| ■ 영문 제목 : Global MRAM Market 2024 by Manufacturers, Regions, Type and Application, Forecast to 2030 | |
 | ■ 상품코드 : GIR2406C6437 ■ 조사/발행회사 : Globalinforesearch ■ 발행일 : 2024년 6월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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조사회사 Global Info Research의 최신 조사에 따르면, 세계의 MRAM 시장 규모는 2023년에 XXX백만 달러로 분석되었으며, 검토 기간 동안 xx%의 CAGR로 2030년까지 XXX백만 달러의 재조정된 규모로 성장이 예측됩니다.
Global Info Research 보고서에는 MRAM 산업 체인 동향 개요, 항공 우주, 자동차, 공장 자동화, 기업용 스토리지, IoT, 기타 응용분야 및 선진 및 개발 도상국의 주요 기업의 시장 현황, MRAM의 최첨단 기술, 특허, 최신 용도 및 시장 동향을 분석했습니다.
지역별로는 주요 지역의 MRAM 시장을 분석합니다. 북미와 유럽은 정부 이니셔티브와 수요자 인식 제고에 힘입어 꾸준한 성장세를 보이고 있습니다. 아시아 태평양, 특히 중국은 탄탄한 내수 수요와 지원 정책, 강력한 제조 기반을 바탕으로 글로벌 MRAM 시장을 주도하고 있습니다.
[주요 특징]
본 보고서는 MRAM 시장에 대한 포괄적인 이해를 제공합니다. 본 보고서는 산업에 대한 전체적인 관점과 개별 구성 요소 및 이해 관계자에 대한 자세한 통찰력을 제공합니다. 본 보고서는 MRAM 산업 내의 시장 역학, 동향, 과제 및 기회를 분석합니다. 또한, 거시적 관점에서 시장을 분석하는 것이 포함됩니다.
시장 규모 및 세분화: 본 보고서는 판매량, 매출 및 종류별 (예 : 토글 MRAM, STT-MRAM)의 시장 점유율을 포함한 전체 시장 규모에 대한 데이터를 수집합니다.
산업 분석: 보고서는 정부 정책 및 규제, 기술 발전, 수요자 선호도, 시장 역학 등 광범위한 산업 동향을 분석합니다. 이 분석은 MRAM 시장에 영향을 미치는 주요 동인과 과제를 이해하는데 도움이 됩니다.
지역 분석: 본 보고서에는 지역 또는 국가 단위로 MRAM 시장을 조사하는 것이 포함됩니다. 보고서는 정부 인센티브, 인프라 개발, 경제 상황 및 수요자 행동과 같은 지역 요인을 분석하여 다양한 시장 내의 변화와 기회를 식별합니다.
시장 전망: 보고서는 수집된 데이터와 분석을 통해 MRAM 시장에 대한 미래 전망 및 예측을 다룹니다. 여기에는 시장 성장률 추정, 시장 수요 예측, 새로운 트렌드 파악 등이 포함될 수 있습니다. 본 보고서에는 MRAM에 대한 보다 세분화된 접근 방식도 포함됩니다.
기업 분석: 본 보고서는 MRAM 제조업체, 공급업체 및 기타 관련 업계 플레이어를 다룹니다. 이 분석에는 재무 성과, 시장 포지셔닝, 제품 포트폴리오, 파트너십 및 전략에 대한 조사가 포함됩니다.
수요자 분석: 보고서는 MRAM에 대한 수요자 행동, 선호도 및 태도에 대한 데이터를 다룹니다. 여기에는 설문 조사, 인터뷰 및 응용 분야별 (항공 우주, 자동차, 공장 자동화, 기업용 스토리지, IoT, 기타)의 다양한 수요자 리뷰 및 피드백 분석이 포함될 수 있습니다.
기술 분석: MRAM과 관련된 특정 기술을 다루는 보고서입니다. MRAM 분야의 현재 상황 및 잠재적 미래 발전 가능성을 평가합니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 개별 기업, 공급업체 및 수요업체를 분석하여 MRAM 시장의 경쟁 환경에 대한 통찰력을 제공합니다. 이 분석은 시장 점유율, 경쟁 우위 및 업계 플레이어 간의 차별화 가능성을 이해하는 데 도움이 됩니다.
시장 검증: 본 보고서에는 설문 조사, 인터뷰 및 포커스 그룹과 같은 주요 조사를 통해 결과 및 예측을 검증하는 작업이 포함됩니다.
[시장 세분화]
MRAM 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
종류별 시장 세그먼트
– 토글 MRAM, STT-MRAM
용도별 시장 세그먼트
– 항공 우주, 자동차, 공장 자동화, 기업용 스토리지, IoT, 기타
주요 대상 기업
– Everspin Technologies, Avalanche Technology, Honeywell, Renesas, Crocus Nano Electronics, Samsung Electronics, Cobham, NVE Corporation
지역 분석은 다음을 포함합니다.
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 러시아, 이탈리아)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 인도, 동남아시아, 호주)
– 남미 (브라질, 아르헨티나, 콜롬비아)
– 중동 및 아프리카 (사우디아라비아, 아랍에미리트, 이집트, 남아프리카공화국)
본 조사 보고서는 아래 항목으로 구성되어 있습니다.
– MRAM 제품 범위, 시장 개요, 시장 추정, 주의 사항 및 기준 연도를 설명합니다.
– 2019년부터 2024년까지 MRAM의 가격, 판매량, 매출 및 세계 시장 점유율과 함께 MRAM의 주요 제조업체를 프로파일링합니다.
– MRAM 경쟁 상황, 판매량, 매출 및 주요 제조업체의 글로벌 시장 점유율이 상세하게 분석 됩니다.
– MRAM 상세 데이터는 2019년부터 2030년까지 지역별 판매량, 소비금액 및 성장성을 보여주기 위해 지역 레벨로 표시됩니다.
– 2019년부터 2030년까지 판매량 시장 점유율 및 성장률을 종류별, 용도별로 분류합니다.
– 2017년부터 2023년까지 세계 주요 국가의 판매량, 소비금액 및 시장 점유율과 함께 국가 레벨로 판매 데이터를 분류하고, 2025년부터 2030년까지 판매량 및 매출과 함께 지역, 종류 및 용도별로 MRAM 시장 예측을 수행합니다.
– 시장 역학, 성장요인, 저해요인, 동향 및 포터의 다섯 가지 힘 분석.
– 주요 원자재 및 주요 공급 업체, MRAM의 산업 체인.
– MRAM 판매 채널, 유통 업체, 고객(수요기업), 조사 결과 및 결론을 설명합니다.
※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.
■ 보고서 목차■ 시장 개요 ■ 제조업체 프로필 Everspin Technologies Avalanche Technology Honeywell ■ 제조업체간 경쟁 환경 ■ 지역별 소비 분석 ■ 종류별 시장 세분화 ■ 용도별 시장 세분화 ■ 북미 ■ 유럽 ■ 아시아 태평양 ■ 남미 ■ 중동 및 아프리카 ■ 시장 역학 ■ 원자재 및 산업 체인 ■ 유통 채널별 출하량 ■ 조사 결과 [그림 목록]- MRAM 이미지 - 종류별 세계의 MRAM 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 종류별 세계의 MRAM 소비 금액 시장 점유율 - 용도별 세계의 MRAM 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 용도별 세계의 MRAM 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 MRAM 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 세계의 MRAM 소비 금액 및 예측 (2019-2030) - 세계의 MRAM 판매량 (2019-2030) - 세계의 MRAM 평균 가격 (2019-2030) - 2023년 제조업체별 세계의 MRAM 판매량 시장 점유율 - 2023년 제조업체별 세계의 MRAM 소비 금액 시장 점유율 - 2023년 상위 3개 MRAM 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 2023년 상위 6개 MRAM 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 지역별 MRAM 판매량 시장 점유율 - 지역별 MRAM 소비 금액 시장 점유율 - 북미 MRAM 소비 금액 - 유럽 MRAM 소비 금액 - 아시아 태평양 MRAM 소비 금액 - 남미 MRAM 소비 금액 - 중동 및 아프리카 MRAM 소비 금액 - 세계의 종류별 MRAM 판매량 시장 점유율 - 세계의 종류별 MRAM 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 종류별 MRAM 평균 가격 - 세계의 용도별 MRAM 판매량 시장 점유율 - 세계의 용도별 MRAM 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 용도별 MRAM 평균 가격 - 북미 MRAM 종류별 판매량 시장 점유율 - 북미 MRAM 용도별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 MRAM 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 MRAM 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 미국 MRAM 소비 금액 및 성장률 - 캐나다 MRAM 소비 금액 및 성장률 - 멕시코 MRAM 소비 금액 및 성장률 - 유럽 MRAM 종류별 판매량 시장 점유율 - 유럽 MRAM 용도별 판매량 시장 점유율 - 유럽 MRAM 국가별 판매량 시장 점유율 - 유럽 MRAM 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 독일 MRAM 소비 금액 및 성장률 - 프랑스 MRAM 소비 금액 및 성장률 - 영국 MRAM 소비 금액 및 성장률 - 러시아 MRAM 소비 금액 및 성장률 - 이탈리아 MRAM 소비 금액 및 성장률 - 아시아 태평양 MRAM 종류별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 MRAM 용도별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 MRAM 지역별 판매 수량 시장 점유율 - 아시아 태평양 MRAM 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 중국 MRAM 소비 금액 및 성장률 - 일본 MRAM 소비 금액 및 성장률 - 한국 MRAM 소비 금액 및 성장률 - 인도 MRAM 소비 금액 및 성장률 - 동남아시아 MRAM 소비 금액 및 성장률 - 호주 MRAM 소비 금액 및 성장률 - 남미 MRAM 종류별 판매량 시장 점유율 - 남미 MRAM 용도별 판매량 시장 점유율 - 남미 MRAM 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 남미 MRAM 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 브라질 MRAM 소비 금액 및 성장률 - 아르헨티나 MRAM 소비 금액 및 성장률 - 중동 및 아프리카 MRAM 종류별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 MRAM 용도별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 MRAM 지역별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 MRAM 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 터키 MRAM 소비 금액 및 성장률 - 이집트 MRAM 소비 금액 및 성장률 - 사우디 아라비아 MRAM 소비 금액 및 성장률 - 남아프리카 공화국 MRAM 소비 금액 및 성장률 - MRAM 시장 성장 요인 - MRAM 시장 제약 요인 - MRAM 시장 동향 - 포터의 다섯 가지 힘 분석 - 2023년 MRAM의 제조 비용 구조 분석 - MRAM의 제조 공정 분석 - MRAM 산업 체인 - 직접 채널 장단점 - 간접 채널 장단점 - 방법론 - 조사 프로세스 및 데이터 소스 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 ## MRAM (Magnetoresistive Random-Access Memory) 개념 설명 MRAM(Magnetoresistive Random-Access Memory)은 자기 저항 효과를 이용하여 정보를 저장하는 비휘발성 메모리 기술입니다. 기존의 플래시 메모리나 DRAM과 비교하여 뛰어난 성능, 높은 내구성, 낮은 전력 소비 등의 장점을 가지고 있어 차세대 메모리로 주목받고 있습니다. MRAM은 데이터를 자기적으로 저장하기 때문에 전원이 공급되지 않아도 정보가 사라지지 않는 비휘발성 특성을 지닙니다. 이는 전력 공급이 불안정하거나 배터리 수명이 제한적인 임베디드 시스템, 모바일 기기, 사물 인터넷(IoT) 장치 등에서 매우 중요한 장점이 됩니다. MRAM의 핵심 원리는 자기 저항(Magnetoresistance) 효과에 기반합니다. 자기 저항 효과란 물질에 흐르는 전류의 저항값이 외부 자기장의 세기에 따라 변하는 현상을 말합니다. MRAM에서는 이 자기 저항 효과를 극대화하기 위해 두 개의 강자성체 박막 사이에 얇은 절연층을 삽입한 구조를 사용합니다. 이 구조를 자기 터널 접합(Magnetic Tunnel Junction, MTJ)이라고 부릅니다. 두 강자성체 박막 중 하나는 외부 자기장에 의해 자화 방향이 쉽게 변하는 자유층(Free Layer)이고, 다른 하나는 고정된 자화 방향을 유지하는 고정층(Reference Layer)입니다. 정보 저장의 기본 단위인 비트(bit)는 이 두 강자성체 박막의 자화 방향이 서로 평행하거나 반평행한 상태로 표현됩니다. 두 박막의 자화 방향이 평행할 때(Parallel), 두 박막 사이의 자기 터널 접합의 저항값은 낮아집니다. 반대로 자화 방향이 반평행할 때(Antiparallel), 저항값은 높아집니다. 이러한 저항값의 차이를 이용하여 데이터를 '0' 또는 '1'로 읽어낼 수 있습니다. 데이터를 쓰기 위해서는 외부에서 자기장을 가하여 자유층의 자화 방향을 원하는 상태로 변경합니다. MRAM은 그 특성에 따라 다양한 종류로 구분될 수 있습니다. 가장 초기에 개발된 방식은 **STT-MRAM(Spin-Transfer Torque MRAM)**입니다. STT-MRAM은 전자의 스핀 각운동량(spin angular momentum)을 이용하여 자유층의 자화 방향을 변경하는 방식입니다. 전류를 흘려주면 전자는 특정 방향으로 스핀 각운동량을 가지게 되는데, 이 스핀 각운동량이 자유층의 자화 방향에 전달되어 자화 방향을 바꾸는 역할을 합니다. STT-MRAM은 기존 MRAM 방식에 비해 쓰기 동작에 필요한 전류 밀도가 낮아져 소비 전력 효율이 향상되었으며, 더 높은 집적도를 달성할 수 있게 되었습니다. 또한, DRAM에 버금가는 빠른 속도로 데이터를 읽고 쓸 수 있다는 장점을 가집니다. 또 다른 종류로는 **SOT-MRAM(Spin-Orbit Torque MRAM)**이 있습니다. SOT-MRAM은 스핀-궤도 결합(spin-orbit coupling)이라는 물리적 현상을 이용하여 자화 방향을 제어합니다. 특정 물질에서는 전류를 흘려주었을 때, 물질 내부의 스핀-궤도 상호작용으로 인해 스핀 각운동량이 생성되고, 이 스핀 각운동량이 자유층의 자화 방향을 변경하는 데 사용됩니다. SOT-MRAM은 STT-MRAM보다 훨씬 더 빠른 속도로 자화 방향을 변경할 수 있으며, 쓰기 동작에 필요한 에너지 효율 또한 매우 뛰어납니다. 이는 초고속으로 동작해야 하는 고성능 컴퓨팅 분야나 인공지능(AI) 칩에서 MRAM의 활용 가능성을 높입니다. 이 외에도 **MRAM의 발전 방향에 따라 다양한 종류의 MRAM 기술이 연구 및 개발되고 있습니다.** 예를 들어, 기존 MTJ 구조를 개선하여 더 낮은 전력으로 더 빠른 쓰기 속도를 구현하려는 노력, 그리고 더 높은 집적도를 달성하기 위한 3차원 적층 기술 등이 있습니다. MRAM의 주요 특징은 다음과 같습니다. 첫째, **비휘발성(Non-volatility)**입니다. 전원이 차단되어도 저장된 데이터가 유지되므로 상시 전력 공급이 어려운 환경이나 데이터의 영구 저장이 필요한 응용 분야에 적합합니다. 둘째, **고속 동작(High Speed)**입니다. DRAM에 필적하는 빠른 읽기 및 쓰기 속도를 제공합니다. 이는 기존 플래시 메모리의 느린 쓰기 속도와 DRAM의 휘발성이라는 단점을 동시에 극복할 수 있는 기술입니다. 셋째, **높은 내구성(High Endurance)**입니다. MRAM은 데이터 저장 및 삭제 과정에서 물리적인 마모가 거의 발생하지 않아 플래시 메모리에 비해 수백만 배 이상 높은 쓰기 및 삭제 횟수를 가집니다. 이는 잦은 데이터 갱신이 필요한 임베디드 시스템이나 산업용 장비에서 매우 중요한 장점입니다. 넷째, **저전력 소모(Low Power Consumption)**입니다. 특히 STT-MRAM과 SOT-MRAM은 쓰기 동작에 필요한 전류 밀도가 낮아 전체적인 전력 소비를 크게 줄일 수 있습니다. 이는 배터리 구동 기기의 수명을 연장하고, 데이터센터의 에너지 효율을 높이는 데 기여합니다. 다섯째, **확장성(Scalability)**입니다. 미세 공정 기술의 발전과 함께 MRAM 셀의 크기를 줄여 집적도를 높이는 것이 가능합니다. 이는 더 많은 데이터를 더 작은 공간에 저장할 수 있게 하여 메모리 시장의 요구를 충족시킬 수 있습니다. MRAM의 용도는 매우 다양하며, 그 잠재력은 계속해서 확장되고 있습니다. **임베디드 시스템(Embedded Systems)** 분야에서 MRAM은 시스템의 성능과 전력 효율을 크게 향상시킬 수 있습니다. 예를 들어, 실시간 운영체제가 필요한 자동차의 제어 장치, 산업 자동화 장비, 스마트 가전 등에서 MRAM은 DRAM과 플래시 메모리의 역할을 동시에 수행하며, 부팅 시간을 단축하고 상시 전력 공급 없이도 데이터를 보존할 수 있게 합니다. **모바일 기기 및 웨어러블 장치**에서도 MRAM의 저전력 특성은 배터리 수명 연장에 크게 기여합니다. 스마트폰, 스마트워치 등에서 빠른 데이터 접근과 지속적인 전력 효율을 동시에 제공할 수 있습니다. **고성능 컴퓨팅 및 데이터센터** 분야에서는 MRAM의 빠른 속도와 비휘발성 특성이 캐시 메모리, 비휘발성 DRAM 대체, 영구 저장 장치 등 다양한 용도로 활용될 수 있습니다. 특히 인공지능(AI) 및 머신러닝(ML) 연산에서 요구되는 빠른 데이터 처리를 위한 메모리 솔루션으로 주목받고 있습니다. 또한, **차량용 반도체(Automotive Semiconductor)** 분야에서도 MRAM은 중요한 역할을 할 것으로 기대됩니다. 자동차의 안전 및 편의 기능을 제어하는 ECU(Electronic Control Unit)에서는 극한의 온도 변화나 진동에도 안정적으로 동작해야 하며, MRAM의 높은 내구성과 비휘발성은 이러한 요구 사항을 충족시킬 수 있습니다. 또한, 자율 주행 시스템에서 발생하는 대량의 센서 데이터를 빠르고 효율적으로 처리하는 데도 기여할 수 있습니다. MRAM 기술과 관련하여 활발히 연구되고 발전하고 있는 기술들이 있습니다. **새로운 재료 및 구조 개발**: 더 높은 자기 저항 비율(GMR, TMR 비율)을 갖는 재료를 개발하거나, MTJ 구조를 최적화하여 더 낮은 쓰기 에너지로 더 빠른 쓰기 속도를 달성하려는 연구가 진행 중입니다. 또한, 스핀 전류의 효율을 높이는 신소재 연구도 활발히 이루어지고 있습니다. **집적 기술 발전**: MRAM 셀의 크기를 줄이고 3차원 적층 기술을 적용하여 메모리 용량을 늘리는 기술 개발이 중요합니다. 이를 통해 기존 DRAM이나 NAND 플래시와 경쟁할 수 있는 수준의 고용량 MRAM 생산이 가능해질 것입니다. **공정 기술 최적화**: 미세 공정에서의 MRAM 제조 공정 안정성과 수율을 높이는 것이 상용화의 핵심입니다. 새로운 식각(etching) 기술, 증착(deposition) 기술 등의 개발을 통해 MRAM 칩의 생산성을 향상시키고 비용을 절감하려는 노력이 이루어지고 있습니다. **인공지능(AI) 및 신경망(Neural Network) 연산을 위한 하드웨어 가속기 개발**: MRAM의 빠른 연산 능력과 비휘발성 특성은 인공지능 연산에 최적화된 새로운 컴퓨팅 아키텍처를 구현하는 데 활용될 수 있습니다. 예를 들어, 뉴로모픽 컴퓨팅(Neuromorphic Computing) 분야에서 MRAM은 뉴런 및 시냅스를 모방하는 데 사용될 수 있으며, 이는 기존 폰 노이만 구조의 한계를 극복하고 에너지 효율적인 AI 처리를 가능하게 합니다. 결론적으로, MRAM은 비휘발성, 고속 동작, 높은 내구성, 저전력 소모라는 강력한 장점을 바탕으로 다양한 첨단 응용 분야에서 차세대 메모리 기술로서의 입지를 다지고 있습니다. 지속적인 연구 개발을 통해 더욱 발전된 성능과 경제성을 확보한다면, 미래 전자 기기 및 컴퓨팅 시스템의 핵심 부품으로 자리매김할 것으로 기대됩니다. |
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