences of trade war and Russia-Ukraine war?
1 Scope of the Report |
| ※참고 정보 ## 갈륨비소(GaAs) RF 반도체에 대한 이해 갈륨비소(GaAs) RF 반도체는 무선 주파수(RF) 통신 분야에서 핵심적인 역할을 수행하는 고성능 전자 부품입니다. 이들은 기존의 실리콘(Si) 기반 반도체가 도달하기 어려운 높은 주파수 대역에서 뛰어난 성능을 발휘하며, 현대의 고속 통신 시스템 구축에 필수적인 요소로 자리매김하고 있습니다. 갈륨비소는 다른 화합물 반도체와 비교했을 때 특히 RF 분야에서 독보적인 장점을 지니고 있으며, 이러한 특성들은 다양한 첨단 기술의 발전을 견인하고 있습니다. 갈륨비소 RF 반도체의 가장 두드러진 특징 중 하나는 바로 높은 전자 이동도입니다. 전자 이동도란 전기장 하에서 전자가 얼마나 빠르게 움직일 수 있는지를 나타내는 지표로, 갈륨비소는 실리콘에 비해 약 5배에서 6배에 달하는 높은 전자 이동도를 가집니다. 이는 곧 더 빠른 스위칭 속도와 더 높은 동작 주파수를 가능하게 함을 의미합니다. 즉, 같은 성능을 내기 위해 더 작고 전력 소모가 적은 소자를 설계할 수 있게 되는 것입니다. 이러한 특성 덕분에 갈륨비소 RF 반도체는 GHz 이상의 고주파 대역에서 실리콘 기반 반도체를 능가하는 성능을 제공합니다. 또한, 갈륨비소는 실리콘보다 낮은 누설 전류와 더 우수한 절연 특성을 가집니다. 이는 고주파 신호의 손실을 최소화하고 신호의 품질을 높이는 데 기여합니다. 특히 고출력 RF 증폭기와 같은 소자에서는 이러한 특성이 더욱 중요해지는데, 낮은 누설 전류는 전력 효율을 향상시키고 열 발생을 줄여 소자의 안정성과 신뢰성을 높여줍니다. 더불어 갈륨비소는 실리콘과 달리 직접적인 밴드갭을 가지는 직접 천이형 반도체입니다. 이 특성은 광전자 소자로서의 응용 가능성을 열어주며, 레이저 다이오드나 광검출기와 같은 소자의 제작에도 활용될 수 있습니다. 하지만 RF 분야에서는 주로 전기적 특성에 주목하며, 높은 주파수에서 발생하는 신호 처리 능력에 강점을 보입니다. 갈륨비소 RF 반도체의 종류는 그 용도와 동작 방식에 따라 매우 다양하게 분류될 수 있습니다. 가장 대표적인 소자로는 **금속-반도체 접합 전계 효과 트랜지스터(MESFET)**, **고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)**, 그리고 **공핍 모드 금속-산화물-반도체 전계 효과 트랜지스터(pHEMT)** 등을 들 수 있습니다. MESFET는 갈륨비소를 기반으로 하는 초기 형태의 고주파 트랜지스터로, 비교적 간단한 구조를 가지고 있으며 저렴한 생산 단가로 인해 광범위하게 사용되어 왔습니다. 하지만 HEMT는 MESFET의 단점을 극복하고 더 높은 주파수와 더 낮은 잡음 특성을 제공하기 위해 개발되었습니다. HEMT는 서로 다른 화합물 반도체(예: 알루미늄갈륨비소(AlGaAs)와 갈륨비소(GaAs))를 접합하여 전자 가스 채널을 형성함으로써 매우 높은 전자 이동도를 얻습니다. pHEMT는 HEMT의 한 종류로, 문턱 전압을 조절하여 특정 동작 모드를 구현함으로써 더욱 향상된 성능을 제공합니다. 이 외에도 **고속 바이폴라 트랜지스터(HBT)** 역시 갈륨비소 기반으로 제작되어 높은 주파수에서 뛰어난 증폭 성능을 발휘합니다. HBT는 전계 효과 트랜지스터와 달리 전류 증폭을 기반으로 하며, 빠른 스위칭 속도와 높은 출력 전력을 동시에 구현하는 데 유리합니다. 이러한 다양한 종류의 갈륨비소 RF 반도체 소자들은 각각의 고유한 특성을 바탕으로 다양한 통신 시스템에 적용됩니다. 갈륨비소 RF 반도체의 주요 용도는 무선 통신 시스템 전반에 걸쳐 광범위하게 분포되어 있습니다. 가장 대표적인 응용 분야로는 **휴대폰, 기지국, Wi-Fi 장치, 위성 통신 시스템, 레이더 시스템** 등이 있습니다. 휴대폰의 경우, 높은 주파수 대역에서 효율적으로 신호를 송수신하기 위해 갈륨비소 기반의 전력 증폭기(PA)와 저잡음 증폭기(LNA)가 필수적으로 사용됩니다. 기지국에서도 마찬가지로 고출력 및 저잡음 특성을 갖춘 갈륨비소 부품들이 신호 품질과 통신 범위를 향상시키는 데 중요한 역할을 합니다. Wi-Fi 기술의 발전과 함께 더욱 높은 주파수 대역(예: 5GHz 이상)에서의 통신이 중요해지면서 갈륨비소 RF 반도체의 적용이 더욱 확대되고 있습니다. 위성 통신 및 레이더 시스템 역시 초고주파 대역에서의 정확하고 안정적인 신호 처리를 요구하기 때문에 갈륨비소 기술의 의존도가 매우 높습니다. 최근에는 5G 및 미래의 6G 통신 시스템을 위한 밀리미터파(mmWave) 대역에서의 기술 구현에도 갈륨비소 기반 소자들이 핵심적인 역할을 할 것으로 기대됩니다. 이러한 고주파 대역에서는 기존 실리콘 기반 소자의 성능 한계가 분명하기 때문에 갈륨비소와 같은 화합물 반도체의 중요성이 더욱 부각되고 있습니다. 갈륨비소 RF 반도체 기술의 발전을 이끌고 있는 관련 기술은 매우 다양합니다. **에피택셜 성장 기술**은 고품질의 갈륨비소 박막을 형성하는 데 핵심적인 역할을 합니다. 특히 **분자선 에피택셜 성장(MBE)** 및 **금속 유기 화학 기상 증착(MOCVD)**과 같은 기술은 나노미터 수준의 정밀도로 다양한 화합물 반도체 레이어를 쌓아 올려 HEMT와 같은 고성능 소자를 제작하는 데 필수적입니다. 이러한 에피택셜 성장 기술은 각기 다른 물질의 특성을 조합하여 원하는 전기적, 광학적 특성을 갖는 다층 구조를 구현하는 데 중요한 역할을 합니다. 또한, **공정 기술의 발전** 또한 갈륨비소 RF 반도체의 성능 향상에 크게 기여하고 있습니다. **리소그래피 기술**의 발전은 더 미세한 패턴을 구현하여 소자의 크기를 줄이고 집적도를 높이는 데 기여합니다. **금속 증착 및 식각 공정** 또한 소자의 성능과 신뢰성에 직접적인 영향을 미칩니다. 특히 고주파에서 발생하는 신호의 손실을 최소화하기 위해 고품질의 금속 배선 및 낮은 저항을 갖는 접합 기술이 중요합니다. **테스트 및 측정 기술** 역시 갈륨비소 RF 반도체가 실제 시스템에서 최적의 성능을 발휘하도록 보장하는 데 필수적입니다. 고주파 대역에서의 정확한 특성 분석 및 검증은 고성능 통신 시스템의 안정적인 동작을 보장하는 데 중요합니다. 최근에는 실리콘과 갈륨비소의 장점을 결합하려는 **이종 접합 기술** 연구도 활발히 진행되고 있습니다. 실리콘 기반 웨이퍼 위에 갈륨비소를 성장시키는 기술은 비용 효율성을 높이고 기존의 실리콘 공정 라인을 활용할 수 있다는 장점을 제공합니다. 이러한 기술 발전은 향후 갈륨비소 RF 반도체의 적용 범위를 더욱 넓히고 새로운 혁신을 가져올 것으로 기대됩니다. 또한, **전력 효율을 극대화하기 위한 새로운 소자 구조 설계** 및 **고온 동작 환경에서의 신뢰성을 높이기 위한 소재 개발** 또한 지속적으로 이루어지고 있습니다. 이러한 끊임없는 연구 개발을 통해 갈륨비소 RF 반도체는 미래 통신 기술 발전에 지속적으로 기여할 것입니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 GaAs RF 반도체 시장예측 2025년-2031년] (코드 : LPK23JL1371) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
| ※본 조사보고서 [세계의 GaAs RF 반도체 시장예측 2025년-2031년] 에 대해서 E메일 문의는 여기를 클릭하세요. |
※당 사이트에 없는 보고서도 취급 가능한 경우가 많으니 문의 주세요!