| ■ 영문 제목 : Global High Electron Mobility Transistors (HEMT) Market Growth 2025-2031 | |
 | ■ 상품코드 : LPK23JL1314 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2025년 3월 ■ 페이지수 : 93 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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| LPI (LP Information)의 최신 조사 보고서는 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT)의 과거 판매실적을 살펴보고 2024년의 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 판매실적을 검토하여 2025년부터 2031년까지 예상되는 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 판매에 대한 지역 및 시장 세그먼트별 포괄적인 분석을 제공합니다. 세계의 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모는 2024년 xxx백만 달러에서 연평균 xx% 성장하여 2031년에는 xxx백만 달러에 달할 것으로 예측되고 있습니다. 본 보고서의 시장규모 데이터는 무역 전쟁 및 러시아-우크라이나 전쟁의 영향을 반영했습니다. 본 보고서는 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT)의 세계시장에 관해서 조사, 분석한 자료로서, 기업별 시장 점유율, 지역별 시장규모 (미주, 미국, 캐나다, 멕시코, 브라질, 아시아, 중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 유럽, 독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아, 중동/아프리카, 이집트, 남아프리카, 터키, 중동GCC국 등), 시장동향, 판매/유통업자/고객 리스트, 시장예측 (2026년-2031년), 주요 기업동향 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) 등의 정보를 포함하고 있습니다. 또한, 주요지역의 종류별 시장규모 (GaN (질화 갈륨), GaN/SiC (질화 갈륨/탄화 규소), GaAs (갈륨 비소))와 용도별 시장규모 (에너지 및 전력, 가전, 인버터 및 UPS, 공업) 데이터도 수록되어 있습니다. ***** 목차 구성 ***** 보고서의 범위 경영자용 요약 - 세계의 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 2020년-2031년 - 지역별 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장분석 - 종류별 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 2020년-2025년 (GaN (질화 갈륨), GaN/SiC (질화 갈륨/탄화 규소), GaAs (갈륨 비소)) - 용도별 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 2020년-2025년 (에너지 및 전력, 가전, 인버터 및 UPS, 공업) 기업별 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장분석 - 기업별 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 판매량 - 기업별 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 매출액 - 기업별 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 판매가격 - 주요기업의 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 생산거점, 판매거점 - 시장 집중도 분석 지역별 분석 - 지역별 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 판매량 2020년-2025년 - 지역별 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 매출액 2020년-2025년 미주 시장 - 미주의 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 2020년-2025년 - 미주의 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 : 종류별 - 미주의 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 : 용도별 - 미국 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 - 캐나다 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 - 멕시코 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 - 브라질 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 아시아 시장 - 아시아의 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 2020년-2025년 - 아시아의 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 : 종류별 - 아시아의 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 : 용도별 - 중국 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 - 일본 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 - 한국 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 - 동남아시아 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 - 인도 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 유럽 시장 - 유럽의 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 2020년-2025년 - 유럽의 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 : 종류별 - 유럽의 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 : 용도별 - 독일 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 - 프랑스 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 - 영국 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 중동/아프리카 시장 - 중동/아프리카의 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 2020년-2025년 - 중동/아프리카의 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 : 종류별 - 중동/아프리카의 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 : 용도별 - 이집트 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 - 남아프리카 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 - 중동GCC 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 시장의 성장요인, 과제, 동향 - 시장의 성장요인, 기회 - 시장의 과제, 리스크 - 산업 동향 제조원가 구조 분석 - 원재료 및 공급업체 - 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT)의 제조원가 구조 분석 - 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT)의 제조 프로세스 분석 - 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT)의 산업체인 구조 마케팅, 유통업체, 고객 - 판매채널 - 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT)의 유통업체 - 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT)의 주요 고객 지역별 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장 예측 - 지역별 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장규모 예측 2026년-2031년 - 미주 지역 예측 - 아시아 지역 예측 - 유럽 지역 예측 - 중동/아프리카 지역 예측 - 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT)의 종류별 시장예측 (GaN (질화 갈륨), GaN/SiC (질화 갈륨/탄화 규소), GaAs (갈륨 비소)) - 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT)의 용도별 시장예측 (에너지 및 전력, 가전, 인버터 및 UPS, 공업) 주요 기업 분석 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) - Fujitsu, Mitsubishi Electric, Ampleon, Qorvo, Oki Electric, Lake Shore Cryotronics, Cree, TOSHIBA, Microchip Technology 조사의 결론 |
LPI (LP Information)’ newest research report, the “High Electron Mobility Transistors (HEMT) Industry Forecast” looks at past sales and reviews total world High Electron Mobility Transistors (HEMT) sales in 2024, providing a comprehensive analysis by region and market sector of projected High Electron Mobility Transistors (HEMT) sales for 2025 through 2031. With High Electron Mobility Transistors (HEMT) sales broken down by region, market sector and sub-sector, this report provides a detailed analysis in US$ millions of the world High Electron Mobility Transistors (HEMT) industry.
This Insight Report provides a comprehensive analysis of the global High Electron Mobility Transistors (HEMT) landscape and highlights key trends related to product segmentation, company formation, revenue, and market share, latest development, and M&A activity. This report also analyzes the strategies of leading global companies with a focus on High Electron Mobility Transistors (HEMT) portfolios and capabilities, market entry strategies, market positions, and geographic footprints, to better understand these firms’ unique position in an accelerating global High Electron Mobility Transistors (HEMT) market.
This Insight Report evaluates the key market trends, drivers, and affecting factors shaping the global outlook for High Electron Mobility Transistors (HEMT) and breaks down the forecast by type, by application, geography, and market size to highlight emerging pockets of opportunity. With a transparent methodology based on hundreds of bottom-up qualitative and quantitative market inputs, this study forecast offers a highly nuanced view of the current state and future trajectory in the global High Electron Mobility Transistors (HEMT).
The global High Electron Mobility Transistors (HEMT) market size is projected to grow from US$ million in 2024 to US$ million in 2031; it is expected to grow at a CAGR of % from 2025 to 2031.
United States market for High Electron Mobility Transistors (HEMT) is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
China market for High Electron Mobility Transistors (HEMT) is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Europe market for High Electron Mobility Transistors (HEMT) is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Global key High Electron Mobility Transistors (HEMT) players cover Fujitsu, Mitsubishi Electric, Ampleon, Qorvo, Oki Electric, Lake Shore Cryotronics, Cree, TOSHIBA and Microchip Technology, etc. In terms of revenue, the global two largest companies occupied for a share nearly % in 2024.
This report presents a comprehensive overview, market shares, and growth opportunities of High Electron Mobility Transistors (HEMT) market by product type, application, key manufacturers and key regions and countries.
[Market Segmentation]
Segmentation by type
GaN
GaN/SiC
GaAs
Segmentation by application
Energy & Power
Consumer Electronics
Inverter & UPS
Industrial
This report also splits the market by region:
Americas
United States
Canada
Mexico
Brazil
APAC
China
Japan
Korea
Southeast Asia
India
Australia
Europe
Germany
France
UK
Italy
Russia
Middle East & Africa
Egypt
South Africa
Israel
Turkey
GCC Countries
The below companies that are profiled have been selected based on inputs gathered from primary experts and analyzing the company’s coverage, product portfolio, its market penetration.
Fujitsu
Mitsubishi Electric
Ampleon
Qorvo
Oki Electric
Lake Shore Cryotronics
Cree
TOSHIBA
Microchip Technology
[Key Questions Addressed in this Report]
What is the 10-year outlook for the global High Electron Mobility Transistors (HEMT) market?
What factors are driving High Electron Mobility Transistors (HEMT) market growth, globally and by region?
Which technologies are poised for the fastest growth by market and region?
How do High Electron Mobility Transistors (HEMT) market opportunities vary by end market size?
How does High Electron Mobility Transistors (HEMT) break out type, application?
What are the influences of trade war and Russia-Ukraine war?
1 Scope of the Report |
| ※참고 정보 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT)는 기존의 금속-산화막-반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 한계를 극복하기 위해 개발된 차세대 고성능 반도체 소자입니다. 특히 높은 주파수 및 고출력 동작에서 뛰어난 성능을 발휘하며, 현대 고주파 통신, 레이더, 위성 통신 등 다양한 첨단 기술 분야에서 핵심적인 역할을 수행하고 있습니다. HEMT의 핵심적인 개념은 서로 다른 에너지 준위를 가진 두 개의 반도체 물질을 접합하여 형성되는 이종 접합(heterojunction)을 이용하는 것입니다. 이 이종 접합 계면에는 전자들이 농축되어 이동성이 매우 높은 2차원 전자 가스(2-Dimensional Electron Gas, 2DEG) 채널이 형성되며, 이 2DEG 채널을 통해 전류가 흐르면서 트랜지스터의 스위칭 동작이 이루어집니다. HEMT의 가장 근본적인 특징은 앞서 언급한 2DEG 채널의 존재입니다. 일반적인 반도체에서 전자는 결정 격자와의 산란 등으로 인해 이동 속도가 제한되지만, HEMT에서는 두 가지 다른 물질의 계면에서 형성되는 2DEG 채널 덕분에 전자들이 결정 격자와의 상호작용을 최소화할 수 있습니다. 이러한 2차원적인 구조는 전자의 이동을 효과적으로 제한하면서도, 동시에 높은 에너지 장벽으로 인해 다른 곳으로 전자가 빠져나가는 것을 막아주어 전자의 이동성을 극대화하는 결과를 가져옵니다. 결과적으로 HEMT는 매우 낮은 전압에서도 빠르게 동작하며, 이는 매우 높은 주파수 대역에서의 응용을 가능하게 합니다. 더불어, 이종 접합 구조는 전류를 효과적으로 제어할 수 있는 능력과 낮은 잡음 특성을 제공하여, 고성능 수신 및 송신 회로에 적합하게 만듭니다. HEMT의 구조는 일반적으로 두 가지 이상의 반도체 물질로 구성됩니다. 가장 대표적인 HEMT 구조는 GaAs(갈륨비소) 기판 위에 AlGaAs(알루미늄갈륨비소)와 GaAs를 접합시킨 형태입니다. 여기서 AlGaAs는 더 넓은 밴드갭을 가지는 물질로, GaAs는 더 좁은 밴드갭을 가집니다. 두 물질을 접합하면 밴드 구조의 차이로 인해 AlGaAs 층에서 GaAs 층으로 전자가 이동하고, 이 전자는 GaAs 층과 AlGaAs 층 사이의 계면에 농축되어 2DEG를 형성하게 됩니다. 이 2DEG 채널이 소스(Source)와 드레인(Drain) 전극 사이에 위치하며, 게이트(Gate) 전극에 인가되는 전압에 의해 2DEG 채널의 전도도가 조절되어 전류의 흐름을 제어합니다. HEMT는 사용되는 반도체 물질에 따라 다양한 종류로 나눌 수 있습니다. 가장 초기에 개발된 것은 앞서 설명한 AlGaAs/GaAs HEMT입니다. 이는 비교적 높은 전자 이동성과 낮은 잡음 특성을 보여주어 마이크로파 통신 분야에서 널리 사용되었습니다. 이후, GaN(질화갈륨) 기반의 HEMT가 등장하면서 HEMT 기술은 한 단계 더 발전했습니다. GaN HEMT는 GaAs HEMT에 비해 훨씬 더 높은 항복 전압, 더 높은 전자 이동성, 그리고 더 넓은 밴드갭을 가지는 특징을 보입니다. 이러한 우수한 특성 덕분에 GaN HEMT는 고출력, 고주파, 고온 환경에서도 안정적으로 동작할 수 있어, 차세대 전력 증폭기, 레이더 시스템, 그리고 고속 스위칭 소자 등 더욱 demanding한 응용 분야에 적합합니다. GaN HEMT는 또한 SiC(실리콘카바이드) 기판 위에 GaN을 성장시키거나, Sapphire 기판 위에 GaN을 성장시키는 등 다양한 기판을 활용하여 제조될 수 있으며, 각 기판은 소자의 성능과 비용에 영향을 미칩니다. 최근에는 AlGaN/GaN HEMT의 성능 향상을 위해 다양한 도핑 기술, 채널 구조 최적화, 그리고 계면 특성 개선 등에 대한 연구가 활발히 진행되고 있습니다. HEMT의 주요 용도는 주로 고주파 및 고출력 응용 분야에 집중됩니다. 첫째, 무선 통신 시스템에서 HEMT는 송신 및 수신 회로의 핵심 부품으로 사용됩니다. 특히 5G 이동통신, 위성 통신, 그리고 차세대 통신 시스템에서는 매우 높은 주파수 대역에서 효율적인 신호 처리와 증폭이 요구되는데, HEMT의 빠른 스위칭 속도와 낮은 잡음 특성이 이러한 요구사항을 충족시킵니다. 고성능 저잡음 증폭기(Low Noise Amplifier, LNA)는 약한 신호를 효율적으로 증폭하는 데 필수적이며, HEMT는 이러한 LNA 구현에 이상적인 소자입니다. 또한, 고출력 증폭기(Power Amplifier, PA)는 신호를 강력하게 증폭하여 송신 거리를 늘리거나, 더 많은 사용자에게 서비스를 제공하는 데 중요한 역할을 하는데, GaN HEMT는 높은 전력 밀도와 효율을 제공하여 고출력 증폭기 분야에서 각광받고 있습니다. 둘째, 레이더 시스템에서 HEMT는 정밀한 거리 측정, 표적 탐지, 그리고 신호 분석 능력을 향상시키는 데 중요한 역할을 합니다. 군용 레이더, 항공 관제 레이더, 그리고 기상 레이더 등 다양한 레이더 시스템에서는 빠른 반응 속도와 높은 감도가 요구되며, HEMT는 이러한 요구를 충족시킵니다. 특히 GaN HEMT는 고출력과 넓은 대역폭을 지원하여 레이더의 탐지 거리와 해상도를 크게 향상시킬 수 있습니다. 셋째, 위성 통신 분야에서도 HEMT는 필수적인 부품입니다. 위성 통신 시스템은 지구와 우주 간의 장거리 통신을 담당하기 때문에 매우 높은 주파수 대역에서 안정적이고 효율적인 신호 처리가 요구됩니다. HEMT는 이러한 까다로운 환경에서도 뛰어난 성능을 발휘하며, 위성 통신 시스템의 송신 및 수신 모듈에 널리 사용됩니다. 넷째, 전력 전자 분야에서도 HEMT의 활용이 확대되고 있습니다. 특히 GaN HEMT는 기존 실리콘 기반의 전력 스위칭 소자에 비해 더 높은 효율, 더 빠른 스위칭 속도, 그리고 더 높은 동작 온도를 지원합니다. 이러한 장점 덕분에 GaN HEMT는 고효율 전원 공급 장치, 전기 자동차의 파워트레인, 그리고 에너지 저장 시스템 등 다양한 전력 변환 응용 분야에서 기존 소자를 대체하며 성능 향상을 이끌고 있습니다. 예를 들어, GaN HEMT를 사용하면 전력 변환 효율을 높여 에너지 손실을 줄이고, 소형화 및 경량화를 가능하게 하여 전체 시스템의 성능을 향상시킬 수 있습니다. HEMT 기술과 관련된 다양한 기술들도 지속적으로 발전하고 있습니다. 첫째, 새로운 반도체 물질 조합에 대한 연구가 활발히 진행되고 있습니다. 예를 들어, InAlN/GaN HEMT는 GaN HEMT의 성능을 더욱 향상시킬 수 있는 잠재력을 가진 물질로 주목받고 있습니다. 둘째, 소자 구조 설계 최적화를 통해 전자 이동성을 극대화하고, 기생 성분을 최소화하며, 열 방출 효율을 높이는 연구가 진행 중입니다. 캐리어 차단(carrier blocking) 레이어 도입, 채널 폭 및 두께 조절, 그리고 전극 구조 개선 등이 대표적인 예입니다. 셋째, 고품질의 반도체 결정 성장을 위한 에피택셜 성장 기술 또한 HEMT 성능에 결정적인 영향을 미칩니다. MOVPE(Metalorganic Vapor Phase Epitaxy)와 같은 기술을 사용하여 높은 결정성을 가진 반도체 박막을 성장시키는 것이 중요합니다. 넷째, 소자의 신뢰성을 확보하기 위한 패키징 기술 및 테스트 방법론 개발도 중요합니다. 고온, 고습, 그리고 고전압 환경에서도 안정적으로 동작하는 소자를 구현하기 위해서는 신뢰성 있는 패키징 기술이 필수적입니다. 또한, HEMT의 설계 및 시뮬레이션 도구 역시 발전하고 있으며, 이를 통해 개발 시간을 단축하고 최적의 성능을 달성할 수 있습니다. 종합적으로 HEMT는 높은 전자 이동성을 가진 2DEG 채널을 핵심으로 하는 혁신적인 반도체 소자이며, 고주파 통신, 레이더, 위성 통신, 그리고 전력 전자 등 다양한 첨단 기술 분야에서 핵심적인 역할을 수행하고 있습니다. 지속적인 연구 개발을 통해 HEMT의 성능은 더욱 향상될 것이며, 미래 사회의 다양한 기술 발전에 크게 기여할 것으로 기대됩니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 고전자 이동성 트랜지스터 (HEMT) 시장예측 2025년-2031년] (코드 : LPK23JL1314) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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