| ■ 영문 제목 : Global Monocrystalline Silicon Epitaxial Wafer Market Growth 2025-2031 | |
 | ■ 상품코드 : LPK23JU1328 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2025년 3월 ■ 페이지수 : 110 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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| LP인포메이션 (LPI) 의 최신 조사 자료는 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼의 과거 판매실적을 살펴보고 2024년의 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 판매실적을 검토하여 2025년부터 2031년까지 예상되는 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 판매에 대한 지역 및 시장 세그먼트별 포괄적인 분석을 제공합니다. 글로벌 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모는 2024년 xxx백만 달러에서 연평균 xx% 성장하여 2031년에는 xxx백만 달러에 달할 것으로 예측되고 있습니다. 본 보고서의 시장규모 데이터는 무역 전쟁 및 러시아-우크라이나 전쟁의 영향을 반영했습니다. 본 조사 자료는 글로벌 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장에 관해서 조사, 분석한 보고서로서, 기업별 시장 점유율, 지역별 시장규모 (미주, 미국, 캐나다, 멕시코, 브라질, 아시아 태평양, 중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 유럽, 독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아, 중동/아프리카, 이집트, 남아프리카, 터키, 중동GCC국 등), 시장동향, 판매/유통업자/고객 리스트, 시장예측 (2026년-2031년), 주요 기업동향 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) 등의 정보를 수록하고 있습니다. 또한, 주요지역의 종류별 (8인치, 12인치, 4인치, 6인치, 기타) 시장규모와 용도별 (CMOS 제품, 다이오드, 트랜지스터, 집적 회로, 기타) 시장규모 데이터도 포함되어 있습니다. ***** 목차 구성 ***** 보고서의 범위 경영자용 요약 - 글로벌 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 2020년-2031년 - 지역별 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장분석 - 종류별 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 2020년-2025년 (8인치, 12인치, 4인치, 6인치, 기타) - 용도별 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 2020년-2025년 (CMOS 제품, 다이오드, 트랜지스터, 집적 회로, 기타) 기업별 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장분석 - 기업별 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 판매량 - 기업별 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 매출액 - 기업별 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 판매가격 - 주요기업의 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 생산거점, 판매거점 - 시장 집중도 분석 지역별 분석 - 지역별 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 판매량 2020년-2025년 - 지역별 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 매출액 2020년-2025년 미주 시장 - 미주의 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 2020년-2025년 - 미주의 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 : 종류별 - 미주의 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 : 용도별 - 미국 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 - 캐나다 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 - 멕시코 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 - 브라질 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 아시아 태평양 시장 - 아시아 태평양의 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 2020년-2025년 - 아시아 태평양의 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 : 종류별 - 아시아 태평양의 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 : 용도별 - 중국 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 - 일본 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 - 한국 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 - 동남아시아 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 - 인도 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 유럽 시장 - 유럽의 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 2020년-2025년 - 유럽의 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 : 종류별 - 유럽의 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 : 용도별 - 독일 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 - 프랑스 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 - 영국 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 중동/아프리카 시장 - 중동/아프리카의 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 2020년-2025년 - 중동/아프리카의 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 : 종류별 - 중동/아프리카의 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 : 용도별 - 이집트 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 - 남아프리카 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 - 중동GCC 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 시장의 성장요인, 과제, 동향 - 시장의 성장요인, 기회 - 시장의 과제, 리스크 - 산업 동향 제조원가 구조 분석 - 원재료 및 공급업체 - 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼의 제조원가 구조 분석 - 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼의 제조 프로세스 분석 - 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼의 산업체인 구조 마케팅, 유통업체, 고객 - 판매채널 - 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼의 유통업체 - 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼의 주요 고객 지역별 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장 예측 - 지역별 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장규모 예측 2026년-2031년 - 미주 시장 예측 - 아시아 태평양 시장 예측 - 유럽 시장 예측 - 중동/아프리카 시장 예측 - 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼의 종류별 시장예측 (8인치, 12인치, 4인치, 6인치, 기타) - 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼의 용도별 시장예측 (CMOS 제품, 다이오드, 트랜지스터, 집적 회로, 기타) 주요 기업 분석 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) - II-VI Incorporated, IQE PLC, Nichia Corporation (Japan), SAS/GlobalWafers Co., Ltd. (Taiwan), Shin-Etsu, Showa Denko, Siltronic, SOITEC, Soitec BE / EpiGaN, Sumitomo Chemical Advanced Technologies, Beijing Eswell Technology Group Co., Ltd., Hebei Puxing Electronic Technology Co., Ltd., Nanjing Guosheng Electronics Co., Ltd., Shanghai Xinao Technology Co., Ltd., Zhejiang Jinruihong Technology Co., Ltd. 조사의 결과/결론 |
Monocrystalline silicon epitaxial wafer refers to a monocrystalline silicon wafer produced by growing a thin film on the surface of a substrate by an epitaxial process. It is mainly composed of three parts: P type, quantum well, and type.
LPI (LP Information)’ newest research report, the “Monocrystalline Silicon Epitaxial Wafer Industry Forecast” looks at past sales and reviews total world Monocrystalline Silicon Epitaxial Wafer sales in 2024, providing a comprehensive analysis by region and market sector of projected Monocrystalline Silicon Epitaxial Wafer sales for 2025 through 2031. With Monocrystalline Silicon Epitaxial Wafer sales broken down by region, market sector and sub-sector, this report provides a detailed analysis in US$ millions of the world Monocrystalline Silicon Epitaxial Wafer industry.
This Insight Report provides a comprehensive analysis of the global Monocrystalline Silicon Epitaxial Wafer landscape and highlights key trends related to product segmentation, company formation, revenue, and market share, latest development, and M&A activity. This report also analyzes the strategies of leading global companies with a focus on Monocrystalline Silicon Epitaxial Wafer portfolios and capabilities, market entry strategies, market positions, and geographic footprints, to better understand these firms’ unique position in an accelerating global Monocrystalline Silicon Epitaxial Wafer market.
This Insight Report evaluates the key market trends, drivers, and affecting factors shaping the global outlook for Monocrystalline Silicon Epitaxial Wafer and breaks down the forecast by type, by application, geography, and market size to highlight emerging pockets of opportunity. With a transparent methodology based on hundreds of bottom-up qualitative and quantitative market inputs, this study forecast offers a highly nuanced view of the current state and future trajectory in the global Monocrystalline Silicon Epitaxial Wafer.
The global Monocrystalline Silicon Epitaxial Wafer market size is projected to grow from US$ million in 2024 to US$ million in 2031; it is expected to grow at a CAGR of % from 2025 to 2031.
United States market for Monocrystalline Silicon Epitaxial Wafer is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
China market for Monocrystalline Silicon Epitaxial Wafer is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Europe market for Monocrystalline Silicon Epitaxial Wafer is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Global key Monocrystalline Silicon Epitaxial Wafer players cover II-VI Incorporated, IQE PLC, Nichia Corporation (Japan), SAS/GlobalWafers Co., Ltd. (Taiwan), Shin-Etsu, Showa Denko, Siltronic, SOITEC and Soitec BE / EpiGaN, etc. In terms of revenue, the global two largest companies occupied for a share nearly % in 2024.
This report presents a comprehensive overview, market shares, and growth opportunities of Monocrystalline Silicon Epitaxial Wafer market by product type, application, key manufacturers and key regions and countries.
[Market Segmentation]
Segmentation by type
8 inches
12 inches
4 inches
6 inches
Other
Segmentation by application
CMOS Products
Diode
Transistor
Integrated Circuit
Other
This report also splits the market by region:
Americas
United States
Canada
Mexico
Brazil
APAC
China
Japan
Korea
Southeast Asia
India
Australia
Europe
Germany
France
UK
Italy
Russia
Middle East & Africa
Egypt
South Africa
Israel
Turkey
GCC Countries
The below companies that are profiled have been selected based on inputs gathered from primary experts and analyzing the company’s coverage, product portfolio, its market penetration.
II-VI Incorporated
IQE PLC
Nichia Corporation (Japan)
SAS/GlobalWafers Co., Ltd. (Taiwan)
Shin-Etsu
Showa Denko
Siltronic
SOITEC
Soitec BE / EpiGaN
Sumitomo Chemical Advanced Technologies
Beijing Eswell Technology Group Co., Ltd.
Hebei Puxing Electronic Technology Co., Ltd.
Nanjing Guosheng Electronics Co., Ltd.
Shanghai Xinao Technology Co., Ltd.
Zhejiang Jinruihong Technology Co., Ltd.
[Key Questions Addressed in this Report]
What is the 10-year outlook for the global Monocrystalline Silicon Epitaxial Wafer market?
What factors are driving Monocrystalline Silicon Epitaxial Wafer market growth, globally and by region?
Which technologies are poised for the fastest growth by market and region?
How do Monocrystalline Silicon Epitaxial Wafer market opportunities vary by end market size?
How does Monocrystalline Silicon Epitaxial Wafer break out type, application?
What are the influences of trade war and Russia-Ukraine war?
1 Scope of the Report |
| ※참고 정보 ## 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼: 반도체 기술의 핵심 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼는 현대 전자 산업의 근간을 이루는 반도체 소자 제작에 있어 필수적인 재료입니다. 이 웨이퍼는 순수한 단결정 실리콘 기판 위에 얇은 단결정 실리콘 박막을 성장시킨 것으로, 마치 매끄러운 유리 위에 또 다른 얇은 유리 층을 얹는 것에 비유할 수 있습니다. 하지만 그 기능과 중요성은 단순히 층을 쌓는 것을 넘어, 반도체 소자의 성능을 결정짓는 핵심적인 역할을 수행합니다. 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼의 **정의**는 다음과 같습니다. 단결정 실리콘 기판은 하나의 결정 구조를 가지는 순수한 실리콘으로 이루어져 있으며, 이 위에 화학 기상 증착(CVD) 등의 방식을 이용하여 동일한 결정 구조를 가진 얇은 실리콘 박막을 성장시킨 것을 의미합니다. 여기서 '에피택시(Epitaxy)'라는 용어는 특정 물질의 결정면 위에 동일하거나 유사한 결정 구조를 가진 물질의 결정을 성장시키는 과정을 지칭합니다. 따라서 에피택시얼 웨이퍼는 기판과 동일한 결정 방향과 구조를 가지는 고품질의 실리콘 박막이 성장된 웨이퍼라고 할 수 있습니다. 이러한 에피택시얼 웨이퍼는 여러 가지 **특징**을 통해 기존의 벌크 웨이퍼와 차별화됩니다. 가장 두드러지는 특징은 바로 '표면 품질'과 '박막의 순도 및 균일성'입니다. 에피택시 공정을 통해 성장된 실리콘 박막은 표면이 매우 평탄하고 결정 결함이 적습니다. 이는 반도체 소자 제작 시 미세한 회로 패턴을 형성하고, 소자의 전기적 특성을 안정적으로 유지하는 데 결정적인 영향을 미칩니다. 벌크 웨이퍼의 경우, 표면 불순물이나 결정 결함이 미세 패턴 형성에 오류를 일으키거나 소자 성능 저하의 원인이 될 수 있습니다. 반면 에피택시얼 웨이퍼는 깨끗하고 균일한 표면을 제공하여 높은 수율과 신뢰성을 확보할 수 있게 합니다. 또한, 에피택시 공정을 통해 박막 내에 특정 불순물(도펀트)을 정밀하게 제어하여 첨가할 수 있습니다. 이를 통해 원하는 전기적 특성을 가진 층을 정밀하게 구현할 수 있습니다. 예를 들어, 특정 농도의 p형 또는 n형 불순물을 박막에 주입하여 트랜지스터의 채널 영역이나 접합부를 형성하는 데 활용됩니다. 이렇게 정밀하게 제어된 불순물 농도는 소자의 스위칭 속도, 전류 구동 능력, 누설 전류 등의 성능을 결정하는 중요한 요소입니다. 에피택시얼 웨이퍼는 성장되는 박막의 특성에 따라 다양한 **종류**로 나눌 수 있습니다. 가장 기본적인 것은 순수한 실리콘 박막을 성장시킨 '순수 실리콘 에피택시얼 웨이퍼'입니다. 하지만 더욱 고도화된 반도체 소자를 제작하기 위해서는 다양한 물질로 구성된 박막을 성장시키기도 합니다. 예를 들어, '실리콘 게르마늄(SiGe) 에피택시얼 웨이퍼'는 실리콘 위에 실리콘과 게르마늄을 함께 성장시킨 것으로, 게르마늄의 높은 이동도를 활용하여 고속 소자 제작에 사용됩니다. 또한, 실리콘 박막 내에 탄소(C)나 주석(Sn)과 같은 다른 원소를 첨가하여 격자 상수(lattice constant)를 조절하거나 전기적 특성을 개선하는 연구도 활발히 진행되고 있습니다. 최근에는 고집적화 및 고성능화 요구에 부응하기 위해 3차원적인 구조를 가지는 박막을 성장시키는 '3D 에피택시' 기술도 주목받고 있습니다. 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼의 **용도**는 반도체 산업 전반에 걸쳐 매우 광범위합니다. 가장 대표적인 응용 분야는 바로 '집적회로(IC)' 제작입니다. 마이크로프로세서, 메모리 반도체, 센서 등 다양한 IC의 핵심 구조를 형성하는 데 에피택시얼 웨이퍼가 사용됩니다. 특히, 미세 공정이 필수적인 최첨단 로직 반도체나 고성능 메모리 반도체에서는 에피택시 기술의 중요성이 더욱 강조됩니다. 또한, '고성능 트랜지스터' 제작에도 필수적입니다. 특히, 채널 길이를 줄이고 이동도를 높여 스위칭 속도를 향상시키기 위한 최신 트랜지스터 구조에서는 에피택시 기술을 통해 정밀하게 설계된 박막이 사용됩니다. 예를 들어, FinFET이나 GAAFET과 같은 3차원 구조의 트랜지스터는 에피택시 기술을 통해 구현되는 정밀한 박막 증착과 패턴 형성 능력에 의해 성능이 크게 좌우됩니다. '전력 반도체' 분야에서도 에피택시 기술의 활용이 늘어나고 있습니다. 고전압 및 고전류를 견딜 수 있는 전력 소자를 제작하기 위해서는 높은 순도와 균일성을 가진 에피택시 박막이 요구됩니다. 이를 통해 전력 변환 효율을 높이고 소자의 안정성을 확보할 수 있습니다. 관련 **기술** 측면에서 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼의 생산은 첨단 기술의 집약체라고 할 수 있습니다. 가장 핵심적인 기술은 바로 '에피택시 공정 자체'입니다. 주로 사용되는 방식은 '화학 기상 증착(CVD, Chemical Vapor Deposition)'입니다. 이 중에서도 특히 '유기 금속 화학 기상 증착(MOCVD, Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)'은 고품질의 박막을 정밀하게 성장시키는 데 주로 사용됩니다. MOCVD 공정은 고온에서 가스 상태의 전구체(precursor)를 반응시켜 웨이퍼 표면에 원하는 물질을 증착시키는 방식입니다. 이 과정에서 온도, 압력, 가스 유량, 반응 시간 등을 정밀하게 제어하는 것이 매우 중요합니다. 에피택시 박막의 성장을 위해서는 높은 순도의 원료 가스가 필수적입니다. 실리콘 소스 가스로는 삼염화실란($SiH_2Cl_2$)이나 사염화실란($SiCl_4$) 등이 사용되며, 도펀트 소스 가스로는 삼보란($B_2H_6$) (p형), 포스핀($PH_3$) 또는 아르신($AsH_3$) (n형) 등이 사용됩니다. 이러한 가스들은 초고순도 상태로 공급되어야 하며, 불순물 혼입을 최소화하기 위한 엄격한 품질 관리가 이루어집니다. 에피택시 공정의 또 다른 중요한 측면은 '웨이퍼의 표면 처리'입니다. 에피택시를 시작하기 전에 기판 웨이퍼의 표면을 극도로 깨끗하게 만드는 과정이 선행되어야 합니다. 이를 위해 습식 화학 세정, 플라즈마 세정 등 다양한 표면 처리 기술이 적용됩니다. 표면의 원자 하나하나가 결정 성장에 영향을 미칠 수 있기 때문에, 완벽에 가까운 표면 상태를 유지하는 것이 중요합니다. 최근에는 더욱 복잡하고 3차원적인 구조의 에피택시 박막을 성장시키기 위한 '고려사항'도 등장하고 있습니다. 예를 들어, FinFET과 같이 핀(fin) 형태로 돌출된 기판 위에 에피택시를 진행할 경우, 측벽과 상부 표면 간의 증착 속도 차이를 제어하여 균일한 두께의 박막을 성장시키는 것이 중요합니다. 이를 위해 다양한 증착 제어 기술과 함께 새로운 전구체 및 공정 조건이 연구되고 있습니다. 결론적으로, 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼는 단순한 실리콘 기판을 넘어, 반도체 소자의 성능을 극대화하기 위한 고품질의 결정층을 제공하는 첨단 소재입니다. 정밀한 에피택시 공정 기술의 발전은 곧 반도체 산업의 발전과 직결되며, 더욱 작고 빠르며 효율적인 전자 기기의 등장을 가능하게 하는 원동력이 됩니다. 따라서 에피택시얼 웨이퍼 관련 기술은 앞으로도 지속적인 연구 개발이 이루어질 핵심 분야로 자리매김할 것입니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장 2025-2031] (코드 : LPK23JU1328) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 단결정 실리콘 에피택시얼 웨이퍼 시장 2025-2031] 에 대해서 E메일 문의는 여기를 클릭하세요. |
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