| ■ 영문 제목 : Global IGBT-Based Power Semiconductor Market 2024 by Manufacturers, Regions, Type and Application, Forecast to 2030 | |
 | ■ 상품코드 : GIR2406C6110 ■ 조사/발행회사 : Globalinforesearch ■ 발행일 : 2024년 6월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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조사회사 Global Info Research의 최신 조사에 따르면, 세계의 IGBT 기반 파워 반도체 시장 규모는 2023년에 XXX백만 달러로 분석되었으며, 검토 기간 동안 xx%의 CAGR로 2030년까지 XXX백만 달러의 재조정된 규모로 성장이 예측됩니다.
Global Info Research 보고서에는 IGBT 기반 파워 반도체 산업 체인 동향 개요, 가전, 항공 우주, 자동차, 기타 응용분야 및 선진 및 개발 도상국의 주요 기업의 시장 현황, IGBT 기반 파워 반도체의 최첨단 기술, 특허, 최신 용도 및 시장 동향을 분석했습니다.
지역별로는 주요 지역의 IGBT 기반 파워 반도체 시장을 분석합니다. 북미와 유럽은 정부 이니셔티브와 수요자 인식 제고에 힘입어 꾸준한 성장세를 보이고 있습니다. 아시아 태평양, 특히 중국은 탄탄한 내수 수요와 지원 정책, 강력한 제조 기반을 바탕으로 글로벌 IGBT 기반 파워 반도체 시장을 주도하고 있습니다.
[주요 특징]
본 보고서는 IGBT 기반 파워 반도체 시장에 대한 포괄적인 이해를 제공합니다. 본 보고서는 산업에 대한 전체적인 관점과 개별 구성 요소 및 이해 관계자에 대한 자세한 통찰력을 제공합니다. 본 보고서는 IGBT 기반 파워 반도체 산업 내의 시장 역학, 동향, 과제 및 기회를 분석합니다. 또한, 거시적 관점에서 시장을 분석하는 것이 포함됩니다.
시장 규모 및 세분화: 본 보고서는 판매량, 매출 및 종류별 (예 : 디스트리트형, 모듈형)의 시장 점유율을 포함한 전체 시장 규모에 대한 데이터를 수집합니다.
산업 분석: 보고서는 정부 정책 및 규제, 기술 발전, 수요자 선호도, 시장 역학 등 광범위한 산업 동향을 분석합니다. 이 분석은 IGBT 기반 파워 반도체 시장에 영향을 미치는 주요 동인과 과제를 이해하는데 도움이 됩니다.
지역 분석: 본 보고서에는 지역 또는 국가 단위로 IGBT 기반 파워 반도체 시장을 조사하는 것이 포함됩니다. 보고서는 정부 인센티브, 인프라 개발, 경제 상황 및 수요자 행동과 같은 지역 요인을 분석하여 다양한 시장 내의 변화와 기회를 식별합니다.
시장 전망: 보고서는 수집된 데이터와 분석을 통해 IGBT 기반 파워 반도체 시장에 대한 미래 전망 및 예측을 다룹니다. 여기에는 시장 성장률 추정, 시장 수요 예측, 새로운 트렌드 파악 등이 포함될 수 있습니다. 본 보고서에는 IGBT 기반 파워 반도체에 대한 보다 세분화된 접근 방식도 포함됩니다.
기업 분석: 본 보고서는 IGBT 기반 파워 반도체 제조업체, 공급업체 및 기타 관련 업계 플레이어를 다룹니다. 이 분석에는 재무 성과, 시장 포지셔닝, 제품 포트폴리오, 파트너십 및 전략에 대한 조사가 포함됩니다.
수요자 분석: 보고서는 IGBT 기반 파워 반도체에 대한 수요자 행동, 선호도 및 태도에 대한 데이터를 다룹니다. 여기에는 설문 조사, 인터뷰 및 응용 분야별 (가전, 항공 우주, 자동차, 기타)의 다양한 수요자 리뷰 및 피드백 분석이 포함될 수 있습니다.
기술 분석: IGBT 기반 파워 반도체과 관련된 특정 기술을 다루는 보고서입니다. IGBT 기반 파워 반도체 분야의 현재 상황 및 잠재적 미래 발전 가능성을 평가합니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 개별 기업, 공급업체 및 수요업체를 분석하여 IGBT 기반 파워 반도체 시장의 경쟁 환경에 대한 통찰력을 제공합니다. 이 분석은 시장 점유율, 경쟁 우위 및 업계 플레이어 간의 차별화 가능성을 이해하는 데 도움이 됩니다.
시장 검증: 본 보고서에는 설문 조사, 인터뷰 및 포커스 그룹과 같은 주요 조사를 통해 결과 및 예측을 검증하는 작업이 포함됩니다.
[시장 세분화]
IGBT 기반 파워 반도체 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
종류별 시장 세그먼트
– 디스트리트형, 모듈형
용도별 시장 세그먼트
– 가전, 항공 우주, 자동차, 기타
주요 대상 기업
– Infineon Technologies, Mitsubishi, Fuji Electric, Semikron, ON Semiconductors, Fairchild Semiconductors, Texas Instruments Incorporated, STMicroelectronics, IXYS, Toshiba
지역 분석은 다음을 포함합니다.
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 러시아, 이탈리아)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 인도, 동남아시아, 호주)
– 남미 (브라질, 아르헨티나, 콜롬비아)
– 중동 및 아프리카 (사우디아라비아, 아랍에미리트, 이집트, 남아프리카공화국)
본 조사 보고서는 아래 항목으로 구성되어 있습니다.
– IGBT 기반 파워 반도체 제품 범위, 시장 개요, 시장 추정, 주의 사항 및 기준 연도를 설명합니다.
– 2019년부터 2024년까지 IGBT 기반 파워 반도체의 가격, 판매량, 매출 및 세계 시장 점유율과 함께 IGBT 기반 파워 반도체의 주요 제조업체를 프로파일링합니다.
– IGBT 기반 파워 반도체 경쟁 상황, 판매량, 매출 및 주요 제조업체의 글로벌 시장 점유율이 상세하게 분석 됩니다.
– IGBT 기반 파워 반도체 상세 데이터는 2019년부터 2030년까지 지역별 판매량, 소비금액 및 성장성을 보여주기 위해 지역 레벨로 표시됩니다.
– 2019년부터 2030년까지 판매량 시장 점유율 및 성장률을 종류별, 용도별로 분류합니다.
– 2017년부터 2023년까지 세계 주요 국가의 판매량, 소비금액 및 시장 점유율과 함께 국가 레벨로 판매 데이터를 분류하고, 2025년부터 2030년까지 판매량 및 매출과 함께 지역, 종류 및 용도별로 IGBT 기반 파워 반도체 시장 예측을 수행합니다.
– 시장 역학, 성장요인, 저해요인, 동향 및 포터의 다섯 가지 힘 분석.
– 주요 원자재 및 주요 공급 업체, IGBT 기반 파워 반도체의 산업 체인.
– IGBT 기반 파워 반도체 판매 채널, 유통 업체, 고객(수요기업), 조사 결과 및 결론을 설명합니다.
※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.
■ 보고서 목차■ 시장 개요 ■ 제조업체 프로필 Infineon Technologies Mitsubishi Fuji Electric ■ 제조업체간 경쟁 환경 ■ 지역별 소비 분석 ■ 종류별 시장 세분화 ■ 용도별 시장 세분화 ■ 북미 ■ 유럽 ■ 아시아 태평양 ■ 남미 ■ 중동 및 아프리카 ■ 시장 역학 ■ 원자재 및 산업 체인 ■ 유통 채널별 출하량 ■ 조사 결과 [그림 목록]- IGBT 기반 파워 반도체 이미지 - 종류별 세계의 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 종류별 세계의 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 시장 점유율 - 용도별 세계의 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 용도별 세계의 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 세계의 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 및 예측 (2019-2030) - 세계의 IGBT 기반 파워 반도체 판매량 (2019-2030) - 세계의 IGBT 기반 파워 반도체 평균 가격 (2019-2030) - 2023년 제조업체별 세계의 IGBT 기반 파워 반도체 판매량 시장 점유율 - 2023년 제조업체별 세계의 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 시장 점유율 - 2023년 상위 3개 IGBT 기반 파워 반도체 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 2023년 상위 6개 IGBT 기반 파워 반도체 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 지역별 IGBT 기반 파워 반도체 판매량 시장 점유율 - 지역별 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 시장 점유율 - 북미 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 - 유럽 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 - 아시아 태평양 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 - 남미 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 - 중동 및 아프리카 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 - 세계의 종류별 IGBT 기반 파워 반도체 판매량 시장 점유율 - 세계의 종류별 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 종류별 IGBT 기반 파워 반도체 평균 가격 - 세계의 용도별 IGBT 기반 파워 반도체 판매량 시장 점유율 - 세계의 용도별 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 용도별 IGBT 기반 파워 반도체 평균 가격 - 북미 IGBT 기반 파워 반도체 종류별 판매량 시장 점유율 - 북미 IGBT 기반 파워 반도체 용도별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 IGBT 기반 파워 반도체 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 IGBT 기반 파워 반도체 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 미국 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 및 성장률 - 캐나다 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 및 성장률 - 멕시코 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 및 성장률 - 유럽 IGBT 기반 파워 반도체 종류별 판매량 시장 점유율 - 유럽 IGBT 기반 파워 반도체 용도별 판매량 시장 점유율 - 유럽 IGBT 기반 파워 반도체 국가별 판매량 시장 점유율 - 유럽 IGBT 기반 파워 반도체 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 독일 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 및 성장률 - 프랑스 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 및 성장률 - 영국 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 및 성장률 - 러시아 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 및 성장률 - 이탈리아 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 및 성장률 - 아시아 태평양 IGBT 기반 파워 반도체 종류별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 IGBT 기반 파워 반도체 용도별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 IGBT 기반 파워 반도체 지역별 판매 수량 시장 점유율 - 아시아 태평양 IGBT 기반 파워 반도체 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 중국 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 및 성장률 - 일본 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 및 성장률 - 한국 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 및 성장률 - 인도 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 및 성장률 - 동남아시아 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 및 성장률 - 호주 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 및 성장률 - 남미 IGBT 기반 파워 반도체 종류별 판매량 시장 점유율 - 남미 IGBT 기반 파워 반도체 용도별 판매량 시장 점유율 - 남미 IGBT 기반 파워 반도체 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 남미 IGBT 기반 파워 반도체 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 브라질 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 및 성장률 - 아르헨티나 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 및 성장률 - 중동 및 아프리카 IGBT 기반 파워 반도체 종류별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 IGBT 기반 파워 반도체 용도별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 IGBT 기반 파워 반도체 지역별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 IGBT 기반 파워 반도체 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 터키 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 및 성장률 - 이집트 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 및 성장률 - 사우디 아라비아 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 및 성장률 - 남아프리카 공화국 IGBT 기반 파워 반도체 소비 금액 및 성장률 - IGBT 기반 파워 반도체 시장 성장 요인 - IGBT 기반 파워 반도체 시장 제약 요인 - IGBT 기반 파워 반도체 시장 동향 - 포터의 다섯 가지 힘 분석 - 2023년 IGBT 기반 파워 반도체의 제조 비용 구조 분석 - IGBT 기반 파워 반도체의 제조 공정 분석 - IGBT 기반 파워 반도체 산업 체인 - 직접 채널 장단점 - 간접 채널 장단점 - 방법론 - 조사 프로세스 및 데이터 소스 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 IGBT 기반 파워 반도체는 절연 게이트 양극성 트랜지스터(Insulated Gate Bipolar Transistor)라는 반도체 소자를 중심으로 하는 고성능 전력 스위칭 소자를 의미합니다. 이는 고전압, 고전류 환경에서 효율적으로 전력을 제어하고 변환하는 데 필수적인 역할을 수행하며, 현대 전력 전자 시스템의 핵심 부품으로 자리 잡고 있습니다. IGBT는 바이폴라 트랜지스터(Bipolar Transistor)의 높은 전류 전달 능력과 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)의 쉬운 구동 방식을 결합한 하이브리드 소자입니다. 기본적으로 MOSFET의 입력단을 사용하여 게이트 전압으로 컬렉터 전류를 제어하지만, 컬렉터와 에미터 사이에는 바이폴라 트랜지스터 구조가 포함되어 있어 높은 전류를 효율적으로 흘릴 수 있습니다. 이러한 구조적 특징 덕분에 IGBT는 MOSFET에 비해 온 상태 전압 강하가 낮아 전력 손실을 줄일 수 있으며, 동시에 GTO(Gate Turn-Off Thyristor)와 같은 사이리스터 계열 소자에 비해 더 빠른 스위칭 속도를 제공합니다. IGBT의 주요 특징으로는 첫째, 높은 전압 및 전류 처리 능력을 들 수 있습니다. 이는 수백 볼트에서 수 킬로볼트 이상의 전압과 수십 암페어에서 수천 암페어 이상의 전류를 안정적으로 제어할 수 있음을 의미합니다. 둘째, 낮은 온 상태 전압 강하입니다. ON-state Vce(sat) 값이 MOSFET보다 낮아 전력 효율을 높이는 데 크게 기여합니다. 셋째, 고속 스위칭 특성입니다. GTO에 비해서는 느리지만, 일반적인 고출력 스위칭 애플리케이션에 충분한 스위칭 속도를 제공합니다. 넷째, 쉬운 게이트 구동입니다. MOSFET과 유사하게 전압 구동 방식이므로 제어 회로가 비교적 간단하며, 낮은 구동 전력으로도 동작이 가능합니다. 다섯째, 뛰어난 내열성입니다. 고온 환경에서도 안정적으로 동작하며, 높은 신뢰성을 제공합니다. IGBT는 구조 및 특성에 따라 다양한 종류로 분류될 수 있습니다. 가장 일반적인 형태는 단일 IGBT 소자이지만, 이를 여러 개 집적하여 패키지 형태로 제공되는 모듈 형태도 널리 사용됩니다. IGBT 모듈은 여러 개의 IGBT 소자와 프리휠링 다이오드(Free-wheeling Diode)를 통합하여 시스템 설계의 효율성을 높입니다. 또한, 특정 애플리케이션의 요구사항에 맞춰 스위칭 속도, 전압 강하, 내열성 등의 특성을 최적화한 다양한 기술들이 적용됩니다. 예를 들어, 빠른 스위칭을 위해 칩 두께를 얇게 하거나, 온 상태 전압 강하를 낮추기 위해 캐리어 확산 방식 등을 활용하는 기술들이 있습니다. 최근에는 파라메트릭 최적화를 통해 전력 밀도를 높이고 효율을 극대화한 차세대 IGBT 기술들이 개발되고 있습니다. IGBT 기반 파워 반도체의 용도는 매우 광범위합니다. 산업용 인버터, 즉 AC 모터를 제어하는 데 사용되는 가변 주파수 드라이브(Variable Frequency Drive, VFD)는 IGBT의 대표적인 응용 분야입니다. 또한, 전력 품질 개선 장치인 능동 필터(Active Filter)나 무정전 전원 장치(Uninterruptible Power Supply, UPS), 그리고 전기 자동차의 구동 시스템, 철도 차량의 추진 시스템, 풍력 및 태양광 발전 시스템의 인버터 등 다양한 고출력 전력 변환 장치에서 핵심적인 역할을 수행합니다. 고전압 직류 송전(High Voltage Direct Current, HVDC) 시스템에서도 송신단 및 수신단의 전력 변환을 위해 IGBT가 사용됩니다. 가정용에서도 고효율 전원 공급 장치(Power Supply Unit, PSU)나 고급 오디오 앰프 등에서 IGBT의 장점이 활용되기도 합니다. IGBT 기술과 관련된 주요 기술로는 반도체 제조 공정 기술, 소자 설계 및 최적화 기술, 패키징 기술, 그리고 이를 구동하기 위한 제어 회로 및 게이트 드라이버 기술 등이 있습니다. 특히, 실리콘 카바이드(SiC)나 질화갈륨(GaN)과 같은 차세대 와이드 밴드갭(Wide Bandgap, WBG) 반도체 재료를 활용한 IGBT 소자의 개발은 기존 실리콘(Si) 기반 IGBT의 한계를 극복하고 더 높은 효율, 더 빠른 스위칭 속도, 더 높은 내열성을 달성할 수 있게 합니다. 이러한 WBG 재료 기반 소자들은 고온, 고주파수, 고전압 환경에서 더욱 뛰어난 성능을 발휘하여 미래 전력 전자 시스템의 발전에 크게 기여할 것으로 기대됩니다. 또한, IGBT 모듈의 열 관리 기술, 소자 간의 균일한 전류 분배를 위한 기술, 그리고 EMI(Electromagnetic Interference) 저감을 위한 기술들도 함께 발전하고 있습니다. 이러한 관련 기술들의 발전은 IGBT 기반 파워 반도체의 성능 향상과 적용 분야 확대를 이끌고 있습니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 IGBT 기반 파워 반도체 시장 2024 : 기업, 종류, 용도, 시장예측] (코드 : GIR2406C6110) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
| ※본 조사보고서 [세계의 IGBT 기반 파워 반도체 시장 2024 : 기업, 종류, 용도, 시장예측] 에 대해서 E메일 문의는 여기를 클릭하세요. |
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