| ■ 영문 제목 : Global Monocrystalline SiC Substrate Market Growth 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : LPI2407D34676 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2024년 5월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
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LP Information (LPI)사의 최신 조사에 따르면, 글로벌 단결정 SiC 기판 시장 규모는 2023년에 미화 XXX백만 달러로 산출되었습니다. 다운 스트림 시장의 수요가 증가함에 따라 단결정 SiC 기판은 조사 대상 기간 동안 XXX%의 CAGR(연평균 성장율)로 2030년까지 미화 XXX백만 달러의 시장규모로 예상됩니다.
본 조사 보고서는 글로벌 단결정 SiC 기판 시장의 성장 잠재력을 강조합니다. 단결정 SiC 기판은 향후 시장에서 안정적인 성장을 보일 것으로 예상됩니다. 그러나 제품 차별화, 비용 절감 및 공급망 최적화는 단결정 SiC 기판의 광범위한 채택을 위해 여전히 중요합니다. 시장 참여자들은 연구 개발에 투자하고, 전략적 파트너십을 구축하고, 진화하는 소비자 선호도에 맞춰 제품을 제공함으로써 단결정 SiC 기판 시장이 제공하는 막대한 기회를 활용해야 합니다.
[주요 특징]
단결정 SiC 기판 시장에 대한 보고서는 다양한 측면을 반영하고 업계에 대한 소중한 통찰력을 제공합니다.
시장 규모 및 성장: 본 조사 보고서는 단결정 SiC 기판 시장의 현재 규모와 성장에 대한 개요를 제공합니다. 여기에는 과거 데이터, 유형별 시장 세분화 (예 : 4인치, 6인치, 8인치) 및 지역 분류가 포함될 수 있습니다.
시장 동인 및 과제: 본 보고서는 정부 규제, 환경 문제, 기술 발전 및 소비자 선호도 변화와 같은 단결정 SiC 기판 시장의 성장을 주도하는 요인을 식별하고 분석 할 수 있습니다. 또한 인프라 제한, 범위 불안, 높은 초기 비용 등 업계가 직면한 과제를 강조할 수 있습니다.
경쟁 환경: 본 조사 보고서는 단결정 SiC 기판 시장 내 경쟁 환경에 대한 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 업체의 프로필, 시장 점유율, 전략 및 제공 제품이 포함됩니다. 본 보고서는 또한 신흥 플레이어와 시장에 대한 잠재적 영향을 강조할 수 있습니다.
기술 개발: 본 조사 보고서는 단결정 SiC 기판 산업의 최신 기술 개발에 대해 자세히 살펴볼 수 있습니다. 여기에는 단결정 SiC 기판 기술의 발전, 단결정 SiC 기판 신규 진입자, 단결정 SiC 기판 신규 투자, 그리고 단결정 SiC 기판의 미래를 형성하는 기타 혁신이 포함됩니다.
다운스트림 고객 선호도: 본 보고서는 단결정 SiC 기판 시장의 고객 구매 행동 및 채택 동향을 조명할 수 있습니다. 여기에는 고객의 구매 결정에 영향을 미치는 요인, 단결정 SiC 기판 제품에 대한 선호도가 포함됩니다.
정부 정책 및 인센티브: 본 조사 보고서는 정부 정책 및 인센티브가 단결정 SiC 기판 시장에 미치는 영향을 분석합니다. 여기에는 규제 프레임워크, 보조금, 세금 인센티브 및 단결정 SiC 기판 시장을 촉진하기위한 기타 조치에 대한 평가가 포함될 수 있습니다. 본 보고서는 또한 이러한 정책이 시장 성장을 촉진하는데 미치는 효과도 분석합니다.
환경 영향 및 지속 가능성: 조사 보고서는 단결정 SiC 기판 시장의 환경 영향 및 지속 가능성 측면을 분석합니다.
시장 예측 및 미래 전망: 수행된 분석을 기반으로 본 조사 보고서는 단결정 SiC 기판 산업에 대한 시장 예측 및 전망을 제공합니다. 여기에는 시장 규모, 성장률, 지역 동향, 기술 발전 및 정책 개발에 대한 예측이 포함됩니다.
권장 사항 및 기회: 본 보고서는 업계 이해 관계자, 정책 입안자, 투자자를 위한 권장 사항으로 마무리됩니다. 본 보고서는 시장 참여자들이 새로운 트렌드를 활용하고, 도전 과제를 극복하며, 단결정 SiC 기판 시장의 성장과 발전에 기여할 수 있는 잠재적 기회를 강조합니다.
[시장 세분화]
단결정 SiC 기판 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 수량 및 금액 측면에서 제공합니다.
*** 종류별 세분화 ***
4인치, 6인치, 8인치
*** 용도별 세분화 ***
전원 부품, RF 부품, 기타
본 보고서는 또한 시장을 지역별로 분류합니다:
– 미주 (미국, 캐나다, 멕시코, 브라질)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 호주)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 중동 및 아프리카 (이집트, 남아프리카 공화국, 이스라엘, 터키, GCC 국가)
아래 프로파일링 대상 기업은 주요 전문가로부터 수집한 정보를 바탕으로 해당 기업의 서비스 범위, 제품 포트폴리오, 시장 점유율을 분석하여 선정되었습니다.
Cree (Wolfspeed), II-VI Advanced Materials, SiCrystal (ROHM), Dow, SICC, TankeBlue, Hebei Synlight Crystal
[본 보고서에서 다루는 주요 질문]
– 글로벌 단결정 SiC 기판 시장의 향후 10년 전망은 어떻게 될까요?
– 전 세계 및 지역별 단결정 SiC 기판 시장 성장을 주도하는 요인은 무엇입니까?
– 시장과 지역별로 가장 빠르게 성장할 것으로 예상되는 분야는 무엇인가요?
– 최종 시장 규모에 따라 단결정 SiC 기판 시장 기회는 어떻게 다른가요?
– 단결정 SiC 기판은 종류, 용도를 어떻게 분류합니까?
※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.
■ 보고서 목차■ 보고서의 범위 ■ 보고서의 요약 ■ 기업별 세계 단결정 SiC 기판 시장분석 ■ 지역별 단결정 SiC 기판에 대한 추이 분석 ■ 미주 시장 ■ 아시아 태평양 시장 ■ 유럽 시장 ■ 중동 및 아프리카 시장 ■ 시장 동인, 도전 과제 및 동향 ■ 제조 비용 구조 분석 ■ 마케팅, 유통업체 및 고객 ■ 지역별 단결정 SiC 기판 시장 예측 ■ 주요 기업 분석 Cree (Wolfspeed), II-VI Advanced Materials, SiCrystal (ROHM), Dow, SICC, TankeBlue, Hebei Synlight Crystal – Cree (Wolfspeed) – II-VI Advanced Materials – SiCrystal (ROHM) ■ 조사 결과 및 결론 [그림 목록]단결정 SiC 기판 이미지 단결정 SiC 기판 판매량 성장률 (2019-2030) 글로벌 단결정 SiC 기판 매출 성장률 (2019-2030) 지역별 단결정 SiC 기판 매출 (2019, 2023 및 2030) 글로벌 종류별 단결정 SiC 기판 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 종류별 단결정 SiC 기판 매출 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 용도별 단결정 SiC 기판 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 용도별 단결정 SiC 기판 매출 시장 점유율 기업별 단결정 SiC 기판 판매량 시장 2023 기업별 글로벌 단결정 SiC 기판 판매량 시장 점유율 2023 기업별 단결정 SiC 기판 매출 시장 2023 기업별 글로벌 단결정 SiC 기판 매출 시장 점유율 2023 지역별 글로벌 단결정 SiC 기판 판매량 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 단결정 SiC 기판 매출 시장 점유율 2023 미주 단결정 SiC 기판 판매량 (2019-2024) 미주 단결정 SiC 기판 매출 (2019-2024) 아시아 태평양 단결정 SiC 기판 판매량 (2019-2024) 아시아 태평양 단결정 SiC 기판 매출 (2019-2024) 유럽 단결정 SiC 기판 판매량 (2019-2024) 유럽 단결정 SiC 기판 매출 (2019-2024) 중동 및 아프리카 단결정 SiC 기판 판매량 (2019-2024) 중동 및 아프리카 단결정 SiC 기판 매출 (2019-2024) 미국 단결정 SiC 기판 시장규모 (2019-2024) 캐나다 단결정 SiC 기판 시장규모 (2019-2024) 멕시코 단결정 SiC 기판 시장규모 (2019-2024) 브라질 단결정 SiC 기판 시장규모 (2019-2024) 중국 단결정 SiC 기판 시장규모 (2019-2024) 일본 단결정 SiC 기판 시장규모 (2019-2024) 한국 단결정 SiC 기판 시장규모 (2019-2024) 동남아시아 단결정 SiC 기판 시장규모 (2019-2024) 인도 단결정 SiC 기판 시장규모 (2019-2024) 호주 단결정 SiC 기판 시장규모 (2019-2024) 독일 단결정 SiC 기판 시장규모 (2019-2024) 프랑스 단결정 SiC 기판 시장규모 (2019-2024) 영국 단결정 SiC 기판 시장규모 (2019-2024) 이탈리아 단결정 SiC 기판 시장규모 (2019-2024) 러시아 단결정 SiC 기판 시장규모 (2019-2024) 이집트 단결정 SiC 기판 시장규모 (2019-2024) 남아프리카 단결정 SiC 기판 시장규모 (2019-2024) 이스라엘 단결정 SiC 기판 시장규모 (2019-2024) 터키 단결정 SiC 기판 시장규모 (2019-2024) GCC 국가 단결정 SiC 기판 시장규모 (2019-2024) 단결정 SiC 기판의 제조 원가 구조 분석 단결정 SiC 기판의 제조 공정 분석 단결정 SiC 기판의 산업 체인 구조 단결정 SiC 기판의 유통 채널 글로벌 지역별 단결정 SiC 기판 판매량 시장 전망 (2025-2030) 글로벌 지역별 단결정 SiC 기판 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 단결정 SiC 기판 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 단결정 SiC 기판 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 단결정 SiC 기판 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 단결정 SiC 기판 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 단결정 탄화규소(SiC) 기판은 반도체 산업에서 고성능 전자 소자 구현을 위한 핵심 소재로, 그 중요성이 점차 증대되고 있습니다. 본 글에서는 단결정 SiC 기판의 개념, 특징, 종류, 용도 및 관련 기술에 대해 상세히 설명하고자 합니다. **1. 단결정 SiC 기판의 개념 및 특징** 단결정 SiC 기판은 규소(Si)와 탄소(C)가 1:1의 비율로 결합된 화합물 반도체인 탄화규소(SiC)를 단결정 형태로 성장시킨 웨이퍼를 의미합니다. 단결정 구조는 원자들이 규칙적으로 배열되어 있어, 결정립계(grain boundary)와 같은 결함이 없어 전기적, 열적 특성이 뛰어나다는 장점을 가집니다. SiC는 다양한 결정 구조, 즉 다형체(polytype)를 가지는데, 각 다형체는 서로 다른 물리적, 전기적 특성을 나타냅니다. 현재 상용화된 SiC 기판은 주로 3C, 4H, 6H 다형체가 있으며, 이 중에서 4H-SiC가 높은 전하 이동도와 우수한 전기적 특성을 바탕으로 고출력, 고주파 소자 제작에 가장 널리 사용되고 있습니다. SiC 기판의 가장 큰 특징은 실리콘(Si)에 비해 훨씬 우수한 물리적, 전기적 특성을 지닌다는 점입니다. 첫째, **높은 항복 전압(Breakdown Voltage)**을 가집니다. SiC는 Si에 비해 약 10배 정도 높은 전기장 강도를 견딜 수 있어, 고전압 환경에서도 안정적인 작동이 가능합니다. 이는 고전압 전력 변환 장치에 필수적인 특성입니다. 둘째, **높은 열 전도율(Thermal Conductivity)**을 자랑합니다. SiC의 열 전도율은 Si보다 약 3배 이상 높아, 소자 구동 시 발생하는 열을 효과적으로 방출할 수 있습니다. 이는 소자의 신뢰성을 높이고 고온에서도 안정적인 성능을 유지하도록 합니다. 셋째, **넓은 에너지 밴드갭(Wide Bandgap)**을 가지고 있습니다. SiC의 밴드갭은 Si보다 약 2배 정도 넓어 고온에서도 전자-정공 쌍의 생성이 억제되어 누설 전류가 적고, 고온 환경에서 소자를 구동할 수 있습니다. 넷째, **높은 캐리어 이동도(Carrier Mobility)**를 가집니다. 특히 4H-SiC의 경우 Si보다 전자 이동도가 높아 고속 스위칭 특성을 구현하는 데 유리합니다. 이러한 우수한 특성들은 Si 기반 소자가 한계를 보이는 고온, 고전압, 고주파 환경에서 SiC 소자가 탁월한 성능을 발휘하게 하는 원동력이 됩니다. **2. 단결정 SiC 기판의 종류** 앞서 언급했듯이 SiC는 다양한 다형체를 가집니다. 주요 다형체는 다음과 같습니다. * **4H-SiC**: 가장 널리 사용되는 다형체로, 높은 전자 이동도와 우수한 전기적 특성을 가집니다. 고전압 MOSFET, 쇼트키 다이오드 등 고성능 전력 반도체 소자 제작에 주로 활용됩니다. 높은 캐리어 이동도는 스위칭 손실을 줄이고 작동 주파수를 높이는 데 기여합니다. * **6H-SiC**: 4H-SiC 다음으로 많이 사용되는 다형체입니다. 4H-SiC보다는 전자 이동도가 다소 낮지만, 특정 응용 분야에서는 여전히 중요한 역할을 합니다. 예를 들어, 고온용 센서나 발광 다이오드(LED) 제작에 사용되기도 합니다. * **3C-SiC**: 가장 간단한 결정 구조를 가지며, 유연성과 낮은 성장 온도 등의 장점을 지니지만, 결정 결함 발생 가능성이 높아 상용화에는 제약이 있습니다. 하지만 연구 개발이 활발히 진행되고 있으며, 특정 응용 분야에서의 가능성이 탐색되고 있습니다. 이 외에도 다양한 다형체가 존재하지만, 현재 산업적으로는 4H-SiC와 6H-SiC가 주를 이루고 있습니다. **3. 단결정 SiC 기판의 용도** SiC 기판의 뛰어난 특성 덕분에 다양한 첨단 분야에서 그 활용도가 높습니다. * **전력 반도체**: SiC 기판의 가장 중요한 응용 분야입니다. 전기 자동차(EV)의 인버터, 전력 변환 장치(Power Conversion System), 전기철도, 태양광 발전 시스템, 통신 기지국 등 고전압, 고효율, 고신뢰성이 요구되는 전력 전자 분야에서 Si 기반 소자를 대체하며 효율 향상과 소형화에 기여하고 있습니다. SiC MOSFET과 쇼트키 다이오드는 낮은 온저항과 빠른 스위칭 속도를 바탕으로 에너지 손실을 크게 줄여줍니다. * **고주파 소자**: SiC의 높은 전자 이동도와 밴드갭은 고주파 통신 시스템, 레이더 시스템, 위성 통신 등에서 사용되는 고주파 트랜지스터 제작에도 유리합니다. 고온에서도 안정적인 성능을 유지하기 때문에 극한 환경에서의 응용이 가능합니다. * **발광 소자**: SiC는 LED 및 레이저 다이오드(LD) 제작에도 사용될 수 있습니다. 특히 청색 및 녹색 발광 LED 제작에 활용되며, SiC 기반의 백색 LED는 장수명과 높은 효율을 제공할 수 있습니다. * **센서**: SiC의 높은 열 전도율과 내화학성은 극한 환경에서 사용되는 고온 센서, 압력 센서 등의 제작에 적합합니다. 자동차 엔진이나 산업용 설비의 고온 환경에서 정밀한 측정이 가능하게 합니다. * **반사 거울 및 창**: SiC는 매우 단단하고 내구성이 뛰어나며, 특정 파장의 빛을 잘 반사하거나 투과시키는 특성이 있어, 우주 망원경의 반사 거울이나 특정 파장 대역의 광학 장치용 창으로도 사용될 수 있습니다. **4. 단결정 SiC 기판 관련 기술** 단결정 SiC 기판을 효율적으로 생산하고 이를 활용하기 위한 다양한 기술들이 개발 및 발전하고 있습니다. * **SiC 결정 성장 기술**: 단결정 SiC를 성장시키는 기술은 SiC 기판 생산의 핵심입니다. 주로 승화 성장법(Sublimation Growth) 또는 열화학 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD)과 같은 방식을 이용하며, 고온(약 2000°C)에서 제어된 환경 하에 진행됩니다. 결정 성장 과정에서 발생하는 결함(예: 전위, 빈자리, 박막 결함 등)을 최소화하는 것이 고품질 SiC 기판 생산의 관건입니다. 최근에는 성장 속도를 높이고, 균일한 물성을 확보하며, 대구경 웨이퍼(6인치, 8인치 등)를 안정적으로 생산하기 위한 기술 개발이 활발히 이루어지고 있습니다. * **웨이퍼 가공 기술**: 성장된 SiC 잉곳을 얇은 웨이퍼 형태로 절단하고, 표면을 연마하는 공정은 Si 기반 웨이퍼와는 다른 기술적 난제를 수반합니다. SiC는 Si보다 훨씬 단단하고 가공하기 어렵기 때문에, 다이아몬드 연마재를 사용한 절단 및 연마 기술이 필요합니다. 또한, 표면 거칠기를 극도로 낮추고 결함을 최소화하는 CMP(Chemical Mechanical Polishing) 기술이 중요합니다. 최근에는 웨이퍼 두께를 얇게 만드는 박막 웨이퍼(Thin Wafer) 기술도 중요하게 다루어지고 있는데, 이는 소자 집적도를 높이고 패키징 비용을 절감하는 데 기여합니다. * **에피 성장 기술**: 기판 위에 얇은 고품질의 SiC 박막을 성장시키는 에피 성장(Epitaxial Growth) 기술은 소자 성능을 결정짓는 핵심 공정입니다. 기판의 결정 구조를 그대로 이어받아 결함 없는 고순도의 SiC 박막을 형성하는 것이 중요하며, 이를 위해 온도, 가스 유량, 압력 등의 공정 조건을 정밀하게 제어해야 합니다. 이 에피층에 불순물(도펀트)을 주입하여 원하는 전기적 특성을 부여하는 도핑(Doping) 기술 또한 중요합니다. * **소자 제작 기술**: SiC 기판 위에 MOSFET, 쇼트키 다이오드 등과 같은 고성능 소자를 제작하는 공정 기술 또한 중요합니다. 고온 공정에 견딜 수 있는 전극 재료 선택, 정밀한 패터닝 기술, 계면 특성 제어 등이 요구됩니다. 특히, SiC MOSFET의 경우 전위 장벽 효과를 극복하고 높은 채널 이동도를 확보하는 것이 기술적 과제입니다. * **품질 분석 및 측정 기술**: SiC 기판의 결정 품질, 표면 상태, 전기적 특성 등을 정확하게 측정하고 분석하는 기술 또한 필수적입니다. 결함 검출 장비, 전기적 특성 측정 장비 등 다양한 분석 장비와 기술이 SiC 산업 발전을 뒷받침하고 있습니다. 결론적으로, 단결정 SiC 기판은 실리콘의 한계를 뛰어넘는 우수한 물리적, 전기적 특성을 바탕으로 미래 반도체 산업의 핵심 소재로 자리매김하고 있습니다. 전력 효율 향상, 소형화, 고온 및 고주파 환경에서의 안정적인 작동 등 다양한 요구사항을 충족시키며 에너지 전환, 친환경 기술, 첨단 통신 등 여러 산업 분야의 발전에 크게 기여할 것으로 기대됩니다. 이러한 SiC 기판의 잠재력을 최대한 활용하기 위해서는 지속적인 기술 개발과 혁신이 요구됩니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 단결정 SiC 기판 시장 2024-2030] (코드 : LPI2407D34676) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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