| ■ 영문 제목 : Global Semiconductor Memory Market Growth 2025-2031 | |
 | ■ 상품코드 : LPK23JL1435 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2025년 3월 ■ 페이지수 : 92 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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| LPI (LP Information)의 최신 조사 보고서는 반도체 메모리의 과거 판매실적을 살펴보고 2024년의 반도체 메모리 판매실적을 검토하여 2025년부터 2031년까지 예상되는 반도체 메모리 판매에 대한 지역 및 시장 세그먼트별 포괄적인 분석을 제공합니다. 세계의 반도체 메모리 시장규모는 2024년 xxx백만 달러에서 연평균 xx% 성장하여 2031년에는 xxx백만 달러에 달할 것으로 예측되고 있습니다. 본 보고서의 시장규모 데이터는 무역 전쟁 및 러시아-우크라이나 전쟁의 영향을 반영했습니다. 본 보고서는 반도체 메모리의 세계시장에 관해서 조사, 분석한 자료로서, 기업별 시장 점유율, 지역별 시장규모 (미주, 미국, 캐나다, 멕시코, 브라질, 아시아, 중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 유럽, 독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아, 중동/아프리카, 이집트, 남아프리카, 터키, 중동GCC국 등), 시장동향, 판매/유통업자/고객 리스트, 시장예측 (2026년-2031년), 주요 기업동향 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) 등의 정보를 포함하고 있습니다. 또한, 주요지역의 종류별 시장규모 (DRAM, SRAM, NAND, NOR, 기타)와 용도별 시장규모 (모바일 장치, 컴퓨터, 서버, 자동차, 기타) 데이터도 수록되어 있습니다. ***** 목차 구성 ***** 보고서의 범위 경영자용 요약 - 세계의 반도체 메모리 시장규모 2020년-2031년 - 지역별 반도체 메모리 시장분석 - 종류별 반도체 메모리 시장규모 2020년-2025년 (DRAM, SRAM, NAND, NOR, 기타) - 용도별 반도체 메모리 시장규모 2020년-2025년 (모바일 장치, 컴퓨터, 서버, 자동차, 기타) 기업별 반도체 메모리 시장분석 - 기업별 반도체 메모리 판매량 - 기업별 반도체 메모리 매출액 - 기업별 반도체 메모리 판매가격 - 주요기업의 반도체 메모리 생산거점, 판매거점 - 시장 집중도 분석 지역별 분석 - 지역별 반도체 메모리 판매량 2020년-2025년 - 지역별 반도체 메모리 매출액 2020년-2025년 미주 시장 - 미주의 반도체 메모리 시장규모 2020년-2025년 - 미주의 반도체 메모리 시장규모 : 종류별 - 미주의 반도체 메모리 시장규모 : 용도별 - 미국 반도체 메모리 시장규모 - 캐나다 반도체 메모리 시장규모 - 멕시코 반도체 메모리 시장규모 - 브라질 반도체 메모리 시장규모 아시아 시장 - 아시아의 반도체 메모리 시장규모 2020년-2025년 - 아시아의 반도체 메모리 시장규모 : 종류별 - 아시아의 반도체 메모리 시장규모 : 용도별 - 중국 반도체 메모리 시장규모 - 일본 반도체 메모리 시장규모 - 한국 반도체 메모리 시장규모 - 동남아시아 반도체 메모리 시장규모 - 인도 반도체 메모리 시장규모 유럽 시장 - 유럽의 반도체 메모리 시장규모 2020년-2025년 - 유럽의 반도체 메모리 시장규모 : 종류별 - 유럽의 반도체 메모리 시장규모 : 용도별 - 독일 반도체 메모리 시장규모 - 프랑스 반도체 메모리 시장규모 - 영국 반도체 메모리 시장규모 중동/아프리카 시장 - 중동/아프리카의 반도체 메모리 시장규모 2020년-2025년 - 중동/아프리카의 반도체 메모리 시장규모 : 종류별 - 중동/아프리카의 반도체 메모리 시장규모 : 용도별 - 이집트 반도체 메모리 시장규모 - 남아프리카 반도체 메모리 시장규모 - 중동GCC 반도체 메모리 시장규모 시장의 성장요인, 과제, 동향 - 시장의 성장요인, 기회 - 시장의 과제, 리스크 - 산업 동향 제조원가 구조 분석 - 원재료 및 공급업체 - 반도체 메모리의 제조원가 구조 분석 - 반도체 메모리의 제조 프로세스 분석 - 반도체 메모리의 산업체인 구조 마케팅, 유통업체, 고객 - 판매채널 - 반도체 메모리의 유통업체 - 반도체 메모리의 주요 고객 지역별 반도체 메모리 시장 예측 - 지역별 반도체 메모리 시장규모 예측 2026년-2031년 - 미주 지역 예측 - 아시아 지역 예측 - 유럽 지역 예측 - 중동/아프리카 지역 예측 - 반도체 메모리의 종류별 시장예측 (DRAM, SRAM, NAND, NOR, 기타) - 반도체 메모리의 용도별 시장예측 (모바일 장치, 컴퓨터, 서버, 자동차, 기타) 주요 기업 분석 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) - Samsung, SK Hynix, Micron, Kioxia, Western Digital, Intel, Nanya, Winbond, YMTC 조사의 결론 |
Semiconductor memory is the main memory element of a microcomputer-based system and is used to store program and data. The main memory elements are nothing but semiconductor devices that stores code and information permanently.
The semiconductor memory is directly accessible by the microprocessor. And the access time of the data present in the primary memory must be compatible with the operating time of the microprocessor. Thus semiconductor devices are preferred as primary memory.
LPI (LP Information)’ newest research report, the “Semiconductor Memory Industry Forecast” looks at past sales and reviews total world Semiconductor Memory sales in 2024, providing a comprehensive analysis by region and market sector of projected Semiconductor Memory sales for 2025 through 2031. With Semiconductor Memory sales broken down by region, market sector and sub-sector, this report provides a detailed analysis in US$ millions of the world Semiconductor Memory industry.
This Insight Report provides a comprehensive analysis of the global Semiconductor Memory landscape and highlights key trends related to product segmentation, company formation, revenue, and market share, latest development, and M&A activity. This report also analyzes the strategies of leading global companies with a focus on Semiconductor Memory portfolios and capabilities, market entry strategies, market positions, and geographic footprints, to better understand these firms’ unique position in an accelerating global Semiconductor Memory market.
This Insight Report evaluates the key market trends, drivers, and affecting factors shaping the global outlook for Semiconductor Memory and breaks down the forecast by type, by application, geography, and market size to highlight emerging pockets of opportunity. With a transparent methodology based on hundreds of bottom-up qualitative and quantitative market inputs, this study forecast offers a highly nuanced view of the current state and future trajectory in the global Semiconductor Memory.
The global Semiconductor Memory market size is projected to grow from US$ 139690 million in 2024 to US$ 360940 million in 2031; it is expected to grow at a CAGR of 360940 from 2025 to 2031.
Global Semiconductor Memory key players include Samsung, SK Hynix, Micron, etc. Global top 3 manufacturers hold a share over 76%.
In terms of product, NAND is the largest segment, with a share over 54%. And in terms of application, the largest application is Mobile Device.
This report presents a comprehensive overview, market shares, and growth opportunities of Semiconductor Memory market by product type, application, key manufacturers and key regions and countries.
[Market Segmentation]
Segmentation by type
DRAM
SRAM
NAND
NOR
Others
Segmentation by application
Mobile Device
Computers
Server
Automotive
Others
This report also splits the market by region:
Americas
United States
Canada
Mexico
Brazil
APAC
China
Japan
Korea
Southeast Asia
India
Australia
Europe
Germany
France
UK
Italy
Russia
Middle East & Africa
Egypt
South Africa
Israel
Turkey
GCC Countries
The below companies that are profiled have been selected based on inputs gathered from primary experts and analyzing the company’s coverage, product portfolio, its market penetration.
Samsung
SK Hynix
Micron
Kioxia
Western Digital
Intel
Nanya
Winbond
YMTC
[Key Questions Addressed in this Report]
What is the 10-year outlook for the global Semiconductor Memory market?
What factors are driving Semiconductor Memory market growth, globally and by region?
Which technologies are poised for the fastest growth by market and region?
How do Semiconductor Memory market opportunities vary by end market size?
How does Semiconductor Memory break out type, application?
What are the influences of trade war and Russia-Ukraine war?
1 Scope of the Report |
| ※참고 정보 반도체 메모리(Semiconductor Memory)는 컴퓨터 시스템의 핵심 구성 요소로서, 정보를 저장하고 불러오는 역할을 수행하는 반도체 소자를 의미합니다. 이는 전자회로 내에 디지털 데이터를 비트(bit) 단위로 저장하는 기능을 담당하며, 중앙처리장치(CPU)가 처리할 데이터를 임시 또는 영구적으로 보관하는 창고와 같습니다. 반도체 메모리는 그 발전 속도가 매우 빠르고 집적도가 높아짐에 따라 컴퓨터의 성능 향상과 소형화에 지대한 공헌을 해왔습니다. 반도체 메모리의 가장 큰 특징은 전기적인 신호를 이용하여 데이터를 저장한다는 점입니다. 이는 자기 테이프나 광 디스크와 같은 외부 저장 장치와는 달리, 훨씬 빠르고 효율적인 데이터 접근을 가능하게 합니다. 또한, 반도체 메모리는 집적 회로(IC) 기술의 발달과 함께 끊임없이 더 많은 데이터를 더 작은 공간에 저장할 수 있게 되었으며, 이는 개인용 컴퓨터, 스마트폰, 서버 등 다양한 전자기기의 성능과 휴대성을 혁신적으로 향상시키는 원동력이 되었습니다. 전력 소비 또한 상대적으로 낮은 편이며, 이는 휴대용 기기에서 매우 중요한 요소로 작용합니다. 그러나 비휘발성 메모리를 제외한 대부분의 메모리는 전원이 공급되지 않으면 저장된 데이터가 사라지는 휘발성(Volatile)이라는 단점을 가지고 있습니다. 반도체 메모리는 크게 데이터를 저장하는 방식에 따라 휘발성 메모리(Volatile Memory)와 비휘발성 메모리(Non-volatile Memory)로 나눌 수 있습니다. 휘발성 메모리의 대표적인 예로는 **DRAM(Dynamic Random Access Memory)**과 **SRAM(Static Random Access Memory)**이 있습니다. DRAM은 커패시터(Capacitor)에 전하 형태로 데이터를 저장하는 방식입니다. 각 셀은 하나의 커패시터와 하나의 트랜지스터로 구성되어 있어 집적도가 높고 가격이 저렴하다는 장점이 있습니다. 하지만 커패시터에 저장된 전하는 시간이 지나면 방전되기 때문에 주기적으로 전하를 충전해주는 '갱신(Refresh)' 작업이 필요합니다. 이러한 특성 때문에 '동적(Dynamic)'이라는 이름이 붙었습니다. DRAM은 빠른 속도와 높은 집적도로 인해 컴퓨터의 메인 메모리(주기억 장치)로 가장 널리 사용됩니다. 우리가 흔히 'RAM'이라고 부르는 것이 주로 DRAM을 지칭합니다. SRAM은 플립플롭(Flip-flop)과 같은 회로를 이용하여 데이터를 저장합니다. 각 메모리 셀은 일반적으로 4~6개의 트랜지스터로 구성되어 있어 DRAM에 비해 집적도가 낮고 가격이 비싼 편입니다. 그러나 SRAM은 데이터를 저장하기 위해 별도의 갱신 작업이 필요하지 않아 DRAM보다 훨씬 빠르고, 전력 소비도 적다는 장점이 있습니다. 이러한 빠른 속도 덕분에 SRAM은 CPU 내부에 데이터를 임시로 저장하여 CPU의 처리 속도를 높이는 캐시 메모리(Cache Memory)나 레지스터(Register) 등에 주로 사용됩니다. 비휘발성 메모리는 전원이 공급되지 않아도 저장된 데이터를 유지하는 특성을 가지고 있습니다. 가장 대표적인 비휘발성 메모리로는 **ROM(Read-Only Memory)**, **Flash Memory**, 그리고 최근 중요성이 커지고 있는 **MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)**, **PRAM(Phase-change Random Access Memory)**, **ReRAM(Resistive Random Access Memory)** 등이 있습니다. ROM은 제조 과정에서 데이터가 기록되어 수정이 불가능하거나 매우 제한적인 수정만 가능한 메모리입니다. 과거에는 주로 펌웨어(Firmware)나 부팅 코드와 같이 자주 변경되지 않는 데이터를 저장하는 데 사용되었습니다. ROM의 종류로는 초기 형태인 마스크 ROM(Mask ROM), 한 번 프로그램이 가능한 PROM(Programmable Read-Only Memory), 전기적 신호로 지우고 다시 쓸 수 있는 EPROM(Erasable Programmable Read-Only Memory) 및 EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) 등이 있습니다. **Flash Memory**는 EEPROM의 한 종류으로, 전자적인 방법으로 데이터를 지우고 쓸 수 있으며, ROM처럼 비휘발성을 유지합니다. 데이터를 블록(Block) 단위로 지우고 페이지(Page) 단위로 쓰는 방식을 사용합니다. 플래시 메모리는 높은 집적도와 빠른 쓰기/읽기 속도, 그리고 비휘발성 특성 덕분에 USB 메모리 드라이브, SD 카드, SSD(Solid State Drive) 등 다양한 저장 장치에 널리 사용되고 있습니다. 플래시 메모리는 크게 NAND 플래시와 NOR 플래시로 나뉘는데, NAND 플래시는 높은 집적도와 빠른 쓰기 속도로 인해 저장 용량이 중요한 SSD나 모바일 기기에 주로 사용되고, NOR 플래시는 빠른 읽기 속도와 랜덤 액세스 성능으로 인해 부팅 코드와 같은 임베디드 시스템에 사용됩니다. 최근에는 기존 DRAM과 NAND 플래시의 한계를 극복하기 위한 차세대 비휘발성 메모리 기술들이 활발히 개발되고 있습니다. **MRAM**은 자기 저항(Magnetoresistance) 효과를 이용하여 데이터를 저장하는데, 스핀을 가진 전자의 자기적 특성을 이용합니다. 이는 비휘발성이면서도 SRAM 수준의 빠른 속도를 제공하고, 높은 내구성과 낮은 전력 소비를 자랑하여 미래의 차세대 메모리로 주목받고 있습니다. **PRAM**은 특정 물질이 가열되면 결정질(Crystalline) 상태와 비정질질(Amorphous) 상태를 반복적으로 변화하는 성질을 이용합니다. 이 두 상태 간의 전기적 저항 차이를 이용하여 데이터를 저장하며, 빠른 속도와 비휘발성을 동시에 만족시키는 잠재력을 가지고 있습니다. **ReRAM**은 절연체의 저항 변화를 이용하여 데이터를 저장하는 방식입니다. 두 전극 사이에 절연체를 배치하고 전압을 가하여 절연체 내부에 이온이나 산소 공공 등의 결함(Defect)을 형성하거나 이동시켜 저항 값을 변화시키는 원리입니다. 이는 매우 간단한 구조로 높은 집적도를 달성할 수 있고, 낮은 전력으로 동작할 수 있다는 장점이 있습니다. 반도체 메모리의 용도는 매우 광범위합니다. 컴퓨터 시스템에서는 CPU의 작업 속도를 높이기 위한 캐시 메모리 및 메인 메모리(DRAM), 데이터 영구 저장을 위한 SSD(NAND 플래시 기반) 등에서 핵심적인 역할을 수행합니다. 스마트폰, 태블릿 PC와 같은 모바일 기기에서는 운영체제, 애플리케이션, 사용자 데이터를 저장하는 데 사용되며, 고화질 사진 및 동영상 저장에도 필수적입니다. 자동차 산업에서는 차량의 제어 시스템, 내비게이션, 인포테인먼트 시스템 등에 반도체 메모리가 사용되어 다양한 정보를 처리하고 저장합니다. 또한, 서버, 데이터 센터, 인공지능(AI) 학습을 위한 고성능 컴퓨팅 환경에서도 대용량의 데이터를 빠르고 효율적으로 처리하기 위해 다양한 종류의 반도체 메모리가 복합적으로 활용됩니다. IoT(사물 인터넷) 기기의 확산과 함께 각 기기에서 발생하는 데이터를 처리하고 저장하는 데에도 반도체 메모리의 중요성이 더욱 커지고 있습니다. 반도체 메모리 관련 기술은 끊임없이 발전하고 있으며, 주요 기술로는 다음과 같은 것들이 있습니다. 첫째, **미세화 및 집적도 향상** 기술입니다. 반도체 공정 기술의 발달로 트랜지스터의 크기가 작아지면서 동일한 면적에 더 많은 메모리 셀을 집적할 수 있게 되었습니다. 이는 메모리 용량 증가는 물론, 칩의 가격을 낮추고 전력 효율성을 높이는 데 기여합니다. 극자외선(EUV) 리소그래피와 같은 첨단 공정 기술은 이러한 미세화를 가속화하는 핵심 요소입니다. 둘째, **성능 향상** 기술입니다. 데이터 읽기 및 쓰기 속도를 높이기 위한 다양한 기술들이 개발되고 있습니다. 예를 들어, DRAM의 경우 DDR(Double Data Rate) 기술을 지속적으로 발전시켜 데이터 전송률을 높이고 있으며, HBM(High Bandwidth Memory)과 같이 여러 개의 DRAM 칩을 3D로 적층하여 대역폭을 극대화하는 기술도 주목받고 있습니다. 셋째, **전력 효율성 증대** 기술입니다. 모바일 기기의 보급과 데이터 센터의 전력 소비 문제로 인해 저전력 메모리 기술의 중요성이 더욱 강조되고 있습니다. 데이터를 저장하는 방식이나 회로 설계를 최적화하여 작동 시 소비되는 전력을 줄이는 연구가 활발히 진행 중입니다. 넷째, **새로운 소자 및 구조 개발**입니다. 앞서 언급한 MRAM, PRAM, ReRAM과 같은 차세대 비휘발성 메모리 기술은 기존 메모리의 한계를 극복하고 새로운 응용 분야를 창출할 가능성을 제시합니다. 또한, 3D V-NAND 기술과 같이 메모리 셀을 수직으로 쌓아 올려 집적도를 비약적으로 향상시키는 기술도 중요한 발전 방향 중 하나입니다. 다섯째, **메모리 컨트롤러 및 인터페이스 기술**입니다. 메모리 장치를 효율적으로 제어하고 외부 시스템과의 데이터 통신을 원활하게 하기 위한 컨트롤러 기술과 인터페이스 표준 또한 메모리 성능에 큰 영향을 미칩니다. PCIe(Peripheral Component Interconnect Express)와 같은 고속 인터페이스 기술의 발전은 메모리 성능 향상에 필수적입니다. 결론적으로, 반도체 메모리는 현대 전자 기기의 성능과 기능 구현에 있어 없어서는 안 될 핵심 기술입니다. 휘발성 및 비휘발성 메모리의 다양한 종류와 그 특성은 각기 다른 용도에 맞게 활용되며, 미세화, 고성능화, 저전력화, 그리고 새로운 개념의 메모리 개발을 통해 반도체 메모리 기술은 미래 사회의 디지털 혁신을 이끌어갈 중요한 동력으로 계속해서 자리매김할 것입니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 반도체 메모리 시장예측 2025년-2031년] (코드 : LPK23JL1435) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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