| ■ 영문 제목 : Global SiC MOSFET Gate Drivers ICs Market 2024 by Manufacturers, Regions, Type and Application, Forecast to 2030 | |
 | ■ 상품코드 : GIR2409H6611 ■ 조사/발행회사 : Globalinforesearch ■ 발행일 : 2024년 9월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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조사회사 Global Info Research의 최신 조사에 따르면, 세계의 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 시장 규모는 2023년에 XXX백만 달러로 분석되었으며, 검토 기간 동안 xx%의 CAGR로 2030년까지 XXX백만 달러의 재조정된 규모로 성장이 예측됩니다.
Global Info Research 보고서에는 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 산업 체인 동향 개요, 자동차, 태양광 발전, 기타 응용분야 및 선진 및 개발 도상국의 주요 기업의 시장 현황, SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC의 최첨단 기술, 특허, 최신 용도 및 시장 동향을 분석했습니다.
지역별로는 주요 지역의 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 시장을 분석합니다. 북미와 유럽은 정부 이니셔티브와 수요자 인식 제고에 힘입어 꾸준한 성장세를 보이고 있습니다. 아시아 태평양, 특히 중국은 탄탄한 내수 수요와 지원 정책, 강력한 제조 기반을 바탕으로 글로벌 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 시장을 주도하고 있습니다.
[주요 특징]
본 보고서는 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 시장에 대한 포괄적인 이해를 제공합니다. 본 보고서는 산업에 대한 전체적인 관점과 개별 구성 요소 및 이해 관계자에 대한 자세한 통찰력을 제공합니다. 본 보고서는 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 산업 내의 시장 역학, 동향, 과제 및 기회를 분석합니다. 또한, 거시적 관점에서 시장을 분석하는 것이 포함됩니다.
시장 규모 및 세분화: 본 보고서는 판매량, 매출 및 종류별 (예 : ≦1000V 이하, 1000V 이상)의 시장 점유율을 포함한 전체 시장 규모에 대한 데이터를 수집합니다.
산업 분석: 보고서는 정부 정책 및 규제, 기술 발전, 수요자 선호도, 시장 역학 등 광범위한 산업 동향을 분석합니다. 이 분석은 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 시장에 영향을 미치는 주요 동인과 과제를 이해하는데 도움이 됩니다.
지역 분석: 본 보고서에는 지역 또는 국가 단위로 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 시장을 조사하는 것이 포함됩니다. 보고서는 정부 인센티브, 인프라 개발, 경제 상황 및 수요자 행동과 같은 지역 요인을 분석하여 다양한 시장 내의 변화와 기회를 식별합니다.
시장 전망: 보고서는 수집된 데이터와 분석을 통해 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 시장에 대한 미래 전망 및 예측을 다룹니다. 여기에는 시장 성장률 추정, 시장 수요 예측, 새로운 트렌드 파악 등이 포함될 수 있습니다. 본 보고서에는 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC에 대한 보다 세분화된 접근 방식도 포함됩니다.
기업 분석: 본 보고서는 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 제조업체, 공급업체 및 기타 관련 업계 플레이어를 다룹니다. 이 분석에는 재무 성과, 시장 포지셔닝, 제품 포트폴리오, 파트너십 및 전략에 대한 조사가 포함됩니다.
수요자 분석: 보고서는 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC에 대한 수요자 행동, 선호도 및 태도에 대한 데이터를 다룹니다. 여기에는 설문 조사, 인터뷰 및 응용 분야별 (자동차, 태양광 발전, 기타)의 다양한 수요자 리뷰 및 피드백 분석이 포함될 수 있습니다.
기술 분석: SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC과 관련된 특정 기술을 다루는 보고서입니다. SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 분야의 현재 상황 및 잠재적 미래 발전 가능성을 평가합니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 개별 기업, 공급업체 및 수요업체를 분석하여 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 시장의 경쟁 환경에 대한 통찰력을 제공합니다. 이 분석은 시장 점유율, 경쟁 우위 및 업계 플레이어 간의 차별화 가능성을 이해하는 데 도움이 됩니다.
시장 검증: 본 보고서에는 설문 조사, 인터뷰 및 포커스 그룹과 같은 주요 조사를 통해 결과 및 예측을 검증하는 작업이 포함됩니다.
[시장 세분화]
SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
종류별 시장 세그먼트
– ≦1000V 이하, 1000V 이상
용도별 시장 세그먼트
– 자동차, 태양광 발전, 기타
주요 대상 기업
– Infineon、STMicroelectronics、Power Integrations、Microchip Technology、Littelfuse、Renesas Electronics、InventChip Technology
지역 분석은 다음을 포함합니다.
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 러시아, 이탈리아)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 인도, 동남아시아, 호주)
– 남미 (브라질, 아르헨티나, 콜롬비아)
– 중동 및 아프리카 (사우디아라비아, 아랍에미리트, 이집트, 남아프리카공화국)
본 조사 보고서는 아래 항목으로 구성되어 있습니다.
– SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 제품 범위, 시장 개요, 시장 추정, 주의 사항 및 기준 연도를 설명합니다.
– 2019년부터 2024년까지 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC의 가격, 판매량, 매출 및 세계 시장 점유율과 함께 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC의 주요 제조업체를 프로파일링합니다.
– SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 경쟁 상황, 판매량, 매출 및 주요 제조업체의 글로벌 시장 점유율이 상세하게 분석 됩니다.
– SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 상세 데이터는 2019년부터 2030년까지 지역별 판매량, 소비금액 및 성장성을 보여주기 위해 지역 레벨로 표시됩니다.
– 2019년부터 2030년까지 판매량 시장 점유율 및 성장률을 종류별, 용도별로 분류합니다.
– 2017년부터 2023년까지 세계 주요 국가의 판매량, 소비금액 및 시장 점유율과 함께 국가 레벨로 판매 데이터를 분류하고, 2025년부터 2030년까지 판매량 및 매출과 함께 지역, 종류 및 용도별로 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 시장 예측을 수행합니다.
– 시장 역학, 성장요인, 저해요인, 동향 및 포터의 다섯 가지 힘 분석.
– 주요 원자재 및 주요 공급 업체, SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC의 산업 체인.
– SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 판매 채널, 유통 업체, 고객(수요기업), 조사 결과 및 결론을 설명합니다.
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■ 보고서 목차■ 시장 개요 ■ 제조업체 프로필 Infineon STMicroelectronics Power Integrations ■ 제조업체간 경쟁 환경 ■ 지역별 소비 분석 ■ 종류별 시장 세분화 ■ 용도별 시장 세분화 ■ 북미 ■ 유럽 ■ 아시아 태평양 ■ 남미 ■ 중동 및 아프리카 ■ 시장 역학 ■ 원자재 및 산업 체인 ■ 유통 채널별 출하량 ■ 조사 결과 [그림 목록]- SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 이미지 - 종류별 세계의 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 종류별 세계의 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 소비 금액 시장 점유율 - 용도별 세계의 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 용도별 세계의 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 세계의 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 소비 금액 및 예측 (2019-2030) - 세계의 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 판매량 (2019-2030) - 세계의 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 평균 가격 (2019-2030) - 2023년 제조업체별 세계의 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 판매량 시장 점유율 - 2023년 제조업체별 세계의 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 소비 금액 시장 점유율 - 2023년 상위 3개 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 2023년 상위 6개 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 지역별 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 판매량 시장 점유율 - 지역별 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 소비 금액 시장 점유율 - 북미 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 소비 금액 - 유럽 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 소비 금액 - 아시아 태평양 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 소비 금액 - 남미 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 소비 금액 - 중동 및 아프리카 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 소비 금액 - 세계의 종류별 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 판매량 시장 점유율 - 세계의 종류별 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 종류별 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 평균 가격 - 세계의 용도별 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 판매량 시장 점유율 - 세계의 용도별 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 용도별 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 평균 가격 - 북미 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 종류별 판매량 시장 점유율 - 북미 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 용도별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 미국 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 소비 금액 및 성장률 - 캐나다 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 소비 금액 및 성장률 - 멕시코 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 소비 금액 및 성장률 - 유럽 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 종류별 판매량 시장 점유율 - 유럽 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 용도별 판매량 시장 점유율 - 유럽 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 국가별 판매량 시장 점유율 - 유럽 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 독일 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 소비 금액 및 성장률 - 프랑스 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 소비 금액 및 성장률 - 영국 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 소비 금액 및 성장률 - 러시아 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 소비 금액 및 성장률 - 이탈리아 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 소비 금액 및 성장률 - 아시아 태평양 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 종류별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 용도별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 지역별 판매 수량 시장 점유율 - 아시아 태평양 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 중국 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 소비 금액 및 성장률 - 일본 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 소비 금액 및 성장률 - 한국 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 소비 금액 및 성장률 - 인도 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 소비 금액 및 성장률 - 동남아시아 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 소비 금액 및 성장률 - 호주 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 소비 금액 및 성장률 - 남미 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 종류별 판매량 시장 점유율 - 남미 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 용도별 판매량 시장 점유율 - 남미 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 남미 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 브라질 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 소비 금액 및 성장률 - 아르헨티나 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 소비 금액 및 성장률 - 중동 및 아프리카 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 종류별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 용도별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 지역별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 터키 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 소비 금액 및 성장률 - 이집트 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 소비 금액 및 성장률 - 사우디 아라비아 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 소비 금액 및 성장률 - 남아프리카 공화국 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 소비 금액 및 성장률 - SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 시장 성장 요인 - SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 시장 제약 요인 - SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 시장 동향 - 포터의 다섯 가지 힘 분석 - 2023년 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC의 제조 비용 구조 분석 - SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC의 제조 공정 분석 - SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 산업 체인 - 직접 채널 장단점 - 간접 채널 장단점 - 방법론 - 조사 프로세스 및 데이터 소스 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC는 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET을 효과적으로 구동하기 위해 설계된 반도체 집적회로입니다. SiC MOSFET은 기존의 실리콘(Si) MOSFET에 비해 높은 스위칭 주파수, 낮은 온 저항, 뛰어난 내열성 등 여러 장점을 가지고 있어 고효율 전력 변환 시스템에 필수적인 부품으로 각광받고 있습니다. 하지만 SiC MOSFET은 게이트 전압 요구 사항, 높은 dv/dt에 의한 오동작 가능성 등 일반적인 Si MOSFET과는 다른 구동 특성을 가지므로, 이를 충족시키고 최적의 성능을 발휘하도록 지원하는 전문적인 게이트 드라이버 IC가 필요합니다. SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC의 핵심적인 역할은 SiC MOSFET의 게이트 전압을 정확하고 빠르게 제어하는 것입니다. MOSFET은 게이트에 인가되는 전압에 의해 채널이 형성되어 전류가 흐르는 원리로 작동하는데, SiC MOSFET은 높은 스위칭 속도를 달성하기 위해 매우 빠른 게이트 전압 변화(빠른 rise/fall time)를 요구합니다. 게이트 드라이버 IC는 이러한 빠른 스위칭을 지원하기 위해 충분한 전류를 순간적으로 공급할 수 있는 능력을 갖추고 있어야 합니다. 또한, SiC MOSFET은 특정 임계 전압 이상으로 게이트 전압이 인가되어야 온 상태가 되고, 이보다 낮은 전압에서는 오프 상태가 되는데, 이 임계 전압을 정확하게 맞춰주어야 불필요한 전력 손실이나 오동작을 방지할 수 있습니다. SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC의 주요 특징은 다음과 같습니다. 첫째, 높은 게이트 구동 능력입니다. SiC MOSFET은 낮은 온 저항을 가지는 대신 게이트 커패시턴스가 상대적으로 높아 빠르게 충전하고 방전시키기 위해서는 큰 전류가 필요합니다. 게이트 드라이버 IC는 이러한 요구를 충족하기 위해 높은 피크 전류를 제공합니다. 둘째, 절연 기능입니다. 전력 변환 회로에서 고전압 측에 위치하는 SiC MOSFET을 제어하기 위해서는 제어부(저전압 측)와 고전압 측 간의 전기적 절연이 필수적입니다. 이를 위해 자기 절연(Magnetic Isolation, 예: 트랜스포머 이용) 또는 광 절연(Optical Isolation, 예: 포토커플러 이용) 방식이 사용되며, 최근에는 내부적으로 고주파 트랜스포머를 집적한 디지털 절연 방식도 등장하고 있습니다. 셋째, 보호 기능입니다. SiC MOSFET은 과전압, 과전류, 과열 등에 민감할 수 있으므로, 게이트 드라이버 IC는 이러한 이상 상황을 감지하고 MOSFET을 안전하게 보호하기 위한 다양한 보호 기능을 내장하고 있습니다. 예를 들어, 과전압 보호(Over-Voltage Protection, OVP), 과전류 보호(Over-Current Protection, OCP), 과온도 보호(Over-Temperature Protection, OTP) 등이 있으며, 이를 통해 시스템의 신뢰성과 수명을 향상시킵니다. 넷째, 정밀한 게이트 전압 제어입니다. SiC MOSFET의 게이트 전압은 온/오프 특성을 결정하는 중요한 요소이므로, 게이트 드라이버 IC는 설정된 게이트 전압을 정확하게 유지하고, 스위칭 시 전압 변동을 최소화하는 기능을 제공합니다. 이를 통해 스위칭 손실을 줄이고 EMI 성능을 개선할 수 있습니다. 다섯째, 낮은 기생 효과입니다. 높은 스위칭 주파수에서는 게이트 드라이버 IC 자체의 내부 기생 성분이나 외부 연결선의 인덕턴스가 스위칭 성능에 큰 영향을 미칠 수 있습니다. 따라서 게이트 드라이버 IC는 패키지 설계 및 내부 레이아웃 최적화를 통해 이러한 기생 효과를 최소화하도록 설계됩니다. SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC의 종류는 크게 절연 방식과 기능 통합 수준에 따라 나눌 수 있습니다. 절연 방식으로는 앞서 언급한 대로 자기 절연 방식과 광 절연 방식이 있으며, 자기 절연 방식은 다시 트랜스포머를 이용하는 방식과 통합된 절연 채널을 사용하는 방식으로 나뉩니다. 최근에는 디지털 절연 기술을 적용하여 소형화 및 고속화를 달성한 제품들도 출시되고 있습니다. 기능 통합 수준에 따라서는 단순히 게이트 신호를 증폭하고 제어하는 기본적인 기능만을 제공하는 IC부터, PWM 제어 기능, 전류 감지 기능, 온도 감지 기능, 진단 기능 등 다양한 기능을 통합한 고집적화된 IC까지 다양하게 존재합니다. SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC의 주요 용도는 고효율 전력 변환 시스템 전반에 걸쳐 광범위하게 사용됩니다. 대표적인 응용 분야로는 전기차(EV)의 인버터 및 충전 시스템, 태양광 발전 시스템의 인버터, 산업용 전원 공급 장치, UPS(무정전 전원 장치), 고속 스위칭 전력 컨버터, 에너지 저장 시스템(ESS), 전기차 무선 충전 시스템 등이 있습니다. 이러한 시스템들은 기존의 실리콘 기반 부품으로는 달성하기 어려웠던 높은 효율과 소형화, 경량화라는 목표를 SiC MOSFET과 이를 지원하는 게이트 드라이버 IC의 조합을 통해 달성하고 있습니다. 특히 전기차 분야에서는 전비 향상과 주행 거리 증가에 직접적으로 기여하기 때문에 SiC MOSFET 및 게이트 드라이버 IC의 채택이 빠르게 확대되고 있습니다. SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC와 관련된 기술로는 크게 다음과 같은 분야들이 있습니다. 첫째, 디지털 절연 기술입니다. 기존의 자기 또는 광 절연 방식은 부피가 크고 속도에 제약이 있을 수 있습니다. 디지털 절연 기술은 고주파 신호를 이용한 절연 방식으로, 소형화, 고속화, EMI 성능 개선에 강점을 가집니다. 둘째, 차세대 게이트 드라이버 기술입니다. SiC MOSFET의 특성을 더욱 정밀하게 제어하기 위한 기술들입니다. 예를 들어, 게이트 전압을 능동적으로 조절하여 스위칭 시간을 최적화하거나, 칩 내부의 여러 파라미터를 동적으로 조절하여 손실을 최소화하는 기술 등이 연구되고 있습니다. 셋째, 통합 및 센싱 기술입니다. 게이트 드라이버 IC 내부에 전류 센서, 온도 센서, 전압 센서 등을 통합하여 시스템의 효율적인 제어와 보호 기능을 강화하는 방향으로 발전하고 있습니다. 또한, 진단 및 통신 기능을 통합하여 시스템의 모니터링 및 예측 정비 기능을 향상시키는 것도 중요한 연구 분야입니다. 넷째, 열 관리 기술입니다. SiC MOSFET은 높은 열을 발생시킬 수 있으므로, 게이트 드라이버 IC 또한 고온 환경에서도 안정적으로 동작해야 합니다. 따라서 IC 자체의 열 특성을 개선하거나, 효율적인 열 방출을 위한 패키지 설계 기술이 중요합니다. 다섯째, 고속 통신 인터페이스입니다. SiC MOSFET 기반의 고속 스위칭 시스템에서는 게이트 드라이버와 마이크로컨트롤러 간의 빠르고 정확한 통신이 중요합니다. 따라서 SPI, I2C와 같은 표준 인터페이스뿐만 아니라, 더 빠른 통신 속도를 지원하는 인터페이스 기술도 필요합니다. SiC MOSFET의 급격한 성능 향상과 함께 이를 완벽하게 활용하기 위한 게이트 드라이버 IC 기술은 지속적으로 발전하고 있습니다. 단순한 전력 스위칭 소자를 구동하는 수준을 넘어, 시스템 전반의 효율, 신뢰성, 안전성을 높이는 핵심적인 역할을 수행하게 될 것입니다. 따라서 관련 기술 동향을 파악하고 최신 제품을 이해하는 것은 전력 전자 분야의 전문가들에게 매우 중요하다고 할 수 있습니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 SiC MOSFET 게이트 드라이버 IC 시장 2024 : 기업, 종류, 용도, 시장예측] (코드 : GIR2409H6611) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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