| ■ 영문 제목 : Global Gallium Nitride (GaN) Power Devices Market Growth 2025-2031 | |
 | ■ 상품코드 : LPK23JL1406 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2025년 3월 ■ 페이지수 : 99 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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| LPI (LP Information)의 최신 조사 보고서는 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스의 과거 판매실적을 살펴보고 2024년의 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스 판매실적을 검토하여 2025년부터 2031년까지 예상되는 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스 판매에 대한 지역 및 시장 세그먼트별 포괄적인 분석을 제공합니다. 세계의 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스 시장규모는 2024년 xxx백만 달러에서 연평균 xx% 성장하여 2031년에는 xxx백만 달러에 달할 것으로 예측되고 있습니다. 본 보고서의 시장규모 데이터는 무역 전쟁 및 러시아-우크라이나 전쟁의 영향을 반영했습니다. 본 보고서는 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스의 세계시장에 관해서 조사, 분석한 자료로서, 기업별 시장 점유율, 지역별 시장규모 (미주, 미국, 캐나다, 멕시코, 브라질, 아시아, 중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 유럽, 독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아, 중동/아프리카, 이집트, 남아프리카, 터키, 중동GCC국 등), 시장동향, 판매/유통업자/고객 리스트, 시장예측 (2026년-2031년), 주요 기업동향 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) 등의 정보를 포함하고 있습니다. 또한, 주요지역의 종류별 시장규모 (GaN 파워 디스크리트 소자, GaN 파워 IC, GaN 파워 모듈)와 용도별 시장규모 (가전, IT 및 통신, 자동차, 항공 우주 및 방위, 군사, 기타) 데이터도 수록되어 있습니다. ***** 목차 구성 ***** 보고서의 범위 경영자용 요약 - 세계의 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스 시장규모 2020년-2031년 - 지역별 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스 시장분석 - 종류별 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스 시장규모 2020년-2025년 (GaN 파워 디스크리트 소자, GaN 파워 IC, GaN 파워 모듈) - 용도별 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스 시장규모 2020년-2025년 (가전, IT 및 통신, 자동차, 항공 우주 및 방위, 군사, 기타) 기업별 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스 시장분석 - 기업별 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스 판매량 - 기업별 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스 매출액 - 기업별 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스 판매가격 - 주요기업의 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스 생산거점, 판매거점 - 시장 집중도 분석 지역별 분석 - 지역별 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스 판매량 2020년-2025년 - 지역별 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스 매출액 2020년-2025년 미주 시장 - 미주의 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스 시장규모 2020년-2025년 - 미주의 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스 시장규모 : 종류별 - 미주의 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스 시장규모 : 용도별 - 미국 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스 시장규모 - 캐나다 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스 시장규모 - 멕시코 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스 시장규모 - 브라질 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스 시장규모 아시아 시장 - 아시아의 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스 시장규모 2020년-2025년 - 아시아의 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스 시장규모 : 종류별 - 아시아의 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스 시장규모 : 용도별 - 중국 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스 시장규모 - 일본 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스 시장규모 - 한국 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스 시장규모 - 동남아시아 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스 시장규모 - 인도 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스 시장규모 유럽 시장 - 유럽의 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스 시장규모 2020년-2025년 - 유럽의 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스 시장규모 : 종류별 - 유럽의 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스 시장규모 : 용도별 - 독일 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스 시장규모 - 프랑스 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스 시장규모 - 영국 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스 시장규모 중동/아프리카 시장 - 중동/아프리카의 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스 시장규모 2020년-2025년 - 중동/아프리카의 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스 시장규모 : 종류별 - 중동/아프리카의 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스 시장규모 : 용도별 - 이집트 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스 시장규모 - 남아프리카 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스 시장규모 - 중동GCC 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스 시장규모 시장의 성장요인, 과제, 동향 - 시장의 성장요인, 기회 - 시장의 과제, 리스크 - 산업 동향 제조원가 구조 분석 - 원재료 및 공급업체 - 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스의 제조원가 구조 분석 - 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스의 제조 프로세스 분석 - 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스의 산업체인 구조 마케팅, 유통업체, 고객 - 판매채널 - 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스의 유통업체 - 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스의 주요 고객 지역별 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스 시장 예측 - 지역별 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스 시장규모 예측 2026년-2031년 - 미주 지역 예측 - 아시아 지역 예측 - 유럽 지역 예측 - 중동/아프리카 지역 예측 - 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스의 종류별 시장예측 (GaN 파워 디스크리트 소자, GaN 파워 IC, GaN 파워 모듈) - 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스의 용도별 시장예측 (가전, IT 및 통신, 자동차, 항공 우주 및 방위, 군사, 기타) 주요 기업 분석 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) - Transphorm, Fujitsu, NXP Semiconductors, GaN Systems, Texas Instruments, Infineon Technologies, Cree (Wolfspeed), OSRAM Opto Semiconductors, Qorvo 조사의 결론 |
LPI (LP Information)’ newest research report, the “Gallium Nitride (GaN) Power Devices Industry Forecast” looks at past sales and reviews total world Gallium Nitride (GaN) Power Devices sales in 2024, providing a comprehensive analysis by region and market sector of projected Gallium Nitride (GaN) Power Devices sales for 2025 through 2031. With Gallium Nitride (GaN) Power Devices sales broken down by region, market sector and sub-sector, this report provides a detailed analysis in US$ millions of the world Gallium Nitride (GaN) Power Devices industry.
This Insight Report provides a comprehensive analysis of the global Gallium Nitride (GaN) Power Devices landscape and highlights key trends related to product segmentation, company formation, revenue, and market share, latest development, and M&A activity. This report also analyzes the strategies of leading global companies with a focus on Gallium Nitride (GaN) Power Devices portfolios and capabilities, market entry strategies, market positions, and geographic footprints, to better understand these firms’ unique position in an accelerating global Gallium Nitride (GaN) Power Devices market.
This Insight Report evaluates the key market trends, drivers, and affecting factors shaping the global outlook for Gallium Nitride (GaN) Power Devices and breaks down the forecast by type, by application, geography, and market size to highlight emerging pockets of opportunity. With a transparent methodology based on hundreds of bottom-up qualitative and quantitative market inputs, this study forecast offers a highly nuanced view of the current state and future trajectory in the global Gallium Nitride (GaN) Power Devices.
The global Gallium Nitride (GaN) Power Devices market size is projected to grow from US$ million in 2024 to US$ million in 2031; it is expected to grow at a CAGR of % from 2025 to 2031.
United States market for Gallium Nitride (GaN) Power Devices is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
China market for Gallium Nitride (GaN) Power Devices is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Europe market for Gallium Nitride (GaN) Power Devices is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Global key Gallium Nitride (GaN) Power Devices players cover Transphorm, Fujitsu, NXP Semiconductors, GaN Systems, Texas Instruments, Infineon Technologies, Cree (Wolfspeed), OSRAM Opto Semiconductors and Qorvo, etc. In terms of revenue, the global two largest companies occupied for a share nearly % in 2024.
This report presents a comprehensive overview, market shares, and growth opportunities of Gallium Nitride (GaN) Power Devices market by product type, application, key manufacturers and key regions and countries.
[Market Segmentation]
Segmentation by type
GaN Power Discrete Devices
GaN Power ICs
GaN Power Modules
Segmentation by application
Consumer Electronics
IT & Telecommunications
Automotive
Aerospace & Defense
Military
Others
This report also splits the market by region:
Americas
United States
Canada
Mexico
Brazil
APAC
China
Japan
Korea
Southeast Asia
India
Australia
Europe
Germany
France
UK
Italy
Russia
Middle East & Africa
Egypt
South Africa
Israel
Turkey
GCC Countries
The below companies that are profiled have been selected based on inputs gathered from primary experts and analyzing the company’s coverage, product portfolio, its market penetration.
Transphorm
Fujitsu
NXP Semiconductors
GaN Systems
Texas Instruments
Infineon Technologies
Cree (Wolfspeed)
OSRAM Opto Semiconductors
Qorvo
[Key Questions Addressed in this Report]
What is the 10-year outlook for the global Gallium Nitride (GaN) Power Devices market?
What factors are driving Gallium Nitride (GaN) Power Devices market growth, globally and by region?
Which technologies are poised for the fastest growth by market and region?
How do Gallium Nitride (GaN) Power Devices market opportunities vary by end market size?
How does Gallium Nitride (GaN) Power Devices break out type, application?
What are the influences of trade war and Russia-Ukraine war?
1 Scope of the Report |
| ※참고 정보 ## 질화갈륨(GaN) 파워 디바이스의 이해 질화갈륨(Gallium Nitride, GaN) 파워 디바이스는 최근 전력 변환 시스템에서 실리콘(Si) 기반의 기존 파워 디바이스를 대체하며 혁신적인 성능 향상을 가져오는 차세대 기술로 주목받고 있습니다. GaN은 실리콘보다 훨씬 뛰어난 물성을 가지고 있어, 고주파, 고효율, 고전압의 전력 변환을 가능하게 합니다. 이는 휴대용 기기부터 전기 자동차, 데이터 센터, 신재생 에너지 시스템에 이르기까지 다양한 응용 분야에서 에너지 효율을 극대화하고 시스템의 소형화 및 경량화를 실현하는 데 중요한 역할을 합니다. GaN은 제3족 원소인 갈륨(Ga)과 제15족 원소인 질소(N)로 이루어진 화합물 반도체입니다. 특히 파워 디바이스 분야에서는 주로 GaN과 GaN의 기판 역할을 하는 질화알루미늄갈륨(AlGaN)의 격자 불일치를 이용하여 채널을 형성하는 HEMT(High Electron Mobility Transistor) 구조가 많이 사용됩니다. 이러한 구조는 GaN과 AlGaN 계면에서 2차원 전자 가스(2-DEG, two-dimensional electron gas)라고 불리는 높은 전자 이동도를 가진 전자층을 형성합니다. 이 2-DEG는 일반적인 실리콘 반도체에서 얻을 수 있는 전자 이동도보다 수십 배 이상 높아, 훨씬 빠른 스위칭 속도와 낮은 온저항을 가능하게 합니다. GaN 파워 디바이스의 핵심적인 특징은 다음과 같습니다. 첫째, **높은 전자 이동도(High Electron Mobility)**입니다. 앞서 언급한 2-DEG 현상으로 인해 GaN은 실리콘에 비해 훨씬 빠른 속도로 전자를 전달할 수 있습니다. 이는 고주파 스위칭을 가능하게 하여 전력 변환 시 발생하는 스위칭 손실을 줄이고, 따라서 전체 시스템의 효율을 높이는 데 기여합니다. 둘째, **높은 항복 전압(High Breakdown Voltage)**입니다. GaN은 실리콘보다 훨씬 높은 전기장 강도를 견딜 수 있습니다. 이는 동일한 전압을 처리하기 위해 더 두꺼운 절연층이 필요한 실리콘 디바이스와 달리, GaN 디바이스는 더 얇은 소자 구조로도 높은 전압을 처리할 수 있음을 의미합니다. 결과적으로 온저항을 낮추고 누설 전류를 줄여 효율을 더욱 향상시킬 수 있습니다. 셋째, **낮은 온저항(Low On-Resistance)**입니다. GaN의 높은 전자 이동도와 높은 항복 전압 특성은 결과적으로 디바이스가 켜져 있을 때(ON-state) 전류가 흐르는 채널의 저항을 크게 낮춥니다. 이는 전력 변환 과정에서 발생하는 전력 손실을 최소화하여 에너지 효율을 극대화하는 데 결정적인 역할을 합니다. 넷째, **고온 동작 능력(High-Temperature Operation Capability)**입니다. GaN은 실리콘보다 더 넓은 밴드갭을 가지므로, 더 높은 온도에서도 안정적으로 동작할 수 있습니다. 이는 냉각 시스템의 부담을 줄이고, 더 작고 통합된 시스템 설계를 가능하게 하는 이점을 제공합니다. 다섯째, **고주파 동작(High-Frequency Operation)**입니다. GaN 디바이스의 빠른 스위칭 속도는 수십 MHz 이상의 고주파 대역에서도 효율적인 전력 변환을 가능하게 합니다. 이는 고주파 스위칭 전원 공급 장치(SMPS)의 설계에서 요구되는 핵심적인 성능이며, 이를 통해 변압기 및 수동 부품의 크기를 줄여 시스템 전체의 소형화 및 경량화에 크게 기여합니다. GaN 파워 디바이스는 구조 및 동작 방식에 따라 여러 종류로 나눌 수 있습니다. 가장 대표적인 것은 **GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)**입니다. 이는 AlGaN/GaN 계면의 2-DEG를 이용하여 전류를 제어하는 구조로, 디스크리트(discrete) 소자 형태로 많이 사용됩니다. HEMT는 주로 **n-채널(n-channel)** 방식으로 구현되며, 게이트 전압을 조절하여 2-DEG 채널의 전도도를 제어합니다. HEMT 디바이스는 다시 **슈락 채널(Schottky gate)**과 **수직 구조(vertical structure)** 등 다양한 형태로 세분화될 수 있으며, 특정 응용 분야의 요구 사항에 맞춰 설계됩니다. 또한, 최근에는 **GaN-on-Si(실리콘 기판 위에 GaN 성장)** 기술의 발전으로 인해 실리콘 공정과의 호환성을 높인 GaN 파워 디바이스가 상용화되고 있습니다. 이는 대량 생산과 비용 절감에 유리한 측면이 있습니다. GaN 파워 디바이스의 **주요 용도**는 매우 광범위합니다. 가장 두드러진 응용 분야 중 하나는 **전원 공급 장치(Power Supplies)**입니다. 스마트폰 충전기, 노트북 어댑터, 서버 전원 공급 장치 등에서 GaN 디바이스를 사용하면 훨씬 작고 가볍게 만들면서도 높은 효율을 유지할 수 있습니다. 예를 들어, 기존 실리콘 기반 충전기보다 훨씬 작은 크기의 GaN 충전기가 시장에 출시되어 큰 호응을 얻고 있습니다. 또한, **데이터 센터**에서는 수많은 서버의 전력 변환 효율이 전체 에너지 소비에 지대한 영향을 미치므로, GaN 파워 디바이스의 적용을 통해 에너지 효율을 크게 향상시킬 수 있습니다. **전기 자동차(EV) 분야** 역시 GaN 파워 디바이스의 핵심 응용 시장입니다. 전기차의 핵심 부품인 **DC-DC 컨버터, 온보드 충전기(OBC), 인버터** 등에서 GaN 디바이스를 사용하면 전력 변환 손실을 줄여 전기차의 주행 거리를 늘리고, 충전 시간을 단축하며, 차량 내 전력 시스템의 부피와 무게를 줄이는 데 기여할 수 있습니다. 특히, 고전압 배터리 시스템에서 GaN의 높은 항복 전압 특성이 빛을 발합니다. **신재생 에너지 분야**에서도 태양광 발전 시스템의 인버터, 풍력 발전 시스템의 전력 변환 장치 등에서 GaN 디바이스를 활용하여 에너지 변환 효율을 높이고 시스템의 안정성을 강화할 수 있습니다. 또한, 산업용 전력 변환 장치, 모터 드라이브, 산업용 전원 공급 장치 등 다양한 분야에서 GaN 파워 디바이스의 적용이 확대되고 있습니다. GaN 파워 디바이스와 관련된 **관련 기술**은 지속적으로 발전하고 있습니다. **기판 기술**은 GaN 소자의 성능과 생산 비용에 큰 영향을 미칩니다. 초기에 GaN 소자는 사파이어(sapphire) 기판 위에 성장되었으나, 이는 전기적 특성이 좋지 않고 열 방출에도 한계가 있었습니다. 이후 탄화규소(SiC) 기판이 사용되면서 성능이 향상되었지만 가격이 높다는 단점이 있었습니다. 최근에는 **실리콘(Si) 기판 위에 GaN을 성장시키는 기술(GaN-on-Si)**이 크게 발전하고 있습니다. 이는 실리콘 웨이퍼 제조 공정과의 호환성이 뛰어나 대량 생산 및 비용 절감에 유리하며, GaN 파워 디바이스의 시장 확대를 가속화하는 핵심 기술로 평가받고 있습니다. **소재 및 공정 기술** 또한 매우 중요합니다. GaN 소자의 성능을 결정하는 AlGaN/GaN 계면의 품질을 높이고, 2-DEG 채널의 전하 농도와 이동도를 최적화하는 기술이 연구되고 있습니다. 또한, 소자의 수명과 신뢰성을 높이기 위한 게이트 재료, 절연막 재료, 패키징 기술 등 다양한 분야에서 기술 개발이 이루어지고 있습니다. 특히, 고전압 및 고전류를 처리하기 위한 **수직형 GaN 소자** 개발은 차세대 GaN 파워 디바이스 기술로 주목받고 있으며, 이를 통해 더 높은 전류 밀도와 더 낮은 온저항을 달성할 수 있을 것으로 기대됩니다. 또한, GaN 파워 디바이스의 고주파 스위칭 특성을 최대한 활용하기 위한 **회로 설계 및 시스템 통합 기술** 또한 중요합니다. GaN 디바이스는 기존 실리콘 디바이스보다 스위칭 속도가 매우 빠르기 때문에, 이를 제대로 제어하고 활용하기 위한 게이트 구동 회로(gate driver), 커패시턴스 감소 기술, EMI(Electromagnetic Interference) 저감 기술 등이 함께 발전해야 합니다. 또한, GaN 디바이스와 다른 반도체 소자들을 통합하여 더욱 효율적이고 소형화된 전력 변환 모듈을 개발하는 연구도 활발히 진행되고 있습니다. 결론적으로, 질화갈륨(GaN) 파워 디바이스는 뛰어난 전자 이동도, 높은 항복 전압, 낮은 온저항, 고온 및 고주파 동작 능력 등 기존 실리콘 기반 파워 디바이스의 한계를 극복하는 혁신적인 기술입니다. 이러한 특성을 바탕으로 전원 공급 장치, 전기 자동차, 신재생 에너지 시스템 등 다양한 분야에서 에너지 효율을 높이고 시스템의 소형화 및 경량화를 실현하는 데 핵심적인 역할을 하고 있습니다. 기판 기술, 소재 및 공정 기술, 회로 설계 및 시스템 통합 기술 등의 지속적인 발전은 GaN 파워 디바이스 시장의 성장을 더욱 가속화할 것이며, 미래 전력 전자 기술의 발전에 중추적인 역할을 할 것으로 기대됩니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스 시장예측 2025년-2031년] (코드 : LPK23JL1406) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
| ※본 조사보고서 [세계의 질화갈륨 (GaN) 파워 디바이스 시장예측 2025년-2031년] 에 대해서 E메일 문의는 여기를 클릭하세요. |
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