| ■ 영문 제목 : Global Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors Market Growth 2025-2031 | |
 | ■ 상품코드 : LPK23JL1311 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2025년 3월 ■ 페이지수 : 91 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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| LPI (LP Information)의 최신 조사 보고서는 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS)의 과거 판매실적을 살펴보고 2024년의 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 판매실적을 검토하여 2025년부터 2031년까지 예상되는 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 판매에 대한 지역 및 시장 세그먼트별 포괄적인 분석을 제공합니다. 세계의 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모는 2024년 xxx백만 달러에서 연평균 xx% 성장하여 2031년에는 xxx백만 달러에 달할 것으로 예측되고 있습니다. 본 보고서의 시장규모 데이터는 무역 전쟁 및 러시아-우크라이나 전쟁의 영향을 반영했습니다. 본 보고서는 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS)의 세계시장에 관해서 조사, 분석한 자료로서, 기업별 시장 점유율, 지역별 시장규모 (미주, 미국, 캐나다, 멕시코, 브라질, 아시아, 중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 유럽, 독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아, 중동/아프리카, 이집트, 남아프리카, 터키, 중동GCC국 등), 시장동향, 판매/유통업자/고객 리스트, 시장예측 (2026년-2031년), 주요 기업동향 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) 등의 정보를 포함하고 있습니다. 또한, 주요지역의 종류별 시장규모 (P형, N형)와 용도별 시장규모 (전자, 항공 우주 및 방위, 기타) 데이터도 수록되어 있습니다. ***** 목차 구성 ***** 보고서의 범위 경영자용 요약 - 세계의 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 2020년-2031년 - 지역별 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장분석 - 종류별 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 2020년-2025년 (P형, N형) - 용도별 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 2020년-2025년 (전자, 항공 우주 및 방위, 기타) 기업별 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장분석 - 기업별 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 판매량 - 기업별 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 매출액 - 기업별 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 판매가격 - 주요기업의 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 생산거점, 판매거점 - 시장 집중도 분석 지역별 분석 - 지역별 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 판매량 2020년-2025년 - 지역별 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 매출액 2020년-2025년 미주 시장 - 미주의 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 2020년-2025년 - 미주의 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 : 종류별 - 미주의 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 : 용도별 - 미국 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 - 캐나다 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 - 멕시코 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 - 브라질 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 아시아 시장 - 아시아의 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 2020년-2025년 - 아시아의 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 : 종류별 - 아시아의 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 : 용도별 - 중국 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 - 일본 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 - 한국 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 - 동남아시아 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 - 인도 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 유럽 시장 - 유럽의 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 2020년-2025년 - 유럽의 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 : 종류별 - 유럽의 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 : 용도별 - 독일 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 - 프랑스 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 - 영국 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 중동/아프리카 시장 - 중동/아프리카의 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 2020년-2025년 - 중동/아프리카의 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 : 종류별 - 중동/아프리카의 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 : 용도별 - 이집트 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 - 남아프리카 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 - 중동GCC 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 시장의 성장요인, 과제, 동향 - 시장의 성장요인, 기회 - 시장의 과제, 리스크 - 산업 동향 제조원가 구조 분석 - 원재료 및 공급업체 - 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS)의 제조원가 구조 분석 - 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS)의 제조 프로세스 분석 - 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS)의 산업체인 구조 마케팅, 유통업체, 고객 - 판매채널 - 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS)의 유통업체 - 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS)의 주요 고객 지역별 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장 예측 - 지역별 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장규모 예측 2026년-2031년 - 미주 지역 예측 - 아시아 지역 예측 - 유럽 지역 예측 - 중동/아프리카 지역 예측 - 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS)의 종류별 시장예측 (P형, N형) - 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS)의 용도별 시장예측 (전자, 항공 우주 및 방위, 기타) 주요 기업 분석 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) - ST Microelectronics, Kyocera, NXP, Fuji Electric Journel, Nanowave Technologies, FirstNano, Mouser, Plansee 조사의 결론 |
LPI (LP Information)’ newest research report, the “Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors Industry Forecast” looks at past sales and reviews total world Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors sales in 2024, providing a comprehensive analysis by region and market sector of projected Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors sales for 2025 through 2031. With Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors sales broken down by region, market sector and sub-sector, this report provides a detailed analysis in US$ millions of the world Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors industry.
This Insight Report provides a comprehensive analysis of the global Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors landscape and highlights key trends related to product segmentation, company formation, revenue, and market share, latest development, and M&A activity. This report also analyzes the strategies of leading global companies with a focus on Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors portfolios and capabilities, market entry strategies, market positions, and geographic footprints, to better understand these firms’ unique position in an accelerating global Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors market.
This Insight Report evaluates the key market trends, drivers, and affecting factors shaping the global outlook for Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors and breaks down the forecast by type, by application, geography, and market size to highlight emerging pockets of opportunity. With a transparent methodology based on hundreds of bottom-up qualitative and quantitative market inputs, this study forecast offers a highly nuanced view of the current state and future trajectory in the global Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors.
The global Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors market size is projected to grow from US$ million in 2024 to US$ million in 2031; it is expected to grow at a CAGR of % from 2025 to 2031.
United States market for Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
China market for Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Europe market for Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Global key Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors players cover ST Microelectronics, Kyocera, NXP, Fuji Electric Journel, Nanowave Technologies, FirstNano, Mouser and Plansee, etc. In terms of revenue, the global two largest companies occupied for a share nearly % in 2024.
This report presents a comprehensive overview, market shares, and growth opportunities of Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors market by product type, application, key manufacturers and key regions and countries.
[Market Segmentation]
Segmentation by type
P Type
N Type
Segmentation by application
Electronics
Aerospace & Defense
Others
This report also splits the market by region:
Americas
United States
Canada
Mexico
Brazil
APAC
China
Japan
Korea
Southeast Asia
India
Australia
Europe
Germany
France
UK
Italy
Russia
Middle East & Africa
Egypt
South Africa
Israel
Turkey
GCC Countries
The below companies that are profiled have been selected based on inputs gathered from primary experts and analyzing the company’s coverage, product portfolio, its market penetration.
ST Microelectronics
Kyocera
NXP
Fuji Electric Journel
Nanowave Technologies
FirstNano
Mouser
Plansee
[Key Questions Addressed in this Report]
What is the 10-year outlook for the global Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors market?
What factors are driving Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors market growth, globally and by region?
Which technologies are poised for the fastest growth by market and region?
How do Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors market opportunities vary by end market size?
How does Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductors break out type, application?
What are the influences of trade war and Russia-Ukraine war?
1 Scope of the Report |
| ※참고 정보 ## 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS)의 이해 횡방향 확산 금속 산화물 반도체, 줄여서 LDMOS는 고출력 및 고주파 애플리케이션을 위해 특별히 설계된 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 한 종류입니다. 전통적인 MOSFET의 구조를 기반으로 하지만, 전류 흐름의 경로를 제어하기 위해 독특한 방식으로 확산을 이용하는 것이 특징입니다. 이러한 구조적 특징 덕분에 LDMOS는 뛰어난 항복 전압, 높은 전류 구동 능력, 그리고 상대적으로 좋은 고주파 성능을 제공하며, 이는 통신 시스템, 전력 증폭기 등 다양한 전자 장치에서 핵심적인 역할을 수행하게 합니다. LDMOS의 기본적인 개념은 채널 영역과 드레인 영역 사이에 고농도 도핑된 영역을 삽입함으로써 형성됩니다. 이 고농도 도핑 영역은 '확산 영역(diffused region)' 또는 '고농도 드리프트 영역(highly doped drift region)'이라고 불리며, 채널에서 생성된 전하 캐리어가 드레인으로 이동하는 동안 전계 분포를 완만하게 만드는 역할을 합니다. 일반적인 MOSFET에서는 게이트 전압에 의해 형성된 공핍 영역이 채널과 드레인 사이에 존재하며, 이 공핍 영역의 크기는 드레인 전압에 따라 크게 변합니다. 하지만 LDMOS에서는 이 삽입된 고농도 확산 영역 덕분에 높은 드레인 전압이 인가되어도 공핍 영역이 급격하게 확장되는 것을 방지할 수 있습니다. 결과적으로, 더 높은 항복 전압을 견딜 수 있게 되며, 이는 곧 더 높은 전력을 처리할 수 있음을 의미합니다. LDMOS의 핵심적인 특징 중 하나는 바로 높은 항복 전압입니다. 이는 앞서 설명한 확산 영역의 역할로 인해 가능해집니다. 확산 영역은 드레인과 채널 사이의 전계 집중을 완화하여, 전기적 스트레스에 의해 소자가 파괴되는 것을 방지합니다. 특히, 드레인 영역과 기판 사이의 PN 접합에서 발생하는 항복 현상이 LDMOS에서는 효과적으로 억제됩니다. 또한, LDMOS는 채널 영역의 길이 대비 드리프트 영역의 길이를 조절함으로써 항복 전압과 소자의 ON-저항 특성을 최적화할 수 있습니다. 즉, 드리프트 영역의 길이를 늘리면 항복 전압은 높아지지만 ON-저항도 함께 증가하게 되어 전력 효율에 영향을 미치게 됩니다. 반대로, 드리프트 영역의 길이를 줄이면 ON-저항은 낮아지지만 항복 전압은 감소하는 절충점이 존재합니다. 따라서 특정 애플리케이션의 요구사항에 맞춰 이러한 파라미터들을 정밀하게 설계하는 것이 중요합니다. LDMOS는 또한 높은 전류 구동 능력을 가집니다. 이는 넓은 채널 폭과 낮은 ON-저항 덕분입니다. 특히 고출력 전력 증폭기에서는 순간적으로 높은 전류를 흘려보내야 하므로, LDMOS의 이러한 특성은 매우 중요합니다. 넓은 채널은 더 많은 전하 캐리어가 동시에 흐를 수 있도록 하여 전류 밀도를 낮추고 열 발생을 줄이는 데 기여합니다. 또한, LDMOS는 벌크(bulk) 기술에 통합될 수 있어, 동일한 칩 상에서 고출력 및 저전력 로직 회로를 함께 구현할 수 있다는 장점을 가집니다. 이는 시스템 온 칩(System-on-Chip, SoC) 구현에 있어 큰 이점으로 작용합니다. LDMOS의 종류는 주로 구조적인 특징이나 도핑 방식에 따라 구분될 수 있습니다. 가장 기본적인 형태는 'n-채널 LDMOS'이며, 일반적으로 실리콘 기판 상에서 p형 기판에 n형 채널이 형성되는 구조를 가집니다. 최근에는 고성능 애플리케이션을 위해 실리콘 카바이드(SiC)나 질화갈륨(GaN)과 같은 와이드 밴드갭(Wide Bandgap, WBG) 반도체 재료를 기반으로 하는 LDMOS 트랜지스터도 개발되고 있습니다. 이러한 WBG 기반 LDMOS는 실리콘 기반 LDMOS보다 훨씬 높은 항복 전압, 더 나은 열 전도성, 그리고 더 높은 주파수에서의 동작을 가능하게 하여 차세대 고출력 고주파 애플리케이션에 적합합니다. LDMOS의 가장 대표적인 용도는 바로 RF 전력 증폭기입니다. 휴대폰 기지국, 위성 통신, 레이더 시스템, 그리고 상업용 무선 통신 장비 등 다양한 통신 시스템에서 높은 출력 전력과 효율을 제공하는 데 필수적으로 사용됩니다. 특히, 4G LTE, 5G 통신과 같이 점점 더 높은 주파수 대역과 복잡한 변조 방식을 사용하는 통신 시스템에서는 LDMOS의 고주파 특성과 높은 선형성이 요구됩니다. 또한, 자동차의 전력 전자 장치, 산업용 모터 드라이브, 그리고 전력 변환 시스템에서도 고효율, 고출력 스위칭 소자로 활용될 수 있습니다. LDMOS와 관련된 주요 기술로는 공정 기술, 소자 설계 기술, 그리고 패키징 기술 등을 들 수 있습니다. LDMOS의 성능을 극대화하기 위해서는 반도체 공정 기술의 발전이 필수적입니다. 특히, 고정밀 확산 공정, 게이트 절연막 형성 기술, 그리고 금속 접촉 형성 기술 등이 LDMOS의 항복 전압, ON-저항, 그리고 고주파 성능에 직접적인 영향을 미칩니다. 소자 설계 측면에서는 앞서 언급한 드리프트 영역의 길이 및 도핑 프로파일 최적화뿐만 아니라, 측면 누설 전류를 억제하기 위한 구조 설계, 열 방출 효율을 높이기 위한 소자 레이아웃 설계 등이 중요합니다. 또한, 고출력 LDMOS는 높은 열 발생량을 가지므로, 효과적인 열 관리를 위한 패키징 기술도 매우 중요합니다. 히트 싱크(heat sink)와의 효과적인 열 전달, 낮은 기생 성분(parasitic inductance/capacitance)을 갖는 패키지 설계 등이 고성능 LDMOS 시스템 구현에 필수적입니다. 최근에는 갈륨나이트라이드(GaN)와 같은 새로운 반도체 재료를 사용하여 LDMOS의 성능을 더욱 향상시키려는 연구가 활발히 진행되고 있으며, 이는 기존 실리콘 기반 LDMOS의 한계를 극복하고 차세대 통신 및 전력 전자 시장을 선도할 것으로 기대됩니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장예측 2025년-2031년] (코드 : LPK23JL1311) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
| ※본 조사보고서 [세계의 횡방향 확산 금속 산화물 반도체 (LDMOS) 시장예측 2025년-2031년] 에 대해서 E메일 문의는 여기를 클릭하세요. |
※당 사이트에 없는 보고서도 취급 가능한 경우가 많으니 문의 주세요!