| ■ 영문 제목 : Global Si PIN Photodiode Market Growth 2025-2031 | |
 | ■ 상품코드 : LPK23JU1466 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2025년 3월 ■ 페이지수 : 104 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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| LP인포메이션 (LPI) 의 최신 조사 자료는 SiPIN 포토 다이오드의 과거 판매실적을 살펴보고 2024년의 SiPIN 포토 다이오드 판매실적을 검토하여 2025년부터 2031년까지 예상되는 SiPIN 포토 다이오드 판매에 대한 지역 및 시장 세그먼트별 포괄적인 분석을 제공합니다. 글로벌 SiPIN 포토 다이오드 시장규모는 2024년 xxx백만 달러에서 연평균 xx% 성장하여 2031년에는 xxx백만 달러에 달할 것으로 예측되고 있습니다. 본 보고서의 시장규모 데이터는 무역 전쟁 및 러시아-우크라이나 전쟁의 영향을 반영했습니다. 본 조사 자료는 글로벌 SiPIN 포토 다이오드 시장에 관해서 조사, 분석한 보고서로서, 기업별 시장 점유율, 지역별 시장규모 (미주, 미국, 캐나다, 멕시코, 브라질, 아시아 태평양, 중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 유럽, 독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아, 중동/아프리카, 이집트, 남아프리카, 터키, 중동GCC국 등), 시장동향, 판매/유통업자/고객 리스트, 시장예측 (2026년-2031년), 주요 기업동향 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) 등의 정보를 수록하고 있습니다. 또한, 주요지역의 종류별 (파장: 900-1000nm, 파장: 800-900nm) 시장규모와 용도별 (광섬유 통신, 고속 측광, 바이올렛 레이저 검출, 의료 기기, 단일 지점 레이저 진동계) 시장규모 데이터도 포함되어 있습니다. ***** 목차 구성 ***** 보고서의 범위 경영자용 요약 - 글로벌 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 2020년-2031년 - 지역별 SiPIN 포토 다이오드 시장분석 - 종류별 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 2020년-2025년 (파장: 900-1000nm, 파장: 800-900nm) - 용도별 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 2020년-2025년 (광섬유 통신, 고속 측광, 바이올렛 레이저 검출, 의료 기기, 단일 지점 레이저 진동계) 기업별 SiPIN 포토 다이오드 시장분석 - 기업별 SiPIN 포토 다이오드 판매량 - 기업별 SiPIN 포토 다이오드 매출액 - 기업별 SiPIN 포토 다이오드 판매가격 - 주요기업의 SiPIN 포토 다이오드 생산거점, 판매거점 - 시장 집중도 분석 지역별 분석 - 지역별 SiPIN 포토 다이오드 판매량 2020년-2025년 - 지역별 SiPIN 포토 다이오드 매출액 2020년-2025년 미주 시장 - 미주의 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 2020년-2025년 - 미주의 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 : 종류별 - 미주의 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 : 용도별 - 미국 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 - 캐나다 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 - 멕시코 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 - 브라질 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 아시아 태평양 시장 - 아시아 태평양의 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 2020년-2025년 - 아시아 태평양의 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 : 종류별 - 아시아 태평양의 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 : 용도별 - 중국 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 - 일본 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 - 한국 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 - 동남아시아 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 - 인도 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 유럽 시장 - 유럽의 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 2020년-2025년 - 유럽의 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 : 종류별 - 유럽의 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 : 용도별 - 독일 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 - 프랑스 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 - 영국 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 중동/아프리카 시장 - 중동/아프리카의 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 2020년-2025년 - 중동/아프리카의 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 : 종류별 - 중동/아프리카의 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 : 용도별 - 이집트 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 - 남아프리카 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 - 중동GCC SiPIN 포토 다이오드 시장규모 시장의 성장요인, 과제, 동향 - 시장의 성장요인, 기회 - 시장의 과제, 리스크 - 산업 동향 제조원가 구조 분석 - 원재료 및 공급업체 - SiPIN 포토 다이오드의 제조원가 구조 분석 - SiPIN 포토 다이오드의 제조 프로세스 분석 - SiPIN 포토 다이오드의 산업체인 구조 마케팅, 유통업체, 고객 - 판매채널 - SiPIN 포토 다이오드의 유통업체 - SiPIN 포토 다이오드의 주요 고객 지역별 SiPIN 포토 다이오드 시장 예측 - 지역별 SiPIN 포토 다이오드 시장규모 예측 2026년-2031년 - 미주 시장 예측 - 아시아 태평양 시장 예측 - 유럽 시장 예측 - 중동/아프리카 시장 예측 - SiPIN 포토 다이오드의 종류별 시장예측 (파장: 900-1000nm, 파장: 800-900nm) - SiPIN 포토 다이오드의 용도별 시장예측 (광섬유 통신, 고속 측광, 바이올렛 레이저 검출, 의료 기기, 단일 지점 레이저 진동계) 주요 기업 분석 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) - Laser Components GmbH, Thorlabs, Hamamatsu, Vishay Intertechnology, Osram Opto Semiconductors, Vishay Semiconductors, First Sensor, Excelitas Technologies, Luna Optoelectronics, OSI Optoelectronics Ltd, Advanced Photonix 조사의 결과/결론 |
Silicon Photodiodes Are Made From Either “N” Type Or, “P” Type Silicon Wafers And Fabricated Using Standard Semiconductor Processing Techniques
LPI (LP Information)’ newest research report, the “Si PIN Photodiode Industry Forecast” looks at past sales and reviews total world Si PIN Photodiode sales in 2024, providing a comprehensive analysis by region and market sector of projected Si PIN Photodiode sales for 2025 through 2031. With Si PIN Photodiode sales broken down by region, market sector and sub-sector, this report provides a detailed analysis in US$ millions of the world Si PIN Photodiode industry.
This Insight Report provides a comprehensive analysis of the global Si PIN Photodiode landscape and highlights key trends related to product segmentation, company formation, revenue, and market share, latest development, and M&A activity. This report also analyzes the strategies of leading global companies with a focus on Si PIN Photodiode portfolios and capabilities, market entry strategies, market positions, and geographic footprints, to better understand these firms’ unique position in an accelerating global Si PIN Photodiode market.
This Insight Report evaluates the key market trends, drivers, and affecting factors shaping the global outlook for Si PIN Photodiode and breaks down the forecast by type, by application, geography, and market size to highlight emerging pockets of opportunity. With a transparent methodology based on hundreds of bottom-up qualitative and quantitative market inputs, this study forecast offers a highly nuanced view of the current state and future trajectory in the global Si PIN Photodiode.
The global Si PIN Photodiode market size is projected to grow from US$ million in 2024 to US$ million in 2031; it is expected to grow at a CAGR of % from 2025 to 2031.
United States market for Si PIN Photodiode is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
China market for Si PIN Photodiode is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Europe market for Si PIN Photodiode is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Global key Si PIN Photodiode players cover Laser Components GmbH, Thorlabs, Hamamatsu, Vishay Intertechnology, Osram Opto Semiconductors, Vishay Semiconductors, First Sensor, Excelitas Technologies and Luna Optoelectronics, etc. In terms of revenue, the global two largest companies occupied for a share nearly % in 2024.
This report presents a comprehensive overview, market shares, and growth opportunities of Si PIN Photodiode market by product type, application, key manufacturers and key regions and countries.
[Market Segmentation]
Segmentation by type
Wavelength is 900-1000nm
Wavelength is 800-900nm
Segmentation by application
Optical Fiber Communication
High-speed Photometry
Violet Laser Detection
Medical Equipment
Single-Point Laser Vibrometers
This report also splits the market by region:
Americas
United States
Canada
Mexico
Brazil
APAC
China
Japan
Korea
Southeast Asia
India
Australia
Europe
Germany
France
UK
Italy
Russia
Middle East & Africa
Egypt
South Africa
Israel
Turkey
GCC Countries
The below companies that are profiled have been selected based on inputs gathered from primary experts and analyzing the company’s coverage, product portfolio, its market penetration.
Laser Components GmbH
Thorlabs
Hamamatsu
Vishay Intertechnology
Osram Opto Semiconductors
Vishay Semiconductors
First Sensor
Excelitas Technologies
Luna Optoelectronics
OSI Optoelectronics Ltd
Advanced Photonix
[Key Questions Addressed in this Report]
What is the 10-year outlook for the global Si PIN Photodiode market?
What factors are driving Si PIN Photodiode market growth, globally and by region?
Which technologies are poised for the fastest growth by market and region?
How do Si PIN Photodiode market opportunities vary by end market size?
How does Si PIN Photodiode break out type, application?
What are the influences of trade war and Russia-Ukraine war?
1 Scope of the Report |
| ※참고 정보 ## Si PIN 포토다이오드: 빛을 전기 신호로 변환하는 핵심 소자 광전자 공학 분야에서 빛을 감지하고 이를 전기 신호로 변환하는 소자는 매우 중요한 역할을 합니다. 그중에서도 실리콘 PIN 포토다이오드(Si PIN Photodiode)는 뛰어난 성능과 범용성을 바탕으로 다양한 응용 분야에서 핵심적인 소자로 자리매김하고 있습니다. PIN 포토다이오드는 이름에서도 알 수 있듯이 반도체 재료의 접합 구조에서 비롯된 독특한 특성을 지니고 있으며, 이를 통해 효율적인 빛 감지 및 신호 변환을 가능하게 합니다. ### PIN 포토다이오드의 기본 개념 및 구조 Si PIN 포토다이오드는 일반적인 PN 접합 다이오드와 달리, 반도체 결정 구조 내에 고유한 'I'층, 즉 진성(Intrinsic) 반도체층을 삽입한 구조를 가집니다. 이러한 'I'층은 P형 반도체와 N형 반도체 사이에 얇게 자리 잡고 있으며, 이는 전기적으로 중성이거나 매우 적은 수의 자유 전하 캐리어를 가지는 영역입니다. P형 반도체는 전자보다는 정공(hole)을 다수 캐리어로 가지며, N형 반도체는 전자를 다수 캐리어로 가집니다. 일반적인 PN 접합에서는 순방향 전압을 인가하면 전류가 흐르고, 역방향 전압을 인가하면 전류가 거의 흐르지 않습니다. 포토다이오드 역시 이러한 PN 접합을 기반으로 하지만, 외부에서 빛을 조사했을 때 광전 효과(photoelectric effect)에 의해 발생하는 전하 캐리어(전자-정공 쌍)를 이용한다는 점에서 차이가 있습니다. 빛 에너지가 반도체 내에서 흡수되면, 가전자대(valence band)의 전자가 전도대(conduction band)로 들뜨면서 전자와 정공을 생성합니다. PIN 포토다이오드에서는 역방향 전압이 인가될 때 이 'I'층이 핵심적인 역할을 합니다. 역방향 전압이 인가되면 P-I 접합과 I-N 접합에 걸쳐 넓은 공핍 영역(depletion region)이 형성됩니다. 이 공핍 영역은 전하 캐리어가 거의 존재하지 않는 절연체와 유사한 특성을 보이는데, Si PIN 포토다이오드의 경우 이 'I'층의 존재 덕분에 PN 접합만 있는 일반 포토다이오드에 비해 훨씬 더 넓은 공핍 영역을 가질 수 있습니다. 빛이 이 넓은 공핍 영역에 조사되면, 여기서 생성된 전자-정공 쌍은 공핍 영역 내에 존재하는 강한 전기장에 의해 빠르게 분리되어 각기 반대 방향의 전극으로 이동하게 됩니다. P형 영역으로 이동하는 정공과 N형 영역으로 이동하는 전자는 외부 회로에 전류를 발생시키며, 이 전류의 크기는 조사된 빛의 강도에 비례하게 됩니다. 이러한 구조 덕분에 Si PIN 포토다이오드는 높은 민감도와 빠른 응답 속도를 가질 수 있습니다. ### Si PIN 포토다이오드의 주요 특징 Si PIN 포토다이오드는 그 구조적 특성으로 인해 다음과 같은 여러 가지 장점을 지닙니다. * **넓은 공핍 영역:** 앞서 언급했듯이, 진성(I)층의 존재는 PN 접합에 비해 훨씬 넓은 공핍 영역을 형성합니다. 이 넓은 공핍 영역은 빛이 흡수될 수 있는 부피를 증가시켜 더 많은 전자-정공 쌍을 생성할 수 있게 하며, 이는 포토다이오드의 양자 효율(quantum efficiency, 입사된 광자당 생성되는 전자의 비율)을 높이는 데 기여합니다. 또한, 넓은 공핍 영역은 소자의 캐패시턴스를 감소시키는 효과도 가져와 응답 속도를 향상시킵니다. * **높은 민감도:** 넓은 공핍 영역에서 효과적으로 빛을 흡수하고 생성된 전하 캐리어를 빠르게 분리하는 능력은 Si PIN 포토다이오드의 높은 민감도를 보장합니다. 이는 약한 빛 신호도 감지해야 하는 응용 분야에서 매우 중요한 장점입니다. * **빠른 응답 속도:** 공핍 영역 내에 형성된 강한 전기장은 생성된 전자와 정공을 매우 빠르게 분리하고 이동시킵니다. 이로 인해 외부에서 빛이 사라진 후에도 포토다이오드의 출력 신호가 빠르게 원래 상태로 복귀할 수 있습니다. 이는 초당 수백만 개 이상의 광 신호를 처리해야 하는 고속 통신 시스템 등에서 필수적인 특성입니다. * **광범위한 스펙트럼 응답:** 실리콘(Si)은 약 1.1 마이크로미터(µm) 파장까지의 빛을 흡수할 수 있습니다. 이는 가시광선 영역은 물론, 근적외선(near-infrared) 영역의 빛까지 감지할 수 있음을 의미합니다. 다양한 파장 대역의 빛을 감지해야 하는 응용 분야에서 Si PIN 포토다이오드가 널리 사용되는 이유 중 하나입니다. * **낮은 암전류(Dark Current):** 빛이 전혀 조사되지 않은 상태에서도 소자 내에서 발생하는 미세한 전류를 암전류라고 합니다. 높은 온도의 환경이나 높은 역방향 전압에서 암전류가 증가하면 신호 대 잡음비(Signal-to-Noise Ratio, SNR)를 저하시킬 수 있습니다. Si PIN 포토다이오드는 상대적으로 낮은 암전류 특성을 보여줍니다. * **선형적인 응답:** 특정 범위 내에서 포토다이오드에 흐르는 전류는 입사되는 빛의 강도에 거의 선형적으로 비례합니다. 이러한 선형성은 정확한 광량 측정이나 제어를 가능하게 하는 중요한 특성입니다. ### Si PIN 포토다이오드의 응용 분야 Si PIN 포토다이오드의 뛰어난 성능과 특징은 매우 폭넓은 응용 분야에서 그 가치를 발휘하고 있습니다. * **광통신:** 광섬유를 통해 전송되는 광 신호를 전기 신호로 변환하는 데 필수적인 부품으로 사용됩니다. 고속 데이터 통신 시스템에서 요구되는 빠른 응답 속도와 높은 민감도를 만족시킵니다. * **의료 기기:** 혈중 산소 포화도 측정기(맥파계), 진단 영상 장치, 치료용 레이저 시스템 등 다양한 의료 기기에서 빛을 감지하는 용도로 사용됩니다. 인체에 무해하고 높은 정밀도를 요구하는 의료 분야에서 Si PIN 포토다이오드의 신뢰성이 중요하게 작용합니다. * **산업 자동화 및 계측:** 바코드 스캐너, 광학 센서, 거리 측정 장치, 조도계(light meter) 등 산업 현장에서 제품 검사, 위치 감지, 환경 모니터링 등에 활용됩니다. * **소비자 가전:** 리모컨 수신기, 광 마우스, CD/DVD 플레이어의 광 픽업, 근접 센서 등 일상생활에서 접하는 다양한 전자 제품에 적용됩니다. * **보안 시스템:** CCTV 카메라의 일부로 사용되어 어두운 환경에서도 빛을 감지하고, 보안 경보 시스템에서 특정 광 신호를 감지하는 데 활용될 수 있습니다. * **과학 연구:** 분광학(spectroscopy), 광학 측정 장비, 레이저 기반 연구 등 다양한 과학 연구 분야에서 정밀한 광 검출을 위해 사용됩니다. ### 관련 기술 및 발전 방향 Si PIN 포토다이오드의 성능을 더욱 향상시키고 응용 범위를 확장하기 위한 다양한 관련 기술들이 지속적으로 연구되고 있습니다. * **양자점(Quantum Dot) 및 양자 우물(Quantum Well) 기술과의 결합:** 특정 파장의 빛에 대한 민감도를 극대화하거나, 넓은 파장 대역에서 높은 효율을 얻기 위해 양자점이나 양자 우물 구조를 포토다이오드에 집적하는 연구가 진행되고 있습니다. * **APDs(Avalanche Photodiodes)와의 비교 및 하이브리드 시스템:** Si PIN 포토다이오드는 비교적 낮은 감도를 가질 때가 있습니다. 더욱 높은 감도가 요구되는 경우, 내부적으로 광증폭 효과를 가지는 APD가 사용되기도 합니다. 경우에 따라서는 PIN 포토다이오드와 APD를 결합한 하이브리드 시스템을 통해 각 소자의 장점을 활용하기도 합니다. * **고집적화 및 마이크로포토다이오드 어레이:** 작은 면적에 여러 개의 포토다이오드를 집적하여 이미지 센서나 다채널 광 검출 시스템을 구현하는 기술이 발전하고 있습니다. 이는 고해상도 영상 촬영이나 복잡한 광 신호 처리에 필수적입니다. * **재료 과학의 발전:** 실리콘 외에 게르마늄(Ge)이나 갈륨비소(GaAs)와 같은 다른 반도체 재료를 이용하거나, 실리콘과 다른 물질을 융합하여 더 넓은 파장 대역이나 특정 파장에서의 성능을 개선하려는 연구도 활발합니다. 예를 들어, 근적외선 파장 대역에서 우수한 성능을 보이는 Ge 기반 포토다이오드나, 가시광선과 근적외선 영역을 동시에 감지할 수 있는 복합 재료 기반 포토다이오드 등이 연구되고 있습니다. * **신호 처리 기술과의 통합:** 포토다이오드 자체의 성능 향상과 더불어, 포토다이오드에서 출력되는 전기 신호를 효율적으로 처리하고 잡음을 제거하기 위한 저잡음 증폭기(Low-Noise Amplifier, LNA), 필터 회로 등의 설계 및 집적 기술도 중요하게 다루어지고 있습니다. Si PIN 포토다이오드는 단순하면서도 효과적인 반도체 구조를 통해 빛이라는 물리량을 측정 가능한 전기 신호로 변환하는 근본적인 기술을 제공합니다. 이러한 기본 원리와 뛰어난 성능은 앞으로도 다양한 첨단 기술 분야에서 핵심적인 역할을 수행할 것이며, 관련 연구 개발을 통해 그 응용 가능성은 더욱 확장될 것으로 기대됩니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 SiPIN 포토 다이오드 시장 2025-2031] (코드 : LPK23JU1466) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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