| ■ 영문 제목 : Global Silicon Carbide Epitaxial Wafer Market Growth 2025-2031 | |
 | ■ 상품코드 : LPK23JU1366 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2025년 3월 ■ 페이지수 : 97 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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| LP인포메이션 (LPI) 의 최신 조사 자료는 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼의 과거 판매실적을 살펴보고 2024년의 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 판매실적을 검토하여 2025년부터 2031년까지 예상되는 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 판매에 대한 지역 및 시장 세그먼트별 포괄적인 분석을 제공합니다. 글로벌 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모는 2024년 xxx백만 달러에서 연평균 xx% 성장하여 2031년에는 xxx백만 달러에 달할 것으로 예측되고 있습니다. 본 보고서의 시장규모 데이터는 무역 전쟁 및 러시아-우크라이나 전쟁의 영향을 반영했습니다. 본 조사 자료는 글로벌 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장에 관해서 조사, 분석한 보고서로서, 기업별 시장 점유율, 지역별 시장규모 (미주, 미국, 캐나다, 멕시코, 브라질, 아시아 태평양, 중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 유럽, 독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아, 중동/아프리카, 이집트, 남아프리카, 터키, 중동GCC국 등), 시장동향, 판매/유통업자/고객 리스트, 시장예측 (2026년-2031년), 주요 기업동향 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) 등의 정보를 수록하고 있습니다. 또한, 주요지역의 종류별 (100mm, 150mm, 200mm) 시장규모와 용도별 (600-1200V SiC 장비, 1200-3300V SiC 장비, 3300V 이상 SiC 장비) 시장규모 데이터도 포함되어 있습니다. ***** 목차 구성 ***** 보고서의 범위 경영자용 요약 - 글로벌 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 2020년-2031년 - 지역별 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장분석 - 종류별 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 2020년-2025년 (100mm, 150mm, 200mm) - 용도별 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 2020년-2025년 (600-1200V SiC 장비, 1200-3300V SiC 장비, 3300V 이상 SiC 장비) 기업별 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장분석 - 기업별 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 판매량 - 기업별 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 매출액 - 기업별 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 판매가격 - 주요기업의 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 생산거점, 판매거점 - 시장 집중도 분석 지역별 분석 - 지역별 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 판매량 2020년-2025년 - 지역별 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 매출액 2020년-2025년 미주 시장 - 미주의 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 2020년-2025년 - 미주의 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 : 종류별 - 미주의 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 : 용도별 - 미국 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 캐나다 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 멕시코 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 브라질 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 아시아 태평양 시장 - 아시아 태평양의 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 2020년-2025년 - 아시아 태평양의 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 : 종류별 - 아시아 태평양의 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 : 용도별 - 중국 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 일본 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 한국 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 동남아시아 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 인도 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 유럽 시장 - 유럽의 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 2020년-2025년 - 유럽의 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 : 종류별 - 유럽의 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 : 용도별 - 독일 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 프랑스 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 영국 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 중동/아프리카 시장 - 중동/아프리카의 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 2020년-2025년 - 중동/아프리카의 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 : 종류별 - 중동/아프리카의 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 : 용도별 - 이집트 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 남아프리카 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 - 중동GCC 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 시장의 성장요인, 과제, 동향 - 시장의 성장요인, 기회 - 시장의 과제, 리스크 - 산업 동향 제조원가 구조 분석 - 원재료 및 공급업체 - 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼의 제조원가 구조 분석 - 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼의 제조 프로세스 분석 - 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼의 산업체인 구조 마케팅, 유통업체, 고객 - 판매채널 - 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼의 유통업체 - 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼의 주요 고객 지역별 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장 예측 - 지역별 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장규모 예측 2026년-2031년 - 미주 시장 예측 - 아시아 태평양 시장 예측 - 유럽 시장 예측 - 중동/아프리카 시장 예측 - 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼의 종류별 시장예측 (100mm, 150mm, 200mm) - 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼의 용도별 시장예측 (600-1200V SiC 장비, 1200-3300V SiC 장비, 3300V 이상 SiC 장비) 주요 기업 분석 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) - Cree (Wolfspeed), II-VI Advanced Materials(Ascatron), Showa Denko K.K.(NSSMC), Epiworld intenational, SK Siltron(Dupont), TYSiC, STMicroelectronics (Norstel), ROHM (Sicrystal) 조사의 결과/결론 |
Epitaxial Wafer is made by adding multi-micrometer thick single silicon carbide crystal layers on top of a polished wafer. Precise control of thickness, doping (carrier concentration) and defect density is required to enable high yielding power devices from a semiconductor fabrication facility. Silicon Carbide Epitaxial Wafer is a wafer of Silicon Carbide made by epitaxial growth (called epitaxy) for use in making semiconductor and photonic device.
LPI (LP Information)’ newest research report, the “Silicon Carbide Epitaxial Wafer Industry Forecast” looks at past sales and reviews total world Silicon Carbide Epitaxial Wafer sales in 2024, providing a comprehensive analysis by region and market sector of projected Silicon Carbide Epitaxial Wafer sales for 2025 through 2031. With Silicon Carbide Epitaxial Wafer sales broken down by region, market sector and sub-sector, this report provides a detailed analysis in US$ millions of the world Silicon Carbide Epitaxial Wafer industry.
This Insight Report provides a comprehensive analysis of the global Silicon Carbide Epitaxial Wafer landscape and highlights key trends related to product segmentation, company formation, revenue, and market share, latest development, and M&A activity. This report also analyzes the strategies of leading global companies with a focus on Silicon Carbide Epitaxial Wafer portfolios and capabilities, market entry strategies, market positions, and geographic footprints, to better understand these firms’ unique position in an accelerating global Silicon Carbide Epitaxial Wafer market.
This Insight Report evaluates the key market trends, drivers, and affecting factors shaping the global outlook for Silicon Carbide Epitaxial Wafer and breaks down the forecast by type, by application, geography, and market size to highlight emerging pockets of opportunity. With a transparent methodology based on hundreds of bottom-up qualitative and quantitative market inputs, this study forecast offers a highly nuanced view of the current state and future trajectory in the global Silicon Carbide Epitaxial Wafer.
The global Silicon Carbide Epitaxial Wafer market size is projected to grow from US$ 222.8 million in 2024 to US$ 1703.2 million in 2031; it is expected to grow at a CAGR of 1703.2 from 2025 to 2031.
The market for Silicon Carbide Epitaxial Wafer is concentrated with players such as Cree (Wolfspeed), II-VI Advanced Materials (Ascatron), Showa Denko K.K.(NSSMC), Epiworld intenational, SK Siltron(Dupont), TYSiC, STMicroelectronics (Norstel), ROHM (Sicrystal) and so on. Among them, the top 3 manufacturers which include Cree (Wolfspeed), II-VI Advanced Materials (Ascatron), Showa Denko K.K.(NSSMC) are the leader with about 71% revenue market share in 2019.
We divide Silicon Carbide Epitaxial Wafer into 100 mm, 150 mm and 200 mm, 150 mm account for more than 60% revenue share in 2019.
600-1200V SiC Devices remains the largest application field, followed by 1200-3300V SiC Devices and above 3300V SiC Devices.
North America is the largest production area, accounting for 53.38% of the total market share. The Asia-Pacific region is expected to grow faster in the future.
This report presents a comprehensive overview, market shares, and growth opportunities of Silicon Carbide Epitaxial Wafer market by product type, application, key manufacturers and key regions and countries.
[Market Segmentation]
Segmentation by type
100mm
150mm
200mm
Segmentation by application
600-1200V SiC Devices
1200-3300V SiC Devices
Above 3300V SiC Devices
This report also splits the market by region:
Americas
United States
Canada
Mexico
Brazil
APAC
China
Japan
Korea
Southeast Asia
India
Australia
Europe
Germany
France
UK
Italy
Russia
Middle East & Africa
Egypt
South Africa
Israel
Turkey
GCC Countries
The below companies that are profiled have been selected based on inputs gathered from primary experts and analyzing the company’s coverage, product portfolio, its market penetration.
Cree (Wolfspeed)
II-VI Advanced Materials(Ascatron)
Showa Denko K.K.(NSSMC)
Epiworld intenational
SK Siltron(Dupont)
TYSiC
STMicroelectronics (Norstel)
ROHM (Sicrystal)
[Key Questions Addressed in this Report]
What is the 10-year outlook for the global Silicon Carbide Epitaxial Wafer market?
What factors are driving Silicon Carbide Epitaxial Wafer market growth, globally and by region?
Which technologies are poised for the fastest growth by market and region?
How do Silicon Carbide Epitaxial Wafer market opportunities vary by end market size?
How does Silicon Carbide Epitaxial Wafer break out type, application?
What are the influences of trade war and Russia-Ukraine war?
1 Scope of the Report |
| ※참고 정보 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼는 차세대 전력 반도체 및 고주파 반도체 소자의 핵심 소재로 주목받고 있는 물질입니다. 이는 단순히 실리콘 카바이드(SiC)라는 재료 자체를 의미하는 것이 아니라, 기판 위에 특정 결정 구조와 조성을 가진 SiC 박막을 성장시킨 형태를 지칭합니다. 이러한 에피택셜 웨이퍼는 기존 실리콘(Si) 웨이퍼의 한계를 뛰어넘는 우수한 전기적, 열적 특성을 바탕으로 다양한 첨단 산업 분야에서 그 중요성이 더욱 커지고 있습니다. 실리콘 카바이드(SiC)는 탄소와 실리콘이 결합된 화합물 반도체로서, 다이아몬드와 유사한 매우 단단한 결정 구조를 가지고 있습니다. 이러한 독특한 결정 구조 덕분에 SiC는 실리콘에 비해 월등히 높은 항복 전압, 뛰어난 열 전도성, 높은 전자 이동도, 그리고 넓은 밴드갭 등의 특성을 자랑합니다. 이러한 특성들은 고전압, 고온, 고주파 환경에서 작동하는 반도체 소자를 구현하는 데 필수적입니다. 예를 들어, 항복 전압이 높다는 것은 더 높은 전압을 견딜 수 있다는 의미이며, 이는 전기 자동차의 인버터나 전력 변환 장치 등에서 전력 손실을 줄이고 효율을 높이는 데 직접적으로 기여합니다. 또한, 뛰어난 열 전도성은 반도체 소자 내부에서 발생하는 열을 효과적으로 방출하여 소자의 신뢰성과 수명을 향상시키는 데 중요한 역할을 합니다. 넓은 밴드갭은 높은 절연 파괴 전압을 가능하게 하며, 더 높은 온도에서도 안정적으로 작동할 수 있도록 합니다. 에피택셜(Epitaxial)이라는 용어는 "위에 놓이다"라는 뜻의 그리스어에서 유래한 것으로, 기판(Substrate) 위에 성장된 얇은 결정층이 기판과 동일한 결정 방향과 구조를 가지는 것을 의미합니다. 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼의 경우, 일반적으로 SiC 기판 위에 고품질의 SiC 박막을 성장시키는 과정을 거칩니다. 이 박막은 소자 제작에 필요한 특정 전기적 특성을 갖도록 도핑(Doping) 농도, 조성, 두께 등이 정밀하게 제어됩니다. 에피택셜 성장 방식으로는 화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD)이 주로 사용됩니다. CVD 공정은 특정 반응 가스(예: 실란(SiH4), 프로판(C3H8) 등)를 고온의 SiC 기판에 공급하여 기판 표면에서 화학 반응을 일으키고, 결과적으로 SiC 박막을 결정 방향에 맞게 성장시키는 방식입니다. 이 과정에서 성장 온도, 가스 유량, 압력 등 다양한 공정 변수를 정밀하게 제어함으로써 에피택셜 박막의 결정 품질, 표면 거칠기, 도핑 균일성 등을 최적화할 수 있습니다. SiC 에피택셜 웨이퍼는 주로 사용되는 SiC 결정형(Polytype)에 따라 구분될 수 있습니다. SiC는 다양한 결정 구조를 가지는데, 그 중 3C-SiC, 4H-SiC, 6H-SiC 등이 대표적입니다. 이 중 4H-SiC는 전자 이동도가 가장 높고 캐리어 이동 특성이 우수하여 전력 반도체 소자에 가장 널리 사용되고 있습니다. 6H-SiC 또한 높은 항복 전압 특성이 뛰어나 특정 애플리케이션에 활용되지만, 4H-SiC에 비해 전자 이동도는 다소 낮습니다. 3C-SiC는 성장 방식이 상대적으로 용이하고 낮은 온도에서도 성장이 가능하지만, 결정 결함이 많아 고성능 소자 구현에는 제약이 있습니다. 따라서 현재 SiC 에피택셜 웨이퍼 시장에서는 4H-SiC 기반 웨이퍼가 주류를 이루고 있습니다. SiC 에피택셜 웨이퍼의 용도는 매우 광범위합니다. 가장 대표적인 분야는 전력 반도체 소자입니다. 전기 자동차의 전력 변환 장치(인버터), 고속 열차의 컨버터, 신재생 에너지 발전 시스템(태양광, 풍력)의 전력 변환 장치, 고효율 전원 공급 장치(SMPS), 전기차 충전 인프라 등에 SiC MOSFET, SiC 쇼트키 다이오드 등이 적용되고 있습니다. 이러한 SiC 기반 소자들은 기존 실리콘 기반 소자에 비해 전력 손실을 획기적으로 줄여 에너지 효율을 높이고, 소자 크기를 소형화하며, 더 높은 온도에서 작동할 수 있도록 합니다. 또한, 고주파 통신 분야에서도 SiC의 우수한 특성을 활용하여 고출력 RF(Radio Frequency) 증폭기, 무선 통신 기지국 장비 등에 적용될 수 있습니다. 자동차 산업의 전동화 추세와 더불어 SiC 에피택셜 웨이퍼의 수요는 폭발적으로 증가하고 있으며, 차세대 전력 시스템의 핵심 부품으로 자리매김하고 있습니다. SiC 에피택셜 웨이퍼와 관련된 핵심 기술로는 앞서 언급된 에피택셜 성장 기술 외에도 웨이퍼 제조 기술, 소자 설계 및 제작 기술, 그리고 패키징 기술 등이 있습니다. 고품질의 SiC 기판을 안정적으로 대량 생산하는 기술은 SiC 에피택셜 웨이퍼의 가격 경쟁력 확보와 공급 안정성에 매우 중요합니다. 또한, SiC 기판 위에 성장된 에피택셜 박막의 두께, 도핑 농도, 표면 품질 등을 균일하고 정밀하게 제어하는 에피택셜 성장 기술은 최종 소자의 성능과 신뢰성을 결정짓는 핵심 요소입니다. 소자 설계 측면에서는 SiC의 고유한 특성을 최대한 활용하면서도 기존 기술과의 호환성을 고려한 최적의 구조를 구현하는 것이 중요합니다. 또한, SiC 소자는 높은 동작 온도를 견딜 수 있어야 하므로, 이러한 고온 환경에 적합한 패키징 기술 역시 필수적으로 요구됩니다. 최근에는 SiC 에피택셜 웨이퍼의 품질을 더욱 향상시키고 생산 비용을 절감하기 위한 다양한 연구 개발이 활발히 진행되고 있습니다. 예를 들어, 에피택셜 성장 과정에서 발생하는 결함을 줄이기 위한 공정 개선, 새로운 도핑 기술 개발, 그리고 웨이퍼의 표면 품질을 더욱 매끄럽게 만들기 위한 연마 기술 등이 연구되고 있습니다. 또한, SiC 에피택셜 웨이퍼의 더 큰 직경(예: 6인치, 8인치)을 구현하기 위한 기술 개발은 생산성 향상과 가격 인하에 크게 기여할 것으로 기대됩니다. 이러한 기술 발전은 SiC 반도체가 더욱 보편화되고 다양한 산업 분야에 광범위하게 적용될 수 있도록 하는 밑거름이 될 것입니다. 결론적으로, 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼는 SiC 기판 위에 정밀하게 제어된 SiC 박막이 성장된 형태로서, 실리콘을 뛰어넘는 탁월한 전기적, 열적 특성을 바탕으로 차세대 전력 반도체 및 고주파 반도체 소자 구현에 필수적인 소재입니다. 특히 전기 자동차 산업의 성장과 함께 그 중요성이 더욱 부각되고 있으며, 관련 기술의 지속적인 발전은 미래 에너지 시스템 및 첨단 전자 기기의 발전에 크게 기여할 것으로 전망됩니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 실리콘 카바이드 에피택셜 웨이퍼 시장 2025-2031] (코드 : LPK23JU1366) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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