| ■ 영문 제목 : Global Nonvolatile Memory (NVM) Market Growth 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : LPI2407D36525 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2024년 5월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
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LP Information (LPI)사의 최신 조사에 따르면, 글로벌 비휘발성 메모리 (NVM) 시장 규모는 2023년에 미화 XXX백만 달러로 산출되었습니다. 다운 스트림 시장의 수요가 증가함에 따라 비휘발성 메모리 (NVM)은 조사 대상 기간 동안 XXX%의 CAGR(연평균 성장율)로 2030년까지 미화 XXX백만 달러의 시장규모로 예상됩니다.
본 조사 보고서는 글로벌 비휘발성 메모리 (NVM) 시장의 성장 잠재력을 강조합니다. 비휘발성 메모리 (NVM)은 향후 시장에서 안정적인 성장을 보일 것으로 예상됩니다. 그러나 제품 차별화, 비용 절감 및 공급망 최적화는 비휘발성 메모리 (NVM)의 광범위한 채택을 위해 여전히 중요합니다. 시장 참여자들은 연구 개발에 투자하고, 전략적 파트너십을 구축하고, 진화하는 소비자 선호도에 맞춰 제품을 제공함으로써 비휘발성 메모리 (NVM) 시장이 제공하는 막대한 기회를 활용해야 합니다.
[주요 특징]
비휘발성 메모리 (NVM) 시장에 대한 보고서는 다양한 측면을 반영하고 업계에 대한 소중한 통찰력을 제공합니다.
시장 규모 및 성장: 본 조사 보고서는 비휘발성 메모리 (NVM) 시장의 현재 규모와 성장에 대한 개요를 제공합니다. 여기에는 과거 데이터, 유형별 시장 세분화 (예 : 일반 비휘발성 메모리, 이머징 메모리) 및 지역 분류가 포함될 수 있습니다.
시장 동인 및 과제: 본 보고서는 정부 규제, 환경 문제, 기술 발전 및 소비자 선호도 변화와 같은 비휘발성 메모리 (NVM) 시장의 성장을 주도하는 요인을 식별하고 분석 할 수 있습니다. 또한 인프라 제한, 범위 불안, 높은 초기 비용 등 업계가 직면한 과제를 강조할 수 있습니다.
경쟁 환경: 본 조사 보고서는 비휘발성 메모리 (NVM) 시장 내 경쟁 환경에 대한 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 업체의 프로필, 시장 점유율, 전략 및 제공 제품이 포함됩니다. 본 보고서는 또한 신흥 플레이어와 시장에 대한 잠재적 영향을 강조할 수 있습니다.
기술 개발: 본 조사 보고서는 비휘발성 메모리 (NVM) 산업의 최신 기술 개발에 대해 자세히 살펴볼 수 있습니다. 여기에는 비휘발성 메모리 (NVM) 기술의 발전, 비휘발성 메모리 (NVM) 신규 진입자, 비휘발성 메모리 (NVM) 신규 투자, 그리고 비휘발성 메모리 (NVM)의 미래를 형성하는 기타 혁신이 포함됩니다.
다운스트림 고객 선호도: 본 보고서는 비휘발성 메모리 (NVM) 시장의 고객 구매 행동 및 채택 동향을 조명할 수 있습니다. 여기에는 고객의 구매 결정에 영향을 미치는 요인, 비휘발성 메모리 (NVM) 제품에 대한 선호도가 포함됩니다.
정부 정책 및 인센티브: 본 조사 보고서는 정부 정책 및 인센티브가 비휘발성 메모리 (NVM) 시장에 미치는 영향을 분석합니다. 여기에는 규제 프레임워크, 보조금, 세금 인센티브 및 비휘발성 메모리 (NVM) 시장을 촉진하기위한 기타 조치에 대한 평가가 포함될 수 있습니다. 본 보고서는 또한 이러한 정책이 시장 성장을 촉진하는데 미치는 효과도 분석합니다.
환경 영향 및 지속 가능성: 조사 보고서는 비휘발성 메모리 (NVM) 시장의 환경 영향 및 지속 가능성 측면을 분석합니다.
시장 예측 및 미래 전망: 수행된 분석을 기반으로 본 조사 보고서는 비휘발성 메모리 (NVM) 산업에 대한 시장 예측 및 전망을 제공합니다. 여기에는 시장 규모, 성장률, 지역 동향, 기술 발전 및 정책 개발에 대한 예측이 포함됩니다.
권장 사항 및 기회: 본 보고서는 업계 이해 관계자, 정책 입안자, 투자자를 위한 권장 사항으로 마무리됩니다. 본 보고서는 시장 참여자들이 새로운 트렌드를 활용하고, 도전 과제를 극복하며, 비휘발성 메모리 (NVM) 시장의 성장과 발전에 기여할 수 있는 잠재적 기회를 강조합니다.
[시장 세분화]
비휘발성 메모리 (NVM) 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 수량 및 금액 측면에서 제공합니다.
*** 종류별 세분화 ***
일반 비휘발성 메모리, 이머징 메모리
*** 용도별 세분화 ***
전자, 에너지/배전, 자동차/운송, 통신, 기타
본 보고서는 또한 시장을 지역별로 분류합니다:
– 미주 (미국, 캐나다, 멕시코, 브라질)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 호주)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 중동 및 아프리카 (이집트, 남아프리카 공화국, 이스라엘, 터키, GCC 국가)
아래 프로파일링 대상 기업은 주요 전문가로부터 수집한 정보를 바탕으로 해당 기업의 서비스 범위, 제품 포트폴리오, 시장 점유율을 분석하여 선정되었습니다.
Samsung Electronics Co., Ltd., Toshiba Corporation, Intel Corporation, Micron Technology, Inc., Fujitsu Ltd, SK Hynix, Inc., Microchip Technology, Sandisk Corporation, Adesto Technologies, Viking Technology, Crossbar Inc., Everspin Technologies Inc., Nantero, Inc
[본 보고서에서 다루는 주요 질문]
– 글로벌 비휘발성 메모리 (NVM) 시장의 향후 10년 전망은 어떻게 될까요?
– 전 세계 및 지역별 비휘발성 메모리 (NVM) 시장 성장을 주도하는 요인은 무엇입니까?
– 시장과 지역별로 가장 빠르게 성장할 것으로 예상되는 분야는 무엇인가요?
– 최종 시장 규모에 따라 비휘발성 메모리 (NVM) 시장 기회는 어떻게 다른가요?
– 비휘발성 메모리 (NVM)은 종류, 용도를 어떻게 분류합니까?
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■ 보고서 목차■ 보고서의 범위 ■ 보고서의 요약 ■ 기업별 세계 비휘발성 메모리 (NVM) 시장분석 ■ 지역별 비휘발성 메모리 (NVM)에 대한 추이 분석 ■ 미주 시장 ■ 아시아 태평양 시장 ■ 유럽 시장 ■ 중동 및 아프리카 시장 ■ 시장 동인, 도전 과제 및 동향 ■ 제조 비용 구조 분석 ■ 마케팅, 유통업체 및 고객 ■ 지역별 비휘발성 메모리 (NVM) 시장 예측 ■ 주요 기업 분석 Samsung Electronics Co., Ltd., Toshiba Corporation, Intel Corporation, Micron Technology, Inc., Fujitsu Ltd, SK Hynix, Inc., Microchip Technology, Sandisk Corporation, Adesto Technologies, Viking Technology, Crossbar Inc., Everspin Technologies Inc., Nantero, Inc – Samsung Electronics Co. – Toshiba Corporation – Intel Corporation ■ 조사 결과 및 결론 [그림 목록]비휘발성 메모리 (NVM) 이미지 비휘발성 메모리 (NVM) 판매량 성장률 (2019-2030) 글로벌 비휘발성 메모리 (NVM) 매출 성장률 (2019-2030) 지역별 비휘발성 메모리 (NVM) 매출 (2019, 2023 및 2030) 글로벌 종류별 비휘발성 메모리 (NVM) 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 종류별 비휘발성 메모리 (NVM) 매출 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 용도별 비휘발성 메모리 (NVM) 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 용도별 비휘발성 메모리 (NVM) 매출 시장 점유율 기업별 비휘발성 메모리 (NVM) 판매량 시장 2023 기업별 글로벌 비휘발성 메모리 (NVM) 판매량 시장 점유율 2023 기업별 비휘발성 메모리 (NVM) 매출 시장 2023 기업별 글로벌 비휘발성 메모리 (NVM) 매출 시장 점유율 2023 지역별 글로벌 비휘발성 메모리 (NVM) 판매량 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 비휘발성 메모리 (NVM) 매출 시장 점유율 2023 미주 비휘발성 메모리 (NVM) 판매량 (2019-2024) 미주 비휘발성 메모리 (NVM) 매출 (2019-2024) 아시아 태평양 비휘발성 메모리 (NVM) 판매량 (2019-2024) 아시아 태평양 비휘발성 메모리 (NVM) 매출 (2019-2024) 유럽 비휘발성 메모리 (NVM) 판매량 (2019-2024) 유럽 비휘발성 메모리 (NVM) 매출 (2019-2024) 중동 및 아프리카 비휘발성 메모리 (NVM) 판매량 (2019-2024) 중동 및 아프리카 비휘발성 메모리 (NVM) 매출 (2019-2024) 미국 비휘발성 메모리 (NVM) 시장규모 (2019-2024) 캐나다 비휘발성 메모리 (NVM) 시장규모 (2019-2024) 멕시코 비휘발성 메모리 (NVM) 시장규모 (2019-2024) 브라질 비휘발성 메모리 (NVM) 시장규모 (2019-2024) 중국 비휘발성 메모리 (NVM) 시장규모 (2019-2024) 일본 비휘발성 메모리 (NVM) 시장규모 (2019-2024) 한국 비휘발성 메모리 (NVM) 시장규모 (2019-2024) 동남아시아 비휘발성 메모리 (NVM) 시장규모 (2019-2024) 인도 비휘발성 메모리 (NVM) 시장규모 (2019-2024) 호주 비휘발성 메모리 (NVM) 시장규모 (2019-2024) 독일 비휘발성 메모리 (NVM) 시장규모 (2019-2024) 프랑스 비휘발성 메모리 (NVM) 시장규모 (2019-2024) 영국 비휘발성 메모리 (NVM) 시장규모 (2019-2024) 이탈리아 비휘발성 메모리 (NVM) 시장규모 (2019-2024) 러시아 비휘발성 메모리 (NVM) 시장규모 (2019-2024) 이집트 비휘발성 메모리 (NVM) 시장규모 (2019-2024) 남아프리카 비휘발성 메모리 (NVM) 시장규모 (2019-2024) 이스라엘 비휘발성 메모리 (NVM) 시장규모 (2019-2024) 터키 비휘발성 메모리 (NVM) 시장규모 (2019-2024) GCC 국가 비휘발성 메모리 (NVM) 시장규모 (2019-2024) 비휘발성 메모리 (NVM)의 제조 원가 구조 분석 비휘발성 메모리 (NVM)의 제조 공정 분석 비휘발성 메모리 (NVM)의 산업 체인 구조 비휘발성 메모리 (NVM)의 유통 채널 글로벌 지역별 비휘발성 메모리 (NVM) 판매량 시장 전망 (2025-2030) 글로벌 지역별 비휘발성 메모리 (NVM) 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 비휘발성 메모리 (NVM) 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 비휘발성 메모리 (NVM) 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 비휘발성 메모리 (NVM) 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 비휘발성 메모리 (NVM) 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 ## 비휘발성 메모리 (Nonvolatile Memory, NVM) 비휘발성 메모리(NVM)는 전원이 공급되지 않아도 저장된 데이터가 사라지지 않는 컴퓨터 메모리 기술을 총칭합니다. 이는 휘발성 메모리인 DRAM(Dynamic Random-Access Memory)이나 SRAM(Static Random-Access Memory)과는 달리, 전원 차단 후에도 정보를 계속 유지한다는 점에서 근본적인 차이를 가집니다. 이러한 특성 덕분에 비휘발성 메모리는 컴퓨터의 부팅 시 필요한 운영체제와 중요 데이터를 저장하거나, 스마트폰, 태블릿 등 휴대용 기기에서 앱 및 사용자 데이터를 보관하는 데 필수적으로 사용됩니다. 또한, 최근에는 데이터 저장 용량이 크고 전력 소모가 적다는 장점을 바탕으로 기존 저장 장치인 HDD(Hard Disk Drive)와 SSD(Solid-State Drive)의 대체재 또는 보완재로서 그 중요성이 더욱 커지고 있습니다. 비휘발성 메모리의 핵심적인 특징은 다음과 같습니다. 첫째, **데이터 유지성**입니다. 이는 전원이 끊겨도 정보가 사라지지 않는다는 비휘발성 메모리의 가장 중요한 특징이며, 시스템의 재부팅 시에도 데이터를 그대로 불러올 수 있게 합니다. 둘째, **전력 효율성**입니다. 데이터 저장 및 유지에 전력을 거의 소모하지 않거나 아주 적은 전력만을 소모하므로, 배터리 수명이 중요한 휴대용 기기나 대규모 데이터 센터에서 에너지 절감에 크게 기여합니다. 셋째, **내구성 및 신뢰성**입니다. 특히 플래시 메모리 기반의 비휘발성 메모리는 물리적인 충격에 강하며, 비교적 긴 수명을 가집니다. 넷째, **데이터 접근 속도**입니다. DRAM과 같은 휘발성 메모리보다는 느리지만, HDD와 같은 기존의 자기 저장 장치보다는 훨씬 빠른 읽기 및 쓰기 속도를 제공합니다. 비휘발성 메모리의 종류는 매우 다양하며, 각기 다른 작동 원리와 특성을 가지고 있습니다. 대표적인 종류로는 다음과 같은 것들이 있습니다. 첫째, **플래시 메모리 (Flash Memory)**입니다. 플래시 메모리는 비휘발성 메모리 시장에서 가장 지배적인 위치를 차지하고 있으며, 크게 **NAND 플래시**와 **NOR 플래시**로 나뉩니다. NAND 플래시는 높은 집적도와 빠른 쓰기 속도를 강점으로 하며, SSD, USB 드라이브, SD 카드 등 대용량 데이터 저장 장치에 주로 사용됩니다. 반면 NOR 플래시는 직접 주소 지정이 가능하여 프로그램 코드를 실행하는 데 적합하며, 임베디드 시스템이나 펌웨어 저장에 주로 사용됩니다. 플래시 메모리는 셀 구조에 따라 SLC(Single-Level Cell), MLC(Multi-Level Cell), TLC(Triple-Level Cell), QLC(Quad-Level Cell) 등으로 구분되며, 셀당 저장 비트 수가 늘어날수록 저장 용량은 증가하지만 속도와 내구성은 감소하는 경향을 보입니다. 둘째, **ROM (Read-Only Memory)** 계열입니다. ROM은 초기 비휘발성 메모리의 한 형태이지만, 현재에는 주로 쓰기 금지 또는 수정이 어려운 특성을 가진 메모리를 지칭합니다. ROM에는 **PROM (Programmable ROM)**, **EPROM (Erasable PROM)**, **EEPROM (Electrically Erasable PROM)** 등이 있으며, 이들은 각각 프로그램 방식이나 삭제 방식에서 차이를 보입니다. EEPROM은 전기적인 신호를 이용하여 데이터를 지우고 다시 쓸 수 있어, BIOS 설정 정보나 소량의 설정값 저장에 사용되었습니다. 셋째, **차세대 비휘발성 메모리**입니다. 기존 플래시 메모리의 한계를 극복하기 위한 다양한 신기술들이 연구 개발되고 있으며, 이들은 플래시 메모리보다 더 빠른 속도, 더 높은 내구성, 더 낮은 전력 소모 등을 목표로 합니다. 대표적인 차세대 비휘발성 메모리 기술로는 다음과 같은 것들이 있습니다. * **MRAM (Magnetoresistive Random-Access Memory)**: 자기 저항 효과를 이용하여 데이터를 저장하는 기술입니다. 데이터를 읽을 때 자기 상태의 변화를 이용하기 때문에 속도가 매우 빠르고, 반복적인 쓰기에도 내구성이 뛰어납니다. 또한, 전력 소모가 매우 적다는 장점을 가집니다. * **ReRAM (Resistive Random-Access Memory) 또는 RRAM**: 절연체의 전기 저항 변화를 이용하여 데이터를 저장하는 기술입니다. 간단한 구조와 높은 집적도를 가지며, 저전력, 고속 동작이 가능하여 다양한 응용 분야에서 주목받고 있습니다. * **PCM (Phase-Change Memory)**: 칼코게나이드 합금 물질의 상 변화(결정질-비정질)를 이용하여 데이터를 저장하는 기술입니다. 데이터를 빠르게 읽고 쓸 수 있으며, 전력 소모도 적습니다. 인텔의 옵테인(Optane) 메모리 등에서 활용되었습니다. * **FeRAM (Ferroelectric RAM)**: 강유전체 물질의 분극 방향 변화를 이용하여 데이터를 저장하는 기술입니다. 매우 빠른 쓰기 속도와 뛰어난 내구성을 가지지만, 셀당 저장 용량이 작고 제조 공정이 복잡하다는 단점이 있습니다. 비휘발성 메모리의 용도는 실로 방대하며, 현대 디지털 사회의 거의 모든 영역에 걸쳐 활용되고 있습니다. 가장 대표적인 용도로는 **대용량 데이터 저장**입니다. SSD는 기존 HDD를 대체하며 컴퓨터의 부팅 속도와 애플리케이션 실행 속도를 혁신적으로 향상시켰으며, 스마트폰, 태블릿, 디지털카메라 등 휴대용 기기의 저장 공간으로도 널리 사용됩니다. 또한, **임베디드 시스템**에서는 운영체제나 펌웨어를 저장하는 데 필수적이며, 자동차, 가전제품, 산업 제어 장치 등 다양한 전자기기의 핵심 부품으로 활용됩니다. 최근에는 **데이터 센터**의 성능 향상 및 에너지 효율 증대를 위해 SSD 및 기타 비휘발성 메모리 기반의 스토리지 시스템 도입이 가속화되고 있습니다. 더 나아가, **AI 및 빅데이터 처리** 분야에서는 대량의 데이터를 빠르게 읽고 쓸 수 있는 고성능 비휘발성 메모리의 역할이 더욱 중요해지고 있으며, **사물 인터넷(IoT)** 환경에서는 저전력으로 데이터를 지속적으로 저장해야 하는 센서 노드 등에서 그 활용도가 높아지고 있습니다. 비휘발성 메모리와 관련된 주요 기술로는 **3D NAND 기술**이 있습니다. 기존의 2D NAND 플래시는 평면적으로 셀을 집적하는 방식이었으나, 3D NAND 기술은 여러 층의 셀을 수직으로 쌓아 올려 집적도를 비약적으로 높였습니다. 이를 통해 동일한 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있게 되었으며, 가격 경쟁력을 확보하는 데 중요한 역할을 했습니다. 또한, **인터페이스 기술**의 발전도 비휘발성 메모리의 성능 향상에 기여하고 있습니다. NVMe(Non-Volatile Memory Express)와 같은 인터페이스는 PCIe(Peripheral Component Interconnect Express) 버스를 활용하여 기존 SATA 인터페이스보다 훨씬 빠른 데이터 전송 속도를 제공함으로써 SSD의 잠재력을 최대한 끌어내고 있습니다. 더불어, 비휘발성 메모리는 **인공지능(AI) 및 머신러닝(ML)** 분야에서도 중요한 역할을 합니다. AI 모델을 학습시키고 추론하는 과정에서 방대한 양의 데이터를 빠르고 효율적으로 처리해야 하는데, 비휘발성 메모리는 이러한 요구사항을 충족시키는 데 필수적입니다. 특히, 신경망 연산의 속도를 높이기 위해 메모리 내에서 연산을 수행하는 **In-Memory Computing** 기술과 결합될 때, 비휘발성 메모리의 잠재력은 더욱 극대화될 수 있습니다. 이는 AI 처리 속도를 혁신적으로 향상시키고 에너지 효율을 높이는 데 기여할 것으로 기대됩니다. 또한, 최근에는 **메모리 계층 구조(Memory Hierarchy)**에 대한 새로운 접근 방식이 주목받고 있습니다. 기존에는 CPU 캐시(SRAM), 메인 메모리(DRAM), 저장 장치(SSD/HDD)로 이어지는 명확한 계층 구조가 있었으나, 비휘발성 메모리가 발전함에 따라 이 경계가 모호해지고 있습니다. 예를 들어, 고성능 비휘발성 메모리는 DRAM과 저장 장치의 중간 단계인 **퍼시스턴트 메모리(Persistent Memory)** 역할을 수행하며, 데이터의 영구성과 메모리의 속도를 동시에 제공합니다. 이는 자주 사용되는 데이터나 중간 결과 데이터를 영구적으로 저장하여 시스템의 전반적인 성능을 향상시키는 데 기여합니다. 인텔의 옵테인(Optane)이나 삼성의 Z-NAND 등이 이러한 퍼시스턴트 메모리의 예시로 볼 수 있습니다. 결론적으로, 비휘발성 메모리는 단순히 데이터를 저장하는 기능을 넘어, 현대 컴퓨팅 환경의 속도, 효율성, 그리고 새로운 가능성을 열어가는 핵심 기술입니다. 플래시 메모리의 지속적인 발전과 MRAM, ReRAM 등 차세대 비휘발성 메모리의 등장은 앞으로도 다양한 분야에서 혁신을 이끌어낼 것으로 기대됩니다. 특히 AI, IoT, 빅데이터 등 미래 산업의 발전에 있어 비휘발성 메모리의 역할은 더욱 중요해질 것이며, 끊임없는 연구 개발을 통해 그 성능과 활용 범위는 더욱 확장될 것입니다. |
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