| ■ 영문 제목 : Global InGaAs Avalanche Photodiodes (InGaAs-APDs) Market Growth 2025-2031 | |
 | ■ 상품코드 : LPK23JU1274 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2025년 3월 ■ 페이지수 : 90 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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| LP인포메이션 (LPI) 의 최신 조사 자료는 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD)의 과거 판매실적을 살펴보고 2024년의 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 판매실적을 검토하여 2025년부터 2031년까지 예상되는 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 판매에 대한 지역 및 시장 세그먼트별 포괄적인 분석을 제공합니다. 글로벌 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모는 2024년 xxx백만 달러에서 연평균 xx% 성장하여 2031년에는 xxx백만 달러에 달할 것으로 예측되고 있습니다. 본 보고서의 시장규모 데이터는 무역 전쟁 및 러시아-우크라이나 전쟁의 영향을 반영했습니다. 본 조사 자료는 글로벌 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장에 관해서 조사, 분석한 보고서로서, 기업별 시장 점유율, 지역별 시장규모 (미주, 미국, 캐나다, 멕시코, 브라질, 아시아 태평양, 중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 유럽, 독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아, 중동/아프리카, 이집트, 남아프리카, 터키, 중동GCC국 등), 시장동향, 판매/유통업자/고객 리스트, 시장예측 (2026년-2031년), 주요 기업동향 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) 등의 정보를 수록하고 있습니다. 또한, 주요지역의 종류별 (1100-1700nm, 1000-1600nm) 시장규모와 용도별 (공업, 의료, 전자, 기타) 시장규모 데이터도 포함되어 있습니다. ***** 목차 구성 ***** 보고서의 범위 경영자용 요약 - 글로벌 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 2020년-2031년 - 지역별 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장분석 - 종류별 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 2020년-2025년 (1100-1700nm, 1000-1600nm) - 용도별 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 2020년-2025년 (공업, 의료, 전자, 기타) 기업별 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장분석 - 기업별 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 판매량 - 기업별 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 매출액 - 기업별 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 판매가격 - 주요기업의 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 생산거점, 판매거점 - 시장 집중도 분석 지역별 분석 - 지역별 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 판매량 2020년-2025년 - 지역별 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 매출액 2020년-2025년 미주 시장 - 미주의 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 2020년-2025년 - 미주의 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 : 종류별 - 미주의 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 : 용도별 - 미국 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 - 캐나다 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 - 멕시코 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 - 브라질 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 아시아 태평양 시장 - 아시아 태평양의 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 2020년-2025년 - 아시아 태평양의 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 : 종류별 - 아시아 태평양의 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 : 용도별 - 중국 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 - 일본 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 - 한국 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 - 동남아시아 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 - 인도 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 유럽 시장 - 유럽의 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 2020년-2025년 - 유럽의 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 : 종류별 - 유럽의 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 : 용도별 - 독일 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 - 프랑스 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 - 영국 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 중동/아프리카 시장 - 중동/아프리카의 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 2020년-2025년 - 중동/아프리카의 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 : 종류별 - 중동/아프리카의 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 : 용도별 - 이집트 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 - 남아프리카 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 - 중동GCC InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 시장의 성장요인, 과제, 동향 - 시장의 성장요인, 기회 - 시장의 과제, 리스크 - 산업 동향 제조원가 구조 분석 - 원재료 및 공급업체 - InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD)의 제조원가 구조 분석 - InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD)의 제조 프로세스 분석 - InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD)의 산업체인 구조 마케팅, 유통업체, 고객 - 판매채널 - InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD)의 유통업체 - InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD)의 주요 고객 지역별 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장 예측 - 지역별 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장규모 예측 2026년-2031년 - 미주 시장 예측 - 아시아 태평양 시장 예측 - 유럽 시장 예측 - 중동/아프리카 시장 예측 - InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD)의 종류별 시장예측 (1100-1700nm, 1000-1600nm) - InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD)의 용도별 시장예측 (공업, 의료, 전자, 기타) 주요 기업 분석 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) - Hamamatsu Photonics, OSI Optoelectronics, Albis Optoelectronics AG (Enablence), First Sensor, AMS Technologies AG, Luna Optoelectronics, Excelitas Technologies, Laser Components DG, Inc., Kyosemi Corporation 조사의 결과/결론 |
APD Avalanche Photodiode (APD) is a highly sensitive semiconductor electronic device that exploits the photoelectric effect to convert light to electricity. APDs can be thought of as photodetectors that provide a built-in first stage of gain through avalanche multiplication. From a functional standpoint, they can be regarded as the semiconductor analog to photomultipliers. By applying a high reverse bias voltage, APDs show an internal current gain effect due to impact ionization. However, some silicon APDs employ alternative doping and beveling techniques compared to traditional APDs that allow greater voltage to be applied before breakdown is reached and hence a greater operating gain. In general, the higher the reverse voltage, the higher the gain.
APD Avalanche Photodiode (APD) applicability and usefulness depends on many parameters. Two of the larger factors are: quantum efficiency, which indicates how well incident optical photons are absorbed and then used to generate primary charge carriers; and total leakage current, which is the sum of the dark current and photocurrent and noise. Electronic dark noise components are series and parallel noise. Series noise, which is the effect of shot noise, is basically proportional to the APD capacitance while the parallel noise is associated with the fluctuations of the APD bulk and surface dark currents. Another noise source is the excess noise factor, ENF. It describes the statistical noise that is inherent with the stochastic APD multiplication process. This is not to be confused with the fano noise (F), which describes the fluctuation of the total electric charge collected in the APD.
LPI (LP Information)’ newest research report, the “InGaAs Avalanche Photodiodes (InGaAs-APDs) Industry Forecast” looks at past sales and reviews total world InGaAs Avalanche Photodiodes (InGaAs-APDs) sales in 2024, providing a comprehensive analysis by region and market sector of projected InGaAs Avalanche Photodiodes (InGaAs-APDs) sales for 2025 through 2031. With InGaAs Avalanche Photodiodes (InGaAs-APDs) sales broken down by region, market sector and sub-sector, this report provides a detailed analysis in US$ millions of the world InGaAs Avalanche Photodiodes (InGaAs-APDs) industry.
This Insight Report provides a comprehensive analysis of the global InGaAs Avalanche Photodiodes (InGaAs-APDs) landscape and highlights key trends related to product segmentation, company formation, revenue, and market share, latest development, and M&A activity. This report also analyzes the strategies of leading global companies with a focus on InGaAs Avalanche Photodiodes (InGaAs-APDs) portfolios and capabilities, market entry strategies, market positions, and geographic footprints, to better understand these firms’ unique position in an accelerating global InGaAs Avalanche Photodiodes (InGaAs-APDs) market.
This Insight Report evaluates the key market trends, drivers, and affecting factors shaping the global outlook for InGaAs Avalanche Photodiodes (InGaAs-APDs) and breaks down the forecast by type, by application, geography, and market size to highlight emerging pockets of opportunity. With a transparent methodology based on hundreds of bottom-up qualitative and quantitative market inputs, this study forecast offers a highly nuanced view of the current state and future trajectory in the global InGaAs Avalanche Photodiodes (InGaAs-APDs).
The global InGaAs Avalanche Photodiodes (InGaAs-APDs) market size is projected to grow from US$ 87 million in 2024 to US$ 148.1 million in 2031; it is expected to grow at a CAGR of 148.1 from 2025 to 2031.
Global APD Avalanche Photodiode key players include First-sensor, Luna, Hamamatsu, etc. Global top three manufacturers hold a share over 45%.
Europe is the largest market, with a share about 35%, followed by Japan, and North America, both have a share over 45 percent.
In terms of product, Si APD is the largest segment, with a share over 50%. And in terms of application, the largest application is Mobility, followed by Industrial, etc.
This report presents a comprehensive overview, market shares, and growth opportunities of InGaAs Avalanche Photodiodes (InGaAs-APDs) market by product type, application, key manufacturers and key regions and countries.
[Market Segmentation]
Segmentation by type
1100 To 1700 nm
1000 To 1600 nm
Segmentation by application
Industrial
Medical
Electronic
Others
This report also splits the market by region:
Americas
United States
Canada
Mexico
Brazil
APAC
China
Japan
Korea
Southeast Asia
India
Australia
Europe
Germany
France
UK
Italy
Russia
Middle East & Africa
Egypt
South Africa
Israel
Turkey
GCC Countries
The below companies that are profiled have been selected based on inputs gathered from primary experts and analyzing the company’s coverage, product portfolio, its market penetration.
Hamamatsu Photonics
OSI Optoelectronics
Albis Optoelectronics AG (Enablence)
First Sensor
AMS Technologies AG
Luna Optoelectronics
Excelitas Technologies
Laser Components DG, Inc.
Kyosemi Corporation
[Key Questions Addressed in this Report]
What is the 10-year outlook for the global InGaAs Avalanche Photodiodes (InGaAs-APDs) market?
What factors are driving InGaAs Avalanche Photodiodes (InGaAs-APDs) market growth, globally and by region?
Which technologies are poised for the fastest growth by market and region?
How do InGaAs Avalanche Photodiodes (InGaAs-APDs) market opportunities vary by end market size?
How does InGaAs Avalanche Photodiodes (InGaAs-APDs) break out type, application?
What are the influences of trade war and Russia-Ukraine war?
1 Scope of the Report |
| ※참고 정보 ## InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 개요 InGaAs 애벌란시 포토다이오드는 갈륨비소(GaAs)와 인듐비소(InAs)의 합금인 InGaAs 반도체 물질을 기반으로 하는 고감도 광검출기입니다. 일반적인 포토다이오드와 달리, InGaAs-APD는 내부적으로 광증폭(internal optical gain) 기능을 갖추고 있어 매우 약한 광신호도 효과적으로 감지할 수 있습니다. 이러한 독특한 특성 덕분에 InGaAs-APD는 고속 통신, 광학 센싱, 의료 영상 등 다양한 첨단 분야에서 핵심적인 역할을 수행하고 있습니다. InGaAs-APD의 가장 큰 특징은 광자 하나가 InGaAs 반도체 내에서 전기적 캐리어(전자와 정공)를 생성한 후, 외부에서 가해지는 높은 전기장 하에서 이러한 캐리어들이 더 많은 캐리어를 만들어내는 연쇄 반응, 즉 '애벌란시 효과(Avalanche effect)'를 일으킨다는 점입니다. 이 과정에서 광신호의 세기가 수십 배에서 수백 배까지 증폭되어 최종적으로 더 높은 감도와 더 나은 신호 대 잡음비(SNR)를 제공하게 됩니다. 이러한 내부 증폭 능력은 외부적인 전자 증폭 회로 없이도 약한 광신호를 검출할 수 있게 해주며, 결과적으로 시스템의 복잡성을 줄이고 전력 소비를 낮추는 데 기여합니다. InGaAs-APD는 주로 근적외선(NIR) 영역, 특히 1310 nm 및 1550 nm 파장 대역에서 뛰어난 성능을 발휘합니다. 이 파장 대역은 광섬유 통신 시스템에서 신호 손실이 가장 적은 '통신 창(communication window)'으로, 장거리 데이터 전송에 매우 중요합니다. InGaAs-APD는 이 파장 대역에서 높은 양자 효율(quantum efficiency)을 가지므로 입사된 광자 대비 더 많은 전자 캐리어를 생성할 수 있습니다. 또한, 고속의 응답 시간(response time)을 제공하여 초당 수십 기가비트(Gbps) 이상의 고속 데이터 처리가 요구되는 응용 분야에 적합합니다. 이 외에도 낮은 암전류(dark current) 특성은 열 잡음으로 인한 오검출을 줄여주어 저조도 환경에서도 안정적인 성능을 보장합니다. InGaAs-APD는 구조적으로 다양한 형태로 제작될 수 있습니다. 가장 일반적인 구조는 수직형(vertical incidence) 구조로, 광이 포토다이오드 표면에 수직으로 입사됩니다. 이러한 구조는 대면적화가 용이하고 제조 공정이 비교적 간단하다는 장점이 있습니다. 또 다른 구조로는 측면 입사형(lateral incidence) 구조가 있으며, 이는 특정 응용 분야에서 더 나은 성능이나 특수한 기능을 제공할 수 있습니다. InGaAs-APD의 성능을 결정하는 중요한 요소 중 하나는 드리프트 영역(drift region)과 애벌란시 영역(avalanche region)의 설계입니다. 효과적인 캐리어 생성 및 증폭을 위해서는 이들 영역의 두께, 도핑 농도, 그리고 전기장 분포를 최적화하는 것이 중요합니다. 특히, 애벌란시 영역은 높은 전기장을 견디면서도 캐리어-캐리어 충돌 이온화 계수(carrier-carrier impact ionization coefficient)의 비율이 높아 효율적인 애벌란시 증폭이 일어나도록 설계되어야 합니다. InGaAs-APD는 주로 다음과 같은 분야에서 활용됩니다. * **광섬유 통신 시스템:** 앞서 언급했듯이, 1310 nm 및 1550 nm 파장 대역에서의 탁월한 성능은 고속 광통신 시스템의 수신기에서 필수적인 부품으로 사용됩니다. 특히, WDM(Wavelength Division Multiplexing) 시스템과 같이 여러 파장의 신호를 동시에 처리해야 하는 경우, InGaAs-APD의 높은 감도와 넓은 대역폭은 시스템 성능 향상에 크게 기여합니다. * **광학 거리 측정 (LIDAR):** LIDAR(Light Detection and Ranging) 시스템은 레이저를 이용하여 대상까지의 거리를 측정하는 기술로, 자율 주행 자동차, 지형 측량, 산업 자동화 등 다양한 분야에서 활용됩니다. InGaAs-APD는 장거리에서도 약하게 반사되는 레이저 신호를 감지하고, 애벌란시 증폭을 통해 높은 정밀도로 거리를 측정하는 데 사용됩니다. 특히, 자율 주행 차량의 경우 야간이나 악천후에도 작동해야 하므로 고감도 광검출기의 중요성이 더욱 부각됩니다. * **광학 센싱:** 다양한 산업 분야에서 광 신호를 이용한 센싱 기술은 대상의 물리적 또는 화학적 특성을 비접촉 방식으로 측정하는 데 사용됩니다. InGaAs-APD는 형광 측정, 분광 분석, 품질 검사 등 정밀한 광 신호 측정이 필요한 센서 시스템에 적용되어 높은 정확도와 민감도를 제공합니다. * **의료 영상:** 생체 조직은 특정 파장의 근적외선 영역에서 투과성이 높기 때문에, InGaAs-APD는 광간섭단층촬영(Optical Coherence Tomography, OCT)과 같은 의료 영상 기술에 사용될 수 있습니다. OCT는 비침습적으로 생체 조직의 단면 영상을 고해상도로 제공하며, 안과 질환 진단, 암 진단 등 의료 분야에서 중요한 역할을 합니다. InGaAs-APD는 OCT 시스템에서 신호 대 잡음비를 높여 더 깊은 곳까지의 이미지를 얻는 데 기여합니다. InGaAs-APD의 성능을 더욱 향상시키고 새로운 응용 분야를 개척하기 위한 관련 기술들도 활발히 연구되고 있습니다. * **SPAD(Single-Photon Avalanche Diode) 기술의 InGaAs 적용:** SPAD는 단일 광자를 감지할 수 있는 극도로 민감한 포토디텍터입니다. 기존의 SPAD는 가시광선 영역에서 주로 사용되었으나, 최근에는 InGaAs를 기반으로 하여 근적외선 영역에서 단일 광자 검출이 가능한 InGaAs-SPAD 기술이 개발되고 있습니다. 이는 장거리 광통신, 양자 암호 통신, 고감도 라이다 등에서 혁신적인 발전을 가져올 것으로 기대됩니다. * **Avalanche Photodetector (APD) Array 및 Integration:** 단일 InGaAs-APD 외에도, 여러 개의 APD를 배열한 APD 어레이(array) 기술이 발전하고 있습니다. 이는 이미징 응용 분야에서 공간 정보를 동시에 획득하는 데 유리합니다. 또한, APD를 다른 반도체 소자나 회로와 집적화하는 기술은 시스템의 소형화, 저전력화, 고성능화를 가능하게 합니다. 예를 들어, APD와 신호 처리 회로를 하나의 칩에 통합하는 것은 센서 시스템의 효율성을 크게 향상시킬 수 있습니다. * **새로운 반도체 재료 및 구조 연구:** InGaAs 외에도 InAlAs, Ge 등의 다양한 반도체 재료를 조합하거나 새로운 밴드 구조를 설계하여 특정 파장 대역에서의 성능을 극대화하려는 연구가 진행되고 있습니다. 또한, InGaAs-APD 내부에서 전자와 정공의 충돌 이온화 계수 비율을 조정하거나, 캐리어의 이동 경로를 제어하는 새로운 구조를 개발하여 잡음을 줄이고 증폭 효율을 높이는 기술도 중요하게 다루어지고 있습니다. * **디지털 신호 처리(DSP)와의 연계:** InGaAs-APD에서 발생하는 신호는 종종 노이즈를 포함하고 있습니다. 최근에는 첨단 디지털 신호 처리 알고리즘을 적용하여 신호 대 잡음비를 개선하고, 거짓 신호를 제거하며, 데이터의 정확도를 높이는 연구가 활발히 이루어지고 있습니다. 이는 특히 복잡한 환경에서 작동하는 LIDAR나 센서 시스템에서 매우 중요합니다. 결론적으로, InGaAs 애벌란시 포토다이오드는 고감도, 고속 응답, 근적외선 영역에서의 우수한 성능을 바탕으로 현대 정보 통신 기술과 첨단 센싱 기술의 발전에 없어서는 안 될 중요한 부품입니다. 지속적인 연구 개발을 통해 InGaAs-APD는 더욱 발전하여 미래의 다양한 혁신 기술을 구현하는 데 핵심적인 역할을 수행할 것으로 기대됩니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 InGaAs 애벌란시 포토다이오드 (InGaAs-APD) 시장 2025-2031] (코드 : LPK23JU1274) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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