| ■ 영문 제목 : Global InGaAs APD Array Market Growth 2025-2031 | |
 | ■ 상품코드 : LPK23JU1221 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2025년 3월 ■ 페이지수 : 101 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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| LP인포메이션 (LPI) 의 최신 조사 자료는 InGaAs APD 어레이의 과거 판매실적을 살펴보고 2024년의 InGaAs APD 어레이 판매실적을 검토하여 2025년부터 2031년까지 예상되는 InGaAs APD 어레이 판매에 대한 지역 및 시장 세그먼트별 포괄적인 분석을 제공합니다. 글로벌 InGaAs APD 어레이 시장규모는 2024년 xxx백만 달러에서 연평균 xx% 성장하여 2031년에는 xxx백만 달러에 달할 것으로 예측되고 있습니다. 본 보고서의 시장규모 데이터는 무역 전쟁 및 러시아-우크라이나 전쟁의 영향을 반영했습니다. 본 조사 자료는 글로벌 InGaAs APD 어레이 시장에 관해서 조사, 분석한 보고서로서, 기업별 시장 점유율, 지역별 시장규모 (미주, 미국, 캐나다, 멕시코, 브라질, 아시아 태평양, 중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 유럽, 독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아, 중동/아프리카, 이집트, 남아프리카, 터키, 중동GCC국 등), 시장동향, 판매/유통업자/고객 리스트, 시장예측 (2026년-2031년), 주요 기업동향 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) 등의 정보를 수록하고 있습니다. 또한, 주요지역의 종류별 (선형 어레이, 매트릭스 어레이, 다중 소자 어레이) 시장규모와 용도별 (레이저 거리 측정, 하이퍼 스펙트럼 이미징, LiDAR, 광 공간 통신, 자동 운전 이미징) 시장규모 데이터도 포함되어 있습니다. ***** 목차 구성 ***** 보고서의 범위 경영자용 요약 - 글로벌 InGaAs APD 어레이 시장규모 2020년-2031년 - 지역별 InGaAs APD 어레이 시장분석 - 종류별 InGaAs APD 어레이 시장규모 2020년-2025년 (선형 어레이, 매트릭스 어레이, 다중 소자 어레이) - 용도별 InGaAs APD 어레이 시장규모 2020년-2025년 (레이저 거리 측정, 하이퍼 스펙트럼 이미징, LiDAR, 광 공간 통신, 자동 운전 이미징) 기업별 InGaAs APD 어레이 시장분석 - 기업별 InGaAs APD 어레이 판매량 - 기업별 InGaAs APD 어레이 매출액 - 기업별 InGaAs APD 어레이 판매가격 - 주요기업의 InGaAs APD 어레이 생산거점, 판매거점 - 시장 집중도 분석 지역별 분석 - 지역별 InGaAs APD 어레이 판매량 2020년-2025년 - 지역별 InGaAs APD 어레이 매출액 2020년-2025년 미주 시장 - 미주의 InGaAs APD 어레이 시장규모 2020년-2025년 - 미주의 InGaAs APD 어레이 시장규모 : 종류별 - 미주의 InGaAs APD 어레이 시장규모 : 용도별 - 미국 InGaAs APD 어레이 시장규모 - 캐나다 InGaAs APD 어레이 시장규모 - 멕시코 InGaAs APD 어레이 시장규모 - 브라질 InGaAs APD 어레이 시장규모 아시아 태평양 시장 - 아시아 태평양의 InGaAs APD 어레이 시장규모 2020년-2025년 - 아시아 태평양의 InGaAs APD 어레이 시장규모 : 종류별 - 아시아 태평양의 InGaAs APD 어레이 시장규모 : 용도별 - 중국 InGaAs APD 어레이 시장규모 - 일본 InGaAs APD 어레이 시장규모 - 한국 InGaAs APD 어레이 시장규모 - 동남아시아 InGaAs APD 어레이 시장규모 - 인도 InGaAs APD 어레이 시장규모 유럽 시장 - 유럽의 InGaAs APD 어레이 시장규모 2020년-2025년 - 유럽의 InGaAs APD 어레이 시장규모 : 종류별 - 유럽의 InGaAs APD 어레이 시장규모 : 용도별 - 독일 InGaAs APD 어레이 시장규모 - 프랑스 InGaAs APD 어레이 시장규모 - 영국 InGaAs APD 어레이 시장규모 중동/아프리카 시장 - 중동/아프리카의 InGaAs APD 어레이 시장규모 2020년-2025년 - 중동/아프리카의 InGaAs APD 어레이 시장규모 : 종류별 - 중동/아프리카의 InGaAs APD 어레이 시장규모 : 용도별 - 이집트 InGaAs APD 어레이 시장규모 - 남아프리카 InGaAs APD 어레이 시장규모 - 중동GCC InGaAs APD 어레이 시장규모 시장의 성장요인, 과제, 동향 - 시장의 성장요인, 기회 - 시장의 과제, 리스크 - 산업 동향 제조원가 구조 분석 - 원재료 및 공급업체 - InGaAs APD 어레이의 제조원가 구조 분석 - InGaAs APD 어레이의 제조 프로세스 분석 - InGaAs APD 어레이의 산업체인 구조 마케팅, 유통업체, 고객 - 판매채널 - InGaAs APD 어레이의 유통업체 - InGaAs APD 어레이의 주요 고객 지역별 InGaAs APD 어레이 시장 예측 - 지역별 InGaAs APD 어레이 시장규모 예측 2026년-2031년 - 미주 시장 예측 - 아시아 태평양 시장 예측 - 유럽 시장 예측 - 중동/아프리카 시장 예측 - InGaAs APD 어레이의 종류별 시장예측 (선형 어레이, 매트릭스 어레이, 다중 소자 어레이) - InGaAs APD 어레이의 용도별 시장예측 (레이저 거리 측정, 하이퍼 스펙트럼 이미징, LiDAR, 광 공간 통신, 자동 운전 이미징) 주요 기업 분석 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) - Laser Components GmbH, Voxtel Inc, First Sensor, Hamamatsu, Otron Sensor Inc, TSMC, Albis Optoelectronics, PerkinElmer, Kyoto Semiconductor, Chongqing Institute of Optoelectronics Technology, Excelitas Technologies Corp, GCS 조사의 결과/결론 |
Developed Specifically For Lidar Applications And Laser Rangefinders. The Series Of Products Contains Linear And Matrix Arrays With Multiple Sensors On One Monolithic Die, E.G. 8, 16, 64 Pixels
LPI (LP Information)’ newest research report, the “InGaAs APD Array Industry Forecast” looks at past sales and reviews total world InGaAs APD Array sales in 2024, providing a comprehensive analysis by region and market sector of projected InGaAs APD Array sales for 2025 through 2031. With InGaAs APD Array sales broken down by region, market sector and sub-sector, this report provides a detailed analysis in US$ millions of the world InGaAs APD Array industry.
This Insight Report provides a comprehensive analysis of the global InGaAs APD Array landscape and highlights key trends related to product segmentation, company formation, revenue, and market share, latest development, and M&A activity. This report also analyzes the strategies of leading global companies with a focus on InGaAs APD Array portfolios and capabilities, market entry strategies, market positions, and geographic footprints, to better understand these firms’ unique position in an accelerating global InGaAs APD Array market.
This Insight Report evaluates the key market trends, drivers, and affecting factors shaping the global outlook for InGaAs APD Array and breaks down the forecast by type, by application, geography, and market size to highlight emerging pockets of opportunity. With a transparent methodology based on hundreds of bottom-up qualitative and quantitative market inputs, this study forecast offers a highly nuanced view of the current state and future trajectory in the global InGaAs APD Array.
The global InGaAs APD Array market size is projected to grow from US$ million in 2024 to US$ million in 2031; it is expected to grow at a CAGR of % from 2025 to 2031.
United States market for InGaAs APD Array is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
China market for InGaAs APD Array is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Europe market for InGaAs APD Array is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Global key InGaAs APD Array players cover Laser Components GmbH, Voxtel Inc, First Sensor, Hamamatsu, Otron Sensor Inc, TSMC, Albis Optoelectronics, PerkinElmer and Kyoto Semiconductor, etc. In terms of revenue, the global two largest companies occupied for a share nearly % in 2024.
This report presents a comprehensive overview, market shares, and growth opportunities of InGaAs APD Array market by product type, application, key manufacturers and key regions and countries.
[Market Segmentation]
Segmentation by type
Linear Array
Matrix Array
Multielement Array
Segmentation by application
Laser Ranging
Hyperspectral Imaging
Lidar
Free Space Optical Communication
Automatic Driving Imaging
This report also splits the market by region:
Americas
United States
Canada
Mexico
Brazil
APAC
China
Japan
Korea
Southeast Asia
India
Australia
Europe
Germany
France
UK
Italy
Russia
Middle East & Africa
Egypt
South Africa
Israel
Turkey
GCC Countries
The below companies that are profiled have been selected based on inputs gathered from primary experts and analyzing the company’s coverage, product portfolio, its market penetration.
Laser Components GmbH
Voxtel Inc
First Sensor
Hamamatsu
Otron Sensor Inc
TSMC
Albis Optoelectronics
PerkinElmer
Kyoto Semiconductor
Chongqing Institute of Optoelectronics Technology
Excelitas Technologies Corp
GCS
[Key Questions Addressed in this Report]
What is the 10-year outlook for the global InGaAs APD Array market?
What factors are driving InGaAs APD Array market growth, globally and by region?
Which technologies are poised for the fastest growth by market and region?
How do InGaAs APD Array market opportunities vary by end market size?
How does InGaAs APD Array break out type, application?
What are the influences of trade war and Russia-Ukraine war?
1 Scope of the Report |
| ※참고 정보 인듐갈륨비소(InGaAs) 애벌랜치 광다이오드(APD) 어레이는 고속, 고감도 광학 감지에 필수적인 첨단 반도체 소자입니다. 특히 근적외선(NIR) 영역에서 뛰어난 성능을 발휘하여 다양한 첨단 산업 분야에서 핵심적인 역할을 수행하고 있습니다. 이 글에서는 InGaAs APD 어레이의 개념을 중심으로 그 정의, 주요 특징, 종류, 핵심적인 용도 및 관련 기술에 대해 심도 있게 다루겠습니다. InGaAs APD 어레이는 기본적으로 여러 개의 개별 InGaAs APD 소자가 하나의 기판 위에 집적된 형태를 띠고 있습니다. 각 APD 소자는 입사된 광자를 전기 신호로 변환하는 역할을 하는데, APD의 가장 큰 특징은 애벌랜치 효과(avalanche effect)를 통해 광자 하나를 수십에서 수백 개의 전자로 증폭시키는 능력입니다. 이러한 자체 이득(internal gain) 특성 덕분에 매우 미약한 광 신호도 효과적으로 검출할 수 있어, SN비(신호 대 잡음비)가 중요한 애플리케이션에서 탁월한 성능을 제공합니다. InGaAs는 특정 파장 대역, 특히 1.3 µm 및 1.55 µm와 같이 광섬유 통신에 중요한 파장에서 높은 감도를 가지는 재료로, InGaAs 기반 APD 어레이는 이 파장 대역에서의 감지 성능이 매우 우수합니다. InGaAs APD 어레이의 주요 특징은 다음과 같습니다. 첫째, **높은 감도**입니다. 앞서 언급했듯이 애벌랜치 효과를 통해 광자를 증폭시키므로 매우 낮은 수준의 광량도 감지할 수 있습니다. 이는 저조도 환경에서의 감지나 멀리 떨어진 곳에서 오는 약한 신호를 포착해야 하는 애플리케이션에 매우 유리합니다. 둘째, **빠른 응답 속도**입니다. InGaAs APD는 일반적으로 나노초(ns) 또는 그 이하의 매우 빠른 응답 속도를 가지므로 고속 데이터 통신이나 실시간 영상 처리 등 속도가 중요한 시스템에 적합합니다. 셋째, **넓은 감지 파장 대역**입니다. InGaAs는 본질적으로 근적외선 영역에 민감하며, InGaAsP나 기타 퀀텀 닷 등의 첨가물 조절을 통해 감지 파장 대역을 특정 용도에 맞게 미세 조정할 수 있습니다. 넷째, **낮은 잡음 특성**입니다. 최신 InGaAs APD 어레이는 잡음 지수(noise figure)를 최소화하기 위한 구조적 설계와 재료 공학적 발전이 이루어져, 미약한 신호에서도 높은 SN비를 유지할 수 있습니다. 다섯째, **어레이 구조의 이점**입니다. 여러 APD 소자가 집적됨으로써 공간 해상도를 제공하거나, 각 소자에서 독립적인 신호를 얻어 병렬 처리 또는 이미지 형성을 가능하게 합니다. 예를 들어, 1차원 또는 2차원 어레이 형태로 배열되어 특정 영역의 광 분포를 감지할 수 있습니다. InGaAs APD 어레이는 그 구조와 기능에 따라 다양한 종류로 나눌 수 있습니다. 가장 기본적인 구분은 어레이의 **형상**에 따른 것으로, 1차원 어레이(line scan detector)와 2차원 어레이(imaging detector)로 구분할 수 있습니다. 1차원 어레이는 수십 개에서 수백 개의 APD 소자가 선형으로 배열되어 있어, 스캐닝 방식의 측정이나 특정 라인을 따라 광량을 측정하는 데 사용됩니다. 2차원 어레이는 APD 소자들이 격자 형태로 배열되어 있어 넓은 영역의 광 분포를 동시에 감지하고 이미지를 생성하는 데 활용됩니다. 또 다른 중요한 구분은 APD의 **구조**에 따른 것입니다. 흔히 사용되는 구조로는 원자층 증착(MOCVD) 등을 통해 제조되는 **SAM(Separate Absorption and Multiplication) 구조**가 있습니다. 이 구조는 흡수 영역과 배율 영역을 분리하여 전하 캐리어의 재결합으로 인한 손실을 줄이고 더 높은 배율과 낮은 잡음을 달성하도록 설계되었습니다. 최근에는 **단일 광자 애벌랜치 다이오드(SPAD, Single-Photon Avalanche Diode)** 기술을 InGaAs 소재에 적용하려는 연구도 활발히 진행되고 있으며, 이는 극히 낮은 광량, 즉 단일 광자 수준의 검출을 가능하게 합니다. SPAD 기술이 적용된 InGaAs APD 어레이는 양자 통신이나 초고감도 센서 분야에서 혁신을 가져올 것으로 기대됩니다. InGaAs APD 어레이의 가장 중요한 용도 중 하나는 **광섬유 통신**입니다. 1.3 µm 및 1.55 µm 파장은 광섬유에서 손실이 가장 적은 파장이므로, 이 대역에 최적화된 InGaAs APD 어레이는 고속 데이터 전송을 위한 광 수신기로서 필수적인 역할을 합니다. 특히 높은 데이터 전송률을 요구하는 40 Gbps, 100 Gbps 이상의 통신 시스템에서 널리 사용됩니다. 또한, **라이다(LiDAR)** 시스템에서도 InGaAs APD 어레이의 활용이 증가하고 있습니다. 특히 자율주행 자동차나 산업용 로봇에 사용되는 라이다는 장거리 측정을 위해 1550 nm 파장을 사용하는 경우가 많은데, 이는 인간의 눈에 안전하면서도 대기 중 흡수가 적어 안정적인 측정이 가능하기 때문입니다. InGaAs APD 어레이는 이러한 1550 nm 라이다 시스템에서 빠르고 정확한 거리 측정을 위한 핵심 감지 부품으로 사용됩니다. 이 외에도 **의료 영상** 분야에서는 형광 영상이나 광간섭 단층 촬영(OCT, Optical Coherence Tomography)과 같은 기술에서 InGaAs APD 어레이가 활용될 수 있습니다. 특히 NIR 영역은 생체 조직 투과성이 좋기 때문에, 피부 깊숙한 곳의 영상을 얻거나 특정 바이오마커를 검출하는 데 유용합니다. 또한, **과학 연구** 분야에서는 천문학, 분광학, 핵물리학 등 극히 낮은 광량을 측정해야 하는 다양한 실험에서 InGaAs APD 어레이의 고감도 특성이 활용됩니다. 예를 들어, 약한 빛을 내는 천체의 스펙트럼을 분석하거나, 방사선 검출기 등에도 응용될 수 있습니다. InGaAs APD 어레이의 성능을 극대화하고 다양한 응용 분야에 적용하기 위해서는 여러 **관련 기술**과의 융합이 중요합니다. 첫째, **칩 제조 공정 기술**입니다. 고품질의 InGaAs 결정 성장, 정밀한 포토리소그래피, 에칭 공정 등은 APD 어레이의 성능과 수율에 직접적인 영향을 미칩니다. 둘째, **패키징 기술**입니다. APD 어레이를 효과적으로 보호하고 외부 전기 회로와 안정적으로 연결하기 위한 저잡음 패키징 기술이 중요합니다. 특히 고속 신호를 다루기 위해서는 임피던스 매칭 및 신호 간섭 최소화를 고려한 패키징이 필요합니다. 셋째, **저잡음 전치 증폭기(TIA, Transimpedance Amplifier) 회로**입니다. APD에서 출력된 전류 신호는 매우 미약하기 때문에, 이를 효율적으로 증폭하고 잡음을 최소화하는 TIA 회로 설계가 필수적입니다. 넷째, **디지털 신호 처리(DSP) 및 알고리즘**입니다. 감지된 신호에서 노이즈를 제거하고, 거리나 밝기와 같은 유용한 정보를 추출하기 위한 고급 신호 처리 알고리즘이 중요합니다. 특히 어레이 데이터를 효율적으로 처리하고 이미지로 구현하는 기술도 중요합니다. 마지막으로, **냉각 기술**입니다. APD 소자는 작동 온도가 올라갈수록 잡음이 증가하는 경향이 있습니다. 따라서 고감도 및 저잡음 성능을 유지하기 위해 필요한 경우 냉각 기술이 적용될 수 있습니다. InGaAs APD 어레이 기술은 지속적으로 발전하고 있으며, 더 높은 민감도, 더 빠른 속도, 더 낮은 잡음, 그리고 더 높은 집적도를 목표로 연구가 진행되고 있습니다. 이러한 발전은 자율주행, 초고속 통신, 첨단 의료, 정밀 과학 등 다양한 분야에서의 혁신을 가속화할 것입니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 InGaAs APD 어레이 시장 2025-2031] (코드 : LPK23JU1221) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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