| ■ 영문 제목 : Global Silicon Carbide MOSFET Market Growth 2025-2031 | |
 | ■ 상품코드 : LPK23JL1490 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2025년 3월 ■ 페이지수 : 105 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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| LPI (LP Information)의 최신 조사 보고서는 실리콘 카바이드 MOSFET의 과거 판매실적을 살펴보고 2024년의 실리콘 카바이드 MOSFET 판매실적을 검토하여 2025년부터 2031년까지 예상되는 실리콘 카바이드 MOSFET 판매에 대한 지역 및 시장 세그먼트별 포괄적인 분석을 제공합니다. 세계의 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모는 2024년 xxx백만 달러에서 연평균 xx% 성장하여 2031년에는 xxx백만 달러에 달할 것으로 예측되고 있습니다. 본 보고서의 시장규모 데이터는 무역 전쟁 및 러시아-우크라이나 전쟁의 영향을 반영했습니다. 본 보고서는 실리콘 카바이드 MOSFET의 세계시장에 관해서 조사, 분석한 자료로서, 기업별 시장 점유율, 지역별 시장규모 (미주, 미국, 캐나다, 멕시코, 브라질, 아시아, 중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 유럽, 독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아, 중동/아프리카, 이집트, 남아프리카, 터키, 중동GCC국 등), 시장동향, 판매/유통업자/고객 리스트, 시장예측 (2026년-2031년), 주요 기업동향 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) 등의 정보를 포함하고 있습니다. 또한, 주요지역의 종류별 시장규모 (N 채널, 듀얼 N 채널, 쿼드 N 채널, 식스 N 채널)와 용도별 시장규모 (자동차 산업, 산업용 모터, 스마트 그리드, 기타) 데이터도 수록되어 있습니다. ***** 목차 구성 ***** 보고서의 범위 경영자용 요약 - 세계의 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 2020년-2031년 - 지역별 실리콘 카바이드 MOSFET 시장분석 - 종류별 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 2020년-2025년 (N 채널, 듀얼 N 채널, 쿼드 N 채널, 식스 N 채널) - 용도별 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 2020년-2025년 (자동차 산업, 산업용 모터, 스마트 그리드, 기타) 기업별 실리콘 카바이드 MOSFET 시장분석 - 기업별 실리콘 카바이드 MOSFET 판매량 - 기업별 실리콘 카바이드 MOSFET 매출액 - 기업별 실리콘 카바이드 MOSFET 판매가격 - 주요기업의 실리콘 카바이드 MOSFET 생산거점, 판매거점 - 시장 집중도 분석 지역별 분석 - 지역별 실리콘 카바이드 MOSFET 판매량 2020년-2025년 - 지역별 실리콘 카바이드 MOSFET 매출액 2020년-2025년 미주 시장 - 미주의 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 2020년-2025년 - 미주의 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 : 종류별 - 미주의 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 : 용도별 - 미국 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 - 캐나다 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 - 멕시코 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 - 브라질 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 아시아 시장 - 아시아의 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 2020년-2025년 - 아시아의 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 : 종류별 - 아시아의 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 : 용도별 - 중국 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 - 일본 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 - 한국 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 - 동남아시아 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 - 인도 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 유럽 시장 - 유럽의 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 2020년-2025년 - 유럽의 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 : 종류별 - 유럽의 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 : 용도별 - 독일 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 - 프랑스 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 - 영국 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 중동/아프리카 시장 - 중동/아프리카의 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 2020년-2025년 - 중동/아프리카의 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 : 종류별 - 중동/아프리카의 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 : 용도별 - 이집트 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 - 남아프리카 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 - 중동GCC 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 시장의 성장요인, 과제, 동향 - 시장의 성장요인, 기회 - 시장의 과제, 리스크 - 산업 동향 제조원가 구조 분석 - 원재료 및 공급업체 - 실리콘 카바이드 MOSFET의 제조원가 구조 분석 - 실리콘 카바이드 MOSFET의 제조 프로세스 분석 - 실리콘 카바이드 MOSFET의 산업체인 구조 마케팅, 유통업체, 고객 - 판매채널 - 실리콘 카바이드 MOSFET의 유통업체 - 실리콘 카바이드 MOSFET의 주요 고객 지역별 실리콘 카바이드 MOSFET 시장 예측 - 지역별 실리콘 카바이드 MOSFET 시장규모 예측 2026년-2031년 - 미주 지역 예측 - 아시아 지역 예측 - 유럽 지역 예측 - 중동/아프리카 지역 예측 - 실리콘 카바이드 MOSFET의 종류별 시장예측 (N 채널, 듀얼 N 채널, 쿼드 N 채널, 식스 N 채널) - 실리콘 카바이드 MOSFET의 용도별 시장예측 (자동차 산업, 산업용 모터, 스마트 그리드, 기타) 주요 기업 분석 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) - Infineon, IXYS, Littelfuse, Microchip, ON Semiconductor, ROHM, STMicroelectronics, Toshiba, UnitedSiC, Wolfspeed 조사의 결론 |
Silicon carbide MOSFETs have the characteristics of low on-resistance and small switching losses, which can reduce device losses and improve system efficiency, and are more suitable for high-frequency circuits. It is widely used in the fields of new energy vehicle motor controller, vehicle power supply, solar inverter, charging pile, UPS, PFC power supply and other fields.
LPI (LP Information)’ newest research report, the “Silicon Carbide MOSFET Industry Forecast” looks at past sales and reviews total world Silicon Carbide MOSFET sales in 2024, providing a comprehensive analysis by region and market sector of projected Silicon Carbide MOSFET sales for 2025 through 2031. With Silicon Carbide MOSFET sales broken down by region, market sector and sub-sector, this report provides a detailed analysis in US$ millions of the world Silicon Carbide MOSFET industry.
This Insight Report provides a comprehensive analysis of the global Silicon Carbide MOSFET landscape and highlights key trends related to product segmentation, company formation, revenue, and market share, latest development, and M&A activity. This report also analyzes the strategies of leading global companies with a focus on Silicon Carbide MOSFET portfolios and capabilities, market entry strategies, market positions, and geographic footprints, to better understand these firms’ unique position in an accelerating global Silicon Carbide MOSFET market.
This Insight Report evaluates the key market trends, drivers, and affecting factors shaping the global outlook for Silicon Carbide MOSFET and breaks down the forecast by type, by application, geography, and market size to highlight emerging pockets of opportunity. With a transparent methodology based on hundreds of bottom-up qualitative and quantitative market inputs, this study forecast offers a highly nuanced view of the current state and future trajectory in the global Silicon Carbide MOSFET.
The global Silicon Carbide MOSFET market size is projected to grow from US$ 414.2 million in 2024 to US$ 1291.1 million in 2031; it is expected to grow at a CAGR of 1291.1 from 2025 to 2031.
Global key players of SiC MOSFETs include Wolfspeed, Infineon Technologies, STMicroelectronics, ROHM etc. The top three manufacturers hold 52% of the market. Europe is the largest market, has a share about over 74%, followed by APAC and North America, with share 18% and 6%, separately.
This report presents a comprehensive overview, market shares, and growth opportunities of Silicon Carbide MOSFET market by product type, application, key manufacturers and key regions and countries.
[Market Segmentation]
Segmentation by type
N Channel
Dual N Channel
Quad N Channel
Six N Channel
Segmentation by application
Automobile Industry
Industrial Motor
Smart Grid
Other
This report also splits the market by region:
Americas
United States
Canada
Mexico
Brazil
APAC
China
Japan
Korea
Southeast Asia
India
Australia
Europe
Germany
France
UK
Italy
Russia
Middle East & Africa
Egypt
South Africa
Israel
Turkey
GCC Countries
The below companies that are profiled have been selected based on inputs gathered from primary experts and analyzing the company’s coverage, product portfolio, its market penetration.
Infineon
IXYS
Littelfuse
Microchip
ON Semiconductor
ROHM
STMicroelectronics
Toshiba
UnitedSiC
Wolfspeed
[Key Questions Addressed in this Report]
What is the 10-year outlook for the global Silicon Carbide MOSFET market?
What factors are driving Silicon Carbide MOSFET market growth, globally and by region?
Which technologies are poised for the fastest growth by market and region?
How do Silicon Carbide MOSFET market opportunities vary by end market size?
How does Silicon Carbide MOSFET break out type, application?
What are the influences of trade war and Russia-Ukraine war?
1 Scope of the Report |
| ※참고 정보 실리콘 카바이드 MOSFET(Silicon Carbide MOSFET, 이하 SiC MOSFET)은 차세대 전력 반도체 소자로서 기존의 실리콘(Si) 기반 MOSFET의 한계를 극복하고 더욱 높은 성능과 효율을 제공하는 데 중점을 두고 있습니다. SiC MOSFET은 탄화규소라는 독특한 화합물 반도체 물질을 기반으로 하여 제작되며, 이는 기존 실리콘과 비교하여 월등히 우수한 전기적, 열적 특성을 지니고 있습니다. 이러한 특성을 바탕으로 SiC MOSFET은 전기 자동차, 태양광 발전 시스템, 산업용 전력 변환 장치 등 다양한 분야에서 혁신을 주도할 잠재력을 가지고 있습니다. SiC MOSFET의 핵심적인 개념은 그 재료인 탄화규소(SiC)에 있습니다. 탄화규소는 다이아몬드와 유사한 결정 구조를 가지며, 실리콘에 비해 훨씬 높은 항복 전압, 높은 열 전도성, 그리고 더 넓은 밴드갭을 특징으로 합니다. 이러한 물리적, 전기적 특성은 SiC MOSFET이 더 높은 전압과 전류를 처리할 수 있게 하며, 동시에 작동 온도 또한 훨씬 높게 유지할 수 있도록 합니다. 특히, SiC의 넓은 밴드갭은 소자 내부의 전기장 강도를 높여 더 얇은 절연층으로도 높은 전압을 견딜 수 있게 합니다. 이는 기존 Si MOSFET에서 발생하는 누설 전류를 크게 줄이고 항복 전압을 높이는 데 결정적인 역할을 합니다. 또한, SiC의 높은 열 전도성은 소자 내부에서 발생하는 열을 효과적으로 외부로 방출하여 소자의 온도를 낮게 유지할 수 있게 합니다. 이는 고온 환경에서의 안정성을 높이고 추가적인 방열 시스템의 부담을 줄여 전체 시스템의 소형화 및 경량화에 기여합니다. SiC MOSFET은 기본적으로 금속-산화물-반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 구조를 따르지만, 그 동작 원리는 Si MOSFET과 동일하게 게이트 전압을 이용하여 소스-드레인 간의 전류 흐름을 제어하는 것입니다. 그러나 SiC의 뛰어난 물리적 특성 덕분에 Si MOSFET보다 훨씬 높은 효율과 성능을 달성할 수 있습니다. 예를 들어, SiC MOSFET은 스위칭 손실이 현저히 낮아 고주파 스위칭이 가능하며, 이는 전력 변환 시스템의 크기와 무게를 줄이는 데 매우 중요합니다. 또한, 낮은 온-저항(on-resistance) 특성을 통해 전력 손실을 최소화하여 전력 변환 효율을 극대화합니다. 이러한 장점들은 특히 에너지 효율이 중요한 응용 분야에서 SiC MOSFET의 채택을 가속화하고 있습니다. SiC MOSFET의 종류는 주로 사용되는 탄화규소 결정의 형태와 소자의 구조에 따라 구분될 수 있습니다. 가장 일반적으로 사용되는 형태는 4H-SiC 결정 구조입니다. 이는 전하 이동도가 높아 고성능 구현에 유리하기 때문입니다. 소자 구조 측면에서는 평면형(Planar)과 산화막-게이트 절연층 구조(MOSFET with an insulated gate)가 있으며, 최근에는 더 높은 성능과 신뢰성을 위해 버티컬 구조(Vertical structure)가 많이 연구되고 있습니다. 버티컬 구조는 전류가 기판을 수직으로 통과하게 함으로써 더 높은 전류 밀도를 허용하고 온-저항을 낮추는 데 유리합니다. 또한, 게이트 절연막으로 사용되는 산화막(SiO2)과 SiC 계면의 품질이 소자의 성능과 신뢰성에 지대한 영향을 미치므로, 이를 개선하기 위한 다양한 공정 기술이 개발되고 있습니다. SiC MOSFET의 주요 용도는 높은 효율과 고온/고전압 환경에서의 작동 능력이 요구되는 다양한 전력 전자 분야입니다. 가장 대표적인 분야는 전기 자동차(EV)입니다. 전기 자동차의 구동 시스템, 온보드 충전기(OBC), DC-DC 컨버터 등에서 SiC MOSFET을 사용하면 전력 변환 효율을 크게 높여 주행 거리를 늘리고 배터리 충전 시간을 단축할 수 있습니다. 또한, SiC MOSFET의 높은 내열성은 차량의 복잡하고 변화무쌍한 온도 환경에서도 안정적인 작동을 보장합니다. 태양광 발전 시스템에서도 SiC MOSFET은 인버터의 효율을 높여 더 많은 에너지를 회수할 수 있게 하며, 극한의 외부 환경에서도 높은 신뢰성을 제공합니다. 산업용 전력 변환 장치, 예를 들어 고효율 전원 공급 장치, 모터 드라이브, 산업용 용접기 등에서도 SiC MOSFET의 도입은 에너지 절감과 시스템 성능 향상에 크게 기여합니다. 더 나아가, 고속 철도, 항공 우주 분야와 같이 극한 환경에서의 고성능 전력 변환이 필수적인 곳에서도 SiC MOSFET의 활용이 기대됩니다. SiC MOSFET 기술과 관련된 주요 기술로는 소재 성장 기술, 소자 제조 공정 기술, 그리고 패키징 기술이 있습니다. 탄화규소 晶(Crystal) 성장 기술은 고품질의 SiC 웨이퍼를 생산하는 데 매우 중요합니다. SiC 晶은 성장 속도가 느리고 공정이 복잡하여 기존 Si 웨이퍼 대비 생산 단가가 높지만, 최근에는 晶 성장 기술의 발전으로 인해 품질이 향상되고 생산성이 증대되고 있습니다. 소자 제조 공정에서는 SiC와 산화막(SiO2) 계면의 품질을 높이는 것이 핵심입니다. 낮은 계면 결함 밀도는 캐리어 이동도를 향상시키고 소자의 항복 전압을 높이는 데 필수적입니다. 이를 위해 질소(N2) 또는 질산화 공정(nitridation)과 같은 후처리 공정이 활발히 연구되고 있습니다. 또한, 고온 및 고전압 환경에서 소자를 안정적으로 보호하고 열을 효과적으로 방출하기 위한 첨단 패키징 기술도 중요합니다. 와이어 본딩 대신 새로운 상호 연결 기술이나 수직형 패키징 기술 등이 연구되고 있으며, 이는 SiC MOSFET의 잠재력을 최대한 발휘하는 데 기여합니다. SiC MOSFET은 기존 Si MOSFET의 한계를 뛰어넘는 혁신적인 전력 반도체 기술로서, 향후 고효율, 고성능 전력 전자 시스템 구축에 있어 핵심적인 역할을 수행할 것으로 기대됩니다. 소재 기술의 발전과 생산 공정의 성숙으로 인해 SiC MOSFET의 가격 경쟁력이 점차 향상됨에 따라, 그 적용 범위는 더욱 확대될 것입니다. 이를 통해 에너지 효율을 높이고 탄소 배출을 줄이며, 궁극적으로는 지속 가능한 사회를 구현하는 데 중요한 기여를 할 것으로 전망됩니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 실리콘 카바이드 MOSFET 시장예측 2025년-2031년] (코드 : LPK23JL1490) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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