| ■ 영문 제목 : Global MOSFET and IGBT Gate Drivers Market Growth 2025-2031 | |
 | ■ 상품코드 : LPK23JU1212 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2025년 3월 ■ 페이지수 : 104 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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| LP인포메이션 (LPI) 의 최신 조사 자료는 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버의 과거 판매실적을 살펴보고 2024년의 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 판매실적을 검토하여 2025년부터 2031년까지 예상되는 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 판매에 대한 지역 및 시장 세그먼트별 포괄적인 분석을 제공합니다. 글로벌 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모는 2024년 xxx백만 달러에서 연평균 xx% 성장하여 2031년에는 xxx백만 달러에 달할 것으로 예측되고 있습니다. 본 보고서의 시장규모 데이터는 무역 전쟁 및 러시아-우크라이나 전쟁의 영향을 반영했습니다. 본 조사 자료는 글로벌 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장에 관해서 조사, 분석한 보고서로서, 기업별 시장 점유율, 지역별 시장규모 (미주, 미국, 캐나다, 멕시코, 브라질, 아시아 태평양, 중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 유럽, 독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아, 중동/아프리카, 이집트, 남아프리카, 터키, 중동GCC국 등), 시장동향, 판매/유통업자/고객 리스트, 시장예측 (2026년-2031년), 주요 기업동향 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) 등의 정보를 수록하고 있습니다. 또한, 주요지역의 종류별 (싱글 채널, 듀얼 채널, 멀티 채널) 시장규모와 용도별 (전자, 자동차, 모터 구동 및 제어, 스마트 그리드 인프라, 공장 자동화, 항공 우주, 기타) 시장규모 데이터도 포함되어 있습니다. ***** 목차 구성 ***** 보고서의 범위 경영자용 요약 - 글로벌 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 2020년-2031년 - 지역별 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장분석 - 종류별 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 2020년-2025년 (싱글 채널, 듀얼 채널, 멀티 채널) - 용도별 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 2020년-2025년 (전자, 자동차, 모터 구동 및 제어, 스마트 그리드 인프라, 공장 자동화, 항공 우주, 기타) 기업별 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장분석 - 기업별 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 판매량 - 기업별 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 매출액 - 기업별 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 판매가격 - 주요기업의 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 생산거점, 판매거점 - 시장 집중도 분석 지역별 분석 - 지역별 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 판매량 2020년-2025년 - 지역별 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 매출액 2020년-2025년 미주 시장 - 미주의 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 2020년-2025년 - 미주의 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 : 종류별 - 미주의 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 : 용도별 - 미국 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 - 캐나다 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 - 멕시코 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 - 브라질 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 아시아 태평양 시장 - 아시아 태평양의 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 2020년-2025년 - 아시아 태평양의 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 : 종류별 - 아시아 태평양의 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 : 용도별 - 중국 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 - 일본 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 - 한국 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 - 동남아시아 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 - 인도 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 유럽 시장 - 유럽의 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 2020년-2025년 - 유럽의 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 : 종류별 - 유럽의 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 : 용도별 - 독일 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 - 프랑스 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 - 영국 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 중동/아프리카 시장 - 중동/아프리카의 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 2020년-2025년 - 중동/아프리카의 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 : 종류별 - 중동/아프리카의 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 : 용도별 - 이집트 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 - 남아프리카 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 - 중동GCC MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 시장의 성장요인, 과제, 동향 - 시장의 성장요인, 기회 - 시장의 과제, 리스크 - 산업 동향 제조원가 구조 분석 - 원재료 및 공급업체 - MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버의 제조원가 구조 분석 - MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버의 제조 프로세스 분석 - MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버의 산업체인 구조 마케팅, 유통업체, 고객 - 판매채널 - MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버의 유통업체 - MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버의 주요 고객 지역별 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장 예측 - 지역별 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장규모 예측 2026년-2031년 - 미주 시장 예측 - 아시아 태평양 시장 예측 - 유럽 시장 예측 - 중동/아프리카 시장 예측 - MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버의 종류별 시장예측 (싱글 채널, 듀얼 채널, 멀티 채널) - MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버의 용도별 시장예측 (전자, 자동차, 모터 구동 및 제어, 스마트 그리드 인프라, 공장 자동화, 항공 우주, 기타) 주요 기업 분석 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) - Texas Instruments, STMicroelectronics, NXP Semiconductors, ON Semiconductor, Toshiba, Vishay Intertechnology, Infineon, Fairchild Semiconductor, Fuji Electric, Diodes 조사의 결과/결론 |
This report studies the MOSFET & IGBT Gate Drivers market. A gate driver is a power amplifier that accepts a low-power input from a controller IC and produces a high-current drive input for the gate of a high-power transistor such as an IGBT or power MOSFET. Gate drivers can be provided either on-chip or as a discrete module. In essence, a gate driver consists of a level shifter in combination with an amplifier.
LPI (LP Information)’ newest research report, the “MOSFET and IGBT Gate Drivers Industry Forecast” looks at past sales and reviews total world MOSFET and IGBT Gate Drivers sales in 2024, providing a comprehensive analysis by region and market sector of projected MOSFET and IGBT Gate Drivers sales for 2025 through 2031. With MOSFET and IGBT Gate Drivers sales broken down by region, market sector and sub-sector, this report provides a detailed analysis in US$ millions of the world MOSFET and IGBT Gate Drivers industry.
This Insight Report provides a comprehensive analysis of the global MOSFET and IGBT Gate Drivers landscape and highlights key trends related to product segmentation, company formation, revenue, and market share, latest development, and M&A activity. This report also analyzes the strategies of leading global companies with a focus on MOSFET and IGBT Gate Drivers portfolios and capabilities, market entry strategies, market positions, and geographic footprints, to better understand these firms’ unique position in an accelerating global MOSFET and IGBT Gate Drivers market.
This Insight Report evaluates the key market trends, drivers, and affecting factors shaping the global outlook for MOSFET and IGBT Gate Drivers and breaks down the forecast by type, by application, geography, and market size to highlight emerging pockets of opportunity. With a transparent methodology based on hundreds of bottom-up qualitative and quantitative market inputs, this study forecast offers a highly nuanced view of the current state and future trajectory in the global MOSFET and IGBT Gate Drivers.
The global MOSFET and IGBT Gate Drivers market size is projected to grow from US$ 1576.9 million in 2024 to US$ 2325.4 million in 2031; it is expected to grow at a CAGR of 2325.4 from 2025 to 2031.
Global MOSFET & IGBT Gate Drivers key players include Infineon Technologies, ON Semiconductor, STMicroelectronics, ROHM Semiconductor, NXP Semiconductors, etc. Global top five manufacturers hold a share about 55%. Asia-Pacific is the largest market, with a share about 60%, followed by Europe, with a share about 20 percent. In terms of product, Half-bridge Gate Drivers is the largest segment, with a share about 40%. And in terms of application, the largest application is Power Supply, followed by Automotive, Display & Lighting, Home Appliance, etc.
This report presents a comprehensive overview, market shares, and growth opportunities of MOSFET and IGBT Gate Drivers market by product type, application, key manufacturers and key regions and countries.
[Market Segmentation]
Segmentation by type
Single Channel
Dual Channel
Multi-Channel
Segmentation by application
Electronics
Automobile
Motor Drives and Control
Smart Grid Infrastructure
Factory Automation
Aerospace
Others
This report also splits the market by region:
Americas
United States
Canada
Mexico
Brazil
APAC
China
Japan
Korea
Southeast Asia
India
Australia
Europe
Germany
France
UK
Italy
Russia
Middle East & Africa
Egypt
South Africa
Israel
Turkey
GCC Countries
The below companies that are profiled have been selected based on inputs gathered from primary experts and analyzing the company’s coverage, product portfolio, its market penetration.
Texas Instruments
STMicroelectronics
NXP Semiconductors
ON Semiconductor
Toshiba
Vishay Intertechnology
Infineon
Fairchild Semiconductor
Fuji Electric
Diodes
[Key Questions Addressed in this Report]
What is the 10-year outlook for the global MOSFET and IGBT Gate Drivers market?
What factors are driving MOSFET and IGBT Gate Drivers market growth, globally and by region?
Which technologies are poised for the fastest growth by market and region?
How do MOSFET and IGBT Gate Drivers market opportunities vary by end market size?
How does MOSFET and IGBT Gate Drivers break out type, application?
What are the influences of trade war and Russia-Ukraine war?
1 Scope of the Report |
| ※참고 정보 ## MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버의 개념 MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)과 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)는 현대 전력전자 시스템에서 핵심적인 스위칭 소자로 널리 사용되고 있습니다. 이들 소자를 효율적이고 안정적으로 구동하기 위해서는 적절한 게이트 드라이버의 역할이 필수적입니다. 게이트 드라이버는 MOSFET 또는 IGBT의 게이트 단자에 필요한 구동 전압 및 전류를 공급하여 소자를 신속하고 정확하게 켜고 끄는 역할을 수행합니다. **1. 게이트 드라이버의 기본 개념 및 필요성** MOSFET과 IGBT는 게이트 단자에 특정 전압을 인가하면 채널이 형성되어 전류가 흐르는 원리로 작동하는 전계 효과 트랜지스터입니다. 하지만 이러한 스위칭 과정은 단순히 전압을 인가하는 것 이상을 요구합니다. * **게이트 커패시턴스:** MOSFET과 IGBT의 게이트 단자는 본질적으로 커패시턴스를 가지고 있습니다. 이 커패시턴스를 충전하고 방전하는 데에는 상당한 양의 전류가 필요합니다. 특히 고속 스위칭을 구현하기 위해서는 이 커패시턴스를 빠르게 충방전하여 턴온(turn-on) 및 턴오프(turn-off) 시간을 단축해야 합니다. * **구동 전압 요구사항:** MOSFET과 IGBT는 특정 임계 전압(threshold voltage) 이상을 게이트에 인가해야만 온 상태가 됩니다. 또한, 소자를 완전히 온시키기 위해서는 임계 전압보다 더 높은 포화 전압(saturation voltage)을 유지해야 하며, 턴오프 시에는 게이트 전압을 임계 전압 이하로 신속하게 낮추어야 합니다. 이러한 요구 전압은 소자의 종류와 사양에 따라 다릅니다. * **외부 제어 신호와의 인터페이스:** MOSFET 및 IGBT는 일반적으로 마이크로컨트롤러(MCU)나 DSP와 같은 낮은 전압의 제어 신호에 의해 제어됩니다. 하지만 이들 스위칭 소자는 수백 볼트 이상의 고전압에서 작동하므로, 저전압 제어 신호와 고전압 스위칭 소자 간의 직접적인 연결은 불가능합니다. 게이트 드라이버는 이러한 전압 레벨 변환 및 절연 기능을 수행합니다. * **전력 효율 및 열 발생 관리:** 스위칭 과정에서 발생하는 에너지 손실은 게이트 드라이버의 성능에 크게 좌우됩니다. 게이트 드라이버는 소자를 빠르고 깨끗하게 스위칭함으로써 스위칭 손실을 최소화하고, 결과적으로 전력 효율을 높이고 소자의 발열을 줄이는 데 기여합니다. * **소자 보호:** 과도한 게이트 전압이나 전류는 소자를 손상시킬 수 있습니다. 게이트 드라이버는 과전압 및 과전류로부터 소자를 보호하기 위한 기능을 내장하고 있기도 합니다. 따라서 게이트 드라이버는 MOSFET 및 IGBT를 효과적으로 제어하기 위한 필수적인 인터페이스 회로로서, 전력 변환 시스템의 성능, 효율, 신뢰성 및 안전성을 결정하는 중요한 요소입니다. **2. 게이트 드라이버의 주요 특징** 우수한 게이트 드라이버는 다음과 같은 주요 특징들을 갖추고 있습니다. * **높은 피크 전류 공급 능력:** 게이트 커패시턴스를 빠르게 충방전하기 위해 순간적으로 높은 전류를 공급할 수 있어야 합니다. 이는 턴온 및 턴오프 시간을 단축하여 스위칭 손실을 줄이는 데 결정적인 역할을 합니다. * **정확하고 안정적인 게이트 전압:** 소자가 최적의 성능을 발휘하도록 규정된 게이트 전압을 정확하게 유지해야 합니다. 이는 소자의 온/오프 특성을 안정적으로 만들고 오작동을 방지합니다. * **빠른 스위칭 속도:** 게이트 신호의 상승 및 하강 시간을 최소화하여 MOSFET 및 IGBT의 스위칭 속도를 높입니다. 이는 전력 변환 시스템의 동작 주파수를 높여 시스템 크기를 줄이고 효율을 향상시키는 데 기여합니다. * **절연 기능:** 제어 회로와 고전압 전력 회로 간의 전기적 절연은 시스템의 안전성을 위해 필수적입니다. 일반적으로 광 커플러(Optocoupler)나 변압기(Transformer)를 이용한 절연 방식을 사용합니다. * **내장된 보호 기능:** 과전압 보호(OVP), 과전류 보호(OCP), 저전압 잠금(UVLO, Under-Voltage Lockout), 데드타임(Dead-time) 제어 등의 보호 기능을 제공하여 소자와 시스템의 안정성을 높입니다. * **넓은 동작 온도 범위:** 다양한 산업 및 자동차 환경에서 안정적으로 동작하기 위해 넓은 온도 범위에서 성능을 유지해야 합니다. * **낮은 전력 소비:** 게이트 드라이버 자체의 전력 소비는 시스템 전체의 효율에 영향을 미치므로, 효율적인 설계를 통해 전력 소비를 최소화하는 것이 중요합니다. **3. 게이트 드라이버의 종류** 게이트 드라이버는 크게 구동 방식과 절연 방식에 따라 분류할 수 있습니다. **3.1. 구동 방식에 따른 분류** * **소스 드라이버 (Source Driver):** 게이트를 접지(ground)에 연결하여 턴오프하는 방식입니다. 비교적 간단하지만, 높은 주파수나 큰 게이트 용량을 가진 소자에는 턴오프 속도가 느릴 수 있다는 단점이 있습니다. * **싱크 드라이버 (Sink Driver):** 게이트를 소스의 전압(보통 Vcc 또는 높은 전압 레일)에 연결하여 턴오프하는 방식입니다. 턴오프 속도가 빠르다는 장점이 있으나, 소스 드라이버에 비해 회로가 복잡해질 수 있습니다. * **푸시-풀 드라이버 (Push-Pull Driver):** 능동 소자(트랜지스터 등)를 사용하여 게이트를 Vcc와 접지 사이로 번갈아 가며 연결하여 턴온/턴오프를 모두 강제로 수행하는 방식입니다. 가장 빠르고 강력한 게이트 구동이 가능하며, MOSFET 및 IGBT의 고속 스위칭에 널리 사용됩니다. **3.2. 절연 방식에 따른 분류** * **비절연 게이트 드라이버 (Non-Isolated Gate Driver):** 제어 회로와 전력 회로 간에 전기적 절연이 없는 방식입니다. 회로가 간단하고 비용이 저렴하지만, 안전상의 이유로 제어 회로의 접지가 전력 회로의 접지와 공유될 때만 사용 가능합니다. 일반적으로 낮은 전압 애플리케이션이나 특정 제약 조건 하에서 사용됩니다. * **절연 게이트 드라이버 (Isolated Gate Driver):** 제어 회로와 전력 회로 간에 전기적 절연이 제공되는 방식입니다. 안전성과 EMI(Electromagnetic Interference) 측면에서 유리하며, 대부분의 고전압 전력 변환 시스템에서 필수적으로 사용됩니다. 절연 방식으로는 다음과 같은 것들이 있습니다. * **광 커플러 기반 절연 (Optocoupler-based Isolation):** LED와 포토 트랜지스터/포토 다이오드 등을 이용하여 빛으로 신호를 전달하여 절연합니다. 가장 보편적으로 사용되는 방식이며, 뛰어난 절연 성능을 제공합니다. 하지만 스위칭 속도에 한계가 있을 수 있으며, 온도 변화에 민감할 수 있습니다. * **변압기 기반 절연 (Transformer-based Isolation):** 고주파 변압기를 이용하여 신호를 전달하며 절연합니다. 높은 절연 내압과 빠른 응답 속도를 제공하지만, 트랜스포머의 크기와 비용이 증가할 수 있습니다. * **정전 용량 커플링 기반 절연 (Capacitive Coupling Isolation):** 절연 게이트 드라이버 IC 내부에 통합된 커패시터를 이용하여 신호를 전달하며 절연합니다. 집적화가 용이하고 비교적 빠른 스위칭 속도를 제공하지만, 절연 내압에 한계가 있을 수 있습니다. **4. 게이트 드라이버의 용도** 게이트 드라이버는 전력전자 시스템의 핵심 구성 요소로서 다양한 분야에 적용됩니다. * **모터 드라이브:** 서보 모터, 산업용 모터, 전기차 구동 시스템 등에서 모터의 속도 및 토크 제어를 위해 MOSFET 또는 IGBT를 정밀하게 스위칭하는 데 사용됩니다. * **전원 공급 장치 (SMPS):** 컴퓨터, 통신 장비, 가전 제품 등에 사용되는 고효율 스위치 모드 파워 서플라이에서 전력 변환을 위해 필수적으로 사용됩니다. * **인버터:** DC를 AC로 변환하는 인버터 시스템(예: 태양광 발전 시스템, UPS)에서 고품질의 AC 출력을 만들기 위해 스위칭 소자를 제어하는 데 사용됩니다. * **컨버터:** DC-DC 컨버터, AC-DC 컨버터 등 다양한 전력 변환 회로에서 전압 레벨을 효율적으로 조절하기 위해 사용됩니다. * **에너지 저장 시스템:** 배터리 관리 시스템(BMS) 및 에너지 저장 장치(ESS)에서 에너지 흐름을 제어하기 위해 사용됩니다. * **전기차 충전 시스템:** 전기차 충전기의 고효율 전력 변환 및 제어에 사용됩니다. * **산업 자동화:** 로봇, 자동화 설비 등의 동력 제어 및 전력 관리에 광범위하게 적용됩니다. **5. 관련 기술 및 고려 사항** 게이트 드라이버를 설계하고 선택할 때 고려해야 할 몇 가지 관련 기술 및 사항들이 있습니다. * **고속 스위칭 및 EMI 저감:** 시스템의 효율을 높이고 주변 장치에 미치는 영향을 줄이기 위해 게이트 드라이버는 MOSFET 및 IGBT를 최대한 빠르게 스위칭해야 합니다. 이를 위해 적절한 게이트 저항(gate resistor)의 값 선정, 데드타임 최적화, PCB 레이아웃 설계 등이 중요하며, EMI(Electromagnetic Interference)를 저감하기 위한 필터링 및 차폐 기술도 고려됩니다. * **하프 브리지 및 풀 브리지 구동:** 여러 개의 MOSFET 또는 IGBT를 조합하여 하프 브리지(half-bridge) 또는 풀 브리지(full-bridge) 회로를 구성하는 경우, 상부 및 하부 스위칭 소자 간의 데드타임을 정확하게 제어하여 쇼트 회로(shoot-through)를 방지하는 것이 매우 중요합니다. 이는 게이트 드라이버의 핵심 기능 중 하나입니다. * **통합형 게이트 드라이버 IC:** 최근에는 게이트 드라이버 기능을 하나의 IC 칩에 집적하여 제공하는 솔루션이 많이 나오고 있습니다. 이러한 IC는 외부 부품 수를 줄이고, 설계 복잡성을 낮추며, 높은 수준의 통합성과 신뢰성을 제공합니다. 또한, 프로그래밍 가능한 기능, 진단 기능 등을 포함하여 더욱 스마트한 제어를 가능하게 합니다. * **산업 표준 및 규격:** 특정 산업 분야(예: 자동차, 산업 자동화)에서는 특정 산업 표준이나 규격을 만족하는 게이트 드라이버 솔루션을 요구할 수 있습니다. 예를 들어, AEC-Q100과 같은 자동차 등급 인증이 필요할 수 있습니다. * **신호 무결성:** 고속으로 동작하는 게이트 신호는 노이즈나 왜곡에 민감할 수 있습니다. 따라서 게이트 드라이버의 출력 신호 품질, PCB 트레이스 설계, 커플링 및 디커플링 커패시터 선정 등이 신호 무결성을 유지하는 데 중요합니다. * **열 관리:** 게이트 드라이버 자체도 동작 중에 열을 발생시킬 수 있습니다. 따라서 소자 패키지, 방열판, PCB 레이아웃 등을 고려하여 적절한 열 관리가 이루어져야 합니다. 결론적으로, MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버는 전력전자 회로의 성능, 효율 및 신뢰성을 결정하는 중요한 요소입니다. 다양한 종류와 특성을 가진 게이트 드라이버 중에서 특정 애플리케이션의 요구사항에 맞는 최적의 솔루션을 선택하고 설계하는 것이 성공적인 전력전자 시스템 구축의 핵심이라고 할 수 있습니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 MOSFET 및 IGBT 게이트 드라이버 시장 2025-2031] (코드 : LPK23JU1212) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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